JPS6191921A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造装置にかかり、とくにイオン
注入装置に関する。

最近、ウェハーの大口径化が活発化している。

これに伴って、半導体装置の製造装置の改良、改善が進
められている。

その中でも、イオン注入装置のビームラインにもウェハ
ーの大口径化に対応すべく処置が要求されている。

従来、この種の装置のビームラインのマスク板は、固定
式のため、一種類の大きさのウェハーにしかできない。

大きさの異なるウェハーへイオン注入する場合、特に、
小さいウェハーから大きいウェハーへ切替える場合には
、マスク板もそれに合った大きさのものに交換しなけれ
ば、均一な注入は行なえない。また逆に、大きいウェハ
ーから小さいウェハーへ切替える場合にはそのままのマ
スク板を使用しても可能でおるが、かなジオ−バー・ス
キャンさせなくてはならないため、余計なビーム電流が
必要である。この場合も、使用するウェハーに合ったマ
スク板に交換すればビーム電流も少なくできて効率的で
ある。いづれの場合も、使用するウェハーに合ったマス
ク板に交換する際には多大な時間を要し、ビームライン
を真空に破るため、交換後の真空立上げにもかなシの時
間を要す。また、ビームラインを大気にさらすため、交
換後、イオン注入中に中性不純物イオンが注入され、製
品Ｔｒの電気的特性に悪影響を及ばず恐れがある。

本発明は以上の欠点金除去した有効な、イオン注入用マ
スク板を提供するものである。

本発□明の％徴は大きさの異なるウェノ・−へのイオン
注入に際し、その大きさのウエノ）−に合ったマスク板
をビームラインに備えたイオン注入装置で１、これによ
シ大きさの異なるウェハーへのイオン注入もビームライ
ンの真空を破ることなく、マスクを交換する時間を費や
すことなく適宜にイオン注入することができることにあ
る。

次に実施例に基づき、本発明の詳細な説明する。

まず理解を得るために第１図で従来の極術を説明する。

第１図に示したようにイオン注入装置のビームラインに
は％　１種類の固定式のマスク２が設置されており（第
２図）、このマスクの開孔を通ったイオンビームだけが
、エンド・ステージ曹ンのウェハーホルダー上のウェハ
ーを数藤オーバースキャンする形で致達する。従って、
これ以上の大きいウェハーにイオン注入する時は、マス
クをそのままで使用するとウェハーの外周近傍な注入さ
ない部分が出てくる。ウェハー周辺まで均一に注入でき
るようにするためには、マスク板の大きさもそれに伴っ
て大きいものに交換しなくてはならない。

次に本発明の詳細な説明する。第３図に示したように、
イオン注入装置のビームライン中にマスク板６，７が、
設置されている。マスク板６は従来と同様に第２図のよ
うに板に孔が開けであるものであり、使用しようとする
大きいほうのウェハーに対するマスク板である。マスク
板７は使用右にスライドさせて使用できる機構のもので
ラシ。

大きいほうのウェハーに注入する時は左右へスライドさ
せて置くことかで＠（第ツ図参照）、小さいほうのウェ
ハーへ注入する時には２枚の板を中央へ合わせて使用す
る（第４図参照）。

このようにビームラインに、大きさの異なるウニハーニ
合ったマスク板を具備して２くことによシ、他種のマス
ク板への切り替えに用する時間を省くことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の例を説明するための図であシ。 １はイオンビーム、２はマスク板（固定式）、３はサプ
レッサー、４はウェハー、５はウェハーホルダーである
。 第２図は固定式マスク板の構造を示す図である。 第３１ｉ！Ｊは、本発明の実施例を示す図であり、６は
マスク板（固定式）、７はマスク板（可変式）である。 第４図および第５図は本発明の可変式マスク板の＃４造
を示すものである。”

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　大きさの異なるウェハーへのイオン注入に際し、その
   大きさに合った注入領域規制用マスク板をビームライン
   に備えた事を特徴とした半導体装置の製造装置。