KR910016974A - 결정 성장 방법 및 장치 - Google Patents

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이.클레먼스 짐
아이. 이짐 테오필러스
제이.유엔 마리아
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알.비.앤더슨
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

결정 성장 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실례가 되는 실시예에 따른 도가니를 포함하는 결정 성장 장치의 단면 개략도. 제2도는 제1도의 도가니의 상단면도.

Claims (20)

  1. 제1의 재료를 포함하는 제1의 표면인 제1의 벽을 가진 도가니내에 상기 제1의 재료를 놓는 단계와, 상기 제1의 재료가 흐르도록 상기 도가니를 가열하는 단계 및, 상기 도가니의 내부 표면에 들어 맞는 외부 표면을 가진 대상을 형성하도록 상기 재료를 응고시키기 위해 방식으로 도가니를 냉각시키는 단계를 포함하는 제1의 재료의 대상을 만드는 고정에 있어서, 상기 도가니와 반응하는 형태의 제2의 재료와 상기 제1의 표면 반대쪽에 있는 상기 제1의 벽의 제2의 표면을 접촉하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 벽이 상기 가열 및 냉각 단계동안 상기 제1의 재료로부터 상기 제2의 재료를 실제로 분리하기에 충분한 두께이나, 상기 제2의 재료가 상기 제1의 벽과의 반응을 통해 상기 제1의 벽의 구조 강도를 명백히 약화시킬만큼 충분히 얇아져, 상기 냉각 단계동안 상기 대상에 대한 압력이 상기 제1의 벽의 파손에 의해 경감되는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  3. 제2항에 있어서, 상기 냉각 단계동안, 상기 대상과 상기 도가니가 상이한 비율로 접촉하여, 상기 제1의 벽의 파손에 의해 경감되는 상기 대상 및 상기 제1의 벽에 대한 상기 압력을 야기시키는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1의 재료가 가열 단계동안 용해되는 반도체 재료이며, 상기 냉각 단계가 주괴내의 상기 반도체 재료를 동결하며, 상기 반도체 재료의 적어도 대다수 부분이 단일 결정인 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  5. 제4항에 있어서, 캡슐 보호 재료가 상기 가열 단계동안 용해되는 상기 반도체와 함께 상기 도가니내에 배치되고 대부분의 상기 캡슐 보호 재료가 상기 용해된 반도체 재료 위에 뜨는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  6. 제5항에 있어서, 적어도 일부의 상기 캡슐 보호 재료가 동결에 의해 상기 주괴가 상기 제1의 벽에 결합하는 층을 형성하상, 사지 주괴와 상기 제1의 벽에 압력을 이용하는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  7. 제6항에 있어서, 상기 반도체 재료가 화합물 반도체이며, 상기 제1의 벽이 유리이고 상기 제2의 재료가 용해된 형태로 유리와 반응할 수 있는 무기염인 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  8. 제7항에 있어서, 단결정체 시이드 결정이 상기 도가니의 바닥 단부내에 우선적으로 배치되고 상기 도가니의 상부쪽으로 상기 시이드 결정으로부터 점진적으로 상기 화합물 반도체 재료를 냉각하기 위해 상기 도가니가 냉각되는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  9. 제8항에 있어서, 상기 도가니가 수직으로 향하고 수직 경사 동결 공정은, 가공하지 않은 재료를 용해하고 적어도 대다수 부분의 상기 화합물 반도체 재료가 상기 사이드 결정으로부터 확장한 단일 결정을 구성하도록 상기 화합물 반도체 재료를 제어가능하게 동결하기 위해, 사용되는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  10. 제9항에 있어서, 상기 화합물을 반도체가〈100〉 결정 방위에 상응하는 방향으로 성장하도록 상기 시이드 결정이 적용되는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제1의 벽이 실제로 원통형 형태이고 무기염이 상기 제1의 벽을 둘러싸는 제2의 원통형 벽에 의해 상기 제1의 벽과 접촉하여 고정되는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  12. 제11항에 있어서, 상기 무기염이 칼슘 염화물인 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  13. 제12항에 있어서, 상기 반도체 재료가 Ⅲ-Ⅴ족 재료이고 외부 가스압력이 기화된 Ⅴ족 요소 재료가 새는 것을 지연하기 위해 상기 용해된 반도체 재료의 표면에 인가되는 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  14. 제13항에 있어서, 상기 캡슐 보호 재료가 붕소 산화물이고, Ⅲ-Ⅴ족 재료가 인듐 인화물인 것을 특징으로 하는 제1의 재료의 대상을 만드는 공정.
  15. 만들어질 화합물 반도체의 단결정체 시이드 결정과 상기 시이드 결정과 접촉하는 다량의 가공하지 않은 반도체 재료를 포함하는 도가니와, 상기 가공하지 않은 재료와 상기 시이드 결정의 일부를 용해하기 위해 상기 도가니를 가열하는 수단과, 용해된 상태로 상기 가공하지 않은 재료를 접촉하는 상기 도가니의 제1의 벽 및, 상기 시이드 결정과의 접촉면에서 우선적으로 상기 용해된 재료를 동결시키고 거기서부터 점진적으로 동결하도록 상기 도가니의 온도를 감소시키는 수단을 포함하는 화합물 반도체 재료의 큰 단일 결정을 만드는 장치에 있어서, 상기 도가니가 상기 도가니와 제1의 벽간에 포함되고 용해시, 상기 제1의 벽이 만들어지는 재료와 화학적으로 접촉하는 형태의 제2의 재료로 만들어진 제2의 벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 재료의 큰 단일 결정을 만드는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1의 벽이 상기 가열 및 냉각 단계동안 상기 가공하지 않은 재료로부터 상기 제2의 재료를 실제로 분리하기에 충분히 두께이나, 상기 용해된 제2의 재료가 상기 제1의 벽과의 반응을 통해 상기 제1의 벽의 구조를 명백히 야기시켜 매우 얇은 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 재료의 큰 단일 결정을 만드는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1의 벽이 유리이고 상기 제2의 재료가 용해된 형태로 유리와 반응 할 수 있는 무기염인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 재료의 큰 단일 결정을 만드는 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 가공하지 않은 재료가 Ⅲ-Ⅴ족 재료이고 상기 제1의 재료가 칼슘 염화물인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 재료의 큰 단일 결정을 만드는 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 도가니가 붕소 산화물을 포함하도록 적응되는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 재료의 큰 단일 결정을 만드는 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1의 벽이 실제로 원통형 형태이고 상기 제2의 벽이 상기 제1의 벽을 둘러싸는 실제로 원통형 형태이고 상기 제1 및, 제2의 벽 둘다가 수정 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 재료의 큰 단일 결정을 만드는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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