KR910015840A - 패턴치수측정방법 및 장치 - Google Patents

패턴치수측정방법 및 장치 Download PDF

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야스히로 가가
후미오 고마츠
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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Abstract

내용 없음

Description

패턴치수측정방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 패턴치수측정장치의 구성을 도시해 놓은 블록도, 제2도는 제1도에 도시된 실시예의 작용을 설명하기 위한 플로우챠트.

Claims (2)

  1. 시료(10)가 놓여지는 시료스테이지(1d)및 경통(1a)의 한쪽을 임의의 경사각으로 설정하는 것이 가능한 주사형 전자현미경의 편향기(1b)를 제어하여 시료스테이지(1d)상에 놓여진 시료의 측정부에 전사빔을 조사하고, 상기 측정부로부터의 2차전자신호를 화상처리하여 그 화상처리된 신호에 근거해서 측정부의 패턴의 치수를 측정하는 패턴치수측정방법에 있어서, 경사각을 “0”으로 하고 측정부에 전자빔을 조사한 때의 2차전자신호를 화상처리하여 측정부 패턴의 상부엣지사이의 치수를 산출하는 제1단계와, 경사각을 제1소정각으로 설정하고 측정부에 전자빔을 조사한 때의 2차 전자신호를 화상처리하여 측정부 패턴의 테이퍼부의 화소수를 구하는 제2단계, 경사각을 제1소정각도와 다른 제2소정각도로 설정하고 측정부에 전자빔을 조사한 때의 2차전자신호를 화상처리하여 상기 테이퍼부의 화소수를 구하는 제3단계, 상기 제2및 제3단계에 의해 구해진 상기 테이퍼부의 화소수와 제1및 제2소정각도에 근거하여 상기 패턴의 테이퍼각도 및 높이를 산출하는 제4단계, 상기 제4단계에 의해 산출된 결과에 근거해서 상기 측정패턴의 저부 엣지사이의 치수 및 테두리양을 산출하는 제5단계, 상기 테이퍼부의 2차전자신호의 강도변화에 근거해서 상기 테이퍼부의 프로파일을 구하는 제6단계 및, 상기 제5및 제6단계에 의해 구해진 패턴의 저부엣지사이의 치수 및 테이퍼부의 프로파일에 근거해서 상기 측정패턴의 단면적을 산출하는 제7단계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 패턴치수측정방법.
  2. 시료(10)가 놓여지는 시료스테이지(1d)및 경통(1a)의 한쪽을 임의의 경사각으로 설정하는 것이 가능한 주사형 전자현미경(1)과, 상기 시료스테이지(1d)에 놓여진 시료의 측정부에 전자빔을 조사한 때에 상기 측정부로부터 발생하는 2차전자신호를 화상처리하는 화상처리 수단(2), 상기 경사각을 “0”으로 하여 전자빔을 상기 측정부에 조사한 때의 화상처리수단(2)의 출력에 근거해서 상기 측정부 패턴의 상부엣지사이의 치수를 산출하는 제1연산수단(3), 상기 경사각을 제1소정각도 및 이 제1소정각도와 다른 제2소정각도로 각각 설정하여 전자빔을 상기 측정부에 조사한 때의 화상처리수단(2)의 출력에 근거해서 상기 패턴의 테이퍼각도, 높이, 저부엣지간의 치수, 체두리양 및 테이퍼부의 프로파일을 연산하는 제2연산수단(3)및, 상기 제2연산수단(3)의 출력에 근거해서 상기 패턴의 단면적을 연산하는 제3연산수단(3)을 구비한 것을 특징으로 하는 패턴치수측정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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