KR910006146A - Ii-vi족 또는 iii-v족 모노크리스탈린 화합물의 제조방법 및 그 생성물 - Google Patents

Ii-vi족 또는 iii-v족 모노크리스탈린 화합물의 제조방법 및 그 생성물 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 모노크리스탈린 화합물의 제조방법 및 그생성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 실행하는데 있어서 유용한 VB(Vertical Bridgman)장치의 일부를 도식적으로 설명한 것이다.
제2도는 본 발명을 실행하는데 있어서 유용한 도가니를 상세하게 도식적으로 설명한 것이다.

Claims (24)

  1. Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 폴리크리스탈린 형태로 부터 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 모노크리스탈린 화합물을 제조하는 방법에 있어서, 상기 공정이(a)상기 화합물의 폴리크리스탈린 형태의 용융점보다 높은 용융점을 가지고 있는 분말로된 고체로 도가니의 내부표면을 코팅. (b)코팅된 도가니로 상당량의 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 폴리크리스탈린 화합물을 넣음. (c)가역장치로 상기 화합물을 포함하는 코팅된 도가니를 넣음. (d)고체분말로 된 형태로 상기 분말로된 고체를 유지하면서 상기 도가니내에 상기 화합물의 용융물을 생성하기 위해 상기 화합물을 포함한 코팅된 도가니를 가열, 및 (e)모노크리스탈린 화합물을 생성하기 위해 상기 도가니 및 상기 화합물을 냉각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분말로된 고체가 보론 나이트라이드인 것을 특징으로하는 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 코팅단계(a)가 (1)분말로된 고체와 유동체의 슬러리를 형성, (2)도가니의 내부 표면에 상기 슬러리를 코팅. (3)유동체를 증발시켜서 도가니의 내부표면위에 분말로 된 고체의 다포짓을 떠남으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물이 갈륨 아르세나이드 인것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제1항의 방법에 의해 생성된 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 모노크리스탈린 화합물.
  6. 제1항의 방법에 의해 생성된 갈륨 아르세나이드.
  7. 약 0.85×1016㎝-3내지 2.0×1016㎝-3사이의 EL2농도 및 약 500㎝-2내지 7800㎝-2사이의 전위 밀도를 가지고 있는 모노크리스탈린 갈륨 아르세나이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반 절연 물질.
  8. 수직으로 된 도가니에서 모노크리스탈린 물질의 폴리크리스탈린 전구 물질로 부터 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 모노크리스탈린 물질을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법이 (a)폴리크리스탈린 전구 물질의 용융점 보다 높은 용융점을 가지고 있는 분말로된 고체로 도가니의 내부 표면을 코팅, (b)도가니의 바닥에 모노크리스탈린 시드를 넣음, (c)도가니의 나머지 부분에 폴리크리스탈린 전구물질고 부가, (d)상부 고온 영역 및 하부 저온 영역을 생성할 수 있는 수직으로 된 노에도가니를 넣음, (e)상기 모토크리스탈린 시드의 약 하부반이 고체 형태로 유지하면서 용융물을 형성하기 위해 폴리크리스탈린 물질을 가열 할수 있는 상부 고온 영역 온도 및 노 위치를 조절, (f)고체-유동체 계면을 유지하기 위해서 상부 고온 영역에서 용융점이상의 온도를 유지하면서 모노크리스탈린 물질의 하부 저온 영역에 용융점보다 아래의 온도를 셀팅, (g)노 및 고체-유동체 계면이 수직으로 위로 움직임으로써 고체의 폴리크리스탈린 물질을 생성하기 위한 단계(f)의 셀팅 온도를 실질적으로 유지하면서 노 및 고체-유동체 계면을 위로 이동으로 이루어지는 것을 특징으로하는 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 모노크리스탈린 물질이 갈륨 아르세나이드 인것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 분말로된 고체가 분말로된 나이트라이드 인것을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 단계(e)에 앞서, 폴리크리스탈린 전구 물질과 유동적으로 결합되는 탄소원을 노의 내부이면서 도가니의 외부에 넣는 것을 특징으로하는 제조방법.
  12. 제11항에 방법에 의해 생성된 모노크리스탈린 물질
  13. Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 폴리크리스탈린 형태로 부터 탄소로 도핑된 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 모노크리스탈린 화합물을 제조하기 위한 방법에 있어서, 상기 공정이 (a)도가니로 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로부터 선택된 상당량의 폴리크리스탈린 화합물을 넣음, (b)노로 폴리크리스탈린 화합물을 포함하는 도가니를 넣음, (c)노 내부이면서 도가니 외부로 폴리크리스탈린 화합물과 유동적으로 결합되는 탄소원을 넣음, (d)도가니내부에 상기 화합물의 용융물을 생성하기 위해 도가니 및 폴리크리스탈린 화합물에 노로 부터 열을 공급, (e)탄소로 도핑된 모노크리스탈린 화합물을 생성하도록 도가니는 냉각하기위해 노의 온도를 감소으로 이루어져 있는 것을 특징으로하는 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 단계(a)에 앞서, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 용융점보다 높은 용융점을 가지고 있는 분말로 된 고체로 도가니의 내부 표면을 코팅하는 것으로 이루지는 것을 특징으로하는 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 분말로된 고체가 분말로된 보론 나이드라이드인 것을 특징으로하는 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물이 갈륨 아르세나이드인것을 특징으로 하는 제조방법.
  17. 제13항의 방법에 의해 생성된 탄소로 도핑된 모노크리스탈린 화합물.
  18. Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 폴리크리스탈린 형태로 부터 탄소로 도핑된 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 모노크리스탈린 화합물을 제조하는 방법에 있어서, 상기 공정이(a)도가니로 모노크리스탈린 시드를 넣음, (b)도가니로 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 및 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 부터 선택된 상당량의 폴리크리스탈린 활합물을 넣음, (c)석영 앰풀로 폴리크리스탈린 화합물을 포함하는 상기 도가니를 넣음, (d) 앰풀 내부이면서 도가니 외부에 폴리크리스탈린 화합물과 유동적으로 결합되는 탄소원(carbon source)를 넣음, (e)앰풀을 밀폐, (f)노로 밀폐된 앰풀을 넣음, (g)폴리크리스탈린 화합물의 용융물을 생성하기 위해 노의 온도를 증가시킴, (h)용융물을 냉각 시키고 탄소로 도핑된 모노크리스탈린 화합물을 생성하기 위해 노의 온도를 감소시킴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 단계(a)에 앞서, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 용융점보다 높은 용융점을 가지는 분말로 된 고체로 도가니의 내부 표면을 코팅하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 분말로된 고체가 분말로된 보론 나이트라이드 인것을 특징으로 하는 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물이 갈륨 아르세나이드 인것을 특징으로 하는 제조방법.
  22. 제18항의 방법에 의해 생성된 Ⅱ-Ⅵ족 또는 Ⅲ-Ⅴ족의 탄소로 도핑된 모노크리스탈린 화합물.
  23. 약 0.85×1016㎝-3내지 1.5×1016㎝-3사이의 EL2농도 및 약 500㎝-2내지 7800㎝-2사이의 전위 밀도를 가지고 있는 모노크리스탈린 갈륨 아르세나이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반 절연 물질.
  24. 약 0.85×1016㎝-3내지 1.2×1016㎝-3사이의 EL2농도 및 약 500㎝-2내지 7800㎝-2사이의 전위 밀도를 가지고 있는 모노크리스탈린 갈륨 아르세나이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반 절연 물질.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200370A (en) * 1990-11-16 1993-04-06 Fiber Materials, Inc. Monocrystalline ceramic fibers and method of preparing same
US6953703B2 (en) 1991-03-18 2005-10-11 The Trustees Of Boston University Method of making a semiconductor device with exposure of sapphire substrate to activated nitrogen
EP0906971A3 (en) * 1991-08-22 2002-01-30 Raytheon Company Method of forming a compound semiconductor material
WO1993008259A2 (en) * 1991-10-22 1993-04-29 New England Medical Center Hospitals, Inc. Inhibitors of dipeptidyl-aminopeptidase type iv
JPH05139886A (ja) * 1991-11-21 1993-06-08 Toshiba Corp 砒素化合物単結晶の製造方法
US5900071A (en) * 1993-01-12 1999-05-04 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric materials
US5610366A (en) * 1993-08-03 1997-03-11 California Institute Of Technology High performance thermoelectric materials and methods of preparation
US5769943A (en) * 1993-08-03 1998-06-23 California Institute Of Technology Semiconductor apparatus utilizing gradient freeze and liquid-solid techniques
US5584929A (en) * 1994-03-11 1996-12-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for preparing compound semiconductor crystal
DE4417105C2 (de) * 1994-05-16 1997-03-06 Forschungszentrum Juelich Gmbh Verfahren zur Gewinnung rißfreier Kristalle
DE69609568T2 (de) * 1995-05-26 2001-02-01 Sumitomo Electric Industries Verfahren zur Herstellung von einem II-VI oder III-V Halbleitereinkristall
JP3201305B2 (ja) * 1996-04-26 2001-08-20 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法
WO1998042033A1 (en) * 1997-03-17 1998-09-24 Massachusetts Institute Of Technology Si/SiGe SUPERLATTICE STRUCTURES FOR USE IN THERMOELECTRIC DEVICES
TR200000815T2 (tr) * 1997-09-29 2000-12-21 Point Therapeutics Inc. In vitro hematopoietik hücrelerin stimulasyonu.
US6045767A (en) * 1997-11-21 2000-04-04 American Xtal Technology Charge for vertical boat growth process and use thereof
JP3596337B2 (ja) 1998-03-25 2004-12-02 住友電気工業株式会社 化合物半導体結晶の製造方法
US6602345B1 (en) * 1999-06-29 2003-08-05 American Crystal Technologies, Inc., Heater arrangement for crystal growth furnace
US6780239B2 (en) * 2000-10-19 2004-08-24 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
JP4324467B2 (ja) * 2001-07-05 2009-09-02 エーエックスティー，インコーポレーテッド 炭素ドーピング、抵抗率制御、温度勾配制御を伴う、剛性サポートを備える半導体結晶を成長させるための方法および装置
EP1739210B1 (de) * 2005-07-01 2012-03-07 Freiberger Compound Materials GmbH Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen, und III-V-Halbleiter-Einkristall
EP1739213B1 (de) * 2005-07-01 2011-04-13 Freiberger Compound Materials GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von III-V-Wafern sowie getemperte III-V-Halbleitereinkristallwafer
US7566641B2 (en) * 2007-05-09 2009-07-28 Axt, Inc. Low etch pit density (EPD) semi-insulating GaAs wafers
US8361225B2 (en) 2007-05-09 2013-01-29 Axt, Inc. Low etch pit density (EPD) semi-insulating III-V wafers
US8329295B2 (en) * 2008-07-11 2012-12-11 Freiberger Compound Materials Gmbh Process for producing doped gallium arsenide substrate wafers having low optical absorption coefficient
CA2649322C (en) 2008-09-30 2011-02-01 5N Plus Inc. Cadmium telluride production process
JP5110026B2 (ja) * 2009-04-03 2012-12-26 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の製造方法
JP2010059052A (ja) * 2009-10-23 2010-03-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造方法および装置
US11680340B2 (en) * 2018-12-13 2023-06-20 Axt, Inc. Low etch pit density 6 inch semi-insulating gallium arsenide wafers
JP2024511114A (ja) * 2021-03-22 2024-03-12 エイエックスティー，インコーポレーテッド 垂直勾配凍結２００ｍｍ（８インチ）ガリウムヒ素基板のための方法およびシステム
CN113213970A (zh) * 2021-04-20 2021-08-06 广东先导微电子科技有限公司 一种pbn坩埚氧化硼润湿装置、方法及其应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3041690A (en) * 1956-12-31 1962-07-03 Hughes Aircraft Co Processing semiconductor material
US3245674A (en) * 1960-04-25 1966-04-12 Nat Res Corp Crucible coated with reaction product of aluminum and boron nitride coating
US3630906A (en) * 1969-10-02 1971-12-28 Bell & Howell Co Gallium arsenide
US3777009A (en) * 1971-08-05 1973-12-04 Little Inc A Method for direct melt synthesis of intermetallic compounds
JPS5512380B2 (ko) * 1972-08-25 1980-04-01
US4058579A (en) * 1975-02-27 1977-11-15 Union Carbide Corporation Process for producing an improved boron nitride crucible
US4083748A (en) * 1975-10-30 1978-04-11 Western Electric Company, Inc. Method of forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
US4264406A (en) * 1979-06-11 1981-04-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method for growing crystals
US4404172A (en) * 1981-01-05 1983-09-13 Western Electric Company, Inc. Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
US4521272A (en) * 1981-01-05 1985-06-04 At&T Technologies, Inc. Method for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
JPS598690A (ja) * 1982-07-05 1984-01-17 Hitachi Cable Ltd ＧａＡｓ単結晶の製造方法
JPS6241792A (ja) * 1985-08-20 1987-02-23 Fujitsu Ltd 半導体単結晶の製造方法
JPS62105999A (ja) * 1985-10-29 1987-05-16 Sony Corp ＧａＡｓ単結晶の製造方法とこれに用いる装置
JPS63230598A (ja) * 1987-03-16 1988-09-27 Nec Corp ＧａＡｓ単結晶の成長方法
US4840699A (en) * 1987-06-12 1989-06-20 Ghemini Technologies Gallium arsenide crystal growth
JPS6437833A (en) * 1987-08-03 1989-02-08 Nippon Mining Co Semi-insulating gaas single crystal
JPH0631191B2 (ja) * 1988-01-18 1994-04-27 日立電線株式会社 半導体単結晶の製造方法
US4923561A (en) * 1988-09-23 1990-05-08 American Telephone And Telegraph Company Crystal growth method
JPH1037833A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Hitachi Ltd 内燃機関用点火装置
JPH1183489A (ja) * 1997-09-04 1999-03-26 Clarion Co Ltd 車両方位補正装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0417843A2 (en) 1991-03-20
CA2025119A1 (en) 1991-03-15
US4999082A (en) 1991-03-12
EP0417843A3 (en) 1994-08-24
JPH03122097A (ja) 1991-05-24

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