KR910008552B1 - 인쇄회로용 금속화성 기판 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

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Description

인쇄회로용 금속화성 기판 및 이의 제조방법
본 발명은 중합체 물질, 보강 충전제 및 분말 충전제로 이루어진 금속화성(metallizable)등방성 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
전자공업 분야에 있어서, 다수의 출력단자가 구비된 단단한 박스를 제공함으로써 집적회로의 집적도를 높게하는 경향이 있다. 이러한 문제점의 적절한 해결책으로는 칩 태리어가 있지만, 고가이고 기술적인 문제점이 있어 그 개발이 제한을 받고 있다. 우선, 당장은 이러한 세라믹 박스를 금속 접촉에 의해 세라믹 기판상에 부착 및 납땜한다. 그렇지만, 세라믹 캐리어가 고가이며 부숴지기 쉬운 특성때문에 다루기 힘들고, 극히 작다는 단점이 있다. 그러므로 열팽창계수가 실리콘 또는 세라믹의 열팽창계수와 비슷하고, 습기에 민감하지 않으며, 등방성이고, 저온 및 250℃ 정도의 고온에서도 기계적 특성이 우수한 캐리어를 제공하려는 노력이 시도되고 있다.
이중에서도 몇몇은 이미 시판 단계에 도달하였는데, 이들은 에폭시 수지, 폴리이미드 또는 에폭시 수지와 폴리아미드 혼합물 그리고 유리섬유, 석영섬유, 보론섬유, 탄소섬유 또는 방향족 폴리아미드 섬유로 된 혼합물과 같은 중합체 물질 보강섬유를 사용하고 있다.
그러나. 이러한 기판은 여러 단점을 내포하고 있다. 예를들면, 유리섬유로 보강된 폴리이미드 기판은 팽창계수가 너무 높다. 또한 케블라(방향족 폴리아미드)로 보강된 폴리이미드 기판은 제조하기가 까다로우며, 구멍이 잘 뚫리지 않는다.
더우기, 이들은 비등방성이다. 프랑스 공화국 제2,256,425및 제2,163,385호에는 불용해성이거나 융점이 180℃ 이상인 섬유의 웨브로 이루어져 있으며, 폴리아미드-이미드 또는 폴리이미드계 중합체로 결합된 부직포 제품의 제조방법이 기술되어 있다. 그러나, 이러한 부직포 제품의 다공질 구조 및 기계적 특성은 본 발명에 의한 기판과는 전적으로 상이하다.
본 발명의 목적은 수분 흡수력이 0.33내지 0.5% 정도로 낮으며, 열팽창계수가 -65℃ 내지 125℃범위에서 3내지 8 x 10-6㎝/㎝℃ 정도이고 등방성인 기판을 제공하는데 있다.
또한 본 발명의 목적은 인쇄회로용 캐리어로서 사용할 수 있으며, 또는 상기 세라믹 캐리어를 대신할 수 있고 일정한 패턴에 따라 금속화시킨 캐리어를 금속화 기판으로부터 얻는데 있다.
본 발명에 의한 등방성 금속화 기판은 중합체내 이미드 그룹에 의해 결합된 중합체 섬유 및 충전제로 구성되어 있으며 이를 습식성형시킨 다음 건조시킨 후 가열압축시켜 제조함을 특징으로 한다.
여기서 금속화 기판이란 그의 조성 또는 구조로 인해 표면상에 금속층을 보유하거나 수용할 수 있는 기판을 말한다. 이러한 기판은 절연 캐리어 물질의 조성에 따라 단단하거나 어느정도 단단할 수 있다. 어느 정도 단단한 기판으로서는 구부릴 시 탄성병형의 영향을 받을 수 있는 물질을 생각할 수 있다.
금속화는 기판의 표면상에 접착된 금속의 필름을 제공하거나 또는 차후 화학적 처리에 의해 금속으로 전환될 수 있거나 금속의 전해 또는 화학증착을 위한 스타터로서 역할을 하는 물질이 함유된 층을 부착시켜 수행할 수 있다.
이러한 금속화는 또한 금속으로 전환될 수 있는 화합물이 함유된 경우 기판을 직접 화학적으로 처리하여 수행할 수 있다.
여기서 등방성 기판으로서는 물리적 성질이 측정되는 방향에 의존하지 않고 모든 방향으로 동일하여 평면에서 등방성인 것을 말한다. 이러한 물질은 첫 단계로서 열안정도가 우수한 소량의 중합체 물질섬유, 결합제 및 충전제로 부터 습식법에 의해 부직(now-woven)으로 제조하여 얻는다.
본 발명에서 사용할 수 있는 섬유로는 기계적 특성이 200℃이상에도 유지되며, 낮은 또는 음의 열팽창 계수를 지닌 섬유이다. 이러한 섬유는 아라미드 (NOMEX, KEVLAR 또는 KETMEL이란 이름으로 시판) 또는 필요한 내열성이 그렇게 엄격하지 않을 경우, 폴리에틸렌글리콜 테레프탈레이트 섬유중에서 선택할 수 있다.
그렇지만, 프랑스 공화국 특허 제2,079,785호에 기술된 아라미드가 프랑스 공화국 특허 제1,526,245호에 기술된 것보다 훨씬 우수하다. 이러한 섬유는 보통 섬유 길이가 짧아 25mm를 초과하지 않는다. 이러한 섬유는 유리섬유, 탄소섬유, 산화알루미늄 및 산화 지르코늄 섬유, 석면섬유 또는 보론섬유와 같은 소량의 무기 섬유류와 함께 사용할 수 있다.
전체 조성중 섬유 함량은 20 내지 60중량%이다. 결합제로서는 이미드 그룹이 들어있는 프리폴리머를 주로 사용하는데, 이는 경화된 상태로서 가교화도가 높으며, 이로인하여 모듈러스가 매우 높고 열팽창도가 매우 낮다.
그러므로 폴리이미드류 또는 폴리아미드-이미드류 또는 적절한 경우, 폴리에테르-이미드류를 사용할 수 있다. 사용한 폴리이미드는 다음 일반식(1)로 표시되는 불포화 디카복실산의 N, N'-비스-아미드 및 다음 일반식(2)의 폴리 아민으로부터 얻은 프리폴리머가 바람직하다.
Figure kpo00001
Figure kpo00002
위에 식에서, D는 탄소-탄소 2중 결합이 포함된 2가 라디칼이며, A는 C2내지 C30의 2가 유기 라디칼이며, X는 최소한 2와 동일한 정수이며, R은 X가의 유기 라디칼이다.
여기서 비스 아미드의 양은 폴리아민에 의해 제공된 -NH2그룹 1몰당 0.55 내지 25 몰이다.
이러한 폴리이미드류는 프랑스 공화국 제1,555,564호에 기술되어 있지만 이러한 중합체의 수많은 유도체를 사용할 수 있다. 그러므로 폴리이미드 수지는 비스-이미드, 폴리아민 및 여러 종류의 보조체, 예를 들면, 모노이미드(프랑스 공화국 제2,046,498호), 이미드 외에 CH2C=형과 같이 하나 또는 그 이상의 중합성 그룹이 함유된 단량체(프랑스 공화국 특허 제 2,094,607호), 불포화 폴리에스테르(프랑스 공화국 특허 제2,102,878호) 또는 하이드록실 오르가노-실리콘 화합물(프랑스 공화국 특허 제2,422,696호)간의 반응에 의해 얻을 수 있다. 이와 같은 보조체를 사용하는 경우, 3반응물(베스-이미드, 폴리아민 및 보조제)을 함께 직접 가열시키거나 또는 보조체와 위에서 제조한 비스이미드 및 폴리아민과의 반응생성물, 또는 혼합물을 가열시켜 폴리이미드 수지를 얻을 수 있다.
어떻든 분말형태로 존재하는 프리폴리머를 선택한다.
본 발명에서는 비스-말레이미드(예L N, N'-4, 4'-디페닐메탄-비스-말레이미드) 및 1급 디아민(예 : 4, 4'-디아미노-디페닐메탄) 및 임의로 위의 여러 보조제를 반응시켜 제조할 수 있다.
본 발명에서 결합제로서 사용한 폴리아미드-이미드 프리폴리머는 일반식(1)의 유니트 다수를 포함하고 있는 것으로 정의할 수 있다.
Figure kpo00003
위의 식에서, Q는 벤젠링 최소한 하나가 함유된 2가의 라디칼이고, R은 3가의 방향족 라디칼이다.
Q로 표시되는 라디칼의 예로는 m-페닐렌, 페닐렌, P, P'-디페닐렌 라디칼 또는 다음 일반식(II)의 라디칼 등을 들수 있다.
Figure kpo00004
위의 식에서, T는 2가 원자 또는 -O-, -C2-, -C(CH3)2-, -SO2- 또는 -N=N- 과 같은 그룹을 나타낸다.
R로 표시되는 라디칼로는 다음 식으로 표시되는 3가의 라디칼 등이 있다.
Figure kpo00005
그리고 위에 기술된 폴리아미드-이미드는 공지된 여러 방법으로 제조할 수 있다(참조: 영국 특허 제 507,878 호 및 제1,281,446호, 미합중국 특허 제3,260,691 및 프랑스 공화국 특허 제1,386,617호, 제1,473,600호, 1,501,198호, 1,559,357호 및 제1,576,844호)
이러한 폴리아미드-이미드류 중에서도 특히 트리멜리트산 무수물과 다음 일반식(III)의 2관능성 유도체에서 얻은 것을 예로 들수 있다.
Figure kpo00006
위의 식에서, X는 NCO그룹 또는 식 -NHCOR1의 그룹을 나타낸다.(여기서 , R1은 탄소수 1 내지 6인 알킬 라디칼 또는 페닐 또는 메틸 페닐 라디칼임)
중합체가 분말의 형태로 되게하는 폴리아미드-이미드를 본 발명에서 사용함이 바람직하다.
트리멜리트산무수물과 4,4'-디이소시아네이토 디페닐 메탄 또는 4,4'-디이소시아네이토-디페닐에테르를 반응시켜 제조한 폴리트리멜리트아미드-이미드가 본 발명에 의한 기판의 제조에 적합하다.
이러한 수지는 0 내지 75중량% 범위의 기타 열경화성 수지(예 : 에피클로로 하이드린과 비스페놀 A의 반응생성물과 같은 에폭시 수지)와의 혼합물로써 사용할 수 있다.
수지함량은 일반적으로 전 조성물의 20 내지 70중량%범위이다. 사용한 충전제는 주로 전기적으로 비전도성인 산화 금속이다. 이러한 산화물은 크기가 매우 작은 입자의 형태라야 한다. 이중에서도 0.1 내지 5마이크론 정도의 입자크기가 바람직하다. 사용할 수 있는 산화 금속중에서도 산화 니켈(II), 산화 코발트(II), 산화 납(II), 산화 카드뮴(II), 산화 크롬(III), 산화 안티몬(III), 산화 주석(IV) 및 산화 구리(I)를 들수 있다.
그런데, 이 중에서도 최후에 언급한 산화물이 바람직하다. 이러한 금속산화물에는 열팽창계수가 낮은 불활성 충전제를 일정 비율 가할 수 있다. 이러한 충전제는 분쇄시켜 운모 조각과 같이 입자의 형태로 할수 있다. 충전제의 총 함량은 일반적으로 전 조성물의 10 내지 60중량% 범위이다. 충전제는 산화금속 10 내지 50중량% 및 불활성 충전제 10 내지 40 중량%로 이루어짐이 바람직하다.
섬유, 결합제 및 충전제로 이루어진 조성물은 제지방법이라 불리는 습식법으로 사용된다. 이러한 방법은 모든 성분을 홈합기 내에서 물과 직접 현탁시키는 방법이다.
크기가 작은 섬유, 분말형태의 결합제 및 분쇄된 또는 조각상 충전제는 체스트(Chest)로 구성된 제지형기계상에서 성형되는 스톡(stock)을 형성시킨다. 체스트로부터는 스톡이 처음으로 수분이 제거되도록 다공질 이동 벨트상으로 이동하게 된다. 필요할 경우는 약간의 가압조건하에서 진공 탈수시키고 이어서 70내지 110℃의 온도에서 건조시키면 결합제가 프리폴리머 상태로 존재하는 마분지형태를 얻을 수 있다. 그 밀도는 일반적으로 0.3내지 2이다.
다음에는 이러한 유형의 마분지를 일정한 형상으로 절단하고 가열 압축시킨다. 보통 10 내지 300바의 압력 및 70℃ 이상의 온도하에서 평압식 압축작업을 수행한다. 압력 및 온도가 단계별로 변하는 사이클을 또한 이용할 수 있다. 이는 주로 선택된 결합제의 성질에 따른다. 비스-이미드,폴리 아민 및 임의로 위의 한 보조제(일반적으로 연화점이 50℃ - 200℃로부터 얻은 폴리이미드 프리폴리머의 경우, 압축온도는 일반적으로 70℃-280℃이다. 이때 여러종류의 성분들이 효과적인 결합(또는 기계적 결합)을 이룰 수 있도록 하기 위해서는 온도를 150℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이러한 압축온도 조건은 본 발명의 영역에 드는 다른 유형의 열경화성 프리폴리머에도 적용된다. 일반적으로 프리폴리머를 가열하면 프리폴리머가 연속적으로 연화 및 경화된다. 이때 전체를 200℃ 이상으로 수시간 동안 가열할 수 있다.
위에 기술된 본 발명에 따른 금속화 기판의 제조 기술은 여러 장점을 지니고 있다.
위에 기술한 바와 같은 제조방법은 제한된 수의 성분을 사용하기 때문에 단순하며, 환경오염문제가 뒤따르는 콜로디온으로 강화 구조를 함침시키는 방법을 채택할 필요가 없다. 그렇지만, 또한 다른 장점도 있다. 제지법에 의해 마분지형을 제조하는 것은 생산성이 매우 높은 방법이다. 더우기, 제지법은 스크랩을 재순환 시킬 수 있다. 이는 압축전에 제조한 마분지 스크랩을 비터내로 재도입시키는 단점이 없다. 또한 최종 가열 압축시 사실상 폴리이미드의 흐름이 일어나지 않는다.
이러한 재순환의 최종효과는 압축시 실질적으로 흐름이 없는 것과 결부시켜 생각해 볼때 제조시 수지의 손실이 거의 없게됨을 알수 있다. 고온 압착하고 또 임의로 소성한 반제품을 연이어 금속화 처리할 수 있다. 먼저 샌드블라스트, 연마제로 문지르는 것 같은 기계적인 처리 및/또는 화학적인 처리에 의해 금속 산화물 입자를 벗겨낼 수 있다. 금속 산화물을 금속 및 특히 산화 구리를 금속성 구리로 전환시키는 것은 쉽게, 그리고 보로하이드라이드로써 정량적으로 처리하여 수행할 수 있음을 발견하였다. 전환반응은 다음 식으로 표시된다.
4CU2O+BH4 -- 8Cu+B(OH)3+OH-
이러한 반응의 용이는 구리금속의 촉매효과에 의한 것인데, 이는 불안정한 구리하이드라이드의 중간 생성으써 설명할 수 있다. 본 발명에서 사용할 수 있는 보로하이드라이드는 치환 및 치환되지 않는 브로하이드라이드가 있다. 브로하이드라이드 이온의 최소한 3개의 수소원자가 알킬 라디칼, 아릴 라디칼 및 및 알콕시라디칼 등과 같은 불활성 치환제로 치환된 브로하이드라이드류를 사용할 수 있다. 이중에서도 알칼리 금속부위가 나트륨 또는 칼륨으로 이루어진 알칼리 금속 브로하이드라이드류를 사용함이 바람직하다. 여기에 적절한 화합물의 예로는 나트륨 브로하이드라이드, 나트륨 디에틸-브로하이드라이드, 나트륨 트리메톡시-브로하이드라이드 및 칼륨 트리페닐-브로하이드라이드가 있다.
환원처리는 물 또는 물과 불활성 극성용매(예 : 저급 지방족 알코올)와의 혼합물 내에서 블랭크를 브로하이드라이드 용액과 접촉시키는 간단한 방법으로 수행할 수 있다.
이때 사용한 용액으로는 순수한 브로하이드라이드 수용액을 사용함이 바람직하다. 이러한 용액의 농도는 넓은 범위로 변할 수 있지만 브로하이드라이드의 활성수소가 용액에 관하여 0.05내지 1중량%인 것이 바람직하다.
또한 환원처리는 온도를 상승시키면서 수행할 수 있지만 주위온도에 근접한 온도, 즉 15℃ 내지 30℃에서 수행함이 바람직하다. 반응이 진행할시, B(OH)3및 OH-이온이 발생됨을 주지해야 하는데 이는 반응시 반응 매질의 PH를 증가시키는 효과를 지니고 있다. 그렇지만, 높은 PH치에서 즉 PH 13이상에서는 환원반응이 느려지기 때문에 분명한 환원속도를 얻기 위해 완충 매질 내에서 작업하는데 장점이 될수 있다. 환원반응 다음에는 블랭크를 세정한다.
환원반응의 시작점에서 반응은 기판의 표면에 존재하고 환원제와 직접 접촉하고 있는 산화 제2구리 입자에 실질적으로 영향을 미친다. 구리금속의 촉매효과로 인하여 이후의 환원반응은 사용한 수지가 친수성을 지니고 있지 않을지라도 블랭크의 깊숙한 곳에서 진행된다. 그러므로, 환원도 처리기간을 주로 변화시켜 쉽게 조절할 수 있다.
원하는 값에 상응하는 저항을 얻기 위해서, 필요한 처리기간은 일반적으로 짧은 편인데 기판내 산화물의 비율에 따라 보통 1분에서 약 15분 사이이다. 또한 주어진 처리기간동안 반응매질에 여러종류의 촉진제를 가하여 환원속도를 변화시킬수 있는데, 여기서 사용한 촉진재료는 붕산, 옥살산, 시트르산, 타타르산 또는 금속 염화물(예: 염화 코발트(II), 염화 니켈(II), 염화 망간(II) 및 염화 구리(II))등이 있다.
위에서 기술한 시간동안 수행된 환원은 블랭크 깊이의 일부에만 영향을 미친다. 전기적 응용에 대해서는 어떠한 표유전도 브리지 현상을 피하기 위해 비환원 재부 절연부를 존속시키기 위해서는 블랭크 깊이의 단지 일부만을 환원시키는 것이 필요함을 주지해야 한다. 반면에, 단편조각에 호울이 갖추어져 있을 경우, 표면에서 동일한 두께의 층을 호울의 둘레벽을 따라 또한 환원시킴을 주지해야 한다. 환원처리 후 얻은 구리가 미세분말 상태로 주어진다면, 이를 공기중에서 매우 빠르게 산화함을 예견할 수 있다.그렇지만 이러한 현상은 일어나지 않으며, 환원반응후 블랭크의 표면저항 수준이 대기중에 노출되어 수일간 저장시 변하지 않음을 발견하였다.
그러므로, 이와같은 상태로 환원된 기판을 저장하는 것이 가능하다. 또한 블랭크 표면상에 환원제를 남겨놓고 블랭크를 불완전하게 세정하거나, 또는 하이드로퀴논 같은 특별한 환원제를 세정조에 가하거나, 또는 포토레지스트와 같은 보호 필름으로 피복시켜 세정 및 건조된 블랭크를 보호할 수 있다.
다음에 환원된 기판은 구리, 니켈 또는 기타의 금속층을 부착시켜 금속화시킬 수 있다. 이러한 금속화는 전기-화학적으로 수행할 수 있지만, 또한 전해에 의해 직접 수행할 수 있다. 이를 응용할 시 두께가 최소한 20마이크론인 금속층을 부착시키는 것은 색다른 방법이 아니다. 그러므로 직접 전래법을 이용할 수 있는 방법은 실제로 산업적으로 경제적인 방법에 해당한다.
물론, 통상적인 방법에 있어서, 첫째, 전기-화학 금속화를 수행하고 이어서 첫번째 용착분을 차후의 전기도금으로 두껍게 할 수 있다.
번기-화학 금속화에 적절한 작업조건을 상세히 설명하기 위해서는 문헌을 참조할 수 있다. (참조:"Encyclopedia of Polymer Science and Technology, 1968 Vol. 8pp 658-661")
전기화학 욕조의 조성비, 블랭크의 함침시간, 온도 및 기타 작업조건은 각각 특정한 경우에 따라 가장 좋은 결과를 얻기 위해서는 공지의 방법으로 결정된다.
전기도금에 의한 금속화법은 널리 알려진 방법이다.(참조 : "Encyclopedia of Polymer Science and Technology, 1968 Vol. 8pp 661-663")
적절히 환원된 블랭크는 음극을 이루며, 용착될 금속은 양극을 이룬다. 두 극은 전류가 통하는 전해질 용액에 들어 있다. 예를들면, 구리도금의 경우 용착된 금속을 1가 또는 2가의 구리로부터 형성시킬 수 있으며, 시아니드 함유 전해질(1가 구리) 또는 설페이트, 피로포스페이트 또는 폴로오보레이트(2가 구리)를 기준으로 한 전해액으로부터 형성시킬 수 있다.
다수의 보조제(예 : 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속염, 산(산성 황산 구리 용착 욕조), 또는 염기 (알칼리성 스타네이트 주석 도금 욕조))는 전해액의 전도성을 증가시키기 위해서 전해액에 : PH의 급속한 변화를 피하기 위해서 완충액에 : 또는 전해 -코팅물의 구조를 바꾸는 물질(예 : 무기 또는 유기 광택제, 술폰화 페놀, 페놀계면활성제, 콜로이드 또는 균염제(예 : 코우마린))에 가할 수 있다. 도금 피복의 질은 금속 또는 금속합금일지라도 전해액의 조성 및 전해의 물리적 조건(예 : 온도, 음극 및 양극 전류 밀도, 음극 - 양극의 거리 및 전극의 표면조건)에 따르게 된다. 그런데 특별한 경우 이러한 여러 변수는 공지의 방법으로 조절할 수 있다.
기판의 중심까지 환원반응이 전파될 수 있다는 사실로 인하여 다음 장점을 달성할 수 있다.
금속화시, 수지기판에 부착된 금속이 깊이 고정됨: 금속의 첨가와 함께 솔더링의 경우, 합금 형성(합금은 기판의 중심에서 구리가 실제로 연속되기 때문에 기판내로 이동될 수 있다.) ; 흡열부로서 역할을 할수 있는 금속화의 경우, 깊게 또는 약하게 블랭크 내부로 환원반응의 진행을 하도록 함으써 수지의 열전도도를 변화시킬수 있다.
본 발명에서 사용한 산화 제2구리는 다른 염기성 금속의 산화물로 치환시킬 수 있는데, 이의 산화도는 산화물의 환원을 보로하이드라이드써 용이하게 실시할 수 있도록 선택한다. 여기서 관계된 금속은 순간적으로 불안정한 금속하이드라이드를 형성할 수 있다. 전기도금의 시간에 따라 두께가 1마이크론인 금속층을 얻을 수 있는데, 이러한 층은 기판에 고착되어 있으며, :" 무전해" 피복법과 비교해서 접착력이 우수하다. 이러한 얇은 금속층을 지닌 기판은 인쇄회로판의 제조에 유용하다.
그러므로 회로배열의 밀도는 증가시킬 수 있으며 , 회로의 신뢰성을 개선시킬 수 있다. 또한 두께가 20-50마이크론 정도로 상당히 두꺼운 금속피복물을 얻을 수 있는데, 이러한 피복물은 인쇄회로의 제조에 이용된다.
또한 응용법 또는 전해적으로 납/주석 합금층을 부착시킬 수 있다. 환원된 기판으로부터 인쇄회로의 제조는 통상의 방법으로 진행시킬 수 있으며, 환원된, 그리고 전해적으로 급속화된 기판으로부터 회로의 제조는 통상의 에칭법으로 수행할 수 있다.
본 발명의 방법에 의하여 1마이크론 정도로 얇고 중합체내에 결합되어 있는 금속층을 지닌 금속화 기판을 얻을 수 있다. 이러한 방법은 종래의 방법과는 다르다.
다음의 실시예는 본 발명에 대한더욱 자세한 설명에 불과하여 본 발명의 이에 구한되는 것은 아니다.
[실시예1]
5,000리터들이 탱크(제지 공장에서 사용하는 비이터)에 물 2,000리터 및 케블라 펄프 25kg을 계속해서 넣는다. 위의 스톡(stock)이 균일상으로 될때, 계속 휘저으면서 폴리아미드 수지(Rhone-pouleenc사 제품, 상품명 : Kerimid 601) 30kg을 입자크기가 60마이크론 이하인 분말의 형태로 점차적으로 가한다.
휘젓기를 10분간 계속 다음 평균 입자크기가 1마이크론인 Cu2O 40kg을 최종적으로 가한다.
Cu2O 입자가 케블라 펄프상에 달라 붙게 되면 스톡 현탁액이 점차적으로 붉은색으로 변하게 된다. 이때 물1,000리터를 추가로 가하고, 양이온 전분 수용액 3kg 및 콜로이드질 실리카 용액 4리터를 마지막으로 가한다.
콜로이드질 실리카를 가한 후, 섬유상 보장재에 미분 충전제가 고착되도록 하는 침전현상이 방해받지 않도록 하기 위해서 혼합내 분포도를 보장하기에 충분한 절대 최소치로 휘젓기를 제한한다. 이 스톡은 제지기가 공급되는 체스트내로 이동된다. 필터 벨트의 유용한 폭은 2.60m 이며, 그 길이는 10m이다.
벨트는 무단 밸트를 형성하는 강한 나이론 천으로 이루어져 있는데, 이는 분당 2m의 속도로 움직이며, 가로방향으로 진동운동이 일어난다. 벨트 통로의 처음 1/4에서 천이 연속적인 평판위에 걸쳐져 있는데 이는 배수를 방지한다. 이 지역에서 스톡은 진동에 의해 균일하게 분포된다. 다음의 2/4에서 천이 지지되지 않으며 배수가 자연적으로 일어난다. 마지막 1/4에서 천은 흡입 박스를 통해 강제 배수시킨다. 섬유의 최종 복귀 드럼은 그의 원둘레 부위를 통해 진공상태에 놓여 있다. 스톡의 부착은 모선을 따라 선행 드럼상에 놓여 있는 회전드럼에 의하여 연속적으로 압축시켜 수행한다.
두께 4mm, 폭 2.60m인 연속적인 시이트 형태의 배수 스톡이 드럼의 흡입을 지나서, 스톡은 스톡을 건조 오븐으로 이동시키는 연속 밸트상으로 이동된다.
여기서 건조 오븐은 길이가 20m이며, 강력한 통기 및 저온(70℃)에 의해 물을 완전히 제거한다.
오븐을 떠날시, 중앙 1500g/m2의 마분지는 두께 약 3.5mm인 1000 X 1000mm 크기의 블랭크로 절단한다.
수지가 프리폴리머의 형태로 존재하는 반가공 제품을 1시간동안 220℃ 및 200바의 압력을 압축시킨다. 이때 형성된 시이트는 적색이며 두께가 1.2mm이다. 다른 적층 실험은 위와 동일한 조건하에서 마분지 더미상에서 수행한다. 이때 두께를 10mm로 하고 박리의 경향은 없다. 팽창계수의 측정은 크기가 4 × 6 ×10mm(여기서 10mm는 적층면에 있다.) 샘플을 사용하여 (10mm 의 길이 방향으로 DU PONT 형 900열과학 분석장치를 이용하여) 250℃의 온도하에 수행한다.
이렇게하여 측정한 열팽창계수는 12×10-6cm/cm/℃이다. 두께 1mm 적층판을 미세 연마지를 사용하여 표면을 벗겨내고 초음파조에서 물로 세정하여 먼지를 제거한다. 표면을 벗겨낼때는 광택 필름(순수한 수지의 표면 필름)이 완전히 제거되도록 수행한다. 이 공정 이후에야 산화 제2구리 충전제는 기판의 표면에 접근하기 쉬우며, 기판의 표면 전도도를 우수하게 하는 화학 환원공정의 영향을 수행할 수 있다.
환원 용액은 다음과 같이 제조한다. : 다음 성분들을 휘저으면서 연속적으로 도입시키고 각 성분들을 희석시킨 후 1000ml들이 삼각 플라스크에 넣는다.
: 증류수 500ml
: 수산화나트륨 입자 2.5g
: 카복시메틸셀룰로스 나트륨 염 5g(7ME 형, 중점도, 분자량 250,000, HERCULES사 제품)
: 칼륨 보로하이드라이드 25g, 및
: Cemulsol DB 311.1% 강도 수용액 5cm3(SFOS사 제품)
기판을 환원 용액으로 코팅시키고 3분후 용액을 접촉시킨 다음 증류수로 세정(이때 부드러운 손질도 병행)하여 반응 부산물을 제거한다, 그리고는 기판을 알코올로 세정하고 건조시킨다. 점전극을 사용하여 약 20cm 격리된 표면상의 두점에서 측정한 전기저항은 10 내지 70 오옴으로 변하였다. 표면은 전해법에 의해 금속피복물로 두껍게 할 수 있다.
[실시예2]
실시예 1에 기술된 장치를 사용하여, 다음 물질을 연속적으로 비이터에 넣는다.- 물 3000리터 및
-케블라
Figure kpo00007
펄프 20kg
이때는 스톡을 균일하게 한 다음 도입시킨다.
- 폴리이미드 (Kerimid 601, Rhone-Poulenc사 제품)와 산화 제2구리와의 화합물(40/60 중량부) 100kg(이 화합물은 오븐 내에서 K601과 Cu2O의 분말 혼합물을 용융시켜 제조하며, 40마이크론 이상 크기의 입자가 없도록 분쇄시킨다.)
강력히 휘저어 균일하게 한 다음 다량의 화합물이 펄프상에 고착되는 이때 불활성 충전제 80kg을 도입시킨다. 이를 위해서 16메쉬 백운모를 사용하는데, 이는 커플링제(비닐 트리에톡시실란, A 151(유니온 카비이드사 제품) 1%의 양으로 사용)로 건조 표면 처리한 것이다.
건조처리의 부수 효과는 사용한 운모 조각의 평균 입자크기를 감소시키는데 있다. 균일하게 한후, 물 약 1000리터를 추가로 가하여 스톡의 농도를 조절하고, 양이온 전분 수용액 6kg을 가한다음 최종적으로 콜로이드질 실리카 8리터를 가한다. 다음에는 휘젓기 시간은 엄격히 지켜 혼합물을 통한 분포도를 우수하게 한다. 위의 단계에서 액체는 맑게 되는데, 이는 콜로이드질 실리카/양이온성 전분 시스템의 침전으로 인해 미세 입자들이 케블라 펄프상에 고착되었기 때문이다. 다음에는 비이터의 내용물을 체스트내로 이동시킨다.
섬유의 이동 속도는 약 2m/분 이며 형성된 "마분지"의 두께는 건조 오븐을 들어갈시 6mm이다. 오븐을 떠날때, 온도는 80℃로 하며, 이때 마분지의 두께는 6mm 중량은 2200g/m2이다. 그리고 마분지를 크기가 1000 X 1000mm인 블랭크로 절단한다. 수지가 프리폴리머의 형태로 남아 있는 완전히 건조된 블랭크를 다음의 가열사이클에 따라 150바의 압력으로 가열 압축시킨다.
160℃의 가열 프레스 내로 공급.
충전후 온도를 200℃로 상승시킴(온도는 20분후 도달)
전체 순환주기는 1시간, 가열된 상태로 배출.
다음에는 250℃로 12시간동안 소성한다. 압축된 시이트는 적색이며, 두께는 약 1.6mm이다.
실시예 1에서와 같이 적층평면에서 어떤 방향을 따라 팽창계수를 측정한다. 측정용으로 사용한 샘플을 측정측이 적층평면에서 선택된 임의방향으로 0.45 및 90℃의 각을 형성할 수 있도록 절단한다.
주위 온도와 250℃간의 팽창계수는 5 내지 6×10-6㎝/㎝/℃이다. 크기 20×20cm인 크기의 적층판조각을 분사에 의해 표면을 벗겨내고 구멍을 뚫는다. 구멍난 블랭조를 실시예 1에 기술된 환원용액으로 처리한다. 이를위하여 블렝크를 용액의 표면에 위치시켰다가 침지시키면 공기가 방출되고 호울내로 액체가 침투하게 되는데, 다음에는 상부 표면을 뒤덮게 된다.
그리고는 플레이트를 회수해 수직으로 세워놓고 탈수시킨다. 접촉 3분후, 부드러운 솔질과 함께 증류수를 사용하여 환원용액을 세정한다. 다음에는 블랭크를 알코올로 씻어내고 건조시킨다. 블랭크의 표면은 구리로 입혀져 있으며, 전도성이다.
위에서 제조한 구멍난 플레이트를 금속화 호울로 지닌 양면 인쇄회로를 얻기 위해 다음과 같이 가공한다.
- 전후면에 포토레지스트를 용착시킨다.
- 마스크를 통해 전후면을 조사시킨다.
- 포토레지스트의 현상.
- 포토레지스터 없는 지역 및 호울에 구리 양극을 사용하여 산성 황산 구리 욕조내에서 전해적으로 코팅 시킨다.
코팅물의 두께의 30마이크론에 도달할 시(1시간 이내)회로를 물로 씻어낸다.
- 잔여 포토레지스터를 씻어낸다.
- 구리가 비 보강 지역에서 완전히 사라질때까지 염화 제2철을 사용하여 비선택적 에칭을 실시한다.
- 물로 세정한 다음 묽은 황산조에 빨리 침지시켜 회로판의 광택을 보전시킨다.
- 증류수로 조심히 세정하고 알코올로 다시 세정한 다음 건조시킨다.
위의 마지막 공정에서 호울이 금속화된 양면회로를 얻었는데, 상기 회로 기판의 팽창계수는 활성 실리콘 부품과 조화된다. 그러므로 이러한 성분들을 직접 삽입시키는 것이 가능하며(전도성 시멘트로 결합시킴), 전도성 호울을 통한 혼성회로를 얻을 수 있다.
[실시예3]
실시예 1의 방법으로 제지 스톡을 제조한다.
이의 조성은 실시예 1과 유사하다. 즉 :
- 케블라 펄프 25kg
- K601 폴리이미드 수지(입자 크기 60마이크론 이하) 30kg.
- Cu2O(입자크기 1 마이크론 이하) 40kg
- 양이온성 전분 3kg
콜로이드질 실리카 용액 4리터.
탈수 벨트의 말단에서 웨브를 직경 2m의 드럼상에 감을 수 있도록 제지기를 변경시킨다. 이 경우, 드럼상에 단위 면적당 가벼운 웨브를 수회 감아 원 웨브의 두께를 증가시킨다.
다음에는 드럼상의 부착물을 모선에 따라 얇게 자르고 오븐으로 향하는 콘베이어 벨트상으로 이동시킨다.
연속적 웨브를 형성하는 주어진 장치에 있어서 드럼상에 연속적으로 감긴 횟수를 세거나 지정두께에 도달 했을 때 신호를 발하는 센서의 수단으로 드럼상의 퇴적물의 두께를 추적하는 것이 가능하다.
연속적 웨브 형성부에 있어서, 약 200g/m2의 웨브를 형성할 수 있도록 기계를 조정한다. 드럼상에 감겨진 웨브를 감응기가 4mm의 두께를 지시할 때 매 7회마다 절단한다. 크기 2m X 2.60m의 블랭크는 70℃로 건조시키고 크기가 1m X 1.20m 인 블랭크로 절단한다(잘린 쪼가리는 회수하여 다음 가공 단계로 재순환시킨다.)
실시예 1의 방법에 따라 적층시킨 후, 크기 4 X 6 X 10-6의 샘플로 자르고, 팽창계수를 측정한다. 이때는 라미네이트의 평면에서 취한 10mm의 크기에 따라 온도 내지 250℃의 온도에서 TMA DU PONT 900장치로 측정한다. 측정결과 팽창계수는 적층방향에 관계없이 5 X 10cm/cm/℃이었다.
[실시예4]
케블라 펄프 대신에 평균 길이가 25mm가 되도록 절단한 케블라 섬유를 사용하여 실시예 3의 절차를 반복한다. 이를 비이터 내에 도입시킨 다음 물 2000리터로 희석시킨 섬유를 1시간동안 제지 정련기에서 정련 시킨다. 다음에는 수득한 스톡을 현미경으로 관찰한다. 원래 완전히 실린더형이던 섬유에는 섬유가 다른 섬유에 고착될 수 있도록 하는 깍은 자리가 있음을 알 수 있다.
다음의 공정은 실시예3에 기술된 바와 동일하다.
생성물의 팽창계수는 적층평면에 있어서 측정방향에 관계없이 2.5 -3×10-6cm/cm/℃이다.

Claims (7)

  1. 이미드 그룹이 함유된 중합체에 의해 결합된 중합체 섬유 및 충전제로 이루어져 있으며, 습식으로 성형하고 건조시킨 다음 고온압축 시킴을 특징으로 한 팽창계수가 매우 낮은 금속화성 등방성 기판.
  2. 제1항에 있어서, 중합체 섬유가 방향족 폴리아미드 섬유임을 특징으로 한 기판.
  3. 제1항에 있어서, 결합제가 불포화 디카복실산의 N, N'-비스-이미드, 1급 폴리 아민 및 임의적으로 CH2=C=그룹 하나 이상을 함유한 중합성 단량체, 모노 이미드, 불포화 폴리 에스테르 또는 하이드록실유기 실리콘 화합물과 같은 보조제간의 반응에 의해 수득한 폴리이미드 프리폴리머임을 특징으로 한 기판.
  4. 제1항에 있어서, 충전제가 산화 제1 구리임을 특징으로 한 기판.
  5. 제1항에 있어서, 결합제 20 내지 70중량%, 섬유 20 내지 60중량 % 및 충전제 10 내지 60 중량% 로 이루어짐을 특징으로 한 기판.
  6. 섬유, 분말 형태의 열경화성 수지, 비전도성 금속 산화물 및 임의로 불활성 충전제 및/또는 운모 조각의 분산 수용액을 제조하고, 물을 제거, 완만한 압착 및 건조시켜 웨브를 형성시킨 다음, 70℃ 및 250℃의 온도 및 10 내지 300바의 압력하에 처리하여 웨브의 중합을 수행함을 특징으로 한 팽창계수가 매우 낮은 금속화성 등방성 기판의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 이미드 그룹이 함유된 중합체에 의해 결합된 중합체 섬유 및 충전제로 이루어져 있으며, 습식으로 성형하고 건조시킨 다음 고온 압축시킨 팽창계수가 매우 낮은 금속화성 등방성 기판을 기계적 및/ 또는 화학적 스트리핑 처리하고, 알칼리 금속 보로하이드라이드로 환원 처리한 다음 임의로 전해 금속화 시킴을 특징으로 한 금속화성 기판.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2554303B1 (fr) * 1983-10-28 1986-04-18 Rhone Poulenc Rech Substrats metallisables pour circuits imprimes et leur procede de preparation
JPS6128545A (ja) * 1984-07-18 1986-02-08 Hitachi Ltd 樹脂組成物及び積層板
US4729921A (en) * 1984-10-19 1988-03-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company High density para-aramid papers
JPS61175035A (ja) * 1985-01-31 1986-08-06 株式会社日立製作所 樹脂と無機材料との複合体
US4612241A (en) * 1985-06-12 1986-09-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Impact resistant composites with elastomeric fibers
US4767665A (en) * 1985-09-16 1988-08-30 Seeger Richard E Article formed by electroless plating
US4698267A (en) * 1985-09-17 1987-10-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company High density para-aramid papers
JPS62165393A (ja) * 1986-01-16 1987-07-21 三洋電機株式会社 混成集積回路基板
JPH0655467B2 (ja) * 1990-07-24 1994-07-27 三島製紙株式会社 電気絶縁層を有する耐熱難燃導電シートおよびその製造法
DE19602659A1 (de) * 1996-01-26 1997-07-31 Hoechst Ag Metallisierung von thermoplastischen Kunststoffen
JP3889856B2 (ja) 1997-06-30 2007-03-07 松下電器産業株式会社 突起電極付きプリント配線基板の製造方法
CN1078645C (zh) * 1999-01-22 2002-01-30 四川省对外经济贸易总公司 特种合成纤维纸及其生产方法
US6632343B1 (en) * 2000-08-30 2003-10-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for electrolytic plating of surface metals
US20020160252A1 (en) * 2001-02-28 2002-10-31 Mitsubishi Chemical Corporation Conductive carbonaceous-fiber sheet and solid polymer electrolyte fuel cell
JP2005050992A (ja) * 2003-07-28 2005-02-24 Toshiba Corp 配線基板および多層配線基板
US9019057B2 (en) * 2006-08-28 2015-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Galvanic isolators and coil transducers
US20080278275A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Fouquet Julie E Miniature Transformers Adapted for use in Galvanic Isolators and the Like
US9105391B2 (en) * 2006-08-28 2015-08-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. High voltage hold-off coil transducer
US8385043B2 (en) * 2006-08-28 2013-02-26 Avago Technologies ECBU IP (Singapoare) Pte. Ltd. Galvanic isolator
US8093983B2 (en) * 2006-08-28 2012-01-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Narrowbody coil isolator
US7948067B2 (en) * 2009-06-30 2011-05-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coil transducer isolator packages
US7791900B2 (en) * 2006-08-28 2010-09-07 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Galvanic isolator
US7852186B2 (en) * 2006-08-28 2010-12-14 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coil transducer with reduced arcing and improved high voltage breakdown performance characteristics
US8061017B2 (en) * 2006-08-28 2011-11-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Methods of making coil transducers
US8427844B2 (en) * 2006-08-28 2013-04-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Widebody coil isolators
US8258911B2 (en) 2008-03-31 2012-09-04 Avago Technologies ECBU IP (Singapor) Pte. Ltd. Compact power transformer components, devices, systems and methods
KR101831687B1 (ko) * 2017-03-08 2018-02-23 두산중공업 주식회사 전극봉 세팅 지그

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5227189B1 (ko) * 1970-07-08 1977-07-19
CA989151A (en) * 1971-03-01 1976-05-18 Harold E. Bellis Process for the manufacture of conductive metal laminates
FR2163383B1 (ko) * 1971-12-17 1974-06-07 Rhone Poulenc Sa
US4377652A (en) * 1978-02-17 1983-03-22 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Polyamide-imide compositions and articles for electrical use prepared therefrom
US4294877A (en) * 1979-04-05 1981-10-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Epoxy imide compositions
EP0038885A1 (en) * 1980-04-25 1981-11-04 Exxon Research And Engineering Company Microcellular heterocyclic polymer structures
US4313999A (en) * 1980-09-16 1982-02-02 General Electric Company Laminate composition comprising polyetherimide impregnated fabric
JPS5819159A (ja) * 1981-07-23 1983-02-04 Kiichiro Yagi 自力浮力発電方法
US4456712A (en) * 1982-06-14 1984-06-26 International Business Machines Corporation Bismaleimide triazine composition

Also Published As

Publication number Publication date
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