KR920003818A - 플라즈마 장치 및 고주파가 인가되는 부재에 있어서의 전기신호의 추출방법 및 전기신호 추출 시스템 - Google Patents

플라즈마 장치 및 고주파가 인가되는 부재에 있어서의 전기신호의 추출방법 및 전기신호 추출 시스템 Download PDF

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도시히사 노자와
오사무 가미간다
유끼마사 요시다
하루오 오까노
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이노우에 아끼라
도꾜 일렉트론 리미티드
아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
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    • H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 장치 및 고주파가 인가되는 부재에 있어서의 전기신호의 추출방법 및 전기신호 추출 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시하기 위한 마그네트론 플라즈마 에칭 장치를 도시한 개략 구성도
제2도는 제1도의 장치에 사용되는 정전척을 도시한 단면도
제3도는 제1도의 장치에 있어 측온체의 고주파 전극에 착설하는 부분의 확대 표시도

Claims (14)

  1. 피처리체를 플라즈마처리하기 위한 플라즈마 장치로서, 진공챔버와, 이 챔버와, 이 챔버내에 설치되어 피처리체를 지지하기 위한 지지테이블과, 이 지지체의 고주파 전력을 인가하고, 이 고주파 전력에 의하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단과, 상기 지지테이블내에 설치되어, 상기 지지테이블의 온도를 검출하기 위한 온도 검출 수단과, 상기 온도 검출수단이 그 속에 절연설치하되 직류적으로 플로팅상태로 유지된 금속용기와, 상기 온도 검출수단으로부터의 출력신호중 고주파 성분을 여파하기 위한 필터 수단과, 이 필터 수단에서 출력된 저주파신호에 기인하여 상기 지지체의 온도를 측정하는 온도 측정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온도 검출수단으로부터의 출력에 기준하여, 상기 지지체의 온도를 콘트롤하는 온도 제어 수단을 가진 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.
  3. 고주파전력이 인가되는 부재에 있어서, 그 고주파보다도 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 방법으로서, 이 방법은, 추출하고저 하는 전기신호의 전달 매체를 금속용기내에 절연하여 설치하는 공정과, 이 금속용기를 상기 고주파전력이 인가되는 부재로 부터 절연하여 그 부재내에 설치하는 공정과, 상기 금속용기를 직류적으로 플로팅 상태로 유지하는 공정과, 상기 전달매채로 부터의 전기신호에 있어서의 고주파 성분을 필터수단에 의하여 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 고주파 보다도 주파수가 낮은 전기신호를 주출하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 신호전달매체는 상기 고주파전력이 인가되는 부재의 온도검출소자를 구비한 것을 특징으로 하는 고주파보다도 주파수가 낮은 전기신호추출방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 신호전달매체는 백금저항체를 구비한 것을 특징으로 하는 고주파보다 주파수가 낮은 전기신호 추출방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 고주파 전력이 인가되는 부재는 고주파 전극으로된 것을 특징으로 하는 고주파보다도 주파수가 낮은 전기신호 추출방법.
  7. 고주파 전력이 인가되는 부재에 있어서 그 고주파보다도 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 시스템으로서, 이 시스템은 추출하고저하는 전기신호의 전달매체가 그속에 절연하여 설치하되 직류적으로 플로팅 상태가 유지된 금속용기와, 이 금속용기와 상기 고주파전력이 인가되는 부재와를 절연하는 절연수단과, 상기 전달매체로부터의 전기신호에 있어 고주파 성분을 제거하는 필터 수단를 구비한 것을 특징으로 하는 고주파 보다도 주파수가 낮은 전기 신호를 주출하는 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 신호 전달 매체는 상기 고주파 전력이 인가되는 부재의 온도검출소자를 구비한 것을 특징으로 하는 고주파 보다도 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 사익 신호전달매체는 백금 저항체인 것을 특징으로 하는 고주파 보다도 주파수가 낮은 전기 신호를 추출하는 시스템.
  10. 제7항에 있어서, 상기 고주파 전력이 인가되는 부재는 고주파전극인 것을 특징으로 하는 고주파 전력이 인가되는 부재는 고주파전극인 것을 특징으로 하는 고주파 보다도 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 시스템.
  11. 플라즈마 에칭장치에 있어서의 고주파 전극의 온도측정 시스템으로써, 이 온도 측정 시스템은, 온도를 측정하기 위한 온도 검출 소자와, 이 온도 검출자가 그속에 절연하여 설치하되 고주파에 플로팅상태로 유지된 금속용기와, 이 금속용기와 상기 고주파 전극과를 절연하는 절연수단과, 상기 온도검출소자로 부터의 전기신호에 있어서의 고주파 성분을 제거하는 필터 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 온도 측정시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 온도검출소자는 백금저항체로된 것을 특징으로 하는 온도측정 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭장치는 플라즈마에 자계를 인가하는 마그네트론을 가진 것을 특징으로 하는 온도 측정 시스템.
  14. 제11항에 잇어서, 상기 전극의 온도를 콘트롤 하는 온도제어 수단을 가진 것을 특징으로하는 온도 측정 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910012353A 1990-07-20 1991-07-19 플라즈마 장치 및 고주파가 인가되는 부재에 있어서의 전기신호의 추출방법 및 전기신호 추출시스템 KR0155567B1 (ko)

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