Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사filedCritical김광호
Priority to KR1019900005005ApriorityCriticalpatent/KR910019255A/en
Publication of KR910019255ApublicationCriticalpatent/KR910019255A/en
폴리슬로우프프로파일을 이용한 L.D.D.의 형성방법Formation method of L.D.D. using polyslow profile
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제 3 도의 (가)∼(라) 및 (라′),(마′)도는 본 발명 폴리슬로우프프로파일을 이용한 L.D.D.구조의 형성공정을 도시한 반도체의 단면도이다.3A to 3D, and Figs. 3A to 3D are cross-sectional views of a semiconductor showing a process of forming an L.D.D.structure using the polyslow profile of the present invention.
Claims (1)
실리콘기판(1)의 실리콘산화막(2)상에 폴리실리콘층(3)과 WSi층(4′)을 차례로 퇴적형성하는 공정과, 상기 WSi층(4′)위에 포토레지스트(5)를 도포건조시켜 포토마스크(6)로 마스킹한 후 폴리슬로우프에칭을 실시하여 상기 폴리실리콘층(3)을 경사지게 식각하는 에칭공정 및, 상기 에칭공정 다음에 얇은 산화막(8) 재성장공정을 거친후나 또는 얇은 산화막(8) 재성장공정없이 곧바로 포토마스크(9)로 마스킹하여 불순물이온을 주입하는 이온 주입 공정으로 이루어진 폴리슬로우프프로파일을 이용한 L.D.D. 형성방법.Depositing and sequentially forming the polysilicon layer 3 and the WSi layer 4 'on the silicon oxide film 2 of the silicon substrate 1, and applying and drying the photoresist 5 on the WSi layer 4'. After etching the polysilicon layer 3 by masking with a photomask 6 and then performing polyslow etching, and after the etching process, a thin oxide film 8 regrowth process or a thin oxide film (8) LDD using polyslow profile consisting of an ion implantation process in which impurity ions are implanted by directly masking with a photomask (9) without a regrowth process Formation method.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019900005005A1990-04-111990-04-11
Formation method of L.D.D using polyslow profile
KR910019255A
(en)