JPH02226115A - 強誘電性液晶素子の製造方法 - Google Patents

強誘電性液晶素子の製造方法

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JPH02226115A
JPH02226115A JP1045378A JP4537889A JPH02226115A JP H02226115 A JPH02226115 A JP H02226115A JP 1045378 A JP1045378 A JP 1045378A JP 4537889 A JP4537889 A JP 4537889A JP H02226115 A JPH02226115 A JP H02226115A
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正明 松永
Hiroshi Maruyama
浩 丸山
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶素子の製造方法に関し、更に詳しくは、強
誘電性液晶素子の液晶注入方法に係わるものである。
〔従来技術と課題〕
強誘電性液晶素子はメモリー性やμ秒単位の高速応答性
を有することから大容量デイスプレィやプリンタ用の高
速液晶シャッターなどに実用化が期待されている。とこ
ろで、強誘電性液晶素子を実用化する場合、液晶の配向
性に技術的問題点がある。
現在試みられている強誘電性液晶の配向方法は、有機薄
膜をラビング処理する方法と、酸化金属などの無機物を
斜方蒸着する方法とに大きく分けられる。一般にラビン
グ処理による配向方法では層構造の（い違いによる線状
配向欠陥がラビング軸方向とその軸方向に対してほぼ垂
直な方向に無数に現われるため、黒レベルと白レベルの
コントラスト比が著しく低下する上、強誘電性液晶の大
きな特徴であるメモリー性も有しにくい。
これに対し、斜方蒸着による方法は配向欠陥の少ない配
向層が得られ、特に特開昭６２−１９２７２４号公報に
示されている方法のように１対の基板の対向面に互いに
逆の傾斜のＳｉＯ斜方蒸着膜を形成する逆傾斜配向の構
成にすると、メモリー性を有しコントラスト比も高い液
晶素子を得ることができる。
しかしながらＳｉＯ斜方蒸着配向膜を用いた逆傾斜配向
による強誘電性液晶素子も、１０ｃｍ平方以上の表示素
子や、長さ２５ｃｍＸ幅１　ｃｍ程度の短冊状液晶シャ
ッター素子など、液晶素子が大型化すると、部分的に配
向不良が生じ均一配向が得られなくなる。
従って本発明は液晶素子の均一配向性を向上させ、実用
化可能な大型強誘電性液晶素子の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、透明電極を有する一対の基板の相対向する面
に、それぞれ基板面に対して傾斜し、互いに傾斜方向が
逆である傾斜配向層を有し、該基板間に強ｔｔ性液晶を
挾持する強誘電性液晶素子において、前記傾斜配向層の
逆目方向から液晶を注入することを特徴としている。
〔作用〕
本発明の方法によると、配向層を形成するＳｉＯカラム
状微小構造物の逆目方向から注入することにより液晶分
子がＳｉＯカラムの根本まで達して配向が規定されるた
め極めて良好な配向が得られると考えられる。
以下図面に基づいて本発明の作用を更に詳しく説明する
。第２図において、透明電極２７が付いたガラス基板２
１上に形成されたＳｉＯカラム状微小構造物２２により
液晶分子の配向方向２４が定められるが、その配向方向
はＳｉＯカラム状微小構造物２２に吸着したすべての液
晶分子２３の向きの平均に近いとされている。〔ジャパ
ンデイスプレィ　８６，３１６頁〕。したがって、液晶
分子のＳｉＯカラム状微小構造物２２への吸着程度が変
化すると配向性、ガラス界面に対する液晶分子のプレチ
ルト角度も異なって（る。ところで、第２図に示すよう
にガラス基板２１上に付着したＳｉＯカラム状微小構造
物２２の順目方向２６から液晶を注入すると液晶がＳｉ
Ｏカラム状構造物２２の根本まで到達しに（いため、液
晶の配向を十分に規定できず、配向不良が生じやすい。
逆に、本発明のように逆目方向２５から液晶を注入する
と液晶がＳｉＯカラム状微小構造物の奥まで接して配向
が安定になると推定される。
〔実施例〕
以下実施例を参照して本発明の詳細な説明する。
（実施例１） 第１図（ａ）は本発明の一実施例を表わす液晶表示セル
の模式断面図である。液晶表示セルは１０００Ｘの透明
電極１３と５ｏｏＸのＳｉＯカラム状微小構造物１４が
付着した２枚の上下ガラス基板１１．１２とエポキシ樹
脂シール１５から構成され、２．５μの間隙を保ってい
る。この中にチッソ製強誘電性液晶Ｃ８−１０１４をＳ
ｉＯカラム状微小構造物１４に対して逆目方向である方
向１６から注入して液晶表示素子を作成する。第１図（
ｂ）は前記液晶表示セルの模式平面図であり、エポキシ
樹脂シール１５内の有効表示領域は１００Ｃｒ！ｔであ
る。
以上の注入方法による液晶表示素子を１００個作成し配
向歩留りを検査したところ、他の注入方向では得られな
かった、９５％の高い良品配向歩留りが得られた。
（比較例工） 実施例１で用いた液晶表示素子のエポキシ樹脂シールの
向きのみを１８０度反転し、ｊ［目方向からの液晶注入
により作成した液晶表示素子の良品配向歩留りは６０％
程度であり、第３図に示すよりに、液晶表示素子３１に
おいて、注入口を含む液晶注入径路６２上に配向不良領
域３６が生じた。
（実施例２） 第４図は本発明の他の実施例を示すプリンターヘッド用
液晶セルの模式平面図であり、透明導電膜とＳｉＯカラ
ム状微小構造物が付着した１６ｍｍＸ２３９ｍｍの上ガ
ラス基板４１、ｆ５ｍｍＸ２４９ｍｍの下ガラス基板４
２とエポキシ樹脂シール４６により構成されガラス間隙
が２．５μであるプリンターヘッド用液晶セルを示して
いる。
前記の液晶セル２００個に実施例１と同様にＳｉＯカラ
ム状微小構造物の逆目方向からチッソ製強誘電性液晶Ｃ
８−１０１４を注入し良品配向歩留まりを検査したとこ
ろ８０％の値を得た。なお、他の注入方向から注入した
液晶セルの良品配向歩留まりはすべて６０％以下であっ
た。
〔発明の効果〕
以上の実施例で述べたよ５に本発明によればＳｉＯカラ
ム状微小構造物の逆目方向から強誘電性液晶を注入する
ことにより液晶の配向状態を広い領域にわたって無欠陥
にすることができ、他の方向からの液晶注入に比べ飛躍
的に配向歩留まりが高まり、実用化可能な強誘電性液晶
素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す液晶注入方向を表わす
ＳｉＯカラム状微小構造物が付着した液晶表示セルであ
り、第１図（ａ）は模式断面図、第１図（ｂ）は模式平
面図、第２図はＳｉＯカラム状微小構造物と液晶分子の
配向方向の関係を示す模式図、第３図は配向不良領域を
示す液晶表示素子の模式平面図、第４図はプリンターヘ
ッド用液晶セルの模式平面図である。 １１．４２・・・・・・下ガラス基板、１２．４１・・
・・・・上ガラス基板、１６・・・・・・透明電極、 １４・・・・・・ＳｉＯカラム状微小構造物、１５．４
３・・・・・・エポキシ樹脂シール、１６・・・・・・
液晶注入方向。 第１図 ンｔぞ〆へ〜２３ ジζ炉−り （ｂ） 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明電極を有する一対の基板の相対向する面に、それぞ
    れ基板面に対して傾斜し、かつ互いに傾斜方向が逆であ
    る傾斜配向層を有し、該基板間に強誘電性液晶を挾持す
    る強誘電性液晶素子の製造方法において、前記傾斜配向
    層の逆目方向から液晶を注入することを特徴とする強誘
    電性液晶素子の製造方法。
JP1045378A 1989-02-28 1989-02-28 強誘電性液晶素子の製造方法 Pending JPH02226115A (ja)

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