KR910001510B1 - 전자총용전극 - Google Patents

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사도루 엔도
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가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
미따 가쯔시게
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Description

전자총용전극
제1도(a), (b)는 본 발명의 실시예인 제2그리드 전극의 전자비임통과 구멍부분을 도시한 것으로서, (a)는 확대 정면도, (b)는 단면도.
제2도(a), (b)는 종래의 제2그리드 전극을 도시한 것으로서, (a)는 정면도, (b)는 단면도.
제3도(a), (b) 및 제4도(a), (b)는 종래예의 제2그리드 전극의 성형방법을 도시한 것으로서, (a)는 확대 정면도, (b)는 단면도.
제5도(a), (b)는 종래의 제2그리드 전극을 도시한 것으로서, (a)는 정면도, (b)는 단면도.
제6도(a), (b) 및 제7도(a), (b)는 종래예의 제2그리드 전극의 성형방법을 도시한 것으로서, (a)는 확대 정면도, (b)는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 20 : 제2그리드 전극 2, 21 : 전자비임통과구멍
3, 22 : 오목부
본 발명은 인라인형 컬러브라운관의 전자총용전극에 관한 것으로서, 특히 화면주변의 포우커스의 개선을 도모하는데 호적한 전극에 관한 것이다.
종래, 컬러브라운관의 화면주변의 포커스의 개선을 목적으로한 전자총으로서, 예를들면 일본국 특개소59-157936호 공보에 개시된 것이 알려져 있다. 이 구조는 제2그리드 전극의 전자비임통과 구멍의 주변부에 슬릿 형상의 오목부를 형성하고, 상기 구멍 주변부의 판두께를 수직편향 방향으로 두껍게, 수평편향 방향으로 얇게해서 이루어졌으며, 이에 의해서 전자비임의 발산각을 수직 편향방향으로 작게하고 있다. 여기에서, 이 오목부 형성부의 전극판 두께는 전자비임통과 구멍의 0.45∼1.0배로하고, 오목부판두께는 전자비임 통과 구멍의 0.2∼0.4배로 설정하고 있다.
상기 종래 기술은, 화면크기가 20" 미만의 브라운관에 있어서는, 특별히 문제는 발생하지 않으나, 20" 이상, 예를들면 33"의 초대형관으로되면, 고정밀도의 포우커스 특성을 얻을수 없다고하는 문제가 있었다.
또 제2도(a), (b)에 도시한 바와같이 상기 오목부(3)와 같은 오목부를 형성하려면은, 일반적으로 프레스에 의한 압인가공이 사용되고 있다. 예를들면 일본국 특허공고 소화 40-4550호 공보를 들수있다.
도면중, (4)는 링형상의 돌기부를 나타낸다.
제2도(a), (b)에 도시한 전극(1)을 형성할 경우, 일본국 특허공고 소화 40-4550호 공보에 개시되어 있는 바와같이, 압인가공력 저감의 목적에서, 먼저 제3도(a), (b)에 도시한 바와같이, 전자비임통과구멍(2)의 해당부에 과잉용착금속 흡수용 구멍(5)을 형성하고 있다. 다음에 제4도(a)(b)에 도시한 바와같이, 압인가공에 의해 과잉용착금속 흡수용 구멍(5)의 주변부의 오목부형성면(6)에 오목부(3)를 형성한다. 이에 의해 상기 과잉용착금속 흡수용 구멍(5)은 번호(7)로 나타낸 바와같이 작아진다. 그후 이 구멍(7)의 부분을 소정의 전자비임통과구멍(2)으로 형성한다.
상기 종래기술은 제4도에 도시한 바와같이, 오목부(3)의 압인가공에 의해 필연적으로 생기는 과잉용착금속은, 구멍(5)의 축소방향으로의 유동(8)과 돌기부(4)방향으로의 유동(9)의 각각의 방향으로 유동한다. 이때, 돌기부(4)방향으로의 유동(9)은, 파선(10)으로 표시한 바와같은 변형으로 흡수되나, 이 유동(9)때문에 오목부(3)의 개구부(11)에는 주위에 걸쳐서 불규칙적인 원형, 소위 싱크마아크(Sink mark)를 발생시키는 원인이 된다. 이 싱크마아크는 오목부(3)주위에서 그 크기가 불규칙하게 되어, 오목부 형상 정밀도가 불균일하게 되어 버린다.
제2도에 도시한 전자비임통과구멍(2) 근처의 오목부(3)의 단차(段差)를 내기 위하여, 구멍(2) 근처의 수직편향방향(y방향)의 형상 중요하다.
상기한 바와같이 수직편향방향(y방향)의 오목부형상 정밀도의 불균일을 초래하므로, 컬러브라운관의 포커스에 있어서도 똑같은 성능을 얻을수 없다고 하는 문제가 있었다.
또, 제5도에 도시한 전극(1)을 형성하는 경우, 일본국 특허공고 소화 40-4550호 공보에 개시되어있는 바와같이, 압인 가공력 저감의 목적에서, 먼저 제6도에 도시한 바와같이, 전자비임통과구멍(2)의 해당부에 과잉용착금속 흡수용 구멍(5)를 형성하고 있다. 다음에 제7도에 도시한 바와같이, 압인가공에 의해 과잉용착금속 흡수용구멍(5)의 주변부의 오목부형성면(6)에 오목부(3)를 형성한다. 이에 의해 상기 과잉용착금속흡수용 구멍(5)은 번호(7)로 표시한 바와같이 작아진다. 그후 이 구멍(7)의 부분을 소정의 전자비임통과구멍(2)으로 형성한다.
상기 종래기술은, 제7도에 도시한 바와같이, 오목부(3)의 압인가공에 의해 필연적으로 발생하는 과잉용착금속은, 구멍(5)의 축소방향으로의 유동(18)과 돌기부(4)방향으로의 유동(19)의 각각의 방향으로 유동한다. 이때, 돌기부(4)방향으로의 유동(19)은, 파선(110)으로 표시한 바와같은 변형으로 흡수된, 이 유동(19)때문에 오목부(3)의 개구부(111)에는 주위에 걸쳐서 불규칙적인 원형, 소위 싱크마아크를 발생시키는 원인이 된다. 이 싱크마아크는 오목부(3)주위에서 그 크기는 불규칙으로되어, 오목부 형상 정밀도의 불균일로되어 버린다. 특히 제5도에 도시한 전자비임통과구멍(2) 근처의 오목부(3)의 단차를 내기 위하여, 구멍(2)근처의 수직편향방향(y방향)의 형상의 중요하다.
상기한 바와같이 수직편향방향(y방향)의 오목부형상 정밀도의 불균일을 초래하므로, 컬러브라운관의 포커스에 있어서도 똑같은 성능을 얻을수 없다고하는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 싱크마아크 발생을 방지하고, 오목부형상 정밀도의 균일성이 높은 전자총용전극을 제공하는데 있다.
상기의 목적은, 소성가공에 의해 오목부형성면의 판두께를 소재두께에 대해서 25% 이상 50% 이하로 얇게 형성하므로서 달성된다.
미리 오목부형성면을 얇고, 균일한 판두께로 압인가공을 실시하면, 오목부 형성면은 소성가공에 의해서 가공경화하여 가공변형저항을 증대시키게 되므로, 오목부 형성시에 싱크마아크 발생의 원인이 되는 과잉용착금속 흐름을 제한하여, 오목부 형성정밀도가 향상한다.
이하, 본 발명과 실시예를 제1도에 의해 설명한다. 제2그리드 전극(20)은, 전자비임통과구멍(21)의 주변부에 슬릿형상의 오목부(22)를 가지며, 오목부형성면(23)의 오목부(22)의 주위에는 링형상의 돌기부(24)가 형성되어 있다. 여기에서, 오목부형성면(23)의 판두께 T는 압인가공에 의해서 소재두께 To에 대하여 25% 이상의 범위로 얇게 형성되어있다.
일반적으로 전자비임통과구멍(21)의 구멍직경 D는, 브라운관의 용도에 따라서 약간 다르나, 0.4∼0.8mm 정도로 선정하고있다. 또 오목부(22), 즉 수평편향방향(X방향)의 판두께 t는(0.2∼0.4) D로 선정하고, 오목부형성면(23), 즉 수직편향방향(y방향)의 판두께 T는(0.4∼1) D로 선정하고, 판두께 t, T 모두 주렌즈방식에 의해 구별지어 사용하고 있다.
본 실시 예에서는, 예를들면 소재 두께 To가 0.45mm인 전극판을 압인가공하여 오목부형성면(23)의 판두께 T를 0.3mm로하고, 다음에 압인가공에 의하여 오목부(22)의 판두께 t를 0.15mm로 하였다. 또 전자비임통과구멍(21)의 구멍직경 D는 0.5mm로 형성하였다.
이와같이, 오목부(22)의 형성전에 오목부형성면(23)을 0.45mm에서 0.3mm로, 즉 가공률을 바꾸면 33%의 박판화한 결과, 완전히 싱크마아크 발생이 해소되고, 오목부형상정밀도는 현저하게 개선되었다.
또 오목부형성면(23)을 0.4mm 에서 0.3mm로, 즉 가공률로 25%의 박판화한 결과, 상기와 같이 33%의 박판화를 도모한 것보다도 약간 못해보이지만, 브라운관 포커스의 균일성을 유지하는데 만족한 오목부형상정밀도를 얻을수 있었다. 또한, 가공률이 50%를 초과하면 슬릿부에 대하여 오목부 형성면은 가공면적이 크기 때문에, 공구의 마모, 강도면에서 문제가 발생할 염려가 있어, 50% 이하로 하는것이 필요하다.
본 발명에 의하면, 오목부형성전에 오목부형성면을 압인가공에 의해서 가공률로 25% 이상 50% 이하의 박판화하므로서, 오목부형성면은 가공경화하고, 오목부형성시의 과잉용착금속이 구멍축소방향으로의 유동으로 제한되어, 오목부형상 정밀도의 균일성을 얻을수 있으며, 포커스품질의 균일성이 향상된다.

Claims (2)

  1. 전자 비임통과구멍 주변부에 오목부를 형성한 전자총용전극에 있어서, 소성가공에 의해 상기 오목부형성면의 판두께를 소재 두께에 대해서 25% 이상 50% 이하의 두께로 얇게 형성한것을 특징으로하는 전자총용전극.
  2. 제1항에 있이서, 상기 오목부가 슬릿형상인것을 특징으로하는 전자총용전극.
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