Claims (4)
실리콘 기판(1)의 상면에 산화막(2), 질화실리콘막(3) 및 산화막(4)을 증착한 후 1차 트렌치를 식각하는 단계와, 질화실리콘 측벽 스페이서(6)를 형성하면서 2차 트렌치를 형성하고 산화막(5)을 2000Å 정도 성장하는 단계와, 트렌치의 바닥에 P+확산층(7)을 형성하여 이웃하는 셀과 분리시키고 트렌치의 벽면 산화막(5)을 부분적으로 정의하는 단계와, 폴리실리콘으로 전하저장용 전극(9)을 형성하면서 캐패시터 유전체(11)를 ONO의 구조로 형성하고 n+확산층(13)을 확산하여 트랜지스터의 소오스를 형성한 다음에, 폴리실리콘을 도포한 후 오우버 에치하여 폴리실리콘층(12)을 형성하는 단계와, 트렌치를 제외한 질화실리콘 측벽 스페이서(6)와 질화실리콘막(3) 및 산화막(2)을 습식식각으로 제거한후 게이트 산화막(14)을 기르고 워드선(15)과 비트선(17)을 형성하는 단계들에 의해 제조됨을 특징으로 하는 수직 트랜지스터를 갖는 스택-트렌치 구조의 D램셀.Depositing an oxide film 2, a silicon nitride film 3, and an oxide film 4 on the upper surface of the silicon substrate 1, and etching the first trench, and forming a silicon nitride sidewall spacer 6 to form a secondary trench. Forming an oxide film 5 and growing the oxide film 5 by about 2000 microseconds, forming a P + diffusion layer 7 at the bottom of the trench, separating it from neighboring cells, and partially defining the trench oxide film 5 of the trench, and The capacitor dielectric 11 is formed in the structure of ONO while the charge storage electrode 9 is formed, the n + diffusion layer 13 is diffused to form a source of the transistor, and then polysilicon is applied and then overetched. Forming a polysilicon layer 12, removing the silicon nitride sidewall spacers 6, the silicon nitride film 3, and the oxide film 2 by wet etching, except for the trench, and growing the gate oxide film 14 to form a word line ( 15) and stage forming bit line 17 Stack having a vertical transistor of that characteristic produced by the-trench structure of D raemsel.
제1항에 있어서, 트렌치의 내부에 전하저장용 전극(9)을 스택-트렌치의 형태로 형성하고 그 위에 수직구조의 워드선(15) 및 드레인(16)의 트랜스퍼 트랜지스터를 형성한 수직 트랜지스터를 갖는 스택-트랜치 구조의 D램셀.The vertical transistor according to claim 1, wherein the charge storage electrode (9) is formed in the form of a stack trench in the trench, and the vertical transistor having the transfer transistor of the word line (15) and the drain (16) having a vertical structure thereon is formed. A DRAM cell having a stack-trench structure.
실리콘 기판(1)의 상면에 산화막(2), 질화실리콘막(3) 및 산화막(4)을 증착한 후 1차 트렌치를 식각하는 단계와, 질화실리콘 측벽 스페이서(6)를 형성하면서 2차 트렌치를 형성하고 산화막(5)을 2000Å 정도 성장하는 단계와, 트렌치의 바닥에 P+확산층(7)을 형성하여 이웃하는 셀과 분리시키고 트렌치의 벽면 산화막(5)을 부분적으로 정의하는 단계와, 폴리실리콘으로 전하저장용 전극(9)을 형성하면서 캐패시터 유전체(11)를 ONO의 구조로 형성하고 n+확산층(13)을 확산하여 트랜지스터의 소오스를 형성한 다음에, 폴리실리콘을 도포한 후 오우버 에치하여 폴리실리콘층(12)을 형성하는 단계와, 트렌치를 제외한 질화실리콘 측벽 스페이서(6)와 질화실리콘막(3) 및 산화막(2)을 습식식각으로 제거한 후 게이트 산화막(14)을 기르고 워드선(15)과 비트선(17)을 형성하는 단계들에 의해 제조됨을 특징으로 하는 스틱 트랜지스터를 갖는 스택-트렌치 구조의 D램셀의 제조방법.Depositing an oxide film 2, a silicon nitride film 3, and an oxide film 4 on the upper surface of the silicon substrate 1, and etching the first trench, and forming a silicon nitride sidewall spacer 6 to form a secondary trench. Forming the oxide film 5 and growing the oxide film 5 by about 2000 microseconds, forming a P + diffusion layer 7 at the bottom of the trench, separating it from neighboring cells, and partially defining the trench oxide film 5 in the trench; The capacitor dielectric 11 is formed in the structure of ONO while the charge storage electrode 9 is formed of silicon, the n + diffusion layer 13 is diffused to form a source of the transistor, and then polysilicon is applied and then the over etch Forming a polysilicon layer 12, and removing the silicon nitride sidewall spacer 6, the silicon nitride film 3, and the oxide film 2 by the wet etching except for the trench, and then growing the gate oxide film 14 to form a word line. 15 and bit line 17 to form Stack having a stick transistor of that characteristic produced by the planes - process for producing a D raemsel of the trench structure.
제3항에 있어서, 벽면 산화막(5)이 제거된 부분인 창을 통하여 n+확산층(13)이 확산되도록 하여 트랜스퍼트랜지스터와 전하저장용 전극(9)을 연결시키도록 한 수직 트랜지스터를 갖는 스택-트렌치 구조의 D램셀의 제조방법.4. The stack-trench of claim 3, wherein the n + diffusion layer 13 is diffused through a window in which the wall oxide film 5 is removed, thereby connecting the transfer transistor and the charge storage electrode 9 to each other. Method of manufacturing a D-RAM cell of structure.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.