KR910016680A - 펜타에틸렌헥사민 및 하이드록시에틸트리에틸렌테트라민의 선택적인 제조방법 - Google Patents

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웨인 킹 스티븐
제임스 슈렉 데이비드
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Description

펜타에틸렌헥사민 및 하이드록시에틸트리에틸렌테트라민의 선택적인 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (49)

  1. 알킬렌아민과 디알카놀아민을 IVB족 금속 화합물, VIB족 금속-함유 물질 및 촉진 축합 촉매중에서 선택된 축합 촉매의 존재하에서 축합시킴을 특징으로하여, 고수율 중량%의 펜타에틸렌헥사민 및 하이드록시에틸트리에틸렌 테트라민을 함유하는 아민을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 축합 촉매가 하나 이상의 IVB족 금속 산화물을 포함하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, IVB족 금속 산화물이 표면적이 큰 산화티탄 또는 산화지르코늄을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 축합촉매의 표면적이 약 70㎡/gm 이상인 방법.
  5. 제3항에 있어서, 산화티타늄이 이산화티타늄을 포함하고 산화지르코늄이 이산화지르코늄을 포함하는방법.
  6. 제2항에 있어서, IVB족 금속산화물이 산화티타늄과 산화지르코늄의 혼합물을 포함하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 산화티타늄과 산화지르코늄의 혼합물이 이산화티타늄 및 이산화지르코늄을 포함하는 방법
  8. 제3항에 있어서, 축합촉매의 표면적이 약 140㎡/gm 이상인 방법.
  9. 제3항에 있어서, 축합촉매의 표면적이 약 70㎡/gm 이상인 방법.
  10. 제1항에 있어서, 축합촉매가 VIB족 금속-함유 물질을 포함하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, VIB족 금속-함유 물질이 하나 이상의 텅스텐, 크롬 및/ 또는 몰리브덴 산화물을 포함하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 축합 촉매가 촉진 축합 촉매를 포함하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 촉진 축합 촉매가 IVB족 금속산화물 VIB족 금속-함유 물질 또는 이들의 혼합물을 축합 촉매 촉진 충분량으로 존재하는 축합 촉매 촉진제와 함께 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 축합 촉매 촉진제가 생성물선택성, 촉매 활성 및/또는촉매 안정성을 증진시키는 방법
  15. 제13항에 있어서, 축합 촉매 촉진제가 하나 이상의 금속 산화물, 사이클릭 구조를 갖거나 갖지 않을 수 있는 금속 포스페이트, 축합 구조를 갖는 금속폴리포스페이트, VIB족 금속-함유물질, 인-함유물질 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 축합 촉매가 성능 조절제와 연계되어 있는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 성능 조절제가 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 성능 조절제가 하나 이상의 IA족 금속산화물, IIA족 금속산화물, IIIB족 금속산화물,VB족 금속산화물, VIB족 금속산화물, VIIB족 금속산화물, VIII족 금속산화물, IB족 금속산화물, IIB족 금속산화물, IIIA족 금속산화물, IVA족 금속산화물, VA족 금속산화물, VIA족 금속산화물, IVA족 금속산화물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 성능 조절제가 하나이상의 스칸듐, 이트륨, 탄탄, 세륨, 가돌리늄, 루테튬, 이테르븀, 니오븀, 타탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 지르코늄, 철, 코발트, 니켈 아연, 카드뮴, 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 실리콘, 게르마늄, 주석, 납, 비소, 안티몬 및 비스무트 산화물을 포함하는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 성능 조절제가 하나 이상의 사이클릭 구조를 갖거나 갖지 않을 수 있는 금속 포스페이트, 축합 구조를 가진 금속 폴리포스페이트, 금속 메타포스피메이트, 금속 포스포르아미데이트, 금속 아미도포스페이트, 금속 이미도포스페이트 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 성능 조절제가 금속 오므토포스페이트, 금속 메타포스페이트, 금속 피로포스테이트, 금속 폴리포스페이트, 금속 울트라포스페이트, 금속 메타포스피메이트, 금속 포스포르아미데이트, 금속 아미도포스페이트, 금속 이미도포스페이트 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
  22. 제16항에 있어서, 성능 조절제가 VIB족 금속-함유 물질을 포함하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 성능 조절제가 하나 이상의 텅스텐, 크롬 및/또는 몰리브덴의 산화물을 포함하는 방법.
  24. 제16항에 있어서, 성능 조절제가 인-함유 물질을 포함하는 방법
  25. 제24항에 있어서, 인-함유 물질이 산성 금속 포스페이트, 인산 화합물 및 이의 아인산 화합물 및 이의 무수물, 알킬 또는 아릴 화합물 인산염 에스테르, 알킬 또는 아릴 포스파이트, 에스테르, 알킬 또는 아릴 치환된 아인산 및 인산, 인산의알칼리 금속 모노염, 전술한 화합물들의 티오 동족체 및 이의 혼합물을 포함하는 방법.
  26. 제16항에 있어서, 성능 조절제가 무기산 또는 이로부터 유도된 화합물을 포함하는 방법
  27. 제26항에 있어서, 성능 조절제가 인산 또는 이의 염을 포함하는 방법
  28. 제26항에 있어서, 성능 조절제가 플루오루화수소, 하이드로플르오르산 또는 플루오라이드 염을 포함하는 방법
  29. 제26항에 있어서, 성능 조절제가 황산 또는 이의 염을 포함하는 방법
  30. 제2항에 있어서, IVB족 금속산화물이 IVB족 금속산화물과 하나 이상의 다른 금속 산화물이 혼합 산화물을 포함하는 방법
  31. 제30항에 있어서, 금속 산화물이 하나 이상의 IA족 금속산화물, IIA족 금속산화물, IIIB족 금속산화물, VB족 금속산화물, VIB족 금속산화물, VIIB족 금속산화물, VIII족 금속산화물, IB족 금속산화물, IIB족 금속산화물, IIIA족 금속산화물, IVA족 금속산화물, VA족 금속산화물, VIA족 금속산화물, IVB족 금속산화물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
  32. 제30항에 있어서, 금속산화물이 스칸듐, 이트륨, 탄탄, 세륨, 가돌리늄, 루테튬, 이테르븀, 니오븀, 탄탈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄, 지르코늄, 철, 코발트, 니켈 아연, 카드뮴, 붕소, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 실리콘, 게르마늄, 주석, 납, 비소, 안티몬 및 비스무트의 하나 이상의 산화물을 포함하는 방법.
  33. 제2항에 있어서, IVB족 금속 산화물이 촉매 중량의 약 25중량 내지 약 90중량%를 포함하는 방법.
  34. 제2항에 있어서, IVB족 금속 산화물이 촉매 중량의 약 50중량 내지 약 90중량%를 포함하는 방법.
  35. 제2항에 있어서, IVB족 금속 산화물이 촉매의 약 75중량 내지 약 90중량%를 포함하는 방법.
  36. 제1항에 있어서, 축합반응 촉매를 지지체 물질과 결합시키는 방법.
  37. 제36항에 있어서, 지지체가 알루미나 물질 또는 알루미나-실리카 물질을 포함하는 방법.
  38. 제36항에 있어서, 지지체가 실리카물질 또는 실리카-알루미나 물질을 포함하는 방법.
  39. 제36항에 있어서, 지지체가 축합반응 촉매의 약 2 내지 약 50중략%를 포함하는 방법.
  40. 제1항에 있어서,알킬렌아민이 에틸렌디아민을 포함하고 디알킬카놀디아민이 디하이드록시에틸에틸렌디아민을 포함하는 방법.
  41. 제40항에 있어서, 암모니아를 추가로 포함하는 방법.
  42. 제1항에 있어서, 아민 생성물의 HEDETA 대 PEHA 중량비가 약 10.0 이하이고 PEHA+HEDETA 대 PEEDA의 중량비가 2.0이상인 방법.
  43. 제1항에 있어서, 아민 생성물이 존재하는 물 및/또는 암모니아 및/또는 원료를 제외한 생성물 100중량%을 기준으로 하여, 약8.0중량% 이상의 PEHA수율 및 약 10.0중량% 이상의 HEDETA 수율을 갖는 방법.
  44. 제1항에 있어서, 아민 생성물이 존재하는 물 및/또는 암모니아 및/또는 원료를 제외한 생성물 100중량%을 기준으로 하여, 약12.0중량% 이상의 PEHA수율 및 약 20.0중량% 이상의 HETETA 수율을 갖는 방법.
  45. 제1항의 방법으로 제조된 아민 생성물.
  46. 제1항에 있어서, 아민 생성물이 존재하는 물 및/또는 암모니아 및/또는 원료를 제외한 생성물 100중량%를 기준으로 하여, a)약8.0중량% 이상의 PEHA, b)약 10.0중량% 이상의 HETETA, c)약 30.0중량% 이하의 PEEDA+HEP, d)약 35.0중량% 이하의 다른 아민을 함유하며, e) 아민생성물을 HEDETA대 PEHA 의 중량비가 약 10.0이하이며, f)PEHA+HETETA대 PEEDA의 중량비가 약 2.0이상인 방법.
  47. 존재하는 물 및/또는 암모니아 및/또는 원료를 제외한 조성물 100중량%를 기준으로 하여, a)약8.0중량% 이상의 PEHA, b)약 10.0중량% 이상의 HEDETA, c)약 30.0중량% 이하의 PEEDA+HEP, d)약 35.0중량% 이하의 다른 아민을 함유하며, e)HEDETA대 PEHA 의 중량비가 약 10.0이하이고, f)PEHA+HETETA대 PEEDA 중량비가 약 2.0이상인 연속적으로 제조된 알킬렌아민 생산재 조성물.
  48. 알킬렌아민과 디알카놀디아민을 IVB족 금속 산화물, VIB족 금속-함유물질 및 촉진 축합 촉매중에서 선택된 축합 촉매의 존재하에서 축합시킴을 특징으로 하여, 고수율 중량%의 직쇄 펜타에틸렌헥사민 및 하이드록시에틸트리에틸렌테트라민을 함유하는 아민을 제조하는 방법.
  49. 존재하는 물 및/또는 암모니아 및/또는 원료를 제외한 생성물 100중량%을 기준으로 하여, a)약8.0중량% 이상의 L-PEHA, b)약 10.0중량% 이상의 HETETA, c)약 30.0중량% 이하의 PEEDA+HEP, d)약 35.0중량% 이하의 다른 아민을 함유하며, e)HETETA L-HA의 중량비가 약 10.0이하이고, f)L-PEHA+HETETA대 PEEDA의 중량비가 약 2.0이상인 연속적으로 제조된 알킬렌아민 생산재 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004888A 1990-03-30 1991-03-28 펜타에틸렌헥사민 및 하이드록시에틸트리에틸렌테트라민의 선택적인 제조방법 KR910016680A (ko)

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