KR0155567B1 - 플라즈마 장치 및 고주파가 인가되는 부재에 있어서의 전기신호의 추출방법 및 전기신호 추출시스템 - Google Patents

Abstract

플라즈마 에칭장치에 있어서의 고주파 전극의 온도 측정 시스템은, 온도를 검출하기 위한 온도 검출 소자(62)와, 이 온도검출소자(62)가 그 속에 절연하여 설치하되, 직류적으로 플로팅상태로 유지된 금속 시이스 부재(63)와, 이 시이스 부재와 고주파 전극과를 절연하는 절연부재(25)와 온도검출소자로 부터의 전기신호에 있어서의 고주파성분을 제거하는 필터(65)를 구비한 것이다.

Description

플라즈마 장치 및 고주파가 인가되는 부재에 있어서의 전기신호의 추출방법 및 전기신호 추출 시스템

제1도는 본 발명은 실시하기 위한 마그네트론 플라즈마 에칭장치를 도시한 개략 구성도.

제2도는 제1도의 장치에 사용되는 정전척을 도시한 단면도.

제3도는 제1도의 장치에 있어 측온체의 고주파 전극에 착설하는 부분의 확대 표시도.

제4도는 제1도의 장치에 사용되는 필터의 회로를 표시한 회로도.

제5도는 필터의 특성 표시도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 진공챔버 20 : 서셉터

40 : 마그네트부 42 : 영구자석

50 : 고주파전원 60 : 온도측정부

61 : 백금저항 측온체 65 : 필터

68 : 온도표시부 69 : 온도 콘트롤러

본 발명은 플라즈마 장치와 고주파가 인가되는 부재에 있어서, 고주파의 영향하에 설치된 온도 측정소자 등의 전기신호 전달매체로 부터 전기신호를 추출하는 방법 및 전기신호 추출 시스템에 관한 것이다.

예를들면, RIE방식의 플라즈마 에칭장치에서는 피처리체인 반도체 웨이퍼를 재치하는 서셉터를 하부전극으로 하고, 이것과 대향하는 챔버 등을 상부전극으로 하고, 이 대향전극간에 RF전력을 공급함으로써 에칭가스에 의한 플라즈마를 생성하고, 이것으로 웨이퍼의 플라즈마 에칭을 실시하고 있다. 여기에서 상기 서셉터의 RF전극을 접속한 경우, 이 서셉터가 고주파 전극, 즉 RF음극으로서 작용한다.

그런데 이러한 플라즈마 에칭을 하는데 있어서 피처리체인 웨이퍼는 플라즈마에 의하여 가열되고, 그 웨이퍼를 냉각하므로서 이방성이 높은 에칭이 가능하다는 것이 확인 되었고 서셉터를 냉각 하므로서 열전도에 의하여 웨이퍼를 냉각하고 있다. 그리고 서셉터의 온도를 측정함으로써, 웨이퍼 온도를 간접적으로 알 수가 있어, 이 온도를 기초로 하여 에칭에 주어지는 웨이퍼 온도의 영향을 일정하게 제어할 수가 있다. 이때의 서셉터의 온도를 측정하기 위하여 백금 저항체 등의 온도측정 소자를 사용한다.

그런데, 이 서셉터는 RF 음극으로서 사용되므로 온도측정 신호에 RF노이즈가 유도되어 중첩함으로써 정확한 온도측정이 곤란한 문제점이 존재한다.

본 발명은 이러한 사정에 따라서 발명된 것으로서, 그 목적은 정확한 온도측정이 가능한 플라즈마 장치를 제공하고자 함에 있다.

또한 본 발명의 다른 목적은 고주파를 사용하는 장치에 있어서, 고주파 유도 노이즈의 영향을 제거하여 정확한 전기신호의 추출을 가능하게 하는 전기신호의 추출방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적중의 하나는 그러한 전기신호의 추출 시스템을 제공하는데 있다.

상기한 목적에 따른 본 발명의 제 1 특징은 피처리체를 플라즈마 처리하기 위한 플라즈마 장치로써, 진공챔버와, 이 챔버내에 설치되며, 피처리체를 지지하기 위한 지지테이블과, 이 지지체에 고주파 전력을 인가하여, 이 고주파 전력에 의하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단과, 상기 지지테이블내에 설치되어, 상기 지지테이블의 온도를 검출하기 위한 온도 검출 수단과, 상기 온도검출 수단을 그 속에 절연되게 설치하되, 직류적으로 부동상태(floating state)로 유지된 금속용기와, 상기 온도 검출 수단으로 부터의 출력 신호를 여파하여 고주파 성분을 제거하기 위한 필터 수단과, 이 필터 수단으로 부터 출력된 신호에 기준하여 상기 지지테이블의 온도를 측정하는 온도 측정수단을 구비한 플라즈마 장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 제 2 특징은 고주파 전력이 인가되는 부재에 있어서의 그 고주파 보다도 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 방법으로서, 추출하고자 하는 전기신호의 전달매체를 금속용기내에 절연하여 설치하는 공정과, 이 금속용기를 상기 고주파 전력이 인가되는 부재로 부터 절연하여 그 부재내에 설치하는 공정과, 상기 금속용기를 직류적으로 부동상태(floating state)로 유지하는 공정과, 상기 전달매체로 부터의 전기신호에 있어서의 고주파 성분을 필터 수단에 의하여 제거하는 공정을 포함하는 방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 제 3 특징은 고주파 전력이 인가되는 부재에 있어서의 그 고주파 보다도 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 시스템으로서, 후술하고자 하는 전기신호의 전달매체를 그 중에 절연하여 설치하되, 직류적으로 부동상태로 유지된 금속용기와, 이 금속용기와 상기 고주파 전력이 인가되는 부재와를 절연하는 절연 수단과, 상기 전달 매체로 부터의 전기신호를 여파하여, 그 고주파 성분을 제거하는 필터 수단을 구비한 시스템을 제공하는 것이다.

본 발명에서는 온도 검출 수단, 또는 전기신호 전달매체가, 전자적 시일드 효과를 가진 금속용기내에 절연하여 설치하되, 이 금속용기와 고주파 전력이 인가되는 부재가 절연되었다. 또한 이 금속용기는 접지되는 일 없이 직류적으로 플로팅 상태가 된다. 따라서, 시일드 효과와, 부동상태로 하므로서 공통 접지로 부터의 노이즈 혼입을 방지하는 것에 의하여 고주파노이즈의 영향이 경감된다.

더우기 필터 수단에 의하여 추출하고자 하는 전기신호로 부터 고주파 성분이 제거된다. 따라서 지극히 정밀도가 높은 전기신호를 추출할 수가 있다.

이하, 본 발명은 마그네트론 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 서셉터의 온도 측정에 적용한 한 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

제1도는 본 발명을 실시하기 위한 마그네트론 플라즈마 에칭장치의 개략 구성도이다. 이 장치는 진공챔버(10)와, 이 챔버(10)내에 설치되어 피처리체, 예를들면 반도체 웨이퍼(1)를 지지하기 위한 서셉터(20)와, 서셉터(20)의 하방에 설치된 냉각부(30)와, 챔버(10)의 상방에 설치된 마그네트부(40)와, RF전원(50)과, 온도 측정부(60)를 구비하고 있다.

상기 진공챔버(10)는 예를들면 알루미늄으로 형성되었고 원통형의 상부챔버(11)와 하부챔버(12)를 가지고 있다. 그리고, 상부챔버(11)의 하단이 하부챔버(12)와 접합되어 있다. 상부챔버(11)의 측벽하부에는 배기구(13)가 설치되어 있고, 이 배기구(13)에 접속된 배기펌프(도시없음)에 의하여 진공챔버(10)내가 진공으로 배기된다. 그리고 이 진공챔버(10)내가 저압, 예를들면 10-6Torr 정도까지 감압할 수 있게 설계되었다. 또, 상기 상부챔버(11)의 상벽에는 에칭가스를 웨이퍼 전면에 균일하게 공급하도록 설치된 복수의 가스확산구(도시없음)가 형성되어 있고, 이 가스확산구로 부터 가스 공급원에서 공급된 에칭가스가 챔버(10)내에 도입된다. 하부챔버(12)는 냉각부(30) 및 서셉터(20)를 지지하는 저벽(12a)과 원통형의 측벽(12b)을 가지고 있다. 서셉터(20)는 냉각부(30)의 상부에 설치된 상면이 개방된 원통형의 전기 절연성의 세라믹 부재(14)의 저벽 내측에 지지되어 있고 세라믹 부재(14)의 측벽에 둘러싸인 상태로 되어 있다. 이 서셉터(20)는 웨이퍼의 지지부를 가진 상부 서셉터(21)와, 이 상부 서셉터(21)를 지지하는 하부 서셉터(22)를 가지고 있다. 상기 상부 서셉터(21)는 하부 서셉터(22)에서 분리 가능하게 고정된다. 이와같이 서셉터(20)를 2개로 분할시키고 있는 것은 서셉터가 오염된 경우에는 상측의 제 1 서셉터(21)만을 교환하고, 그 유지보수를 용이하게 하기 위함이다. 상기 서셉터(20)의 측면과, 제 1 절연 세라믹(16)의 내 측면과의 사이에는 단열용의 간극(間隙)(15)이 형성되었다.

하부 서셉터(22)에는 상부 서셉터(21)의 저면에 임하는 위치에 세라믹 히터(23)가 배설되고, 이것에 의하여 상부 서셉터(21)의 온도 콘트롤이 가능하도록 되어 있다.

상기 상부 서셉터(21)의 상면에는 제2도에 도시된 바와같이 웨이퍼(1)를 흡착 지지하기 위한 정전척(24)이 설치되어 있고, 이 정전척(24)은 2매의 절연 시이트(예를들면 폴리이미드 시이트)(24a),(24b)와 이들 사이에 개재된 동(銅)등으로 형성된 도전성 시이트(24c)로 구성되었다. 그리고 이 도전성 시이트(24c)에 정전척 전압, 예를들면 직류의 2KV를 인가한 상태로 정전척(24)상에 웨이퍼(1)를 탑재하고, 플라즈마가 발생된 후에 정전척(24)에 생긴 정전기에 의한 쿨롱력에 의하여 웨이퍼(1)를 서셉터에 흡착 고정한다.

냉각부(30)는 내부에 액체질소 수용부(31)를 가진 실린더 상태의 냉각부재(32)를 구비하고, 액체질소 수용부(31)내에는 액체질소(33)가 저류되어 있다. 그리고 이 냉각부재(32)의 상벽이 상기 세라믹부재(14)를 지지하고 있다. 냉각부재(32)의 저벽 내측은 예를들면 다공질로 형성되어 핵비등을 일으킬 수 있게 되어 있고, 이것에 의하여 저벽 내측이 대략 -196℃로 유지된다. 더우기, 냉각부재(32)는 세라믹 부재의 절연부재(34)를 개재하여 하부챔버(12)의 저벽(12a)상에 설치되었다.

상술한 하부챔버(12)의 측벽은 세라믹부재(14), 냉각부재(31), 및 절연부재(34)를 둘러싸도록 설치되었다. 그리고, 측벽(12b)의 내면은 세락믹 부재(14), 냉각부재(31) 및 절연부재(34)의 외주면에서 이격되어 있고, 그 사이에 단열용의 간극(間隙)(16)이 형성되어 있다.

간극(15) 및 간극(16)의 상단부에는 각각 O링 (17) 및 (18)이 감입되어 있고, 이것에 의하여 간극(15) 및 (16)이 시일(seal)된다. 하부챔버(12)의 저벽(12a)에는 배기구(19)가 설치되어 있고, 이 배기구(19)에 접속된 배기펌프(도시없음)에 의하여 간국(15) 및 (16)이 진공배기되고, 간극(15) 및 (16)이 진공 단열층으로서의 기능을 한다. 이 진공 단열층에 의하여 웨이퍼(1)가 냉각부재(32)이외의 부재와 열교환하는 것이 극력 억제되어 효율좋게 웨이퍼(1)를 냉각할 수 있다.

더우기, 간극(15) 및 (16)을 효율좋게 진공시키기 위하여 절연 세라믹부재(14) 및 세라믹부재(34)에는 구멍 등이 형성되어 있다.

고주파 전원(50)은 서셉터(20)의 상부서셉터(21)에 접속되어 있다. 고주파 전원(50)에서 상부 서셉터(21)에 이르는 도선(51)은 하부챔버(12)의 저벽(12a)에서 상부 서셉터(21)까지 통과하도록 설치된 절연파이프(52)내에 설치되었다. 또한, 상부챔버(11)는 접지되어 있다. 즉 RIE방식의 플라즈마 에칭장치를 구성하고 있다. 따라서 고주파 전력이 공급된 경우에 상부챔버(11)의 상벽이 상부전극으로서 기능하고, 서셉터(20)가 하부전극 즉 RF음극으로서 기능하여 에칭가스의 존재하에서 이들 사이에 플라즈마가 발생한다. 이 고주파 전원(50)은 13.56MHz이상의 주파수를 가지고 있고, 예를들면, 13.56MHz, 27MHz, 40MHz이다.

상기 마그네트부(40)는 전극간에 형성된 전계와 직교하는 방향에 자장을 인가하는 역할을 가지고 있고, 수평으로 설치된 지지부재(41)와, 이것에 지지된 영구자석(42)과 이들을 도면중 화살표 방향으로 회전시키기 위한 모터(43)를 가지고 있다.

다음에 온도측정부(60)에 대하여 설명한다. 이러한 플라즈마 에칭장치에서는 웨이퍼(1)의 온도를 직접 측정하는 것이 불가능 하기 때문에 상부 서셉터(21)의 온도를 측정하여 웨이퍼의 온도제어를 한다. 그 때문에 여기에서는 상부 서셉터(21)에 시이스형 백금 저항측온체(61)가 제3도에 상세하게 도시한 바와같이 얇은 두께의 금속용기, 예를들면 스테인레스의 시이스부재(63)중에 절연부재(63a)를 개재하여 백금저항체(62)가 설치되었다. 이 시이스형 백금 저항측온체(61)는 상부 서셉터(21)에 감입된 열전도성이 양호한 절연 세라믹부재(25)에 매립되어 있다. 상기 세라믹부재(25)와 시이스부재(63)와의 사이에는 열전도성이 양호한 크림(26)이 충전되어 있다.

상기 시이스부재(63)는 백금저항체(62)로 부터의 2개의 도선(64)의 인출방향인 하방을 향하여 백금저항체(62) 및 도선(64)을 피복하도록 연출되어 있다. 이 시이스 부재(63)의 어느 곳도 접지됨이 없이 전기적으로 부동상태로 되었다. 더우기 시이스부재(63)와 냉각부재(32)의 상벽 및 저벽과의 사이와 하부챔버(12)의 저벽(12a)과의 사이에는 절연성의 시일부재(35)가 개재 삽입장치 되었다.

도선(64)은 필터(65)에 접속되어, 이 필터(65)에 있어서 도선(64)으로 부터의 신호가 여파되어 고주파 성분(즉, 고주파 전원으로 부터의 고주파)이 제거되어서 저주파 성분만이 통과한다. 상기 필터(65)는 측정부(66)에 접속된다. 상기 측정부(66)는 브리지 회로등을 가지고 있고, 거기에 접속된 전원(67)에서 교류전력이 공급되어서, 온도에 의하여 변화하는 백금저항체(62)의 저항을 측정한다. 그 측정신호는 온도표시부(68)와 온도 콘트롤러(69)에 입력된다. 온도 콘트롤러(69)는 필터(65)로 부터의 신호에 따라서 온도 제어신호를 세라믹 히터(26)에 출력하고, 서셉터의 온도를 피이드백 제어하는 것으로서, 이것에 의하여 예를들면 웨이퍼(1)가 -60℃로 유지된다.

상기 필터(65)는 제4도에 도시한 바와같이 코일(65a)과 콘덴서(65b)를 구비하고 있어, 예를들면 제5도에 도시한 바와같은 장입 손실특성을 표시한다. 이와같이 고주파 성분이 제거되어 저주파 성분만이 출력된다.

이와같이 구성된 장치에 있어서는 챔버(10)내에 에칭가스를 도입하고, 고주파 전력을 상부전극과 하부전극과의 사이에 인가하여 플라즈마를 발생시켜, 이 플라즈마에 의하여 에칭처리를 한다. 이때에 회전되고 있는 영구자석(42)에 의하여 전극간에 자장을 인가하므로서 전극간에 존재하는 전자가 사이클로트론 운동을 하여 전자가 분자에 충돌하므로서 마그네트론 방전이 생겨서 분자가 전리하는 회수가 증가하고, 10^-2~10^-3Torr라는 비교적 저압력에서도 1㎛/min이라는 높은 에칭속도를 얻을 수가 있다. 따라서 1매당의 처리가 단시간에 끝나고 에칭의 신뢰성이 향상한다는 이점이 있다. 또, 이온의 평균에너지가 낮기 때문에 웨이퍼에 대한 손상도 작다.

이 플라즈마 에칭 처리에 있어 이방성이 높은 에칭을 하기 위하여 피처리체인 웨이퍼(10)를, 예를들면 -60℃정도로 냉각한다. 플라즈마 에칭시에는 플라즈마의 열에 의한 웨이퍼(1)의 승온 때문에 웨이퍼(1)의 온도 변동이 있다. 따라서 본 발명에서는 상술한 바와같이 냉각부재(32)의 액체질소 수용부(31)에 저장되었던 액체질소(33)에 의하여 서셉터(20)를 냉각함과 동시에 시이스형 백금 저항측온체(61)에 의하여 상부 서셉터(21)의 온도를 측정하고, 온도 콘트롤러(69)에서 세라믹 히터(23)에 제어신호를 출력하여 상부 서셉터(21)의 온도를 -60℃정도로 제어하고 있다. 이 경우에 서셉터(20)는 RF음극으로서 사용되기 때문에 온도 측정신호는 저주파 신호이기 때문에 이와같이 RF 노이즈가 중첩되면 정확한 온도측정이 곤란하다.

여기에서는 백금 저항측온체(61)가 얇은 두께의 금속용기인 시이스부재(63)중에 설치되어 있으므로 전자 시일드 효과에 의하여 RF 노이즈의 중첩을 어느정도 방지할 수가 있다. 시이스부재(63)는 도선(64)도 피복하고 있어서, 이 영역에서도 동일한 시일드 효과를 거둘 수 있는 것이다. 또, 시이스 부재(63)는 열전도성이 양호한 절연 세라믹부재(25), 접착제(26)에 의하여 RF음극으로서의 상부 서셉터(21)와 전열되고, 또 어떠한 부분도 접지되어 있지 아니하므로 전기적으로 부동상태로 유지된다. 따라서, 이 시이스 부재(63)가 RF음극과 공통 그랜드에 접지되는 일은 없고, 이 공통 그랜드에서 RF노이즈가 유도되는 것도 방지된다.

그러나, 시이스 부재(63)에 의하여 시일드 효과를 발휘하되 부동상태로 하므로서 공통 그랜드로 부터의 노이즈 혼입을 방지하는 것만으로는 완전하게 RF노이즈의 중첩을 방지하는 것은 곤란하다. 그리하여 백금 저항측온체(62)로 부터의 온도 측정신호를, 필터(65)에 입력하고, 여기에서 RF의 고주파 신호를 제거하고, 온도측정신호인 저주파 성분만을 인출하도록 하였다. 이것에 의하여 극히 오차가 적은 온도측정신호를 얻을 수 있다. 이러한 온도 측정신호에 기준하여 온도 콘트롤러(69)에서 세라믹 히터(23)에 대한 제어신호가 출력되어, 히터(23)의 온/오프에 의하여 상부 서셉터(21)의 온도가 제어된다. 이것에 의하여 웨이퍼(1)의 온도를 대략 일정온도로 유지하는 것이 가능하게 된다.

또한, 이와같이 저항측온체(62)를 시이스 부재(63)중에 절연 설치하고, 다시 이 시이스부재(63)를 서셉터(21)로 부터 절연하고 있으므로, RF전력의 누설이 방지되어, 효율이 양호한 에칭처리를 실행할 수가 있다. 또, 고주파에 의하여 측온체가 가열되는 것을 방지할 수가 있다.

더우기, 온도 측정에 시이스형 측온체를 채용하고 있으므로 시이스부재(63)에 의하여 측온체가 보강되어 내구성이 향상된다. 여기에 더하여 상기 보강에 의하여 도선(64)의 직경을 가늘게 할 수 있어서 측온부의 소형화가 가능하게 되는 효과도 있다.

더우기, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 본 발명의 요지의 범위내에서 여러가지 변형실시가 가능하다.

예를들면, 본 발명은 필히 RIE 에칭장치에 적용시키는 것에 한정되지 않고, 고주파가 인가되는 각종 부위의 온도측정에 적절하게 적용된다. 또 금속용기로 피복된 측온체가 있는 온도 측정 수단으로서도 본 발명의 작용을 실현할 수 있는 여러종류의 것을 채용할 수 있다.

더우기, 온도측정에 한정되지 않고 고주파가 인가되는 부재로 부터의 미소신호라 할지라도, 그 고주파보다도 주파수가 작은신호를 추출할 경우라면 적용할 수가 있는 것이다.

더우기, 또 상기 실시예에서는 본 발명을 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 적용시켰지만, 플라즈마 CVD장치나, 스패터링장치 등의 다른 플라즈마장치에 적용할 수도 있는 것이다.

Claims (14)

1. 진공챔버와 상기 챔버내에서 설치되어 피처리체를 지지하기 위한 지지테이블과 상기 지지테이블에 고주파 전력을 인가하는 것에 의해 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생수단과 상기 지지테이블내에 설치되어 상기 지지테이블의 온도를 검출하기 위한 온도검출수단과 상기 온도검출수단을 그 내부에 절연되도록 배치하고, DC 부동상태(floating state)를 유지하도록 하는 금속용기와 상기 온도검출수단으로 부터의 출력신호의 고주파 성분을 제거하기 위하여 출력신호를 여파하기 위한 필터수단과 상기 필터수단으로 부터의 출력신호에 근거하여 상기 지지테이블의 온도를 측정하기 위한 온도측정수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체에 플라즈마 처리를 수행하기 위한 플라즈마 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 지지테이블의 온도를 제어하기 위한 온도제어수단을 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체에 플라즈마 처리를 수행하기 위한 플라즈마 장치.
3. 고주파 전력이 인가되는 부재로부터 보내진 고주파 전력 보다 더 낮은 주파수를 가지는 전기신호를 추출하는 방법에 있어서, 추출되는 전기신호의 전달매체를 금속용기내에 절연되도록 배치하는 단계와 상기 금속용기를 고주파 전력이 인가되는 부재로부터 절연되도록 배치하는 단계와 상기 금속용기를 DC 부동상태로 유지하는 단계와 필터수단이 상기 전달매체로부터 보내진 전기신호의 고주파 성분을 제거하도록 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 보다 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 신호전달매체가 상기 고주파전력이 인가되는 부재에 대한 온도검출소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 보다 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 신호전달매체가 백금 저항체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파보다 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 방법.
6. 제3항에 있어서, 상기 고주파 전력이 인가되는 부재가 고주파 전극인 것을 특징으로 하는 고주파 보다 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 방법.
7. 고주파 전력이 인가되는 부재로부터 보내진 고주파 전력 보다 더 낮은 주파수를 가지는 전기신호를 추출하기 위한 시스템에 있어서, 추출된 전기신호의 전달매체가 절연되도록 배치하고, DC 부동상태가 유지되는 금속용기와 고주파 전력이 인가되는 부재로부터 상기 금속용기를 절연하기 위한 절연수단과 상기 전달매체로부터 보내진 전기신호의 고주파 성분을 제거하기 위하여 상기 전기신호를 여파하기 위한 필터수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 보다 주파수가 낮은 전기 신호를 추출하는 시스템.
8. 제7항에 있어서, 상기 신호전달매체가 상기 고주파 전력이 인가되는 부재에 대한 온도검출소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 보다 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 시스템.
9. 제8항에 있어서, 상기 신호전달매체가 백금 저항체를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 보다 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 시스템.
10. 제7항에 있어서, 상기 고주파 전력이 인가되는 부재가 고주파 전극인 것을 특징으로 하는 고주파 보다 주파수가 낮은 전기신호를 추출하는 시스템.
11. 플라즈마 에칭장치의 고주파 전극의 온도를 측정하는 시스템에 있어서, 온도를 측정하기 위한 온도검출소자와 상기 온도검출소자가 절연되도록 배치되고, DC 부동상태가 유지되는 금속용기와 상기 금속용기를 상기 고주파 전극으로부터 절연시키기 위한 절연수단과 상기 온도검출수단으로부터 보내진 전기신호의 고주파 성분을 제거하기 위하여 상기 전기신호를 여파하기 위한 필터수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 측정시스템.
12. 제11항에 있어서, 상기 온도검출소자가 백금 저항체를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 측정시스템.
13. 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭장치가 플라즈마에 자계를 인가하는 마그네트론을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 측정시스템.
14. 제11항에 있어서, 상기 전극의 온도를 제어하기 위한 온도제어수단을 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 측정시스템.