KR910010836A - 레벨 전달회로 - Google Patents

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KR910010836A
KR910010836A KR1019890017541A KR890017541A KR910010836A KR 910010836 A KR910010836 A KR 910010836A KR 1019890017541 A KR1019890017541 A KR 1019890017541A KR 890017541 A KR890017541 A KR 890017541A KR 910010836 A KR910010836 A KR 910010836A
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KR
South Korea
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gate
terminal
mosfetq
mosfets
mosfet
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KR1019890017541A
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Inventor
김영희
오종훈
Original Assignee
정몽헌
현대전자산업 주식회사
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G9/00Combinations of two or more types of control, e.g. gain control and tone control

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

레벨 전달회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 레벨전달회로도.
제4도는 제3도의 동작설명을 위한 타이밍도.

Claims (1)

  1. Vpp선은 MOSFETQ1,Q2및 Q3을 경유해 접지되는 동시에 MOSFETQ4,Q5및 Q6를 통해 접지되며, 상기 MOSFETQ2및 Q5의 게이트단자는 Vcc단자에 연결되며, 상기 MOSFETQ3및 Q6의 게이트단자에 NOT게이트 G2가 접속되며, 상기 MOSFETQ1및 Q4의 게이트단자는 각기 상기 MOSFETQ4및 Q6접속점과 MOSFETQ1및 Q2접속점에 연결되며, 또한 상기 Vpp선은 MOSFETQ7,Q8및 Q9를 경유해 접지되는데, MOSFETQ7및 Q9의 게이트단자는 서로 접속되어 상기 MOSFETQ4및 Q5의 접속점에 연결되어 상기 MOSFETQ7및 Q8의 접속점에서 Vpp가 출력되도록 구성된 레벨전달회로에 있어서, 상기 MOSFETQ3및 Q6의 게이트단자간에는 종속 접속된 NOT 게이트 G3, 한단자는 제어신호를 입력받는 ANA 게이트 G4및 NOT 게이트 G5를 접속하되, NOT 게이트 G3의 입력단자는 한단자는 상기 NOT 게이트 G5의 출력을 한 입력으로 하고 나머지 단자는 입력신호 Vi를 입력받는 NOR 게이트 G2에 접속되며, 상기 MOSFETQ1및 Q2접속점은 그의 게이트 단자는 상기 NOT 게이트 G3및 NAND 게이트 G4의 접속점에 연결되는 MOSFETQ1를 경유해 Vcc에 연결되는 동시에, 붙스트래핑 캐패시터 QJ를 경유해 상기 NOR 게이트 G2의 출력단자에 접속되며, 상기 MOSFETQ4및 Q5의 접속점은 그의 게이트 단자는 상기 NAND 게이트 G4의 출력단자에 접속되는 MOSFETQ2을 경우해 Vcc 단자에 접속되는 동시에 붙스트래핑 캐패시터 QM을 경유해 상기 NOR 게이트 G2의 출력단에 접속구성되는 것을 특징으로 하는 레벨전달회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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