KR910013495A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR910013495A
KR910013495A KR1019890020735A KR890020735A KR910013495A KR 910013495 A KR910013495 A KR 910013495A KR 1019890020735 A KR1019890020735 A KR 1019890020735A KR 890020735 A KR890020735 A KR 890020735A KR 910013495 A KR910013495 A KR 910013495A
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heat treatment
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KR1019890020735A
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박창수
안용철
박종호
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)∼(C)도는 본 발명에 다른 반도체 장치의 제조방법을 나타내는 수직단면도.

Claims (8)

  1. 반도체장치의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판 표면의 일부분에 상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 도핑영역을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 표면에 절연막을 형성하고 상기 도핑영역상에 개구를 형성하는 공정과, 상기 노출된 반도체기판과 절연막의 상부에 적어도 2층 이상의 장벽층을 형성하고 이온 주입한 후 열처리하는 공정과, 상기 장벽층의 표면에 금속배선막을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도핑영역을 이온 주입방법 또는 확산 영역으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1장벽층을 Ti로 형성하고, 제2장벽층을 TiN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1및 제2장벽층을 스퍼터링 또는 전공증착방법에 의해 형성함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 열처리 공정을 Ar분위기에서 600℃로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열처리 공정시 도핑영역과 제1장벽층 사이에 실리사이드층이 형성되어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 열처리 공정시 제2장벽층이 비정질구조로 변하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속배선막을 Al로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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