KR910003751A - 초전도체 회로의 형성방법 - Google Patents

초전도체 회로의 형성방법 Download PDF

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KR910003751A
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쇼오지 시가
고오기 사도오
나까히로 하라다
기요시 야마모도
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도모마쯔 겐고
후루가와 덴기 고오교오 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

초전도체 회로의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 초전도체 회로의 형성방법에 의하여 얻어진 다층회로의 단면도.
제2A도, 제2B도, 제2C도 및 제2D도는 본 발명의 초전도체 회로의 형성방법을 나타낸 공정에서 각 공정마다의 단면도.

Claims (12)

  1. 초전도체층 위에 마스크패턴을 형성하는 공정과, 마스크패턴이 형성된 이 초전도체층에 초전도체 변성원소를 함유한 피착층을 형성하는 공정과, 이 피착층안의 초전도체 변성원소를 초전도체층에 확산시켜서 초전도체층과 동종 또는 유사한 결정구조를 갖는 비초전도체층으로 변성시키는 공정으로 된 초전도체 회로의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1항 방법에 의해 형성된 부분적으로 변성한 초전도체층으로 된 초전도체회로위에, 다시 제1층에 대하여 2층째의 초전도체층을 이피택셜 성장에 의해 형성하고, 그위에 마스크패턴을 형성하는 공정과, 마스크패턴이 형성된 이 초전도체층에 초전도체 변성원고를 함유한 피착층을 형성하는 공정돠, 이 피착층안의 초전도체 변성원소를 초과 도체층으로 확산시켜서 비초전도체층에 변성시크는 공전을 순차 반복하여 실시하여 다층 초전도체회로를 형성시키는 초전도체 회로의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 초전도체 변성원소의 확산량은, 확산처리후에서 초전도체의 결정구조를 지속하는 한도이하의 량인 초전도체 회로의 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 초전도체층의 초전도체는, 세라믹계 초전도체 및 금속계 초전도체로 된 군에서 선택한 초전도체 회로의 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 세라믹계 초전도체는, Y-Ba-Cu-O Rp 초전도체, Bi-Sr-Ca-Cu-O계 초전도체및 T1-Ba-Ca-Cu-O계 초전도체로 된 군에서 선택한 초전도체 회로의 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 마스크 패턴을 포토리소그래피법에 의하여 형성하는 초전도체 회로의 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 초전도체 변성원소를 함유한 피착층을 스패타링. 증착 및 이온프레팅에서선택한 형성방법에 의하여 형성하는 초전도체 회로의 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 초전도체 변성원소는 Zn,Al,Ga,Fe,C,Ni,La,Cd 및 Be로 된 군에서 선택된 초전도체 회로의 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 초전도체 변성원소의 초전도체층에의 확산을 가열 확산처리에 의하여 실시하는 초전도체 회로의 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 가열확산처리를 200℃ 내지 1000℃의 온도에서 실시하는 초전도체 회로의 형성방법.
  11. 제2항에 있어서, 한 개의 초전도체층과 그 위에 형성하는 타의 초전도체층과의 사이에 범퍼층을 형성하는 초전도체 회로의 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 법퍼층의 재료는 Mgo, SrTiO3,AlGaO3,ZnO2,BaZro3및 LaAlO2로 된 군에서 선택하는 초전도체 회로의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900011216A 1989-07-24 1990-07-23 초전도체 회로의 형성방법 KR910003751A (ko)

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