JPH04137347A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH04137347A JPH04137347A JP2256346A JP25634690A JPH04137347A JP H04137347 A JPH04137347 A JP H04137347A JP 2256346 A JP2256346 A JP 2256346A JP 25634690 A JP25634690 A JP 25634690A JP H04137347 A JPH04137347 A JP H04137347A
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- ion
- magnet
- analyzer
- wafer
- impurity
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 29
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 36
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 25
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、イオン注入装置におけるイオンビームの中の
不純物除去技術に関し。
不純物除去技術に関し。
イオンビームの中に混じり込んだ不必要な不純物のイオ
ン種を取り除く装置の開発を目的とし。
ン種を取り除く装置の開発を目的とし。
イオンソースより引き出されたイオンビームより必要な
イオン種のみをアナライザーマグネットにより選択して
、アングルコレクタ、エンドステーションのファラデイ
カツブを通して、ディスク上のウェハに該イオンビーム
を注入するイオン注入装置において、該アングルコレク
タマグネットとエンドステーションの該ファラデイカツ
ブとの間に第２のアナライザーマグネットが設けられた
ように構成する。
イオン種のみをアナライザーマグネットにより選択して
、アングルコレクタ、エンドステーションのファラデイ
カツブを通して、ディスク上のウェハに該イオンビーム
を注入するイオン注入装置において、該アングルコレク
タマグネットとエンドステーションの該ファラデイカツ
ブとの間に第２のアナライザーマグネットが設けられた
ように構成する。
本発明は、イオン注入装置におけるビームの中の不純物
除去技術に関する。
除去技術に関する。
近年、イオン注入装置の利用範囲が拡大しており、特に
、超ＬＳＩの高メガビット化、高微細化によりウェハへ
の汚染の問題がクローズアップされてきた。
、超ＬＳＩの高メガビット化、高微細化によりウェハへ
の汚染の問題がクローズアップされてきた。
従って、ウェハへのイオン注入時における金属汚染等の
不純物汚染の防止が要求されている。
不純物汚染の防止が要求されている。
そのために、イオン注入装置のイオン種の質量分析を行
うアナライザーによって、イオン種が選択された後に、
イオンビームがウニ／’ｔに到達するまでの間のビーム
径路途中において、不純物汚染された場合に２本発明の
不純物除去技術が必要となってくる。
うアナライザーによって、イオン種が選択された後に、
イオンビームがウニ／’ｔに到達するまでの間のビーム
径路途中において、不純物汚染された場合に２本発明の
不純物除去技術が必要となってくる。
〔従来の技術］
従来のイオン注入装置においては、イオンソース源にお
いてイオン化されてできたビームを、アナライザーによ
ってイオン種選択され１選択されたイオン種の集団であ
るビームのみがウニＡに注入される。
いてイオン化されてできたビームを、アナライザーによ
ってイオン種選択され１選択されたイオン種の集団であ
るビームのみがウニＡに注入される。
ところが、アナライザー以降にビームヒ・ンテイング等
の何らかの原因によって、イオンビーム中に不純物イオ
ン種が混じり込んだ場合に除去する手段がな（、そのま
まウェハに注入される減少が起きていた。
の何らかの原因によって、イオンビーム中に不純物イオ
ン種が混じり込んだ場合に除去する手段がな（、そのま
まウェハに注入される減少が起きていた。
そのために、ウェハが不純物汚染１例えば金属汚染され
、デバイスの特性不良を引き起こしていた。
、デバイスの特性不良を引き起こしていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
従って、不必要なイオン種が混じり込んだイオンビーム
の中のフィルタリングが出来ずに、ウェハにそのまま汚
染されたイオンビームが注入されてしまうという問題が
生じていた。
の中のフィルタリングが出来ずに、ウェハにそのまま汚
染されたイオンビームが注入されてしまうという問題が
生じていた。
本発明は１以上の点を鑑み、アナライザーによってイオ
ン種が選択された後に、イオンビームの中に混じり込ん
だ不必要な不純物のイオン種を取り除くための装置の開
発を目的として提供されるものである。
ン種が選択された後に、イオンビームの中に混じり込ん
だ不必要な不純物のイオン種を取り除くための装置の開
発を目的として提供されるものである。
第１図は本発明のイオン注入装置の構成図、第２図は本
発明のイオン注入装置のイオンビーム径路図である。
発明のイオン注入装置のイオンビーム径路図である。
図において、１はイオンビーム、２はウェハ。
３はイオンソース、４は引出部、５は加速部、６は第１
のアナライザマグネット、７はスキャンマグネット、８
はアングルコレクタマグネット ９は第２のアナライザ
マグネット、１０はディスク。
のアナライザマグネット、７はスキャンマグネット、８
はアングルコレクタマグネット ９は第２のアナライザ
マグネット、１０はディスク。
１１はインレットアパーチャ、１２はエフジットアパー
チャ、１３はビームラインアパーチャ、１４はスリット
アパーチャ、１５はインレットシールド、１６はエクジ
ッ専一トシー春−１１７はマススリット、１８はファラ
デイカツブ、１９はビームゲート、２０は回転シャフト
である。
チャ、１３はビームラインアパーチャ、１４はスリット
アパーチャ、１５はインレットシールド、１６はエクジ
ッ専一トシー春−１１７はマススリット、１８はファラ
デイカツブ、１９はビームゲート、２０は回転シャフト
である。
本発明の特徴は、上記の問題点を解決するために、エン
ドステーションのファラデイカツブの手前に第２のアナ
ライザーマグネットを設けることによって、イオンビー
ムの中に含まれている不純物イオンを取り除くビームフ
ィルターの役目を与えた事である。
ドステーションのファラデイカツブの手前に第２のアナ
ライザーマグネットを設けることによって、イオンビー
ムの中に含まれている不純物イオンを取り除くビームフ
ィルターの役目を与えた事である。
また、イオン種選択のための通常のアナライザー以外に
、ウェハ手前の場所に、更に、不純物イオン除去のため
の、ビームフィルターの役目をするアナライザーを設け
た事になる。
、ウェハ手前の場所に、更に、不純物イオン除去のため
の、ビームフィルターの役目をするアナライザーを設け
た事になる。
即ち１本発明の目的は、イオンソース３より引き出され
たイオンビーム１より必要なイオン種のみをアナライザ
ーマグネット６により選択して。
たイオンビーム１より必要なイオン種のみをアナライザ
ーマグネット６により選択して。
アングルコレクタ８．エンドステーションのファラデイ
カツブ１８を通して、ディスク１０上のウェハ２に該イ
オンビーム１を注入するイオン注入装置において。
カツブ１８を通して、ディスク１０上のウェハ２に該イ
オンビーム１を注入するイオン注入装置において。
第１図、第２図に示すように、該アングルコレクタマグ
ネット８とエンドステーションの該ファラデイカツブ１
８との間に第２のアナライザーマグネット９が設けられ
た構成を有することにより達成される。
ネット８とエンドステーションの該ファラデイカツブ１
８との間に第２のアナライザーマグネット９が設けられ
た構成を有することにより達成される。
本発明は、第１図及び第２図に示すように、エンドステ
ーションのファラデイカツブの手前、そして、アングル
コレクタマグネットの後に第２のアナライザマグネット
を置く構造とする事により。
ーションのファラデイカツブの手前、そして、アングル
コレクタマグネットの後に第２のアナライザマグネット
を置く構造とする事により。
イオンビーム径路途上においてイオンビームの中に混入
した不純物イオンを取り除くビームフィルターの働きを
させる。
した不純物イオンを取り除くビームフィルターの働きを
させる。
本発明は、アナライザ一方式による不純物イオンの除去
方法であり９通常のイオン種選択のための分析器である
アナライザ以外に、不純物除去を目的とした第２のアナ
ライザーを別個に設けた事に特徴がある。
方法であり９通常のイオン種選択のための分析器である
アナライザ以外に、不純物除去を目的とした第２のアナ
ライザーを別個に設けた事に特徴がある。
〔実施例］
第１図は本発明のイオン注入装置の構成図、第２図は本
発明のイオン注入装置のイオンビーム径路図である。
発明のイオン注入装置のイオンビーム径路図である。
第１図に示すように、アングルコレクタマグネット８の
後に不純物イオン除去のための第２のアナライザマグネ
ット９を設け、ディスク１０のウェハ１に目的としたイ
オン種以外のものが注入されない様にする。
後に不純物イオン除去のための第２のアナライザマグネ
ット９を設け、ディスク１０のウェハ１に目的としたイ
オン種以外のものが注入されない様にする。
第２図はイオン注入装置のイオンビーム径路を示してい
るが、アークチャンバーのイオンソース３より取り出さ
れたイオンビーム１がビーム径路を通る度に、ビームヒ
ツティング等により、イオンビーム１の中に不純物が混
じり込むでしまう時があり、最終的には、エンドステー
ション・ファラデイカツブ１８の手前のビームフィルタ
の役目のアナライザマグネット９により不純物イオンの
除去を行う。
るが、アークチャンバーのイオンソース３より取り出さ
れたイオンビーム１がビーム径路を通る度に、ビームヒ
ツティング等により、イオンビーム１の中に不純物が混
じり込むでしまう時があり、最終的には、エンドステー
ション・ファラデイカツブ１８の手前のビームフィルタ
の役目のアナライザマグネット９により不純物イオンの
除去を行う。
これによって、ウェハ１の不純物汚染がなくなり、金属
汚染等によるデバイスの特性不良を防止することが可能
となる。
汚染等によるデバイスの特性不良を防止することが可能
となる。
以上説明した様に１本発明によれば、エンドステーショ
ンのファラデイカツブの手前、そして。
ンのファラデイカツブの手前、そして。
アングルコレクタマグネットの後に第２のアナライザマ
グネットを置く構造とする事により、イオンビーム径路
途上においてイオンビームの中に混入した不純物イオン
を完全に取り除くことができ半導体装置の特性の向上、
信鯨性の確立に大きく寄与する。
グネットを置く構造とする事により、イオンビーム径路
途上においてイオンビームの中に混入した不純物イオン
を完全に取り除くことができ半導体装置の特性の向上、
信鯨性の確立に大きく寄与する。
第１図は本発明のイオン注入装置構成図。
第２図は本発明のイオン注入装置のイオンビーム径路図
である。
図において。
１はイオンビーム、 ２はウェハ。
３はイオンソース、 ４は引出部。
５は加速部。
６は第１のアナライザマグネット。
７はスキャンマグネット。
８はアングルコレクタマグネット。
９は第２のアナライザマグネット
１０はディスク。
１１はインレットアパーチャ。
１２はエフジットアパーチャ。
１３はビームラインアパーチャ。
１４はスリットアパーチャ。
１５はインレットシールド。
シーＩＬド
１６はエクシットネー論−ｈ＝ｗ−。
１７はマススリッ
ト。
１８はファラデイカツブ。
１９はビームゲート。
２０は回転シャツ
ト
ト、５
５！八−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イオンソース（３）より引き出されたイオンビーム（
１）より必要なイオン種のみをアナライザーマグネット
（６）により選択して、アングルコレクタ（８）、エン
ドステーションのファラディカップ（１８）を通して、
ディスク（１０）上のウェハ（２）に該イオンビーム（
１）を注入するイオン注入装置において、 該アングルコレクタマグネット（８）とエンドステーシ
ョンの該ファラデイカップ（１８）との間に第２のアナ
ライザーマグネット（９）が設けられた構成を有するこ
とを特徴とするイオン注入装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256346A JPH04137347A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256346A JPH04137347A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137347A true JPH04137347A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17291403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2256346A Pending JPH04137347A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137347A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0621628A1 (en) * | 1993-03-11 | 1994-10-26 | Diamond Semiconductor Group Inc. | Ion implanter |
| US5834786A (en) * | 1996-07-15 | 1998-11-10 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High current ribbon beam ion implanter |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP2256346A patent/JPH04137347A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0621628A1 (en) * | 1993-03-11 | 1994-10-26 | Diamond Semiconductor Group Inc. | Ion implanter |
| US5834786A (en) * | 1996-07-15 | 1998-11-10 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High current ribbon beam ion implanter |
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