JP2947700B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関す
る。さらに詳しくは、強誘電性液晶を用いた液晶表示装
置の配向膜の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の液晶表示装置はネマチック液晶を
用いたものと強誘電性液晶を用いたものがある。ネマテ
ィック液晶を用いた液晶表示装置としては、ツイステッ
ドネマティック型(Twisted Nematic, TN型）液晶表示装
置、スーパーツイステッド型（Supertwisted Birefring
ence Effect, SBE型）液晶表示装置がある。

【０００３】ＴＮ型液晶表示装置では、駆動方式のマル
チプレックス化が進むに従って駆動マージンが狭くな
り、十分なコントラストが得られなくなるという欠点が
ある。また、ＴＮ型液晶表示装置の改良型であって、大
きなツイスト角を用いるＳＢＥ型液晶表示装置では、大
容量表示に用いるとコントラストが低下したり、応答速
度が遅くなるという欠点がある。

【０００４】そこで、このような欠点を改良する装置と
して、１９８０年にクラーク（N.A.Clark)とラガバル
（S.T.Lagerwall)によって、キラルスメクティックＣ液
晶、すなわち強誘電性液晶を用いた液晶表示装置が提案
されてた（特開昭５６−１０７２１６号公報；米国特許
第４３６７９２４号）。

【０００５】この液晶表示装置は、ネマチック液晶分子
の誘電異方性を利用して電界の極性のみによって生じる
回転力を用いたネマチック液晶表示装置とは異なり、強
誘電性液晶の自発分極の極性と電界の極性によって生じ
る回転力を用いた強誘電性液晶表示装置である。この液
晶装置の特徴としては、双安定性、メモリー性、高速応
答性などを挙げることができる。すなわち、図６に示す
ように強誘電性液晶をギャップを薄くしたセルに注入す
ると、界面の影響を受けて強誘電性液晶の螺旋構造がほ
どけ、液晶分子１８がスメクティック層法線１７に対し
て傾き角＋θ１９だけ傾いて安定する領域と、逆方向に
−θ２０だけ傾いて安定する領域とが混在し、双安定性
を有する。このセル内の強誘電性液晶に対して電界１６
を印加することによって、液晶分子１８とその自発分極
１５の向きを一様に揃えることが出来、印加する電界１
６の極性を切り替えることによって液晶分子１８の配向
をある一定の状態から別の状態へと切り替えるスイッチ
ングが可能になる。

【０００６】このスイッチング駆動に伴い、セル内の強
誘電性液晶では、複屈折光が変化するので２つの偏光子
間に上記セルを挟むことによって、透過光を制御するこ
とができる。さらに、電圧の印加を停止しても液晶分子
の配向は、界面の配向規制力によって電圧印加停止前の
状態に維持されるので、メモリ効果も得ることができ
る。また、スイッチング駆動に必要な時間は、液晶の自
発分極と電界が直接作用するために、ツイステッドネマ
ティック型液晶表示装置の１／１０００以下という高速
応答性を持ち、それにより高速表示が可能である。

【０００７】そこで、この強誘電性液晶のメモリ効果や
高速応答性を利用することにより、マルチプレックス駆
動方式による走査線の数が多い高解像度の液晶表示装置
を構成することが従来より試みられている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クラー
ク、ラガバル型の液晶表示装置にも多くの問題点があっ
た。まず強誘電性を示すキラルスメクティックＣ相の液
晶は通常のネマティック液晶に比較して分子環境の対称
性が低く、結晶性が高いため一様に配向させることが困
難であり、そのために均一な素子を得にくいという欠点
があった。

【０００９】当初のモデルでは、スメクティックＣ相の
層構造は、図２に示すようなブックシェルフ型と呼ばれ
る基板に垂直な構造をとると考えられていた。ただし、
９及び１０は基板、１３はスメクチック層、１７はスメ
クチック層法線方向である。しかし、従来の配向膜を用
いて、セルを作成した場合、予想されたスイッチング現
象や、光学特性が大きく食い違い、提案されたモデルと
は全く異なるスイッチングをしていたことが判ってき
た。その要因の一つとして、層構造が図３に示すような
シェブロンと呼ばれる『く』の字型に折れ曲がった構造
をしていることがＸ線の少角散乱法を用いて解析された
［T.P.Rieker,N.A.Clark et al.Phys.Rev.Lett.,59,p26
58(1987)］。ただし、９及び１０は基板、１３はスメク
チック層、１４はシェブロン構造のつなぎめ部分であ
る。もう一つ当初のモデルと異なる点は、自発分極の方
向や、液晶分子が一様な方向に揃ったユニフォーム配向
をとるだけでなく、分子が上基板と下基板でねじれたツ
イスト配向をする事が報告されている［M.Glogarova an
d J.Pavel,J.Phys.(France),45p143(1984)］。

【００１０】特に、ラビングにより一軸配向処理が施さ
れた配向膜によって配向させた強誘電性液晶は、界面で
の規制力が強く働くため、ツイスト配向であることがわ
かってきた。このような配向をとった場合、一般的に２
状態間のスイッチングでの光学的な分子軸の差が効果的
に現れず、高いコントラスト特性が得られないことがわ
かった。これらの欠点を解消するために、当初クラーク
らが提案したモデルを達成する方式がいくつか提案され
ており、その一つとして、ＳｉＯ斜方蒸着法を用いた配
向膜では比較的高いプレティルトを基板界面に付与する
ことで層の折れ曲がりを防ぎ、斜めに傾斜した層構造を
達成した報告がある。

【００１１】また第２の方法として、折れ曲がり構造を
持つセルに高い電圧の交番電界を印加する事により、層
構造をブックシェルフ構造に変える方法が提案されてお
り［佐藤らによる，第１２回液晶討論会（名古屋），1F
16(1986)］、いずれも高いコントラスト特性が得られた
ことが報告されている。しかし前記の斜め蒸着法は、蒸
着角度を均一にする技術が難しいことや、真空プロセス
を有するために生産面で大きな問題がある。また、電界
を印加する方法は、均一に層構造を変化させるのが難し
く、長期の時間の経過とともに徐々に元のシェブロン構
造に変化するものが多く、未だ実用化に至っていない。
本発明は、この様な問題点を解決するためになされたも
のであって、シェブロン構造にも拘らず高いコントラス
ト特性を呈することのできる液晶表示装置を提供しよう
とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明によれば、表面
に保護膜または絶縁膜でカバーされた電極を有する基板
の１対で液晶セルが形成され、この液晶セルの中に強誘
電性液晶が挿入され、強誘電性液晶と接触する液晶セル
の表面の一面又は両面に、式（Ｉ）

【化２】 （ただし、ｎ及びｍは、それぞれ０以上２以下の整数で
あり、（ｎ＋ｍ）が１以上４以下の整数である）で表わ
されるアミンと、１，２，４，５−ベンゼンテトラカル
ボン酸二無水物を主成分とするポリイミドであって一軸
配向処理された配向膜を有する液晶表示装置が提供され
る。

【００１３】この発明においては、配向膜が特定のポリ
イミドから形成される。このポリイミドは、式（Ｉ）で
表わされるアミンと１，２，４，５−ベンゼンテトラカ
ルボン酸二無水物を主成分とし重合して得られる。式
（Ｉ）で表わされるアミンは、例えば式（II），（II
I)，（IV）等の化合物を挙げることができる。

【００１４】

【化３】

【００１５】主成分の式（Ｉ）で表わされるアミンは、
通常アミン合成の反応混合物から単離することなくポリ
アミド酸溶液の作製に供される。すなわち、ビス（４−
アミノシクロヘキシル）メタンとε−カプロラクタムを
所定のモル比で混合し、溶媒中で５０〜６０℃で反応さ
せてアミンを合成した後、この反応混合物と１，２，
４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物の化学量論
に準じた量と更に必要に応じて１−アミノ−４−トリメ
トキシシリルベンゼンの少量を混合し、加温することに
よってポリアミド酸溶液を得る。

【００１６】上記溶媒は、例えばＮＭＰ（Ｎ−メチル−
２−ピロリドン）、ジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド等を用いることができる。上記加温は、通常
１０〜８０℃で行なわれる。上記ポリアミド酸溶液は、
塗布に適した粘度になるようにポリアミド酸の濃度が設
定され、通常０．１〜３０重量％の濃度である。

【００１７】上記ポリアミド酸溶液を塗布する基板は、
例えばガラス、ポリメチルメタクリレート等の透光性絶
縁基板等の表面に電極を選択的に形成し、更にその上に
絶縁膜を形成したもの等を用いることができる。上記加
熱は、塗布されたポリアミド酸を重合させてポリイミド
膜に転換しうる条件がよく、通常１５０〜３００℃で１
〜２４０分間行なわれる。上記ポリイミド膜は、一軸配
向処理を付すことによって配向膜として用いることがで
きる。一軸配向処理は、ラビング法によって行うのが好
ましい。

【００１８】この発明においては、１対の基板のうち少
くとも一方の基板に上記配向膜が形成された基板を用い
て液晶セルを形成しこの中に強誘電性液晶を配置させて
液晶表示装置が構成される。

【００１９】強誘電性液晶のキラルスメクティックＣ相
における層構造は、一般的には、図３で示されるような
『く』の字に折れ曲がった構造をしている。この様な構
造をとる理由は、キラルスメクティックＣ相よりも高温
側にある液晶相（一般的には、スメクティックＡ相）か
らキラルスメクティックＣ相に代わるとき液晶分子が傾
くことにより層間隔が小さくなり、基板界面付近の分子
は動きにくく高温側にある液晶相での層間隔を保とうと
するために、層が折れ曲がると考えられている。

【００２０】更に層内の分子配向について考えてみると
自発分極の方向や、液晶分子がほぼ一様な方向に揃った
ユニフォーム配向と、分子が上基板と下基板で捻れたツ
イスト配向の２種類が存在する。このような異なった配
向が存在する理由は、液晶に対する配向膜の界面での配
向規制力によるものであると考えられている。すなわち
配向規制力が強すぎると上下の界面で液晶分子は相対的
に同じ方向に向き、セル内部ではその間の空間を連続的
に変化するが、配向規制力が弱いとセル内部の液晶分子
はほぼ一様に揃い、上下の界面では相対的に逆方向を向
くようになる。この様子は、図４、５に示す。ただし、
９及び１０は基板、１４はシェブロン構造のつなぎめ部
分、２１はＣダイレクターである。

【００２１】

【作用】一軸配向処理されたこの発明のポリイミド配向
膜が液晶分子をほとんど捻れること無くほぼ均一に配向
（ほぼユニフォームな配向）させる。また駆動手段によ
り液晶の光軸を切り替えた際にも、このほぼ均一な配向
により２つの安定状態を示す。この様に、液晶分子がほ
とんど捻られることが無いため、光軸の切り替えを光学
的に識別する手段、例えば偏光子と組み合わせてもちい
ることにより遮光の際に光の漏れを少なくすることが可
能となり、コントラスト特性の改善が可能になる。

【００２２】

【実施例】以下の図に示す実施例に基づいてこの発明を
詳述する。なお、これによってこの発明は限定されるも
のではない。ツイスト配向か、ユニフォーム配向かの配
向特性を見分けるための判別は、次のようにして行っ
た。 １．セルに低周波の三角波を印加しながら顕微鏡観察を
すると、反転ドメインが観察される。その際、シェブロ
ン構造のつなぎめ（折れ曲がり部）で発生する内部回位
の移動によるドメイン反転は（舟型のドメインと呼ばれ
ている）、ツイスト配向、ユニフォーム配向に拘らず発
生する。従ってその反転以外にもう一つ以上ドメイン反
転が観察された場合、その反転は界面での反転であり、
スイッチング時にユニフォーム状態を経由していると判
断した。 ２．セルに十分な電圧を（±１０Ｖ程度）印加して求め
た光軸の移動角度に対して、メモリー時の二つの安定状
態（電圧無印加状態）間の光軸角度が、前者の４０％以
上あるものがユニフォーム配向と言える。なお通常、ツ
イスト配向では３０％台程度の値しか得られない。

【００２３】実施例１ ε−カプロラクタム（６．５６ｇ）、ビス（４−アミノ
シクロヘキシル）メタン（２．１０ｇ）をＮＭＰ（Ｎ−
メチル−２−ピロリドン）（９８．９１ｇ）に溶解し、
６０℃で１０時間加温し、次いで１，２，４，５−ベン
ゼンテトラカルボン酸二無水物（２．０８ｇ）と１−ア
ミノ−４−トリメトキシシリルベンゼン（０．２５ｇ）
を加え、２０℃で２時間重合することにより配向膜の原
料として用いられるポリアミド酸の１０％溶液を得た。
このポリアミド酸溶液の粘度は６２ｃｐ（２０℃）であ
った。この溶液をＮＭＰで３．３％に希釈することによ
り、塗布溶液を調製した。用いたε−カプコラクタム、
ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、１，２，
４，５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、および１
−アミノ−４−トリメトキシシリルベンゼンのモル比
は、２８：１４：１５：１．８に相当する。

【００２４】図１に示すように、ガラス基板１ａ上に３
００〜５０００Å、好ましくは１０００〜３０００Åの
厚さの複数本の透明電極２ａが互いに平行となるように
ストライプ状に配列して形成され、その上に３００〜５
０００Å、好ましくは５００〜２０００ÅのＳｉＯ₂ の
電極保護膜３ａをスパッタで形成する。この上記電極保
護膜３ａ上に、先に調整した塗布溶液をスピンコート法
により塗布し、１００℃で３０分仮焼成した後、２２０
℃で１時間焼成し、膜厚約４００Åのポリイミド膜を形
成した。この後、ポリイミド膜の表面をレーヨン系の布
を用いてラビングして一軸配向処理を行いポリイミド配
向膜４ａを形成し基板９とした。

【００２５】一方、もう片方のガラス基板１ｂ上にも同
様の条件で複数本の透明電極２ｂが互いに平行となるよ
うにストライプ状に配列して形成され、その上に同様の
条件で電極保護膜３ｂを介してポリイミド膜が形成さ
れ、ポリイミド膜の表面をラビングによって一軸配向処
理を行い配向膜４ｂを形成し基板１０とした。

【００２６】ついで、基板１０及び基板９は、互いに配
向膜４ａ及び４ｂが対向し、ラビング方向がほぼ一致す
るようにし、互いの透明電極２ａ，２ｂが直交するよう
に配置し、シリカスペーサ５で１．５μｍの間隔をおい
て液晶注入口以外をエポキシ樹脂製のシール部材６で張
り合わせた。

【００２７】次に、基板９、１０間に、真空注入法で液
晶注入口からキラルスメクティックＣ相を示す液晶７
（チッソ石油化学（株）製、ＣＳ−１０１４）を加熱し
て注入した後アクリル系のＵＶ硬化型樹脂８で液晶注入
口を封止して液晶セル１１を作成した。

【００２８】更に、このセル１１の上下に偏光軸をほぼ
直交させた偏光板１２ａ，１２ｂを配置させ、偏光板の
一方の偏光軸をセル１１の液晶のどちらか一方の光軸に
ほぼ一致させて液晶表示装置とした。

【００２９】キラルスメクチックＣ相を示す液晶として
チッソ石油化学（株）製のＣＳ−１０１４を用いる代り
にＣＳ−１０２２，メルク社製のＺＬＩ−３６５４，Ｚ
ＬＩ−３６８９又はヘキスト社製のＦＥＬＩＸ−００２
を注入した当該液晶表示装置について、配向の様子を実
験により調べた。

【００３０】この結果、いずれの液晶を注入した装置で
も、均一な配向が得られた。また配向特性は、上記判別
方法によりユニフォーム配向であることが確認された。
これらの表示装置を±１０Ｖ，１５０μｓｅｃの双極性
パルスを用いて表示書換えを行ったところ、良好な双安
定性が得られ、どちらの状態においても均一なユニフォ
ーム配向が確認され高いコントラストの表示を行なう事
ができた。

【００３１】実施例２ 実施例１のε−カプロラクタム、ビス（４−アミノシク
ロヘキシル）メタン、及び１，２，４，５−ベンゼンテ
トラカルボン酸二無水物、１−アミノ−４−トリメトキ
シシリルベンゼンの比を１４：１４：１５：１．８のモ
ル比に変更した以外はまったく同様な方法で１０％のポ
リアミド酸溶液を得た。この溶液の粘度は１０６ｃｐ
（２５℃）であった。実施例１と全く同様の操作で液晶
表示装置を作成し、実験を行った。

【００３２】いずれの液晶を注入した装置でも均一な配
向が得られた。また上述の見分け方によりユニフォーム
配向であることが確認された。これらの表示装置を双極
性パルスを用いて表示書換えを行ったところ、良好な双
安定性が得られ、どちらの状態においても均一なユニフ
ォーム配向が確認され高いコントラストの表示を行う事
ができた。

【００３３】実施例３ 実施例１のε−カプロラクタム、ビス（４−アミノシク
ロヘキシル）メタン、及び１，２，４，５−ベンゼンテ
トラカルボン酸二無水物、１−アミノ−４−トリメトキ
シシリルベンゼンの比を４２：１４：１５：１．８のモ
ル比に変更した以外はまったく同様な方法で１０％のポ
リアミド酸溶液を得た。この溶液の粘度は３２ｃｐ（２
５℃）であった。実施例１と全く同様の操作で液晶表示
装置を作成し、実験を行った。

【００３４】いずれの液晶を注入した装置でも、均一な
配向が得られた。また配向特性は上記判別方法によりユ
ニフォーム配向であることが確認された。これらの表示
装置を双極性パルスを用いて表示書換えを行ったとこ
ろ、良好な双安定性が得られ、どちらの状態においても
均一なユニフォーム配向が確認され高いコントラストの
表示を行う事ができた。

【００３５】実施例４〜８ 塗布溶液の調整に用いたε−カプロラクタム、ビス（４
−アミノシクロヘキシル）メタン、１，２，４，５−ベ
ンゼンテトラカルボン酸二無水物及び１−アミノ−４−
トリメトキシシリルベンゼンのモル比を、８：４：５：
１．８（実施例４）、８：４：３：０．９（実施例５）
１６：８：７：１．８（実施例６）、１２０：６０：５
９：１．８（実施例７）及び２：１：１：０（実施例
８）とし、この他は実施例１と同様にして液晶表示装置
を作製した。

【００３６】この結果、いずれの液晶を注入した装置で
も、均一な配向が得られた。また配向特性は、上記判別
方法によりユニフォーム配向であることが確認された。
これらの表示装置を±１０Ｖ，１５０μｓｅｃの双極性
パルスを用いて表示書換えを行ったところ、良好な双安
定性が得られ、どちらの状態においても均一なユニフォ
ーム配向が確認され高いコントラストの表示を行なう事
ができた。また、１−アミノ−４−トリメトキシシリル
ベンゼンを加えた場合と、加えない場合では、加えた方
がポリアミド酸溶液の塗布を容易に行なえることが確認
された。

【００３７】実施例９〜１３ 塗布溶液の調整に用いたε−カプロラクタム、ビス（４
−アミノシクロヘキシル）メタン、１，２，４，５−ベ
ンゼンテトラカルボン酸二無水物及び１−アミノ−４−
トリメトキシシリルベンゼンのモル比を、４：４：５：
１．８（実施例９）、４：４：３：０．９（実施例１
０）８：８：７：１．８（実施例１１）、６０：６０：
５９：１．８（実施例１２）及び１：１：１：０（実施
例１３）とし、この他は実施例１と同様にして液晶表示
装置を作製した。

【００３８】この結果、いずれの液晶を注入した装置で
も、均一な配向が得られた。また配向特性は、上記判別
方法によりユニフォーム配向であることが確認された。
これらの表示装置を±１０Ｖ，１５０μｓｅｃの双極性
パルスを用いて表示書換えを行ったところ、良好な双安
定性が得られ、どちらの状態においても均一なユニフォ
ーム配向が確認され高いコントラストの表示を行なう事
ができた。

【００３９】実施例１４〜１８ 塗布溶液の調整に用いたε−カプロラクタム、ビス（４
−アミノシクロヘキシル）メタン、１，２，４，５−ベ
ンゼンテトラカルボン酸二無水物及び１−アミノ−４−
トリメトキシシリルベンゼンのモル比を、１２：４：
５：１．８（実施例１４）、１２：４：３：０．９（実
施例１５）２４：８：７：１．８（実施例１６）、１８
０：６０：５９：１．８（実施例１７）及び３：１：
１：０（実施例１８）とし、この他は実施例１と同様に
して液晶表示装置を作製した。

【００４０】この結果、いずれの液晶を注入した装置で
も、均一な配向が得られた。また配向特性は、上記判別
方法によりユニフォーム配向であることが確認された。
これらの表示装置を±１０Ｖ，１５０μｓｅｃの双極性
パルスを用いて表示書換えを行ったところ、良好な双安
定性が得られ、どちらの状態においても均一なユニフォ
ーム配向が確認され高いコントラストの表示を行なう事
ができた。

【００４１】比較例１ 実施例１と同様な構造で、配向膜をＰＶＡ（ポリビニル
アルコール）とした以外は実施例１と同様にして液晶表
示装置を作製した。

【００４２】いずれのキラルスメクチックＣ相を示す液
晶を注入した装置でも、均一な配向は得られたが、ユニ
フォーム配向は得られずツイスト配向が観察された。こ
れらの表示装置を双極性パルスを用いて表示書換えを行
ったところ、良好な双安定性が得られたが、どちらの状
態においてもツイスト配向となり高いコントラストは得
られなかった。

【００４３】比較例２ 配向膜をナイロン（東レ製ナイロン６／６）とした以外
は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。いず
れの液晶表示装置も配向欠陥が多く存在し、特にコント
ラスト及び均一性の面で非常に性能の低いものであっ
た。

【００４４】比較例３ 配向膜をＰＳＩ−Ａ−２００１（ポリイミド：チッソ社
製）とした以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を
作製した。いずれの液晶表示装置でも均一な配向は得ら
れたが、ユニフォーム配向は得られずツイスト配向が観
察された。これらの表示装置を双極性パルスを用いて表
示書換えを行ったところ、良好な双安定性が得られた
が、どちらの状態においてもツイスト配向となり高いコ
ントラストは得られなかった。

【００４５】比較例４ 配向膜をＰＳＩ−Ａ−Ｘ００９（ポリイミド：チッソ社
製）とした以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を
作製した。いずれの液晶表示装置でも均一な配向は得ら
れたが、ユニフォーム配向は得られずツイスト配向が観
察された。これらの表示装置を双極性パルスを用いて表
示書換えを行ったところ、良好な双安定性が得られた
が、どちらの状態においてもツイスト配向となり高いコ
ントラストは得られなかった。

【００４６】比較例５ 配向膜をＰＳＩ−Ａ−２３０１（ポリイミド：チッソ社
製）とした以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を
作製した。いずれの液晶表示装置も欠陥が多く存在し、
特にコントラスト及び均一性の面で非常に性能の低いも
のであった。

【００４７】比較例６ 配向膜をＳＥ−７３１１（ポリイミド：日産化学社製）
とした以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製
した。いずれの液晶表示装置でも均一な配向は得られた
が、ユニフォーム配向は得られずツイスト配向が観察さ
れた。これらの表示装置を双極性パルスを用いて表示書
換えを行ったところ、良好な双安定性が得られたが、ど
ちらの状態においてもツイスト配向となり高いコントラ
ストは得られなかった。

【００４８】比較例７ 配向膜をＳＥ−６１０（ポリイミド：日産化学社製）と
した以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し
た。いずれの液晶表示装置でも均一な配向は得られた
が、ユニフォーム配向は得られずツイスト配向が観察さ
れた。これらの表示装置を双極性パルスを用いて表示書
換えを行ったところ、良好な双安定性が得られたが、ど
ちらの状態においてもツイスト配向となり高いコントラ
ストは得られなかった。

【００４９】比較例８ 配向膜をＲＮ−７４７（ポリイミド：日産化学社製）と
した以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し
た。いずれの液晶表示装置でも均一な配向は得られた
が、ユニフォーム配向は得られずツイスト配向が観察さ
れた。これらの表示装置を双極性パルスを用いて表示書
換えを行ったところ、良好な双安定性が得られたが、ど
ちらの状態においてもツイスト配向となり高いコントラ
ストは得られなかった。

【００５０】比較例９ 配向膜をＲＮ−７７６（ポリイミド：日産化学社製）と
した以外は実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し
た。いずれの液晶表示装置でも均一な配向は得られた
が、ユニフォーム配向は得られずツイスト配向が観察さ
れた。これらの表示装置を双極性パルスを用いて表示書
換えを行ったところ、良好な双安定性が得られたが、ど
ちらの状態においてもツイスト配向となり高いコントラ
ストは得られなかった。

【００５１】

【発明の効果】この発明によれば、シェブロン構造にも
拘らずユニフォーム配向により双安定なスイッチングを
行う事ができ、高いコントラスト特性（４０以上）を呈
することのできる液晶表示装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例で作製した液晶表示装置の断
面の図である。

【図２】従来のスメクティックＣ相の層構造を示す模式
図である。

【図３】実施例におけるスメクティックＣ相の層構造を
示す模式図である。

【図４】従来例におけるＣダイレクターを示す写影図で
ある。

【図５】実施例におけるＣダイレクターを示す写影図で
ある。

【図６】強誘電性液晶素子の動作原理の説明図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ ガラス基板 ２ａ，２ｂ 透明電極 ３ａ，３ｂ 電極保護膜 ４ａ，４ｂ 配向膜 ５ スペーサー ６ シール部材 ７ 液晶 ８ 封止部材 ９，１０ 基板 １１ 液晶セル １２ａ，１２ｂ 偏光板 １３ スメクティック層 １４ シェブロン構造のつなぎめ部分 １５ 自発分極 １６ 電界 １７ スメクティック層法線 １８ 液晶分子 １９，２０ 傾き角 ２１ Ｃダイレクター

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−157727（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/1337

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に保護膜または絶縁膜でカバーされ
   た電極を有する基板の１対で液晶セルが形成され、この
   液晶セルの中に強誘電性液晶が挿入され、強誘電性液晶
   と接触する液晶セルの表面の一面又は両面に、式（Ｉ） 【化１】 （ただし、ｎ及びｍは、それぞれ０以上２以下の整数で
   あり、（ｎ＋ｍ）が１以上４以下の整数である）で表わ
   されるアミンと、１，２，４，５−ベンゼンテトラカル
   ボン酸二無水物を主成分とするポリイミドであって一軸
   配向処理された配向膜を有する液晶表示装置。
2. 【請求項２】 式（Ｉ）のアミンが、ｎとｍの両方が１
   で示されるものである請求項１の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 式（Ｉ）のアミンが、ｎが１でありかつ
   ｍが０で示されるものである請求項１の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 式（Ｉ）のアミンが、ｎが１でありかつ
   ｍが２で示されるものである請求項１の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 配向膜が、更に１−アミノ−４−トリメ
   トキシシリルベンゼンを副成分として加えられたポリイ
   ミドからなる請求項１の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 配向膜が、ラビング法により一軸配向処
   理を施されてなる請求項１の液晶表示装置。