KR910017218A - 액정소자 및 액정소자를 사용한 액정장치 - Google Patents

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유다까 이나바
마사노부 아사오까
오사무 다니구찌
겐지 신조오
도시하루 우찌미
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야마지 게이조오
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Abstract

내용 없음

Description

액정소자 및 액정소자를 사용한 액정장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 강유전성액정셀을 도시한 단면도, 제2A도 내지 제2E도는 강유전성 액정이 주입되고 제1도에 도시된 액정셀에서 밀봉된 후에 액정셀의 온도가 점차 감소딜때 배양 상태의 변동을 도시한 도, 제3도는 C1과 C2배향상태간의 차이를 설명하는도.

Claims (47)

  1. 강유전성 액정 및 실질적으로 평행하는 한쌍의 기판으로 구성되어 있으며, 상기 기판은 그 사이에 강유전성 액정이 밀봉되어 있는 대향 면을 갖고 있는 또한 전압이 인가되는 전극을 갖고 있고, 강유전성 액정을 배향시키기 위해 일측 배향처리를 받으며, 강유전성 액정은 다음식 : θ＜α＋δ(식에서 α는 강유전성 액정의 사전회전각도이고, θ는 회전각도이며 δ는 Sm*C층의 경사각임)으로 표시되는 배향상태를 가진며, 강유전성 액정은 배향에 있어 적어도 두 안정상태를 가지며, 이들 두 안정상태의 광축사이의 각도θa1/2과 강유전성 액정의 각 회전각θ는 다음관계 : θ＞θa＞θ/2를 만족하는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  2. 강유전성 액정 및 이 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향거리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 θ＜α＋δ로 나타내는 배향상태를 가지며, α는 강유전성 액정의 사전 회전각도이고, θ는 회전각, 및 δ는 Sm*C층의 경사각이고, 배향에서 적어도 2개의 안정 상태를 나타내고, 그리고 시계방향 3°내지 30°로 하나의 평광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 2개의 안정상태의 광축에 의하여 형성된 각을 분리하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일한 각 범위로 회전시의 제2의 안정상태에 의하여 형성된 칼라와 동일한 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  3. 강유전성 액정 및 이 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향거리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 θ＜α＋δ로 나타내는 배향상태를 가지며, α는 강유전성 액정의 사전 회전각도이고, θ는 회전각, 및 δ는 Sm*C층의 경사각이고 ,배향에서 전체적으로 3또는 4의 안정상태를 나타내고, 2 안정상태는 교차 니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지며, 1또는 2안정상태는 교차 니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  4. 제3항에 있어서, 배향상태에 강유전성 액정은 전테적으로 4의 안정상태를 가지고, 1및 2안정상태는 교차니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지과 3및 4안정상태는 교차 니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지며 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 제1및 제2안정상태의 광축에 형성된 각을 분리하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일 각 범위로 회전시의 제2의 안정상태에 의하여 형성된 칼라오 동일하고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판의 회전시에 제3안정상태의 칼라는 반시계방향으로 동일 각도로 하나의 편광판만의 회전시에 제4안정상태의 칼라와 다른 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  5. 강유전성 액정 및 이 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의하여 기판에 응력의 작용으로 발광 결함 또는 헤어핀 결함에 이하여 둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 액정 분자가 사전회전에 의하여 배향면으로부터 부동하는 방향에 대해서 발광 및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의하여 발생하고, 배향상태에서의 강유전성 액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, 강유전성 액정의 회전각(θ)과 이 2안정상태의 광축과의 사이의 각도(θa1/2는 θ＞θa＞θ/2의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  6. 강유전성 액정 및 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 기판 사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의하여 기판에 응력의 작용으로 발광 결함 또는 헤어핀 결함에 의하여 둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 액정 분자가 사전회전에 의하여 배향면으로부터 부유하는 방향에 대해서 발광및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의하여 발생하고, 배향상태에서의 강유전성 액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 2개의 안정상태의 광축에 의하여 형성된 각을 분리하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일한 각 범위로 회전시의 제2의 안정상태에 의하여 형성된 칼라인 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  7. 강유전성 액정 및 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 전유전성 액정은 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의하여 기판에 응력의 작용으로 발광 결함 또는 헤어핀 결함에 의하여 둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 액정 분자가 사전회전에 의하여 배향면으로부터 부유하는 방향에 대해서 발광및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의하여 발생하고, 배향상태에서의 강유전성 액정은 전체 3또는 4의 안정상태를 나타내고, 2 안정상태는 교차 니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지며, 1또는 2안정상태는 교차 니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  8. 제7항에 있어서, 배향상태에서 강유전성 액정은 전체 4안정상태를 가지고, 제1및 2안정상태는 교차 니콜하에 거의 소광 수준에 상당하는 소투과율을 가지며, 제3및 제4안정상태는 교차 니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축 제1 및 제2안정상태의 광축에 형성된 각을 분리하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일 각 범위로 회전시의 제2 안정상태에 의하여 형성된 칼라와 동일하고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판만의 회전시에 제3안정상태의 칼라는 반시계방향으로 동일 각도로 하나의 편광판만의 회전시에 제4안정상태의 칼라와 다른 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  9. 강유전성 액정 및 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의하여 기판에 응력의 작용으로 발광 결함을 또는 헤어핀 결함에 의하여 발둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 마찰방향에 대해서 발광 및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의하여 발생하고, 배향상태에서의 강유전성 액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, 강유전성 액정의 회전각(θ)과 이 2안정상태의 광축과의 사이의 각도(θa1/2는 θ＞θa＞θ/2의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  10. 강유전성 액정 및 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의하여 기판에 응력의 작용으로 발광 결함 또는 헤어핀 결함에 의하여 둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 마찰방향에 대해서 발광 및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의하여 발생하고, 배향상태에서의 강유전성 액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 2개의 안정상태의 광축에 의하여 형성된 각을 분리하기 위한 위치에 위치 할때 반시계방향으로 동일 각 범위로 회전시의 제2안정상태에 의하여 형성된 칼라인 것을 특징으로 강유전성 액정소자.
  11. 강유전성 액정 및 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의하여 기판에 응력의 작용으로 발광 결함을 또는 헤어핀 결함에 의하여 둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 마찰방향에 대해서 발광 및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의하여 발생하고, 배향상태에서의 유우전성 액정은 전체 3또는 4의 안정상태를 나타내고, 2 안정상태는 교차 니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지며, 1또는 2안정상태는 교차 니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  12. 제11항에 있어서, 배향상태에서의 강유전성 액정은 전체 4안정상태를 나타내고, 제1및 2 안정상태는 교차 니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지며, 제3및 4안정상태는 교차 니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축 제1 및 제2안정상태의 광축에 형성된 각을 분리하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일 각 범위로 회전시의 제2 안정상태에 의하여 형성된 칼라이고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판만의 회전시에 제3안정상태의 칼라는 반시계방향으로 동일 각도로 하나의 편광판만의 회전시에 제4안정상태의 칼라와 다른 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  13. 강유전성 액정 및 이 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 SmA상등의 고온에서 Sm*상의 온도까지 냉각하는동안 결함을 수반하는 배향에서듸 변화를 가지지 않고, 배향상태에서의 강유전성 액정은 적어도 안정상태를 가지고, 강유전성 액정의 회전각(θ)과 이 2안정상태의 광축과의 사이에서의 각도(θa1/2는 θ＞θa＞θ/2의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  14. 강유전성 액정 및 이 강유전성 액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극으로 구비되고 강유전성 액정을 배향시키도록 일축 배향처리를 받는 한쌍의 대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 강유전성 액정은 SmA상등의 고온에서 Sm*상의 온도까지 냉각하는 동안 결함을 수반하는 배향에서의 변화를 가지지 않고, 배향상태에서의 강유전성 액정은 적어도 안정상태를 가지고, 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 2개의 안정상태의 광축에 의하여 형성된 각을 분리하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일 각 범위로 회전시의 제2 안정상태에 의하여 형성된 칼라인 것을 특징으로 강유전성 액정소자.
  15. 강유전성 액정 및 이 강유전성 액정이 밀봉되는 대향면을 가진 실질적으로 평행인 한쌍의 기판으로 구성되며, 상기 기판은 전압이 공급되는 전극을 갖고 강유전성 액정을 배향하도록 일축배향 처리되는 강유전성액정소자에 있어서, 상기 강유전성 액정은 SmA상등의 고온에서 Sm*A상등의 고온에서 Sm*C상의 온도로 냉각되는 동안 결함을 수반하여 배향변경되지 않으며, 배향상태의 강유전성액정은 전체로서 3또는 4의 안정상태, 즉 교차니콜하에서 거의 소광수준에 해당하는 작은 투과율을 가진 2안정상태와 교차니콜하의 소광에 해당하는 큰 투과율을 가진 1 또는 2의 안정상태를 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  16. 제15항에 있어서, 배향상태의 강유전성액정은 전체로서 4안정상태, 즉 교차 니콜하에서 거의 소광수준에 해당하는 작은 투과율을 가진 제1및 제2안정상태와 교차니콜하에서 소광상태에 해당하는 큰 투과율을 가진 제3및 제4안정상태를 가지며, 하나의 편광판에 수직인 다른 편광판의 광흡수축의 위치에서부터 3°내지 30°시계방향으로 편광판의 회전할때 제1안정상태에 의해 형성되는 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 제1및 제2안정상태의 광학축에 의해 형성되는 각도를 2등분하는 위치에 놓일때 동일한 각도 범위만큼 반시계방향으로 회전될 때 제2안정상태에 의해 형성되는 칼라와 동일하며 단지 하나의 편광판이 3°내지 30°회전할 때 제3안정상태에서의 칼라는 동일한 각도범위만큼 단지 하나의 편광판이 반시계방향으로 회전될 때 제4안정상태의 칼라와 다른 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  17. 제1항 내지 제3항 및 제13항 내지 제15항중 어느 한항에 있어서, 배향 상태는 광조명 및 헤어핀 결함이 없는 3내지 4의 다른 안정상태를 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  18. 제1항내지 제6항중 어느 한항에 있어서, T1℃가 SmA상에서 Sm*C상으로 상전이를 일으키는 온도일때 배향상태가 (T1-5)℃에서 (T1-10)℃의 전체 온도범위에 제공되는 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  19. 제1항내지 제19항중 어느 한 항에 있어서, T1℃가 SmA상에서 Sm*C상으로 상전이를 일으키는 온도일때 배향상태가 (T1-5)℃에서 (T1-20)℃의 전체 온도범위에 제공되는 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  20. 제1항내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, T1℃가 SmA상에서 Sm*C상으로 상전이를 일으키는 온도일때 배향상태가 (T1-5)℃에서 (T1-30)℃의 전체 온도범위에 제공되는 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  21. 제1항내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, T1℃가 SmA상에서 Sm*C상으로 상전이를 일으키는 온도일때 배향상태가 (T1-5)℃에서 (T1-40)℃의 전체 온도범위에 제공되는 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  22. 제1항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 액정은 Sm*C층의 사전회전(프리틸트)각도 α와 경사각 δ가 δ＜α를 만족하는 배향상태를 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성액정소자.
  23. 카이랄스멕틱액정 및 상기 카이랄스멕틱액정이 그 사이에 밀봉된 대향면을 가진 실질적으로 평행인 한쌍의 기판으로 구성되고, 상기 기판은 전압이 가해지고 카이랄스메틱액정을 배향하도록 일축 배향처리되며, 상기 카이랄 스멕틱액정은 α가 카이랄스멕틱액정의 사전회전각도이고 θ가 회전각도이며 δ가 Sm*C의 경사각일 때 θ＜α+δ를 만족시키는 배향상태를 가지는/액정소자에 있어서, 카이랄스멕틱액정은 냉각되는 동안 스멕틱 A상에서 카이랄스멕틱 C상으로 상전이할 때 임의의 온도범위내에서 일축 배향상태를 나타내고 더이상 냉각되는 동안 적어도 2안정상태를 나타내는 카이랄스멕틱액정으로 구성되며, 2안정상태의 광학축에 의해 형성되는 각도는 1/2인 각도 θ2와 카이랄스멕틱액정의 회전 각θ는 적어도 2안정상태에서 나타내는 배열 상태에서 θ＞θ2＞θ/2를 만족하는 것을 특징으로 하는 액정소자.
  24. 카이랄스메틱액정 및 그 사이에 카이랄스멕틱액정이 밀봉되는 대향면을 가진 한쌍의 대체로 평행인 기판으로 구성되고 상기 기판은 전압이 가해지고 카이랄스멕틱액정을 배향하도록 일축을 따라 배향되는 액정소자에 있어서, 상기 카이랄스멕틱액정은 T2가 제2배향상태에서의 방광 및 헤어핀 결함에 의해 포위되는 부분의 펄스폭 임계치라고 할 때, 동일한 온도에서 T1/T2＜2.5를 만족하는 제1방향상태에서 사용되는 카이랄스멕틱액정으로 구성되며, 카이랄스멕틱액정이 헤어핀 및 발광결함으로 포위되는 배향상태를 나타낼 때 배향면으로부터 액정분자의 부유방향에 대하여 지정된 순서로 발광 및 헤어핀결함이 발생하며, 부유는 사전회전에 의해 일어나며 T1은 제1배향상태의 헤어핀 및 발광결함에 의해 둘러싸인 부분의 바깥부분의 펄스폭 임계치이고, 적어도 2안정상태를 나타내도록 제1배향상태는 카이랄스멕틱액정을 일으키며, θ2는 2안정상태의 광학측에 의해 형성되는 각도의 1/2이고 θ는 카이랄스멕틱액정의 회전 각도일때 제1배향 상태는 θ > θ2 > θ/2를 만족하는 것을 특징으로 하는 액정소자.
  25. 카이랄스멕틱액정 및 상기 카이랄스멕틱액정이 그 사이에 밀봉되는 대향면을 가진 대체로 평행인 한쌍의 기판으로 구성되며 기판에는 전압이 가해지고 카이랄스멕틱액정을 배향하도록 일축 배향처리되는 액정소자에 있어서, 카이랄스멕틱액정은 T2가 제2배향상태에서의 방광 및 헤어핀 결함에 의해 포위되는 부분의 펄스폭 임계치라고 할 때, 동일한 온도에서 T1/T2＜2.5를 만족하는 제1방향상태에서 사용되는 카이랄스멕틱액정으로 구성되며, 카이랄스멕틱액정이 헤어핀 및 발광결함으로 포위되는 배향상태를 나타낼 때 배향면으로부터 액정분자의 부유방향에 대하여 지정된 순서로 발광 및 헤어핀결함이 발생하며, 부유는 사전회전에 의해 일어나며 T1은 제1배향상태의 헤어핀 및 발광결함에 의해 둘러싸인 부분의 바깥부분의 펄스폭 임계치이고, 적어도 2안정상태를 나타내도록 제1배향상태는 카이랄스멕틱액정을 일으키며, 제1배향상태는 하나의 편광판에 대하여 수직은 다른 하나의 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판이 3°내지 30° 시계방향으로 회전할 때 제1안정상태에 의해 형성되는 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 제1및 제2안정상태의 광학측에 의해 형성되는 각도를 이등분하는 위치에놓일때 동일한 범위의 각도만큼 반시계방향으로 회전할때 제2안정상태에 의해 형성되는 칼라와 동일한 것을 특징으로 하는 액정소자.
  26. 카이랄스멕틱액정 및 상기 카이랄스멕틱액정이 그 사이에 밀봉되는 대향면을 가진 대체로 평행인 한쌍의 기판으로 구성되고, 상기 기판은 전압이 가해지는 전극을 가지고 카이랄스멕틱액정을 배향하도록 1축 배향처리되는 액정소자에 있어서, 상기 카이랄스멕틱액정은 T2가 제2배향상태에서의 발광 및 헤어핀 결함에 의해 포위되는 부분의 펄스 임계치일 때, 동일한 온도에서 T1/T2＜2.5를 만족하는 제1방향상태에서 사용되는 카이랄스멕틱액정으로 구성되고, 카이랄스멕틱액정이 헤어핀 및 발광결함으로 포위되는 배향상태를 나타낼 때 배향면으로부터 액정분자의 부유방향에 대하여 지정된 순서로 발광 및 헤어핀결함이 발생하며, 부유는 사전회전에 의해 일어나며 T1은 제1배향상태의 헤어핀 및 발광결함에 의해 둘러싸인 부분의 바깥부분의 펄스폭 임계치이고, 제1배향상태는 배향상태의 카이랄스멕틱 액정이 전체의 3또는 4안정상태, 즉 교차니콜하에서 소광수준에 해당하는 작은 투과율을 가지는 2안정상태, 즉 교차니콜하에서 소광수준에 해당하는 큰 투과율을 가진 1 또는 2안정상태를 가지는 조건을 만족하는 제1배향상태는 소광수준에 해당하는 작은 투과율을 가진 제1및 제2안정상태에 설정되는 것을 특징으로 하는 액정소자.
  27. 카이랄스멕틱액정 및 상기 카이랄스멕틱액정이 그 사이에 밀봉되는 대향판을 가진 대체로 평행인 한쌍의 기판으로 구성되며, 상기 기판은 전압이 가해지는 기판을갖고 카이랄스멕틱 액정을 배향하도록 일축 배향 처리되는 액정소자에 있어서, 상기 카이랄스멕틱 액정은 T2가 제2배향상태에서의 발광 및 헤어핀 결함에 의해 포위된 부분의 펄스폭 임계치라고 할때 같은 온도에서 T1/T2＜2.5를 만족하는 제1방향상태에서 사용되는 카이랄스멕틱 액정으로 구성되고, 카이랄스멕틱 액정이 헤어핀 및 발광결함에 의해 둘러싸인 배향상태를 나타낼때 발광 및 헤어핀 결함은 마찰방향에 대해 지정된 순서로 일어나며, T1은 제1배향상태의 헤어핀 및 발광결함에 의해 둘러싸인 부분의 바깥부분의 펄스폭 임계치이고 제1배향상태는 배향상태의 카이랄스멕틱 액정이 적어도 그 안정상태를 나타내는 것을 만족시키며 이들 2안정상태의 광학축사이의 각도 θ2의 1/2 및 강유전성 액정의 회전각도 θ2는 θ2＞θ2＞θ/2를 만족하는 것을 특징으로 하는 액정소자.
  28. 카이랄스멕틱 액정 및 상기 카이랄 스멕틱 액정이 2사이에 밀봉된 대향판을 가진 대체로 평행인 한쌍의 기판으로 구성되고, 상기 기판은 전압이 가해지고 카이랄스멕틱 액정을 배향하도록 일축액정 처리되는 액정소자에 있어서, 카이랄스멕틱 액정은 T2가 제2배향상태에서의 발광 및 헤어핀 결함에 의해 포위되는 부분의 펄스폭 임계치라고 할때 같은 온도에서 T1/T2＜2.5를 만족하는 제1방향상태에서 사용되는 카이랄스멕틱 액정이 헤어핀 및 발광결함에 의해 포위되는 배향상태를 나타낼때, 발광 및 헤어핀 결함은 마찰방향에대해 지정된 수서로 일어나며, T2가 제2배향상태의 헤어핀 및 발광결함에 의해 포위된 부분의 바깥부분의 펄스폭임계치이고, 제1배향상태는 카이랄스멕틱 액정이 적어도 그 안정상태를 나타내도록 하며, 제1배향상태는 하나의편광판에 수직인 또다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판이 3°내지 30° 시계방향으로 회전할때 제1안정상태에 의해 형성되는 칼라는 제1및 제2안정상태의 광학축에 의해 형성되는 각도를 2등분하는 위치에 하나의 편광판의 광흡수축이 위치할때 동일한 각도범위로 반시계방향으로 회전할때 제2안정상태에 이해 형성되는 칼라와 동일한 것을 특징으로 하는 액정소자.
  29. 카이랄스멕틱 액정 및 상기 카이랄 스멕틱 액정이 2사이에 밀봉되는 대향면을 가진 대체로 평행인 한쌍의 기판으로 구성되고, 상기 기판은 전압이 가해지고 카이랄스멕틱 액정을 배향하도록 일축액정 처리되는 액정소자에 있어서, 카이랄스멕틱 액정은 T2가 제2배향상태에서의 발광 및 헤어핀 결함에 의해 포위되는 부분의 펄스폭 임계치라고 할때 같은 온도에서 T1/T2＜2.5를 만족하는 제1방향상태에서 사용되는 카이랄스멕틱 액정으로 구성되고, 카이랄스멕틱 액정이 헤어핀 및 발광결함에 의해 둘러싸인 배향상태를 나타낼때 발광 및 헤어핀 결함은 마찰방향에 대해 지정된 순서로 일어나며, T1은 제1배향상태의 헤어핀 및 발광결함에 의해 둘러싸인 부분의 바깥부분의 펄스폭 임계치이고, 제1배향상태는 배향상태의 카이랄스멕틱 액정이 전체로 3또는 4안정상태, 즉 교차니콜하에서 거의 소광수준에 해당하는 작은 투과율을 가진 그 안정상태 및 교차니콜하에서 소광수준에 해당하는 큰 투과율을 가진 1또는 2의 안정상태를 가지는 조건을 만족하고 제1배향상태는 소광수준에 해당하는 작은 투과율을 가진 제1및 제2안정상태에 설정되는 것을 특징으로 하는 액정소자.
  30. 카이랄스멕틱액정 및 카이랄스멕틱액정이 밀봉되고 전압이 인가되는 전극이 구비되고 카이랄스멕틱액정을 향하도록 일축 배향처리를 받는 한쌍대략 평행한 기판으로 구성되고, 여기서 카이랄스멕틱액정은 θ＞θ2＞θ/2조건을 만족하는 배향상태를 가지며, α는 카이랄스멕틱액정의 사전회전각이고, θ는 회전각이며, 45는 Sm*C층의 경사각이고, 카이랄스멕틱액정은 배향상태를에서 적어도 2개의 안정 상태를 나타내고, 동일 온도에서 T1/T2＞2.5의 조건을 만족하여, 여기서 Tr은 θ＞θ2＞θ/2조건을 만족하는 제1액정 소자에서의 카이랄스멕틱액정의 펄스폭 한계값이고, 이중 θ2는 제2안정상태의 광축에 의해 형성되는 각도의 1/2에 해당하는 각도이고, θ는 카이랄스멕틱액정이 경사각이고, 그리고 R2는θ2＜α+δ조건으로 나타나는 배향상태를 가지는 제2액정소자에서의 카이랄스멕틱액정의 펄스폭한계값이며, 제2액정소자는 제1액정소자의 제1배향필름을 제2배향필름으로 교체함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 강유전성 액정소자.
  31. 각각 일축 배향처리되는 주사전극군 및 데이타전극군을 거지는 한쌍의 기판이 포함된 강유전성 액정소자로 구성되고, 한쌍의 기판의 한쪽축은 한쌍의 기판의 다른쪽 축과 평행하거나 대략 평행하고 한쌍의 기판의 다른쪽과 같은 방향을 가지고 있고, 그리고 강유전성 액정은 한쌍의 기판사이에 밀봉되고, θ＜α+δ의 조건으로 나타나는 배향상태를 가지며, 여기서 α는 강유전성액정의 사전회전각이고, θ는 회전각이며, δ는 Sm*C층의 경사각이고, 강유전성액정은 배향상태에서 적어도 2개의 안정상태를 나타내고 그리고 2개의 안정상태의 광축상사이에서 형성되는 각도는 θ＞θ2＞θ/2조건을 만족하며, 여기서 θ는 두개의 안정상태의 광축에 의해 형성되는 각도의 1/2에 해당하는 각도이고, θ는 강유전성액정의 회전각이고, 그리고 주사신호를 주사전극군에 적용하기 위한 수단으로 주사신호는 2개상 즉 서로 다른 극성을 가지는 소가(erase)상 및 기록 (write)상으로 구성되고, 전압의 절대값을 가지는 주사신호가 기록상의 화소(pixel)에 인가되는 것보다 한층 커지기 위해 소거상의 화소에 인가됨을 특징으로 하는 강유전성 액정 장치.
  32. 각각 일축 배향처리되는 주사전극군 및 데이타전극군을 거지는 한쌍의 기판이 한쪽축은 한쌍의 기판의 다른쪽 축과 평행하거나 대략 평행하고, 한쌍의 기판의 다른쪽과 같은 방향을 가지고 있고, 그리고 강유전성 액정은 한쌍의 기판사이에 밀봉되고, θ＜α+δ의 조건으로 나타나는 배향상태를 가지며, 여기서 α는 강유전성액정의 사전회전각이고, θ는 회전각이며, δ는 Sm*C층의 경사각이고, 강유전성액정은 배향상태에서 적어도 2개의 안정상태를 나타내고, 그리고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라로 한정되는 배향상태는 하나의 편광판의 광흡수축이 제1및 제2안정상태의 광축에 의해 형성되는 각도를 양분키위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일각범위로 회전시의 제2안정상태에 의해 형성되는 칼라와 동일한 것을 특징으로 하는 강유전성 액정장치.
  33. 각각 일축 배향처리되는 주사전극군 및 데이타전극군을 가지는 한쌍의 기판이 포함된 강유전성 액정소자로 구성되고, 한쌍의 기판의 한쪽축은 한쌍의 기판의 다른쪽 평행하거나 대략 평행하고, 한쌍의 기판의 다른 기록과 같은 방향을 가지고 있고, 그리고 강유전성 액정은 한쌍의 기판사이에 밀봉되고, θ＜α+δ의 조건으로 나타나는 배향상태를 가지며, 여기서 α는 강유전성액정의 사전회전각이고, θ는 회전각이며, δ는 Sm*C층의 경사각이고, 강유전성으로 한정되는 배향상태는 전체적으로 3또는 4의 안정상태를 가지고, 그 안정상태는 교차니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지며, 1는 2안정상태는 교차니콜하에 소광수준에 상당하는 대투과율을 가지고, 그리고 여기서 제1배양상태는 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지는 제1빛 제2안정상태에 놓이며, 그리고 주사신호를 주사전극군에 적용하기 위한 수단으로 주사신호는 2개의 상 즉 서로 다른 극성을 가지는 소거상 및 기록성으로 구성되고, 전압의 절대값을 가지는 주사신호가 기록상의 화소에 인가된는 것보다 한층 커지기 위해 소거상의 화소에 인가됨을 특징으로 하는 강유전성 액정장치.
  34. 제33항에 있어서, 여기서 배향상태에서 강유전성액정은 전체적으로 4의 안정상태를 가지고, 제1및 제2안정상태는 교차니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지고, 제3및 제4안정상태은 교차니콜하에 소광 수준에 상당하는 대투과율을 가지며, 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축이 제1및 제2안정상태의 광축에 의해 형성된 각도를 양분하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일각 범위로 회전시의 제2안정상태에 의하여 형성된 칼라와 동일하고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판만의 회전시에 제3 안정상태의 칼라는 반시계방향으로 동일각 범위로 하나의 편광판만의 회전시의 제4안정상태의 칼라와 다른 것을 특징으로 하는 강유전성 액정장치.
  35. 각각 일축 배향처리되는 주사전극군 및 데이타전극군을 가지는 한쌍의 기판이 포함된 강유전성 액정소자로 구성되고, 한쌍의 기판의 한쪽축은 한쌍의 기판의 다른쪽축과 평행하거나 대략 평행하고, 한쌍의 기판의 다른쪽과 다른 방향을 가지고 있고, 강유전성 액정은 한쌍의 기판사이에 밀봉되고, 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의해 기판에 응력이 작용함을 의한 헤어핀 또는 발광결함에 의해 둘러쌍인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 액정분자가 사전회전에 의해 배향면으로부터 부유하는 방향에 대해서 발광 및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의해 발생하고, 배향상태에서의 강유전성액정은 적어도 2안정상태를 나타내고 이러한 2안정상태의 광축과 광유전성액정의 θ사이의 각도 θ21/2는 θ＞θ2＞θ/2의 조건을 만족하고 그리고 주사신호를 주사전극군에 적용하기 위한 수단으로 주사신호는 2개의 상 즉 서로 다른 극성을 가지는 소거상 및 기록상으로 구성되고, 전압의 절대값을 가지는 주사신호가 기록상의 화소에 인가되는 것보다 한층 커지기 위해 소거상의 화소에 인가됨을 것을 특징으로 하는 강유전성 액정장치.
  36. 각각 일축 배향처리되는 주사전극군 및 데이타전극군을 거지는 한쌍의 기판이 포함된 강유전성 액정소자로 구성되고, 한쌍의 기판의 한쪽축은 한쌍의 기판의 다른쪽축과 평행하거나 대략 평행하고, 한쌍의 기판의 다른쪽과 다른 방향을 가지고 있고, 강유전성 액정은 한쌍의 기판사이에 밀봉되고, 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의해 기판에 응력이 작용함을 의한 헤어핀 또는 발광결함에 의해 둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 액정분자가 사전회전에 의해 배향면으로부터 부유하는 방향에 대해서 발광 및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의해 발생하고, 배향상태에서의 강유전성액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, 그리고 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라로 한정되는 배향상태는 하나의 편광판의 광흡수축이 제1및 제2 안정 상태의 광축에 의해 형성되는 각도를 양분키위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일각 범위로 회전시의 제2안정상태에 의해 형성되는 칼라와 동일하고, 주사신호를 주사전극에 적용하기 위한 수단으로 주사신호는 2개의 상 즉 서로 다른 구성을 가지는 소거상 및 기록상으로 구성되고, 전압의 절대값을 가지는 주사신호가 기록상의 호소에 인가되는 것보다 한층 커지기 위해 소거상의 화소에 인가됨을 것을 특징으로 하는 강유전성 액정장치.
  37. 각각 일축 배향처리되는 주사전극군 및 데이타전극군을 거지는 한쌍의 기판이 포함된 강유전성 액정소자로 구성되고, 한쌍의 기판의 한쪽축은 한쌍의 기판의 다른쪽축과 평행하거나 대략 평행하고, 한쌍의 기판의 다른쪽과 다른 방향을 가지고 있고, 강유전성 액정은 한쌍의 기판사이에 밀봉되고, 기판사이에 삽입된 스페이서와 같은 이물질에 의해 기판에 응력이 작용함을 의한 헤어핀 또는 발광결함에 의해 둘러싸인 배향상태를 가지며, 이 배향상태는 액정분자가 사전회전에 의해 배향면으로부터 부유하는 방향에 대해서 발광 및 헤어핀 결함의 순서로 결함에 의해 발생하고, 강유전성액정으로 한정되는 배향상태는 전체적으로 3또는 4의 안정 상태를 가지고, 2안정상태는 교차 니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지며, 1또는 2안정상태는 교차니콜하에 소광수준에 상당하는 대투과율을 가지고, 주사신호를 주사전극군에 적용하기 위한 수단으로 주사신호는 2개의 상 즉 서로 다른 극성을 가지는 소거상 및 기록상으로 구성되고, 전압의 절대값을 가지는 주사신호가 기록상의 화소에 인가되는 것보다 한층 커지기 위해 소거상의 화소에 인가됨을 특징으로 하는 강유전성 액정장치.
  38. 제37항에 있어서, 여기서 배향상태에서 강유전성액정은 전체적으로 4의 안정상태를 가지고, 제 1및 제2안정상태는 교차니콜하에 거의 소광수준에 상당하는 소투과율을 가지고, 제3및 제4안정상태는 교차니콜하에 소광수준에 상당하는 투과율을 가지며, 사계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판에 수직한 다른 편광판의 광흡수축의 위치로부터 하나의 편광판의 회전시에 제1 안정상태에 의하여 형성된 칼라는 하나의 편광판의 광흡수축의 제1및 제2안전상태의 광축에의해 형성된 각도를 양분하기 위한 위치에 위치할 때 반시계방향으로 동일각범위로 회전시의 제2안정상태에 의해 형성된 칼라와 동일하고, 시계방향으로 3°내지 30°로 하나의 편광판마큼 회전시의 제3안정상태의 칼라는 반시계방향으로 동일각범위로 하나의 편광판만의 회전시의 제4안정상태의 칼라와 다른 것을 특징으로 하는 강유전성액정장치.
  39. 주사전극군 및 데이타전극 군을 가지며 각각이 1축방위처리를 받는 한쌍의 기판을 포함하며 기판의 쌍중의 하나의 축이 기판의 쌍중의 다른 축에 평행하거나 실질적으로 평행하며 기판의 쌍중의 다른 것과 동일한 방향을 가지는 강유전성액정소자, 및 한쌍의 기판사이에 밀봉되며 기판들사이에 위치한 스페이서와 같은 외부물질에 의하여 기판에 압력을 가함에 따라 헤이핀 또는 발광결합에 의하여 둘러싸인 방위상태를 가지며, 상기 방위상태는 마찰방향에 대하여 발광과 헤어핀결함을 순서로 결함에 의해 야기되고 방위상태에서의 강유전성액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, θa는 2안정상태의 광축사이의 각의1/2이고 강유전성액정의 회전각(θ)은 θ＞θa＞θ/2조건을 만족시키는 강유전성액정 및, 2가지상, 즉 다른 극성을 가지는 소거상과 기록상에 의하여 구성되며 기입상의 화소에 인가되는 전압의 절대치보다 더욱 큰 소거상의 화소에 인가되는 전압의 절대치를 가지는 주사신호를 주사전극군에 인가하기 위한 수단을 포함하는 강유전성액정장치.
  40. 주사전극군 및 데이타전극 군을 가지며 각각이 1축방위처리를 받는 한쌍의 기판을 포함하며 기판의 쌍중의 하나의 축이 기판의 쌍중의 다른 축에 평행하거나 실질적으로 평행하며 기판의 쌍중의 다른 것과 동일한 방향을 가지는 강유전성액정소자, 및 한쌍의 기판사이에 밀봉되며 기판들사이에 위치한 스페이서와 같은 외부물질에 의하여 기판에 압력을 가함에 따라 헤이핀 또는 발광결합에 의하여 둘러싸인 방위상태를 가지며, 상기 방위상태는 마찰방향에 대하여 발광과 헤어핀결함을 순서로 결함에 의해 야기되고 방위상태에서의 강유전성액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, 1편광판의 광흡수축이 제1및 제2안정상태의 광축에 의하여 형성되는 각을 양분하기 위한 위치에 위치할 때 방위 상태는 3°내지 30°시계방향으로 1편광판에 수직한 다른 편광판의 흡광축의 위치로부터 1편광판의 회전에 의한 제1안정상태에 의하여 형성된 색이 반시계방향으로 각의 동일영역을 통하여 회전에 의한 제2안정상태에 의하여 형성된 색과 동일한 강유전성액정, 및 2가지상, 즉 다른 극성을 가지는 소거상과 기록상에 의하여 구성되며 기록상의 화소에 인가되는 전압의 절대치보다 더욱 큰 소거상의 화소에 인가되는 전압의 절대치를 가지는 주사신호를 주사전극군에 인가하기 위한 수단을 포함하는 강유전성액정장치.
  41. 주사전극군 및 데이타전극 군을 가지며 각각이 1축방위처리를 받는 한쌍의 기판을 포함하며 기판의 쌍중의 하나의 축이 기판의 쌍중의 다른 축에 평행하거나 실질적으로 평행하며 기판의 쌍중의 다른 것과 동일한 방향을 가지는 강유전성액정소자, 및 한쌍의 기판사이에 밀봉되며 기판들사이에 위치한 스페이서와 같은 외부물질에 의하여 기판에 압력을 가함에 따라 헤어핀 또는 발광결합에 의하여 둘러싸인 방위상태를 가지며, 상기 방위상태는 마찰방향에 대하여 발광과 헤이핀결함을 순서로 결함에 의해 야기되고 방위상태에서의 강유전성액정이 전체3또는 4 안정상태 즉, 2안정상태는 크로스니콜하에서 대부분의 소광레벨에 해당하는 작은 투과율을 가지며 1또는 2안정상태는 크로스니콜하에서 소광레벨에 해당하는 큰 투과율을 가지는 강유전성액정 및 2가지상, 즉 다른 극성을 가지는 소거상과 기록상에 의하여 구성되며 기록상의 화소에 인가되는 전압의 절대치보다 더욱 큰 소거상의 화소에 인가되는 전압의 절대치보다 더욱 큰 소거상의 화소에 인가되는 전압의 절대치를 가지는 주사신호를 주사전극군에 인가하기 위한 수단을 포함하는 강유전성액정장치.
  42. 제41항에 있어서, 방위상태에서 강유전성액정이 전체4안정상태, 즉 제1및 제2안정상태는 크로스니콜하에서 대부분의 소광에 해당하는 큰 투과율을 가지며 제3및 제4안정상태는 크로스니콜하에서 소광레벨에 해당하는 큰 투과율을 가지며, 1편광판의 흡광축이 제1및 제2안정상태의 광축에 의하여 형성된 각을 양분하기 위한 위치에 위치할때 3°에서 30°시계방향으로 1편광판에 수직한 다른 편광판의 흡광축의 위치로부터 1편광판의 회전에 의한 제1안장성태에 의하여 형성되는 색이 반시계방향으로 각의 동일 영역을 통하여 회전에 의한 제2안정상태에 의하여 형성되는 것과 동일하고 3°에서 30°시계방향으로 단지 1편광판의 회전에 의한 제3안정상태의 색이 반시계방향으로 동일각영역에 의하여 단지 1편광판의 회전에 의한 제4안정상태의 색과 다른 것을 특징으로 하는 강유전성액정장치.
  43. 주사전극군 및 데이타전극 군을 가지며 각각이 1축을 향하고 있으며, 기판의 쌍중의 하나의 측은 기판의쌍중의 다른 것의 축에 평행 또는 실질적으로 평행하고 기판의 쌍중의 다른 것과 같은 동일방향을 가지는 한쌍의기판을 포함하는 강유전성액정소자, 및 한쌍의 가핀의 사이엥 밀봉되며 SmA상등의 고온으로 부터 Sm*C상의온도까지의 냉각동안에 결함을 동반하는 방향으로의 변화가 없으며, 방위상태에서 적어도 2안정상태를 가지며 각 θa는 이러한 2안정상태의 광축사이의 각의 1/2이며, 강유전성액정의 회전각(θ)은 θ＞θa＞θ/2조건을 만족시키는 강유전성액정 및, 2가지상, 즉 다른 극성을 가지는 소거상과 기록상에 의하여 구성되며 기록상의 화소에 인가되는 전압의 절대치보다 더욱 큰 소거상의 화소에 인가되는 전압의 절대치를 가지는 주사신호를 주사전극군에 인가하기 위한 수단을 포함하는 강유전성액정장치.
  44. 주사전극군 및 데이타전극 군을 가지며 각각이 1축방위처리를 받는 한쌍의 기판을 포함하며 기판의 쌍중의 하나의 축이 기판의 쌍중의 다른 축에 평행하며 실질적으로 평행하며 기판의 쌍중의 다른 것과 동일한 방향을 가지는 강유전성액정소자, 및 한쌍의 기판사이에 밀봉되고 SmA상등의 고온으로 부터 Sm*C상의 온도까지의 냉각동안에 결함을 동반하는 방위에서 변화가 없으며, 방위상태에서 적어도 2안정상태를 가지며, 방위상태는 마찰방향에 대하여 발광과 헤어핀결함을 순서로 결함에 의해 야기되고 방위상태에서의 강유전성액정은 적어도 2안정상태를 나타내고, θa는 2안정상태의 광축사이의 각의1/2이고 강유전성액정의 회전각(θ)은 θ＞θa＞θ/2조건을 만족시키는 강유전성액정 및, 2가지상, 즉 다른 극성을 가지는 소거상과 기록상에 의하여 구성되며 기록상의 화소에 인가되는 전압의 절대치보다 더욱 큰 소거상의 화소에 인가되는 전압의 절대치를 가지는 주사신호를 주사전극군에 인가하기 위한 수단을 포함하는 강유전성액정장치.
  45. 주사전극군 및 데이타전극 군을 가지며 각각이 1축방위처리를 받는 한쌍의 기판을 포함하며 기판의 쌍중의 하나의 축이 기판의 쌍중의 다른 축에 평행하거나 실질적으로 평행하며 기판의 쌍중의 다른 것과 동일한 방향을가지는 강유전성액정소자, 및 한쌍의 기판사이에 SmA상의 고운부터 Sm*C상의 온도까지의 냉각동안에 결함을 동반하는 방위에서 변화를 갖지 않으며 강유전기액정이 전체3 또는 4안정상태 즉, 2안정상태는 크로스니콜하에서 거의 소광레벨에 해당하는 작은 투과율을 가지며 1또는 2안정상태는 크로스니콜하에서 소광레벨에 해당하는 큰 투과율을 가지도록 정의하는 방위상태를 가지는 강유전성액정 및 2가지이상, 즉 다른 극성을 가지는 소거상과 기록상에 의하여 구성되며 기록상의 화소에 인가되는 전압의 절대치보다 더욱 큰 소거상의 화소에 인가되는 전압의 절대치를 가지는 주사신호를 주사전극군에 인가하기 위한 수단을 포함하는 강유전성액정장치.
  46. 제45항에 있어서, 크로스니콜하에서 대부분의 소광에 해당하는 큰 투과율을 가지며 제3및 제4안정상태는 크로스니콜하에서 소광레벨에 해당하는 큰 투과율을 가지며, 1편광판의 흡광축이 제1및 제2안정상태의 광축에 의하여 형성된 각을 양분하기 위한 위치에 위치할 때 3°에서 30°시계방향으로 1편광판에 수직한 다른 편광판의 흡광축의 위치로부터 1편광판의 회전에 의한 제1안정상태에 의하여 형성되는 색이 반시계방향으로 각의 동일영역을 통하여 회전에 의한 제2안정상태에 의하여 형성되는 것고 동일하고, 3°에서 30°시계방향으로 단지 1편광판의 회전에 의한 제3안정상태의 색이 반시계방향으로 동일각영역에 의하여 단지 1편광판의 회전에 의한 제4안정상태의 색과 다른 것을 특징으로 하는 강유전성액정장치.
  47. 제31, 32, 35, 36, 39, 40, 43 및 44항중의 어느 한항에 있어서, 방위상태가발광과 헤어핀 결함을 통함이 없이 3또는 4안정상태를 가지는 것을 특징으로 하는 강유전성액정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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