JP2713513B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関す
る。さらに詳しくは、強誘電性液晶を用いた液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】典型的な先行技術であるネマティック液
晶を用いた液晶表示装置としては、ツィストネマティッ
ク型（Twisted Nematic TN型）液晶表示装置、スーパー
ツイステッド型（Supertwisted Birefringence Effect
、SBE 型) 液晶表示装置がある。
【０００３】しかしながらツイステッドネマティック型
液晶表示装置では、駆動方式のマルチプレックス化が進
むに従って駆動マージンが狭くなり、十分なコントラス
トが得られないという欠点が生じている。また、ツイス
テッドネマティック型液晶表示装置の改良型であって、
大きなツイスト角を用いるスーパーツイステッド型液晶
表示装置では、大容量表示に用いるとコントラストが低
下したり、応答速度が遅くなるという欠点が生じてい
る。
【０００４】そこで、このようなネマティック液晶を用
いる液晶表示装置を改良する装置として、１９８０年に
クラーク(N.A.Clark) とラガバル(Lagerwall) によっ
て、 キラルスメクチックＣ液晶、すなわち強誘電性液晶
を用いた液晶表示装置が提案されている( 特開昭56-107
216 号公報、米国特許第4367924 号) 。この液晶表示装
置は、液晶分子の誘電異方性を利用する電界効果を用い
た前記の液晶表示装置とは異なり、強誘電性液晶の自発
分極の極性と電界の極性とを整合させる回転力を用いた
構成の液晶表示装置である。この液晶装置の特徴として
は、双安定性、メモリー性、高速応答性などを挙げる事
が出来る。すなわち、強誘電性液晶をギャップを薄くし
たセルに注入すると、界面の影響を受けて強誘電性液晶
の螺旋構造がほどけ、液晶分子がスメクチック層法線に
たいして傾き角Θだけ傾いて安定する領域と、逆方向に
−Θだけ傾いて安定する領域とが混在し、双安定性を有
する。このセル内の強誘電性液晶に対して電圧を印加す
ることによって、液晶分子とその自発分極の向きを一様
に揃える事ができ、印加する電圧の極性を切り替えるこ
とによって、液晶分子の配向をある一定の状態から別の
一定の状態へと切り替えるスイッチングが可能となる。
【０００５】このスイッチング駆動に伴い、セル内の強
誘電性液晶では、複屈折光が変化するので２つの偏光子
間に上記セルを挟むことによって、透過光を制御するこ
とができる。さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子
の配向は、界面の配向規制力によって電圧印加停止前の
状態に維持されるので、メモリ効果も得ることができ
る。また、スイッチング駆動に必要な時間は、液晶の自
発分極と電界が直接作用するために、ツイステッドネマ
ティック型液晶表示装置の1 ／1000以下という高速応答
性をもち、それにより高速表示が可能である。 そこ
で、この強誘電性液晶のメモリ効果や高速応答性を利用
することにより、マルチプレックス駆動方式による走査
線の数が多い高解像度の液晶表示装置を構成することが
従来より試みられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クラー
ク、ラガバル型の液晶表示装置にも多くの問題点が有っ
た。まず当初のモデルでは、スメクチックＣ相の層構造
は、図３に示すようなブックシェルフ型とよばれる基板
に垂直な構造をとると考えられていた。しかしながら、
従来のラビング等による配向法を用いて、セルを作成し
た場合、予想されたスイッチング現象や、光学的特性が
大きく食い違い、提案されたモデルとは全く異なるスイ
ッチングをしていたことが判ってきた。
【０００７】その要因の一つとして、層構造が図４に示
すようなシェブロンと呼ばれる「く」の字型に折れ曲が
った構造をしていることがＸ線の小角散乱法を用いて解
析された。 Rieker,T.P.,Clark,N.Aら、Phys.Rev.Let
t.,59,p.2658 (1987)もう一つ当初のモデルと異なる点
は、自発分極の方向や液晶分子が、一様な方向に揃った
ユニフォーム配向を取るだけでなく、分子が上基板と下
基板でねじれたツイスト配向をすることが報告されてい
る。 Glogarova,M.and Pavel,J.,J.Phys.(France),45,
p.143(1984)特に、ラビングにより配向させた強誘電性
液晶素子は、界面での規制力が強く働くため、ツイスト
配向であることが分かってきた。このような配向をとっ
た場合、一般的に２状態間のスイッチングでの光学的な
分子軸の差が効果的に現れず、高いコントラスト特性が
得られないことが分かった。これらの欠点を解消するた
めに、当初クラークらが提案した層構造モデルを達成す
る方式が幾つか提案されており、その一つとして、SiO
斜蒸着法を用いたもので比較的高いプレチルトを基板界
面に付与することで層の折れ曲がりを防ぎ、斜めに傾斜
した層構造を達成した報告がある。
【０００８】また第二の方法として、折れ曲がり構造を
もつセルに高い電圧の交番電界を印加することにより、
層構造をブックシェルフ構造に変える方法が提案されて
おり［佐藤らによる、第１２回液晶討論会(名古屋) 、1
F16(1986)］、いずれも高いコントラスト特性が得られ
たことが報告されている。しかしながら、前記の斜め蒸
着法は、蒸着角度を均一にする技術が難しいことや、真
空プロセスを有するために生産面で大きな問題がある。
また、電界を印加する方法は、均一に層構造を変化させ
るのが難しく、長期の時間の経過とともに序々に元のシ
ェブロン構造に変化するものが多く、未だ実用化には至
っていない。そこで、この発明はこのような問題点を解
決するために、シェブロン構造にも拘らず高いコンスト
ラスト特性の液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、表面に電極
を形成し、さらにその上に絶縁膜、配向膜を形成すると
共に一軸配向処理を施した一対の基板を、その一軸配向
処理の方向を上下基板において略平行になるよう互いに
対向して配置するとともに、これらの基板間にカイラル
スメクチックＣ相を有する液晶を介在させ液晶パネルと
し、前記電極に選択的に電圧を印加することによって液
晶の光軸を切り替える駆動手段と、光軸の切り替えを光
学的に識別する手段を有する強誘電性液晶表示装置にお
いて、カイラルスメクチックＣ相に於ける層構造が、
「く」の字形状に折れ曲がったシェブロン構造であり、
上記層の中央部の折れ曲がり方向が一軸配向処理方向と
逆に折れ曲がった部分であって、かつ上記切り替えの際
に液晶分子の基板近傍での反転を伴うスイッチング過程
を有する液晶であり、スメクチィック層の基板に対する
傾斜角δと液晶分子のティルト角θとの比δ／θが０．
９以上であることを特徴とする強誘電性液晶表示装置で
あって、このことにより上記目的を達成する。また、本
発明によれば、配向膜がラビング法により一軸配向処理
を施されてなるものであることによって上記目的を達成
することができる。
【００１０】
【作用】本発明によれば、駆動手段により液晶の光軸を
切り替えた際に、液晶分子は一対の基板間のほぼ中央で
発生するシェブロン構造の折れ曲がりの境界の近傍で反
転するのみならず、基板近傍でも反転するため、液晶分
子は基板の一方から上記近傍の間にあって略一様に配向
し、上記境界の近傍では配向が折れ曲がりのために多少
異なるが、この境界の近傍から基板の他方の間では略一
様に配向する。この結果、一対の基板間にあって、液晶
分子はほとんどねじられることのない配向（ほとんどツ
イストされない配向）をしめす。
【００１１】このように、液晶分子がほとんどねじられ
ることがないため、光軸の切替えを光学的に識別する手
段、例えば偏光子と組み合わせてもちいることにより遮
光の際に光の漏れを少なくすることが可能となり、コン
トラスト特性の改善が可能となる。さらに、本発明のカ
イラルスメクチックＣ相に於ける層構造が、「く」の字
形状に折れ曲がったシェブロン構造であり、上記層の中
央部の折れ曲がり方向が一軸配向処理方向と逆に折れ曲
がった部分であって、かつ上記切り替えの際に液晶分子
の基板近傍での反転を伴うスイッチング過程を有する液
晶を使用しているため、本発明の折れ曲がり方向とは逆
の方向に比べて本発明では駆動手段により液晶の光軸を
切り換えた際、２状態の光学的な分子軸の差、いわゆる
メモリー角度が大きくなっている、従って、液晶の光軸
を切り換えた際、光軸の切替えを光学的に識別する手
段、例えば、偏光子と組合わせて用いた場合に光の透過
する状態と光の非透過の状態との間の光の透過量の差を
大きくできるため、高いコントラスト特性を示す。
【００１２】そして、本発明によればスメクテイック層
の基板に対する角δとテイルト角θの比δ／θを０．９
以上とすることで、簡単なラビング法により、さらに容
易に目的とする層の折れ曲がり方向を実現することがで
きる。
【００１３】
【実施例】以下図に示す実施例に基づいてこの発明を詳
述する。なお、これによってこの発明は限定されるもの
ではない。カイラルスメクチックＣ相における層構造
は、一般的には、 「く」の字に折れまがった構造をして
いることが知られている。このような構造を取る理由
は、カイラルスメクチックＣ相よりも高温側にある液晶
相( 一般的には、スメクチックＡ相) での層間隔が、カ
イラルスメクチックＣ相に変わるとき液晶分子が傾くこ
とにより小さくなるのに対して、基板界面付近の分子は
動きにくく、高温側の相での分子間隔を保とうとするた
めに、界面での分子間隔を保ちながら、層間隔を縮める
必要が生じ、層が折れ曲がると考えられている。ところ
が、この層の折れ曲がる方向は図２に示すように、二通
りの方向( １７, １８) に発生し、二つの異なった配向
状態を生じる。そのとき層と層の折れ曲がりの方向が異
なった境界の場所には、 ジグザグ欠陥と呼ばれる配向欠
陥が生じてくる。
【００１４】図２に示すように、ジグザグ欠陥には層の
折れ曲がる方向で２種類の欠陥が発生し、その形状から
一方の１５はライトニング欠陥、他方の１６はヘアピン
欠陥と名付けられており、この形状を観察することで層
の折れ曲がり方向を推定することができる。 Jpn.J.App
l.Phys.,28,p.50 (1988)本発明は、この折れ曲がり構造
を利用するものであり、以下にその説明を詳しく述べ
る。配向処理方向が上下基板で同じ方向の場合、配向処
理方向に対して層の折れ曲がり方向が同じ方向に折れ曲
がるか、反対方向に折れ曲がるかで二つの異なった配向
状態をとる。この関係を図５に示す。
【００１５】図５中に記されている円錐状の図形は、ス
イッチングの際に液晶分子が動きうる軌道を表してお
り、層法線２５に対して液晶のティルト角２６だけ傾い
た軌道である。 また矢印１９はラビング方向を示す。こ
の関係に関しては、特開平1 −158415号公報の中でも論
じられており、ラビング方向と層の折れ曲がり方向が逆
である図３の２３の場合をシェブロン１( Ｃ１配向) 、
また、ラビング方向と層の折れ曲がり方向が同じである
図５の２４の場合をシェブロン２( Ｃ２配向) と定義し
ている。以下本明細書中においても同様の名称を使う。
【００１６】Ｃ１配向とＣ２配向は、基板界面の液晶分
子のプレティルトが無い場合にはほぼ等価な配向状態を
示す。しかしながらラビング処理などの一軸配向処理を
した場合には、図６に示すような方向に液晶分子のプレ
チルト２２が生ずる。このプレチルトを大きくしてやる
と、Ｃ１とＣ２で液晶分子の配向状態の差が顕著になっ
ていき、プレティルト角度は２度程度以上あれば配向状
態の差は顕著になる。図９にその配向状態の違いを示
す。
【００１７】図９のａ, ｂおよびｃ, ｄは、基板界面で
の分子が動きにくい場合のＣ１，Ｃ２配向のメモリ状態
の分子の様子を、Ｃダイレクターによる表示方法で記し
たものである。液晶分子は、上下基板で捩れた状態を取
っているので、この場合のＣ１配向をＣ１Ｔ( Ｃ１ツイ
スト) 配向、Ｃ２配向をＣ２Ｔ( Ｃ２ツイスト) 配向と
定義する。電界を印加した時のスイッチングは、それぞ
れａｂ間および、 ｃｄ間で起こっている。この場合にお
いては、メモリー状態の切り替えは、シェブロン構造の
つなぎめ部分１４だけで起こっている。
【００１８】この場合図５を参照して、上下基板での界
面における分子の配置を考えると、図９ａ、ｂのＣ１Ｔ
配向ではｎダイレクタ２０は大きくねじれた状態になっ
ており、図９ｃ、ｄのＣ２Ｔ配向では小さなねじれ状態
になっている。いまセルの上下に偏光板を直交させて配
置し、セルをその中で回転させると、Ｃ１Ｔ配向では消
光する角度がなく、Ｃ２Ｔ配向では消光する角度があ
り、Ｃ１Ｔ配向に比べＣ２Ｔ配向の方が良いコントラス
ト特性が得られることが報告されている。( 特開平−15
8415号公報)ところが、界面付近の分子を動き易くし、
分子の界面反転が発生した場合を考えると、状況が異な
ってくる。図９のｅ, ｆおよびｇ, ｈは、界面反転が発
生した場合のＣ１, Ｃ２配向のメモリー状態の分子の様
子を記したものである。
【００１９】上下基板での液晶分子の捩れが解消される
ため、分子は一様に並んでいる。この場合のＣ１配向を
Ｃ１Ｕ( Ｃ１ユニフォーム) 配向、Ｃ２配向をＣ２Ｕ(
Ｃ２ユニフォーム) 配向と定義する。今、電界を印加し
た時のスイッチングは、それぞれ図９のｅｆ間およびｇ
ｈ間で起こっている。この場合Ｃ１Ｕ配向においては、
２つのメモリー状態共に上下基板の分子のねじれ状態は
なくなり、しかも、２つのメモリー状態間の光軸角度(
メモリー角ΘM)が広くなることから、直交ニコル中で消
光が可能なだけでなく、セルを消光位置に設置し、電圧
印加を行うことで、もうひとつのメモリー状態に光軸を
切り替えると、光軸角の動きが大きいために、大きな透
過光強度変化を得られる。
【００２０】ところがＣ２Ｕ配向においては、界面近傍
の分子の反転が起こったとしても、図９から分かるよう
に、第一のメモリー状態と第二のメモリー状態との間で
は、光軸の変化が大きく取れない。従ってＣ１Ｕ配向の
方が、より高いコントラストを取れることが分かる。以
上のことからコントラスト特性については次の関係が成
り立つ。
【００２１】 コントラスト大 Ｃ１Ｕ＞Ｃ２Ｕ≧Ｃ２Ｔ＞Ｃ１Ｔ コントラスト小 本発明においては、以上の知見に基づいて液晶表示装置
としてＣ１Ｕ配向を用いるものであることを特徴として
おり、この配向の見分けかたを下記に述べる。まずＣ１
配向かＣ２配向かの見分け方について述べる。セル内の
スペーサーや傷から発生するジグザグ欠陥の形状から層
の折れ曲がり方向が推定できる。欠陥にはライトニング
とヘヤピンとの２種類の形状があり、二つの欠陥は通常
つながって閉じており、その欠陥でかこまれた領域とそ
の外側では層の折れ曲がり方向が異なることが知られて
いるので（図２参照）、ラビング方向と層の折れ曲がり
方向を推定することができる。またラビング方向は分子
のプレチルトの方向で図６の関係になる。
【００２２】次にツイスト配向であるか、ユニフォーム
配向であるかを見分けるための判別法について述べる。 1. セルに低周波の三角波を印加しながら顕微鏡観察を
すると、反転ドメインが観察される。その際、シェブロ
ンのつなぎめ（折れ曲がり部）で発生する内部回位の移
動によるドメイン反転は( 舟型のドメインと呼ばれてい
る) 、ツイスト配向であるとユニフォーム配向であると
に拘わらず発生する。従ってその反転以外にもう一つ以
上ドメイン反転が観測された場合、その反転は界面での
反転であり、スイッチング時にユニフォーム状態を経由
していると判断できる。 2. セルに十分な電界を( ±１０Ｖ程度) 印加して求め
た光軸の移動角度に対して、メモリー時の二つの安定状
態( 電圧無印加状態) 間の光軸角度が、前者の４０％以
上ある場合。通常ツイスト配向では、３０％台程度の値
しか得られない。本発明においては、以上の知見に基づ
いて液晶表示装置として大きいコントラスト特性の得ら
れるＣ１Ｕ配向を用いるものであるが、更にこのＣ１Ｕ
配向にあってコントラスト特性の優れたものとするため
の条件を満たすものとすることが望ましい。
【００２３】実施例１ そこで本発明では、表１に示すさまざまな液晶を用いて
上記シェブロン構造の層傾斜角δ２８をＸ線回折法によ
り測定したところ、図７のような結果を得た。
【００２４】
【表１】 ここでＣＳ−１０１４、ＣＳ−１０２２はチッソ石油化
学(株)製液晶、ＺＬＩ−３６５４、ＺＬＩ−３４８９は
メルク社製液晶、ＦＥＬＩＸ−００２はヘキスト社製液
晶であり、ｍｉｘｔｕｒｅ Ａは下式１で示される液晶
である。
【００２５】
【化１】 図の○と×は、それぞれ配向膜として、ポリイミド系材
料（ＰＳＩ−Ａ−２００１ チッソ石油化学(株)製）、
ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）を用いた場合のデー
タである。両配向膜のプレテイルト角はｐｓｉ−Ａ−２
００１が約１５°、ＰＶＡが約０．５°とかなり異なっ
ているが、層傾斜角δ２８はRieker etal. が報告して
いるように配向膜に依存しないことがわかる。 T.P.Rie
ker, N.A.Clark et al. Phys. Rev. lett.,59,p2658(19
87) なお、強誘電性液晶のプレテイルト角を測定する手
法は現在確立されておらず、ここで言うプレテイルト角
ちはネマテイック液晶に対して測定した値である。図中
で波線はδ28= θ26( テイルト角) 、の関係を表してお
り、この図から層傾斜角δ28はテイルト角θ26より僅か
に小さいことがわかる。図５の二つの配向状態はこの関
係により描かれたものである。そしてこの層傾斜角δ28
とテイルト角θ26の関係によりＣ１配向とＣ２配向の出
現の安定性に違いがあることを見いだした。δ＞θの場
合は層安定性から考えてエネルギー的に不安定であり、
実際そのような層は観測されていない。δ≪θの場合に
はＣ１配向もＣ２配向も安定に存在し、界面のプレテイ
ルトがある程度大きくてもＣ２配向は存在する。しか
し、δ＝θの場合には界面プレテイルトが無いという条
件でしかＣ２配向が存在しないことが分かる。このよう
すを図１０に示す。
【００２６】前述したように一軸配向処理を施した場合
にはプレテイルトが生じるため、δ＝θの条件を満たす
ような材料を選べば、Ｃ２配向の出現を抑えて、Ｃ１配
向を安定に得ることができる。そしてその他の公知の手
段によりＣ１Ｕ配向を安定に得ることができ、さらに高
いコントラスト特性をも可能にする。ここで言うその他
の手段とは、例えば特願平３−７８７９に示されてい
る、界面プレテイルトθ P ≫テイルト角θとする技術
や、特整９１−３８２に記されている界面プレテイルト
を８〜３５°とする技術である。
【００２７】さらに、詳細な検討のためδ（２８）／θ
（２６）をθ（２６）に対してプロットしてみると図８
のようなグラフが得られた。この後、δ／θはその絶対
値のことを意味する。実際、δ／θが０．９以上の材料
については、上記の条件δ＝θと同じようにＣ２配向が
存在せず、Ｃ１配向を安定に得ることができる。以下に
本発明の液晶表示装置の実施例について詳細に説明す
る。
【００２８】実施例２ 図１は、この発明による液晶表示装置の断面を示した図
である。同図においてガラス基板１ａ上に300〜5000
Å、好ましくは1000〜3000Åの厚さの複数本の透明電極
２ａを互いに平行となるようにストライプ状に配列して
形成され、その上に300 〜5000Å、好ましくは500 〜20
00ÅのＳｉＯ2 の電極保護膜３ａをスパッタで形成さ
れ、さらにその上にチッソ石油化学(株)製のＰＳＩ−Ａ
−２００１（ポリイミド）配向膜４ａをスピンコーター
にて４００Åの厚さに形成し、この後レーヨン系の布を
用いてラビングによる一軸配向処理を行い、基板９を形
成した。
【００２９】一方、もう片側のガラス基板１ｂ上にも同
様の条件で複数本の透明電極２ｂが、互いに平行となる
ようにストライプ状に配列して形成しされ、その上に同
様の条件で電極保護膜３ｂを介して配向膜４ｂを形成し
され、この後ラビングによって一軸配向処理を行い、基
板１０を形成した。次いで、この基板１０をもう一方の
基板９と、互いに配向膜４ａ, ４ｂが対向しあい、互い
の透明電極２ａ, ２ｂが直交し、かつラビング方向がほ
ぼ一致するようにして、1.5 μｍの間隔を隔てシリカス
ペーサー５を介してエポキシ樹脂製のシール部材６で貼
り合わせた。
【００３０】これらの基板９, １０間には、液晶を加熱
しつつ、真空注入法で注入口からカイラルスメクテイッ
クＣ相を示す液晶７を注入したのち、アクリル系のＵＶ
硬化型の樹脂８で注入口を封止して液晶セル１１を作製
した。更に、このセルの上下に偏光軸をほぼ直交させた
偏光板１２ａ, １２ｂを配置させ、偏光板の一方の偏光
軸をセル１１の液晶のどちらか一方の光軸にほぼ一致さ
せて液晶表示装置とした。
【００３１】表１に示すさまざまの液晶を注入した当該
液晶表示装置について、配向の様子を実験により調べ
た。ＣＳ−１０１４、ＣＳ−１０２２、ｍｉｘｔｕｒｅ
Ａを注入した装置では、スメクテイックＡ相からスメ
クテイックＣ相への転移点（ＴAC）から室温（２５℃）
付近までＣ１Ｕ配向を示した。なお、上記の見分け方に
よりＣ１Ｕ配向であることを確認した。
【００３２】ＺＬＩ−３６５４、ＺＬＩ−３４８９、Ｆ
ＥＬＩＸ−００２を注入した装置では、ＴACから室温付
近までＣ１Ｕ配向とＣ２配向が混在した。また上記の構
造で、配向膜をＰＶＡとした液晶表示装置について、配
向の様子を調べた。ＣＳ−１０１４、ＣＳ−１０２２、
ｍｉｘｔｕｒｅ Ａを注入した装置では、ＴACから室温
（２５℃）付近までＣ１Ｔ配向を示した。
【００３３】ＺＬＩ−３６５４、ＺＬＩ−３４８９、Ｆ
ＥＬＩＸ−００２を注入した装置では、ＴACから室温付
近までＣ１Ｕ配向とＣ２配向が混在した。以上の実験結
果をまとめると、次の表２のようになる。
【００３４】
【表２】 ここで明白なように、配向膜のプレテイルトの違いによ
り、Ｃ１配向が安定に存在するか、Ｃ２配向の出現の可
能性が高いかはδ／θにより決定されることがわかる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の表示装置によれば、Ｃ２配向の
出現を抑えて、Ｃ１配向を安定に得ることができた。そ
してその他の公知の手段によりＣＩＵ配向を安定に得る
ことができ、さらに高いコントラスト特性（４０以上）
を達成することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の液晶表示装置の概略断面
図。
【図２】実施例におけるカイラルスメクチックＣ相の層
構造を示す模式図。
【図３】従来例におけるカイラルスメクテイックＣ相の
層構造を示す模式図。
【図４】スメクテイックＣ相の層構造を示す模式図。
【図５】実施例におけるＣ１配向、Ｃ２配向の模式図。
【図６】実施例におけるラビング処理を示す説明図。
【図７】実施例における層傾斜角と分子テイルト角の関
係を示すグラフ。
【図８】実施例における層傾斜角と分子テイルト角に対
する割合を示すグラフ。
【図９】実施例におけるＣ１配向、Ｃ２配向のＣダイレ
クターを示す写影図。
【図１０】δ＝θの場合のＣ１配向、Ｃ２配向の模式
図。
【符号の説明】
１ａ, １ｂ ガラス基板 ２ａ, ２ｂ 透明電極 ３ａ, ３ｂ 電極保護膜 ４ａ, ４ｂ 配向膜 ５ スペーサー ６ シール部材 ７ 液晶 ８ 封止部材 ９, １０ 基板 １１ 液晶セル １２ａ, １２ｂ 偏光板 １３ スメクチック層 １４ シェブロン構造のつなぎめ部分 １５ ライトニング欠陥 １６ ヘアピン欠陥 １７, １８ シェブロン構造 １９ ラビング方向 ２０ 液晶分子: n ダイレクター ２１ Ｃダイレクター ２２ プレティルト角度 ２３ Ｃ１配向 ２４ Ｃ２配向 ２５ スメクチック層法線 ２６ 液晶のティルト角 ２７ ローラー ２８ 層傾斜角

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面に電極を形成し、さらにその上に絶
    縁膜、配向膜を形成すると共に一軸配向処理を施した一
    対の基板を、その一軸配向処理の方向を上下基板におい
    て略平行になるよう互いに対向して配置するとともに、
    これらの基板間にカイラルスメクチックＣ相を有する液
    晶を介在させ液晶パネルとし、前記電極に選択的に電圧
    を印加することによって液晶の光軸を切り替える駆動手
    段と、光軸の切り替えを光学的に識別する手段を有する
    強誘電性液晶表示装置において、 カイラルスメクチックＣ相に於ける層構造が、「く」の
    字形状に折れ曲がったシェブロン構造であり、上記層の
    中央部の折れ曲がり方向が一軸配向処理方向と逆に折れ
    曲がった部分であって、かつ上記切り替えの際に液晶分
    子の基板近傍での反転を伴うスイッチング過程を有する
    液晶であり、スメクチィック層の基板に対する傾斜角と
    液晶分子のティルト角との比が０．９以上であることを
    特徴とする強誘電性液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 上記配向膜がラビング法により上記一軸
    配向処理を施されてなるものであることを特徴とする請
    求項１項記載の液晶表示装置。
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