KR910008742B1 - 저응력 인캡슐런트(encapsulant)조성물 - Google Patents

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Description

저응력 인캡슐런트(encapsulant)조성물

본 발명은 용융 상태 또는 처리할 수 있는 이방성 상의 형성이 가능한 폴리에스테르와, 그것에 실리콘이 균일하게 분산되어 이루어진 저응력 인캡슐런트 또는 실런트에 관한 것이다.

본 발명에서 다양한 전기 제품의 부품에 캡슐화 또는 밀봉하는 인캡슐런트 또는 실런트용으로 폴리에스테르와 실리콘으로 이루어진 상기에 나타낸 조성물을 사용하려 한다.

IC, 트랜지스터, 다이오드, 코일, 캐패시터, 래지스터, 커넥터, LSI 등은 그들의 (원본불량)적 절연성의 유지, 외부의 힘으로 부터 보호 및 주위 압력에 따른 그들의 특성이 변하는 것을 막기 위하여 합성수지로 봉한다.

현재, 상술한 목적을 달성하기 위한 합성 수지로 주로 에폭시 수지가 사용되어 왔는데, 그것은 성형과 경화시에 수축 및 팽창이 거의 없고, 경화 제품이 화학적 불활성이므로 온도 및 습도에 따른 변형이 거의 없으며, 낮은 흡습성을 갖는 유리한 점이 있다.

그렇지만, 최근에 밀봉용 제품의 고성능이 요구되고, 써어비스 조건이 변화하고 있기 때문에 추가적인 성질을 더욱 요구하고 있다.

특히, IC를 봉하기 위해 사용하는 수지의 스트레인과 응력을 줄이기 위한 요구는 IC의 보다 큰 집적도와 보다 큰 치수의 최근 경향에 따라 심각한 문제가 생긴다.

그러므로, 응력의 발생으로 야기된 IC에 충격을 최소화하는 것이 요구된다.

한편, 봉해진 IC의 실제적인 사용에서는, 표면 설치 기술에서 봉해진 IC들을 용융 땜납 욕(bath)와 직접 접촉하기 때문에 온도의 갑작스런 변화에서 조차 밀봉용 화합물은 물론, 봉해진 IC들에서도 응력을 발생하지 않는 것이 간절히 요구된다.

그렇지만, 아직까지 이런 요구를 만족시키는 밀봉용 화합물을 발견하지 못했다.

상술한 문제들을 해결하여 우수한 성질을 갖는 밀봉용 물질을 개발하기 위한 목적으로 집중적인 연구를 한 후에, 본 발명자들은 이방성(anisotropic)용융상의 형성이 가능하며, 용융 공정을 할 수 있는 풀리 에스테르(이하 액정 폴리에스테르라 함)는 선팽창율이 낮고, 성형수축이 작으며, 탄성율이 작은 것 등의 우수한 성질을 갖는 것을 발견했으며, 이것이 밀봉용 물질로 아주 적당히 사용할 수 있다는 것을 알았다.

그렇지만, 액정 폴리에스테르 조차 새로운 문제를 해결하는데 만족스럽지 못하다는 것을 발견하였다. 보다 집중적인 연구를 거듭한 후에, 본 발명자들은 현저히 응력이 감소하는 밀봉용 화합물을 액정 폴리에스테르에 실리콘을 혼합하여 생산할 수 있다는 것을 찾아냈다.

본 발명은 이 발견을 기초로하여 완성하였다.

그러므로, 본 발명은 이방성 용융상을 형성할 수 있는 용융공정이 가능한 폴리에스테르와 그것에 혼합된 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저응력 밀봉 화합물을 제공한다.

여기서 사용한 ＂액정 폴리에스테르＂라 함은, 그것이 용융시에 분자쇄가 평행하게 규칙적 배열을 하는 성질을 갖는 용융 공정이 가능한 폴리에스테르를 가리킨다.

이와같은 분자의 배열을 가끔 액정상태 또는 액정물질의 네마틱(nematic)상이라 한다. 이런 폴리머 분자는 일반적으로 가느다랗고, 평탄하다. 그것은 분자의 주축을 따라 상당히 높은 강도를 갖는다. 보통 연장된 사슬 결합을 갖는 고분자는 동일축 이든지 평행하게 배열된다.

이방성 용융상의 성질을 보통의 교차된 니콜(nicol)을 사용하는 편광기방법으로 조사할 수 있다. 특히, 이방성 용융상을 레이쯔(Leitz)의 극성 현미경으로 레이쯔의 뜨거운 단위에 용융 샘플을 위치시켜, 질소 대기에서 40배율로 관찰하여 알아 볼 수 있다. 즉, 그것은 실험에서 교차된 니콜 사이를 빛이 통과 한다. 샘플이 광학 이방성일 때에, 편광은 정적 상태에서 조차 그것을 통과하여 지나간다.

상술한 이방성 용융상을 형성할 수 있는 폴리머 성분(들)은 다음의 화합물로부터 선택된다.

(1) 방향성 디카르복실산류와 알리사이클릭 디카르복실산류의 하나 또는 그 이상.

(2) 방향성 디올류, 알리사이클릭 디올류 및 알리파틱 디올류의 하나 또는 그 이상.

(3) 방향성 히드록시카르복실산류의 하나 또는 그 이상.

(4) 방향성 티올카르복실산류의 하나 또는 그 이상.

(5) 방향성 디티올류와 방향성 티올페놀류의 하나 또는 그 이상.

(6) 방향성 히드록시 아민류 및 방향성 디아민류의 하나 또는 그 이상.

이방성 용융상을 형성할 수 있는 폴리머는 다음의 화합으로 이루어진다.

Ⅰ) (1)과 (2)로 이루어진 폴리에스테르.

Ⅱ) (3)만으로 이루어진 폴리에스테르.

Ⅲ) (1), (2) 및 (3)으로 이루어진 폴리에스테르.

Ⅳ) (4)만으로 이루어진 폴리티올 에스테르.

Ⅴ) (1)과 (5)로 이루어진 폴리티올 에스테르.

Ⅵ) (1), (4) 및 (5)로 이루어진 폴리티올 에스테르.

Ⅶ) (1), (3) 및 (6)으로 이루어진 폴리에스테르 아미드.

Ⅷ) (1), (2), (3) 및 (6)으로 이루어진 폴리에스테르 아미드.

이방성 용융상을 형성할 수 있는 폴리머들은 상술한 것에 덧붙여, 폴리(니트릴로-2-메틸-1,4-페닐렌티트릴로 에틸리덴-1,4-페닐렌에틸리디넬), 폴리(니트릴로-2-메틸-1,4-페닐렌니트릴로메틸리딘-1,4-페닐렌메틸리딘, 및 폴리 9니트릴로-2-클로로-1,4-페닐렌니트릴로메틸리딘-1,4-페닐렌메틸리딘)등과 같은 방향성 폴리아조메틴류를 들 수 있다.

이방성 용융상을 형성하기 쉬운 폴리머는, 상술한 화합물 외에 폴리에스테르 카보네이트를 들 수 있다.

그들은 4-히드록시벤조일, 디히드록시페닐, 디히드록시카르보닐 또는 테레프탈로일을 기본 단위로 포함한다.

이방성 용융상을 형성하기 위하여 본 발명에 유용한 폴리에스테르 Ⅰ), Ⅱ) 및 Ⅲ)과 폴리에스테르 아미드 Ⅷ)은 축합을 괴하려는 반복 단위를 이루기 쉬운 기능을 갖는 유기 단량체를 서로 반응시켜 다양한 에스테르와 작용으로 제조할 수 있다.

유기 단량체 기능기의 예를들면, 카르복실. 히드록실. 에스테르, 아실록시, 아실할라이드 및 아민기 등이다.

유기 단량체를 어떤 열교환 없이 용융산분해(acidolysis)공정으로 반응시킬 수 있다.

이 공정에서, 단량체를 반응물의 용융형태로 서로 가열한다.

계속되는 반응에서 고체 중합체입자들의 현탁이 용액에 나타난다.

축합 반응의 마지막 단계에서 부산물로 생기는 휘발성 물질(아세트산 또는 물)의 제거를 촉진하기 위하여 진공에서 반응시킬 수 있다.

또한, 슬러리 중합 공정을 본 발명에 사용하기 적당한 액정 폴리에스테르를 형성하기 위하여 채용할 수 있다. 이 공정에서 고체 생성물은 열교환 매질에 현탁된 형태로 얻어진다.

용융산분해와 슬러리 중합 공정의 양자에서, 액정 폴리에스테르용 개시제로 사용한 유기 단량체를 에스테르화된 히드록실기(즉, 저급 아실에스테르의 형태)에 의해 제조한 변성된 형태로 사용할 수 있다. 저급 아실기는 약 2-4개의 탄소원자를 갖는 것이 바람직하다. 바람직한 유기 단량체 반응물을 아세테이트 형태에서 반응시킨다.

용융산분해 및 슬러리 공정에 사용할 수 있는 전형적인 예로는 디알킬틴 옥사이드(이부틸틴 옥사이드등), 디아릴틴옥사이드, 티타니움 옥사이드, 안티모니 트리옥사이드, 알콕시티타니움 실리케이트, 티타니움 알콕사이드, 카르복실산의 알칼리 금속염 및 토금속염(아연 아세테이트등), 루이스(Lewis)산 (BF₃등), 할로겐화수소(예를들면, HC1등) 가스체의 산촉매가 있다. 촉매의 양은 모노머의 총량을 기준으로 약 0.001-1중량%이고, 특히 바람직하게는 0.01-0.2중량%이다.

본 발명에 사용한 적당한 액정 폴리머는 일반적으로 통상의 용매에 실질상 녹지 않아서, 용액상의 공정은 적당하지 않다.

그렇지만, 이런 폴리머들을 통상의 용융처리 공정으로 쉽게 가공처리할 수 있다. 특히. 액정 폴리머는 펜타플루오르 페놀에서 약간 녹는 것이 바람직하다.

본 발명에 사용한 적당한 액정 폴리에스테르는 중량평균 분자량이 약 1,000-200,(원본불량)고, 바람직하게는 5,000-50,000이며, 10,000-25,000을 갖는 것이 특히 바람직하다.

완전한 방향성 폴리에스테르 아미드는 보통 약1,000-50,000을 갖고, 약 5,000-30,000이 바람직하고, 예를들면 15,000-17,000이 좋다.

분자량을 겔투과 크로마토그래피 또는, 적외선 측정으로 압축성형 필름의 말단기를 결정하는 방법과 같은 폴리머 용액의 형태를 포함하지 않는 표준 결정방법으로 결정할 수 있다.

또한, 펜타플로오르 페놀에서 폴리머를 녹인 후에 광산란으로 분자량을 결정할 수 있다.

60℃에서 제조한 펜타플루오르 페놀에 상술한 액정 폴리에스테르 또는 폴리에스테르 아미드 0.1중량% 용액은 대수점도(logarithmic viscosity)넘버가 적어도 1.0dl/g 예를 들면 약 20-10.0l/g을 갖는다.

이방성 용융상을 형성 가능하고 본 발명에서 사용 가능한 폴리머는 방향성 폴리에스테르류 및 방향성 폴리에스테르 아미드류이다. 동일 분자쇄에 부분적으로 방향성 폴리에스케르와 방향성 폴리에스테르 아미드로 이루어진 폴리에스테르류 또한 바람직하다.

폴리머의 성분으로 사용할 수 있는 화합물의 바람직한 예를 들면, 2,6-나프탈렌티카르복실산, 2,6-디히드록시나프탈렌, 1,4-디히드록시나프탈렌 및 6-히드록시-2-나프토산과 같은 나프탈렌 화합물, 4,4-디페닐 디카르복실산과 4,4-디히드록실바이페닐 등과 같은 바이페닐 화합물, 다음의 (Ⅰ),(Ⅱ) 및 (Ⅲ)으로 표현되는 화합물:

(여기에서, X는 탄소 원자 수 1-4를 갖는 알킬렌기, 알킬리덴기, -O-, -SO-, -SO₂-이고, Y는 n이 1-4인 -(CH₂)_n또는 n이 1-4인 -O-(CH₂)_nO-이다.

P-히드록실벤조산, 테레프탈산, 하이드퀴논, P-아미노 페놀 및 P-페닐렌 디아민과 같은 그것의 P-위치에 치환분을 갖는 벤젠 화합물과 핵치환을 갖는 동등한 벤젠 화합물(염소, 브롬, 메틸, 페닐 및 1-페닐에틸로 이루어진 기로부터 선택하여 치환한, 이소프탈산과 레조르신올과 같은 그것의 m-위치에 치환분을 갖는 벤젠 화합물등이 있다.

본 발명에서 사용한 액정 폴리에스테르류는 상술한 성분에 추가해서 동일 분자쇄에 이방성 용융상을 형성할 수 없는 폴리알킬렌 테레프탈레이트를 부분적으로 함유할 수 있다.

그 폴리알킬렌 테레프탈레이트의 알킬기는 2-4개의 탄소원자를 갖는다.

상술한 성분으로 이루어진 액정 폴리에스테르 가운데 특히 바람직한 것은 필수적 성분(들)으로 P-위치에 치환분을 갖는 나프탈렌 화합물, 비페닐 화합물 및 벤젠 화합물로 이루어진 것으로 부터 선택한 하나 또는 그 이상의 화합물로 된다.

P-위치에 치환분을 갖는 벤젠 화합물 가운데 특히 바람직한 것은 P-히드록시벤조산, 메틸하이드로 퀴논 및 1-페닐에틸하이드로 퀴논이다.

이방성 용융상을 형성하기 쉽고, 본 발명에 사용할 수 있는 특히 바람직한 폴리에스테르류는 6-히드록시-2-나프토일, 2,6-디히드록시 나프탈렌 또는 2,6-디카르보시 나프탈렌과 같은 나프탈렌 부분 함유 순환 단위가 적어도 10몰% 함유하는 것이다. 바람직한 폴리에스테르 아미드는 상술한 나프탈렌 부분과 4-0아미노페놀 또는 1,4-페닐렌티아민으로 이루어진 순환단위를 갖는 것이다.

상술한 폴리머 Ⅰ)-Ⅷ)로 사용할 수 있는 화합물과 본 발명에 사용하기 바람직하고, 이방성 용융상을 형성할 수 있는 폴리에스테르류가 일본 특허 공개 공보 제 69866/1986호에 기술되어 있다.

다른 열가소성 수지를 본 발명의 목적을 저하시키지 않는 한 본 발명의 범위 안에서 본 발명의 액정 폴리에스테르에 혼합할 수 있다.

본 목적을 위해 사용한 열가소성 수지는 특별한 제한을 가하지는 않는다. 이런열가소성 수지의 예를들면, 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌과 같은 폴리올레핀류, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 및 폴리부틸렌 테레프탈레이트와 같은 히드록실산 또는 방향성 디카르복실산과 디올로 이루어진 방향성 폴리에스테르류, 폴리아세탈류(단일중합체와 공중합체), 폴리스타이렌, 폴리비닐 클로라이드, 폴리아미드류, 폴리카보네이트류, ABS, 폴리페닐렌 옥사이드류, 폴리페닐렌 설파이드류 및 플루오르 수지등을 들 수 있다.

이런 열가소성 수지를 단독으로 또는 두가지 이상의 혼합된 형태로 사용할 수 있다.

액정 폴리에스테르는 분자중의 독특한 원자 배열로 인하여 높은 강도와 높은 자체 강화 효과를 갖는다.

또한, 낮은 선팽창율 및 낮은 성형 수축 인자를 가져서 높은 치수 안정성이 나타난다. 그리고, 액정 폴리에스테르는 저용융 점도, 고유동성 및 220-240℃ 만큼 높은 온도에서 열저항을 갖는다. 또한, 높은 내화학성, 내후성 및 뜨거운 물 저항성은 물론 아주 높은 화학 안정성을 갖는다. 그리고, 다른 물질에 영향을 미치지 않는다. 그러므로, 액정 폴리에스테르는 밀봉용 물질로 사용하기에 알맞다.

본 발명에 따라, 액정 폴리에스테르의 특성을 유지하는 동시에, 성능을 더욱 개선시키기 위하여 실리콘을 혼합한다.

본 발명에서 사용한 실리콘은 유기 폴리실록산 화합물이다. 그것들은 실리콘 오일류, 실리콘 고무류, 실리콘 수지류와 그것의 변성물일 수 있다. 그들을 단독으로 사용하거나 두가지 이상 혼합한 형태로 사용할 수 있다.

그 실리콘 오일은 주로 비교적 저 중합도를 갖는 직쇄 또는 부분적으로 분지된 디메틸폴리실록산으로 이루어진다.

그것은 수소원자 또는 알킬, 아릴, 할로겐화 알킬, 할로겐화 아릴, 아미노-변성 알킬, 메캅도-변성 알킬, 에폭시-변성 알킬 또는 카르복실- 변성 알킬기가 주쇄말단의 적어도 한 부분에 결합될 수 있다.

또한, 그것은 폴리에테르-변성 화합물, 알콜-변성 화합물과 에스테르-변성화합물 중에서 하나 또는 그 이상으로 치환될 수 있다.

본 발명에 사용한 실리콘 오일은 점도 범위가 0.5-1,000,000cst이며, 바람직하게는 500-600,000cst이다. 압출 및 성형에서의 가공성과 성형 수지로부터 침출을 억제하는 관점에서, 점도는 1,000-100,000의 범위가 가장 바람직하다.

실리콘 고무들은 고중합도를 갖는 유기폴리실록산과 경화제 그것으로 가교한 열경화물을 함께 혼합하여 제조한 것과, 적어도 하나의 반응기를 갖는 유기폴리실록산이 촉매의 존재하에서 가열 또는 U.V 레이의 조사로 가교시켜 제조한 것등 분쇄할 수 있는 것이 있다. 주쇄 또는 측쇄의 말단에 반응기를 갖는 폴리실록산은 분자에

을 적어도 하나 갖는 것이다. 여기에서 반응기 R및 R'는 각각

또는 CH=CH₂이다.

반응 메카니즘의 관점으로 부터 실리콘 고무는 세 그룹으로 나눌 수 있다.

즉, 축합형태, 첨가 형태 및 라디칼 형태이다. 축합 형태의 실리콘 고무는 물을 제거하는 실란올 사이의 축합, 알콜을 제거하는 실란올과 알콕시실록산 사이의 축합 또는, 산흑은 염기 물질 또는 주석과 같은 금속촉매의 존재로 수소를 제거하여

와 실란올 사이의 축합등으로 가교된다.

축합형태의 실리콘 고무는 백금 화합물의 존재하에서

와 비닐기 같은 불포화기 사이의 히드록실화 반응으로 가교된다. 라디칼 형태의 실리콘 고무는 U.V 레이의 조사, 라디칼 형성제의 사용으로 형성된 라디칼의 재결합 또는 첨가 반응으로 가교된다. 이 첨가 형태의 실리콘 고무는 고순도 분말의 형태이기 때문에 본 발명에 특히 바람직하다. 분말 실리콘 고무의 평균 입자 직경은 0.1-100μm가 바람직하고, 특히 1-20μm가 좋다.

주성분으로 디메틸폴리실록산은 수소원자 또는 알킬, 아릴, 할로겔화 알킬, 할로겐화 아릴, 아미노-변성 알킬, 메탑토-변성 알킬, 에폭시-변성 알킬 또는 카르복실-변성 알킬기를 메틸기와 같은 측쇄부분 및/또는 주쇄의 적어도 하나의 말단부분에 결합시킨다.

실리콘 수지는 고도로 발달된 3차원 망상구조의 유기 폴리실록산류이다.

그것의 주성분으로, 메틸폴리실록산은 수소 원자 또는 알킬, 아릴, 할로겐화 알킬, 할로겐화 아릴, 아미노-변성 알킬, 메캅토-변성 알킬, 에폭시-변성 알킬, 또는 카르복실-변성 알킬기를 메틸기와 같은 그것의 측쇄부분 및/또는 주쇄의 적어도 하나의 말단 부분에 결합시키거나, 또는 폴리에스테르-변성 화합물, 알콜-변성 화합물 및 에스테르-변성 화합물로 치환될 수 있다.

본 발명에서 실리콘 수지 또한 평균 입자 직경에 0.1-100㎛, 바람직하게는 1-20㎛인 분말상이다.

본 발명에서 실리콘의 양은 조성물의 총량을 기준으로 0.1-30중량%이다.

더욱 구체적으로는, 실리콘 오일의 양이 0.1-5중량%가 바람직하고, 0.5-2중량%가 더욱 좋으며, 실리콘 고무의 양은 1-20중량%가 바람직하고, 2-15중량%가 더욱 좋으며, 실리콘 수지의 양은 1-20중량%가 바람직하다.

본 발명의 밀봉용 화합물에서 실리콘 자체로서의 경화 또는 액정 폴리에스테르와 실리콘의 반응이 필요하지 않다. 따라서, 실리콘은 화학적 불활성인 것이 바람직하다. 이와 관련하여, 그것은 실리콘을 액정 폴리에스테르와 혼합할 때에 불균일 혼합물이 얻어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 밀봉용 화합물에서 무기 충전재와 혼합하는 것이 가능하며 또한 바람직하다.

무기 충전재는 열 전도성인 것이 특히 바람직하다. 열전도 무기 충전재는 300^oK에서 적어도 10W/m^oK의 열전도도를 갖는 금속 산화물, 금속 질화물 및 금속 단화물중에서 선택할 수 있다. 예를들면, 산화베릴륨, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 산화토륨, 산화아연, 질화규소, 질화붕소, 질화알루미늄, 탄화규소 및 산화규소 등이다. 그들 가운데 산화규소, 현저하게 용융된 실리카가 바람직하다.

무기 충전재는 평균 입자 직경이 10-100㎛ 바람직하게는 10-70㎛의 분말 형태이다.

사용된 무기 충전재의 양은 그것을 이루는 성분이 봉해진 전기부품과 동등한 선팽창율을 갖고, 또한 확장된 열전도성을 얻을 수 있게 하는 것이 바람직하다.

IC와 같은 무기 물질로 이루어진 성분을 봉하기 위해 사용하는 밀봉용 화합물에서 충전재의 양은 조성물의 총량을 기준으로 적어도 20중량% 이어야 하고, 30중량% 이상이 바람직하며, 40-75중량%가 더욱 바람직하다.

본 발명에서 무기 충전재를 요구하는 물리적 성질에 따라 공지의 표면처리제와 같이 사용할 수 있다. 표면 처리제는 에폭시 화합물, 이소시아네이트 화합물, 티탄산염 화합물과 같은 가능성 화합물이다. 이런 화합물은 표면을 미리 처리하기 위하여 사용할 수 있고, 또는 출발 물질의 혼합물에 섞을 수도 있다.

상기 성분들에 추가해서, 본 발명의 밀봉용 화합물은 무기 충전재, 안료, 염료, 이형제, 산화방지제, 열안정제, 강화제 및 가수분해 안정제와 같은 보통의 첨가제를 함유할 수 있다. 다양한 에폭시 수지를 안정제로 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 저응력 열가소성 밀봉용 화합물은 높은 내열성과 내열충격성을 가져, 에폭시 수지와는 다르게 수지가 촉매 또는 불순물에 함유하는 것에 의하여 전자부품에 침범당하던 문제가 해결된다.

액정 폴리에스테르의 선팽창율은 에폭시 수지보다 낮고, 실리콘 칩에 알맞게 메워진다.

특히, 유리섬유 또는 무기 분말들의 충전재를 함유하는 액정 폴리에스테르는 낮은 이방성을 가져서, 선팽창 계수는 몰딩 단에서 수지의 흐름 방향과 관계없이 모든 방향에서 동일하다. 따라서, 밀봉용 화합물의 단지 봉해진 물질의 팽창 및 수축을 흡수하기에는 충분할 것이다. 응력은 실리콘의 소량첨가로도 감소시킬 수 있다. 다른 장점은 강도의 저하를 최소화할 수 있다는 것이다.

[실시예]

다음의 실시예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정하지는 않는다.

[실시예 1-7]

액정 폴리에스테르 수지 A-G중 하나의 44중량%에 평균 입자 직경 20㎛인 용융 실리카 44중량%와 실리콘 고무 A 12중량%를 혼합한다. 이 혼합물을 보통의 압출성형기로 280℃에서 일반적 방법으로 펠렛화 한다. 이 펠렛을 이른바 삽입 사출성형방법으로 DIP-형 14-핀 IC를 봉하기 위하여 사용한다. 성형기의 실린더 온도는 300℃이었다. 결과를 표 1에 나타내었다.

여기에서 사용한 실리콘 고무 A는 평균 입자 직경이 8㎛이며, 양 말단에 비닐기를 갖는 디메틸폴리실록산과 그것의 사슬에 부분적으로

를 갖는 디메틸폴리실록산을 백금 화합물 촉매 존재하에서 첨가 반응시켜 제조한 가교된 제품을 얻는다.

[비교예 1]

단지 액정 폴리에스테르 E만 사용한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 IC를 봉했다. 결과를 표 1에 나타내었다.

[비교예 2]

밀봉용 에폭시 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 IC를 봉했다. 결과를 표 1에 나타내었다.

[표 1]

(주)^*1수분 흡수율을 133℃, 100% RH 및 100시간동안의 조건하에서 결정했다.

^*2열충격시험을 -65℃에서 5분, 150℃에서 5분씩 두어 300회를 했다.

[실시예 8-12 및 비교예 3과 4]

표 2에 나타낸 조성을 갖는 각 펠렛을 실시예 5와 동일한 방법으로 액정 폴리에스테르 수지 E로부터 제조한 다음, DIP-형 14-핀 IC를 그것으로 봉한다.

여기에서 사용한 실리콘 오일은 다음과 같다.

실리콘 오일 A : 점도 10,000cst를 갖는 디메틸폴리실록산.

실리콘 오일 B : 점도 100,000cst를 갖는 디메틸폴리실록산.

실리콘 오일 C : 점도 3,500cst를 갖는 디메틸폴리실록산의 측쇄에 아미노알킬기를 갖는 아미노-변성 실리콘 오일 제품을 평가하기 위하여 다음과 같이 잉크 침투 시험을 행하였다.

프레임과 수지 사이의 계면에 잉크 침투 양으로부터 금속납 프레임과 수지 사이 접착력의 정도를 조사하기 위하여 IC에 형광 잉크(PEP형광 침투성 유체 F-6A-SP: eishin Kagaku Co., Ltd.제)가 스며들게 한다. 견본 100개에 침투시켜, 침투된 것의 수를 표 2에 나타내었다.

실리콘 오일을 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 8-12와 동일한 방법으로 IC를 봉했다. 결과를 표 2에 나타내었다.

[표 2]

[실시예 13-17]

표 3에 나타낸 조성을 가진 각 펠렛을 실시예 5와 동일한 방법으로 액정 폴리에스테르로부터 제조하고, 그것으로 DIP-형 14-핀 IC를 봉했다.

여기에서 사용한 실리콘 고무는 다음과 같다.

실리콘 고무 A : 실시예 1에서 사용한 것과 동일

실리콘 고무 B : 실리콘 고무 A의 측쇄 또는 말단에 메캅토 화합물의 기를 갖는 메캅토-변성 실리콘 고무(평균 입자 직경 : 10㎛)

[표 3]

[실시예 18-19]

표 4에 나타낸 각 조성을 갖는 펠렛을 실시예 5와 동일한 방법으로 액정 폴리에스테르 수지 E로부터 제조하여, 그것으로 DIP-형 14-핀 IC를 봉했다.

여기에서 사용한 실리콘 수지는 물을 제거하는 메틸실란트리올의 축합으로 제조된 고도로 발달한 3차원 망상 구조를 갖는 폴리머의 형성으로 제조하여 분쇄한다. (평균 입자 직경 ; 3㎛)

[표 4]

상술한 실시예에서 사용한 액정 폴리에스테르는 다음 구조의 단위를 갖는 것이다.

Claims (8)

1. 이방성 용융상 형성이 가능한 용융공정을 할 수 있는 폴리에스테르에 실리콘을 조성물의 총량을 기준으로 0.1-30중량% 혼합하여 이루어진 저응력 인캡슐런트(encapsulant)조성물.
2. 제1항에 있어서, 실리콘이 실리콘 오일이고, 조성물의 총량을 기준으로 0.1-5중량%인 조성물.
3. 제1항에 있어서, 실리콘이 실리콘 고무이고, 조성물의 총량을 기준으로 1-20중량%인 조성물.
4. 제3항에 있어서, 실리콘 고무가 분말 형태로서 그 평균 입자 직경이 0.1-100㎛인 조성물.
5. 제1항에 있어서, 실리콘이 실리콘 수지이고, 조성물의 총량을 기준으로 1-20중량%인 조성물.
6. 제5항에 있어서, 실리콘 수지가 분말 형태로서 그 평균 입자 직경이 0.1-100㎛인 조성물.
7. 제1항에 있어서, 무기 충전재를 더 함유하는 조성물.
8. 제7항에 있어서, 무기 충전재가 실리콘 옥사이드인 조성물.