KR910010674A - 타원형 이온비임의 배출방법 및 장치 - Google Patents
타원형 이온비임의 배출방법 및 장치 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실리콘 웨이퍼를 비임처리 하기에 알맞는 이온이식시스템의 개략도.
제2도는 타원모양의 이온비임을 제공하는 이온비임소오스와 추출전국 구조를 나타내는 단면도.
제3도는 제2도의 선 3-3에서 본 단면도.
Claims (12)
- 이온제한실(16)을 연결하는 구조를 갖는 이온소오스(10), 에너지 전자를 이온제한실내의 가스분자와 충돌시켜 이 가스분자를 이온화시키는 이온실내에 설치된 전자소오스(18), 이온비임을 차단시커 적당한 질량의 이온을 공작물의 충돌비상경로에 방출시키는 질량분석기 수단(22), 이온충돌비상 경로를 따르는 이온들을 이용하여 이온비임 처리해야 할 하나이상의 공작물이 위치한 공작물 이식저장소(35)를 형성하는 구조, 이온들을 바람직한 에너지로 가속시켜 공작물 이식 저장소에서 하나이상의 공작물과 충돌시키는 비임가속수단(32) 등을 포함하는 이온비임을 이동로를 따라 충돌시키는 상기 이온 이식시스템에 있어서, 이온제한실은 이온을 이온제한실에서 방출시키는 타원모양의 구멍(50)을 포함하여 타원모양의 이온비임을 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제1항에 있어서, 추출 전극 어셈블리(21)이 이온을 타원모양의 구멍을 통해 가속시켜 그 이온을 두개이상의 서로 다른 모양을 한 연속하는 구멍의 세트중 하나에 통과시키게끔하는 상기 세트를 형성하는 이온 소오스에 대해 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 이온이식 시스템.
- 제1항에 있어서, 타원모양의 구멍(50)은 바깥 모서리 주위의 제1두께에서 타원모양의 구멍에 연결된 얇은 두께부분으로 기울어진 바깥모서리 주위에 제1두께를 갖는 이온실의 벽부재(54)에 형성된 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제3항에 있어서, 타원모양의 구멍이 형성된 벽부재(54)는 벽부재의 두 측면에서 안으로 경사진 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 이온을 이온 제한실에서 배출시켜 이온비임을 형성하는 이온배출구멍(50)을 포함하는 이온제한실(16)을 연결하는 구조를 갖는 이온소오스(10), 에너지전자를 이온제한실내의 가스분자와 충돌시켜 이 가스분자를 이온화시키는 이온실내에 설치된 전자소오스(18), 비임내의 이온을 이온소오스로 가속시키는 비임 추출수단(20), 이온비임을 차단시켜 적당한 질량의 이온을 공작물의 충돌비상경로에 방출시키는 질량분석기 수단(22), 이온충돌비상경로를 따르는 이온들을 이용하여 이온 비임처리해야 할 하나이상의 공작물이 위치한 공작물 이식저장소(35)를 형성하는 구조등을 포함하는 이온비임을 이동로를 따라 공작물에 충돌시키는 이온이식시스템에 있어서, 배출구멍을 중심부분이 최대나비이고 최대나비에서 굽은 끝쪽으로 좁아지는 신장술롯을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제5항에 있어서, 추출수단은 이온을 배출구멍을 통해 배출시켜 그 이온을 두개이상의 서로 다른 모양을 한 연속하는 구멍(67), (68)의 세트중 하나에 통과시키게끔 대해 위치한 추출전극 어셈블리(60) ,(62)를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 이온이식 시스템.
- 제5항에 있어서, 배출구멍(50)은 벽의 바깥 모서리 주위의 제1두께에서 배출구멍의 신장술롯이 연결된 부분으로 기울어진 이온실의 벽(54)에 형성된 것을 특징으로 하는 상기 이온이식 시스템.
- 제5항에 있어서, 배출구멍의 최대나비는 신장술롯의 길이 1/10 보다 작은 것을 특징으로 하는 이온이식시스템.
- 제7항에 있어서, 구멍을 형성하는 이온실벽은 벽의 양측면에서 신장슬롯을 연결하는 부분 안쪽으로 기울어진 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 제9항에 있어서, 벽의 배출측면을 형성하는 안쪽으로 기울어진 벽의 단면은 구멍을 연결하고 구멍부분에서 부분적으로 전기장을 형성하는 트로프(120)을 형성하는 것을 특징으로 하는 상기 이온이식시스템.
- 고 에너지 전자를 이온화 가스로 충만된 영역으로 방출시켜 가스분자를 이온화시키고 그 영역에서 발생한 이온을 상기 영역에서 타원모양으로된 여러나비를 갖는 신장배출구멍(50)을 통해 배출시키고, 슬롯을 갖는 두개이상의 공간을 둔 추출전극(60), (62)의 세트를 바이어스 하므로서 배출구멍과 이온을 가속시키는 추출전극 사이에 가속전기장을 형성하여 배출구멍을 방출된 이온들을 슬롯들에 주입시키는 단계를 포함하는 이온비임을 발생하는 방법.
- 제11항에 있어서, 두개이상의 추출전극의 두개이상의 세트는 지지대 구조에 설치되어 있으며 두개이상의 세트중 적당한 한 세트는 이온들을 상기 세트중 적당한 세트에 주입시키는 배출구멍에 대해 위치된 것을 특징으로 하는 이온비임을 발생하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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