KR910000077B1 - 폴리(아릴렌 설파이드)프린트 회로판의 제조방법 - Google Patents

폴리(아릴렌 설파이드)프린트 회로판의 제조방법 Download PDF

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Abstract

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Description

폴리(아릴렌 설파이드)프린트 회로판의 제조방법
본 발명은 프린트 회로판에 관한 것이다. 본 발명은 특히 폴리(아틸렌 설파이드)판을 전도성금속으로 도금하여 프린트 회로판을 제조하는데 관한 것이다. 더우기, 본 발명은 폴리(아릴렌 설파이드) 기재와 이 기재상에 도금되는 전도성금속의 접착에 관한 것이다.
프린트 회로판의 시장은 오늘날 매우 급격하게 증대하고 있는 것의 하나이다. 이들 회로판은 예를 들어 통신, 기구, 제어장치, 군사용, 항공용 및 업무용으로 사용될 수 있다. 구리 부착 라미네이트 이외의 프린트 회로판은 에폭시 또는 페놀성 화합물 또는 이밖의 기타 가열가능한 절연수지를 구리등과 같은 전도성금속으로 도금함으로서 제조하는 것이 전형적인 방법이다. 이 목적을 위해서 폴리에스테르 및 폴리이미드의 유연성 필름을 부착하는 방법이 또한 공지되어 있다. 프린트 회로판의 제조는 급격히 진행되기 때문에, 성공적인 제조를 위해서는 그 전개를 신속히 해야만 하는등 매우 복잡하고 또 까다롭다.
본 기술분야에 공지된 기법으로는 통상 삭제법, 반첨가법, 첨가법과 이들의 변형법과 같은 통상적인 방법을 들 수 있다. 판(에폭시수지, 페놀수지 등)을 전도성금속으로 무전해도금시키는 것은 전 공정에 있어 가장 어려운 부분이다. 일반 판상에 전도성금속 층을 무전해 침적시킨 후에, 판을 선행 전기도금법을 사용해서 더 많은 전도성금속을 더 도금시켜 층두께를 증대시키게 된다.
최종제품의 성공에 필요한 절대적인 사항은 전도성물질(제조후에 회로를 형성하게 된다)과 판(에폭시수지, 페놀수지등)의 우수한 접착이라할 수 있다. 만족한 접착이 없이는 회로는 그 구조적 견고성을 상실하며 또 프린트 회로판은 그것이 목적한 기능을 달성할 수 없게 된다. 본 기술분야에 숙련된 자들을 프린트 회로판 제조에 사용될 수 있는 신규물질을 발견하기 위해 노력하였으며, 이 도전으로 필요한 기타 특성(내고온성등)은 그대로 유지한채로 프린트 회로판의 우수한 접착성을 줄 수 있는 물질을 발견하게 되었다.
폴리(페닐렌설파이드)는 내고온성등과 같이 이들 판이 필요로 하는 많은 특성을 갖고 있지만, 이 기술분야에 숙련된 자들에 의해 프린트 회로판으로 사용하기에 적합한 물질로서는 외면당하였는바, 그 이유는 전도성금속을 이 폴리(페닐렌 설파이드)에 만족할 정도로 접착시킬 수 없다는 점에 있었다.
본 발명에 따라 전도성금속을 폴리(아릴렌설파이드)판상에 무전해 도금시킴으로서 프린트 회로판을 제조하였다. 무전해 도금단계에 이어 전기도금단계에서는 판상에 더 많은 전도성 금속을 침적시키게 된다. 이 도금판을 숙성시킴으로서 개선된 접착을 수득할 수 있었다. 본 발명의 바람직한 실시예에서 폴리(아릴렌 설파이드)판은 폴리(체닐렌 설파이드)로 제조되며 또 전도성 금속은 구리이다.
판상에 회로를 구성하는 데는 각종 기법이 사용될 수 있다. 삭제법(substractive methods)은 도금판으로부터 불필요한 전도성금속을 제거함으로서 전도성물질을 필요로하는 회로를 구성하는데 필요로 하는 형태나 모양으로 잔유시키는 방법이다. 첨가법은 전도성 금속을 판의 설계된 부위 상에만 도금시킴으로서 필요로 하는 회로를 침적에 의해 구성하는 방법이다. 이들 회로 형성법 및 그 수정 및 변형법은 이 기술분야에 공지된 것으로서, 또 본 발명의 프린트 회로판을 제조하는데 쉽게 적용할 수 있다. 본 발명은 또한 지금까지 개발되거나 또는 통상사용되는 이밖의 회로형성법를 사용하여 실시할 수 있다.
본 발명의 요지는 어떤 특수한 회로 형성법에 있는 것이 아니며, 오히려 폴리(페닐렌 설파이드)와 같은 폴리(아릴렌 설파이드)가 프린트 회로판 제조시에 만족스러운 접착을 갖고 성공적으로 사용될 수 있다는 보다 근본적인 점에 있다 하겠다. 본 발명 기술의 한 목적은 이같은 성공을 얻을 수 있는 방법을 제시하는데 있다.
또한 자동촉매도금이라고도 알려진, 무전해도금은 일반적으로 금속염화 화학환원제의 용액내 반응에 의해 기재상에 침적된 금속피막 또는 필름으로 정의할 수 있으며, 이때 이 화학환원은 침적된 금속 또는 합금에 의하여 촉진된다. 본 발명의 실시에 있어 무전해금속은 무전해도금 공정에서 사용될 수 있는 전도성 금속이면 어느 것이든지 무방하다. 구리와 닉켈은 이같은 금속으로, 이들 각각은 본 목적에 특히 적합하다. 전도성 금속이란 용어에는 전도성 합금을 포함하고 있다.
본 발명 목적을 위한 기재는 폴리(아릴렌 설파이드)판이다. 폴리(페닐렌 설파이드)가 여기서는 아릴렌 설파이드 중합체를 지칭하는데 사용된다.
본 발명을 이에 한정하는 것은 아니지만, 본 발명 실시에 있어, 균일중합체, 공중합체, 3중체 및 그 유사체 또는 이같은 중합체 혼합물인 비경화 또는 부분경화 폴리(아릴렌 설파이드)가 사용될 수 있다. 비경화 또는 부분경화 중합체는 이들 중합체에 열과 같은 에너지를 충분히 공급함으로서 분자사슬의 연장 또는 가교 결합 또는 이들 양쪽의 혼합에 의해 분자량이 증가될 수 있는 중합체이다. 적합한 폴리(아릴렌 설파이드)중합체의 예는 미합중국 특허 제3,354.129호에 기술된 것을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 본 발명 목적에 적합한 폴리(아릴렌 설파이드)중합체의 예로는 폴리(2,4-톨릴렌 설파이드), 폴리(4,4'-비페닐렌 설파이드) 및 폴리(페닐렌 설파이드)를 들 수 있다. 구입용의 성과(높은 내화학성, 비가연성 및 고강도 및 고경도와 같은)필요한 특성으로 인하여, 폴리(페닐렌 설파이드)가 현재로서 바람직한 폴리(아릴렌 설파이드)이다.
본 명세서와 청구된 특허청구범위를 이해하기 위해서는, 폴리(아릴렌 설파이드)판은 폴리(아릴렌 설파이드)로 구성되며 또 필요한 경우, 충진제 및 제작조제 등과 같은 기타물질을 함유할 수 있다. 유리섬유의 첨가가 이의 보강용도로 인하여 바람직하다. 탄산칼슘과 황산칼슘이 또한 존재할 수 있다.
판은 그 상부에 침적된 전도성금속 회로를 지지하는 기재이다. 바람직한 판은 성형 내부공을 갖는 사출성형판이다. 접착성을 증대시키기 위해서는 무전해도금공정 이전에 폴리(아릴렌 설파이드)판 제조에 세심한 주의를 요한다. 이 제조공정은 통상 평탄한 폴리(아릴렌 설파이드)판 표면을 처리해서 보다 거칠고 조잡하며, 더 울퉁불퉁하거나 또는 더 불규칙한 표면으로 만드는 처리공정을 수반하고 있다. 이 공정은 화학적 및/또는 물리적 표면처리 방법으로 성취할 수 있다. 화학적 부식, 입제연마 또는 기계적 연마 등이 본 목적을 위해 사용될 수 있다.
폴리(페닐렌 설파이드)중합체와 같은 폴리(아릴렌 설파이드)중합체가 강력한 내화학제로 공지되어 있다
이 강한 내화학제는 효과적인 화학부식제의 선정을 아주 중요한 것으로 만든다. 질산단독 또는 더 유익하게는 불화수소산과 혼합한 질산과 같이 강력한 산화제가 화학 부식제로 사용될 수 있다. 질산은 중합체의 화학적 붕괴의 원인이 될뿐 아니라 또한 중합체 내부에서 발견되는 탄산칼슘, 황산칼슘 및 이밖의 특정 충진제를 용해시킨다. 불화수소산은 중합체내의 유리충진제를 부분적으로 용해시키는 역할을 한다.
화학적 부식이 2가지 방법으로 접착을 증대시키는 것으로 믿어진다. 1차로, 중합체 표면의 물리적 구조를 변경(예 : 거칠거나 조장하게 함)시킴으로써 중합체 표면에 보다 우수한 금속의 기계적 부착 효과를 갖게 된다. 2차로, 더 많은 친수성 표면을 제공할 수 있도록 중합체 표면을 화학적으로 변형시킴으로써 중합체에 대한 금속의 보다 강한 화학결합을 수득하게 된다.
입체연마는 중합체 풍부표면을 물리적으로 제거하기 위해 사용되며, 이같이 함으로서 보다 큰 충진표면적을 화학부식제에 노출시킨다. 입제연마에 이어 초음파 세척을 행하여 표면으로부터 입자를 제거한다.
무전해 침적방법을 개시하는데에는 통상적으로 촉매가 필요하게 된다. 예를 들어 폴리(아릴렌 설파이드)판은 무전해 도금공정 이전에 파라듐-주석 촉매와 같은 촉매와 처리할 수 있다. 그러나 일단 개시된 이후는 무전해 공정은 자동촉매, 즉 중합체 표면상에 침적된 전도성 금속(예 : 구리,닉켈등)에 의해 촉진되는 관계로 촉매가 필요한 것은 잠간 동안임을 주지해야 한다.
무전해 도공공정 자체를 욕-함유 탱크내에서 진행시킬 수 있다. 탱크는 탱크자체의 도금을 방지하기 위하여 플라스틱 또는 플라스틱을 입힌 또는 부동태 스테인레스 스틸로 제조된 탱크가 바람직하다. 무전해도금욕은(통상용액임) 전도성금속(예 구리, 닉켈등)함유하며, 폴리(아릴렌 설파이드)판에 침적된다. 무전해 도금공정은 선행 무전해 도금법 및 기술에 따라 진행될 수 있다.
이와 관련된 기술분야에 숙련된 자들은 무전해 도금에 관한 충분한 지식을 갖고 있으며, 본 명세서에 접할때는 본 발명을 충분히 실시할 수 있다. 무전해 도금에 대해 더 상세하고 또 완전한 정보를 필요로 할 경우 쉽게 이들로부터 구할 수 있다. 이같은 정보의 한 예로는 본 명세서에서 참고로 인용한 The Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, 3판, Volume 8, 738 내지 750페이지와 859 내지 860페이지에 기술된 내용을 들수 있다.
무전해도금은 비교적 늦은 속도로 진행되며, 따라서 폴리(아릴렌 설파이드)판상에 전도성 금속의 침적을 충분히 두껍게 형성하는 데에는 비교적 긴시간이 소요된다. 이 이유로 인하여 무전해 도금공정은 침적 전도성 금속이 약 20미크론 이상 두께로 된후에 중단하고 전기도금을 행하여 필요로 하는 추가 전도성 금속 두께로 만드는 것이 바람직하다. 무전해도금 공정 기간중에 침적된 전도성금속의 얇은 침적은 무전해 필름이라 칭한다. 무전해 필름은 2가지 목적으로 제공된다. 첫째 목적은 이 무전해 필름은 폴리(아릴렌 설파이드)판에 전기도금에 의해 전도성금속의 침적을 추가로 행하기 위해 필요로 하는 전기전도성 표면을 제공한다.
두번째로 무전해 필름은 폴리(아릴렌 설파이드)판과 전기도금 전도성 금속간에 결합을 형성한다.
전기도금은 주로 전극위에 접착성 금속피막을 전기침적시키는 것이다. 본 발명은 통상와 전기도금방법 및 장치를 사용하여 성공적으로 진행시킬 수 있다. 전형적으로는 무전해 필름을 갖는 중합(아릴렌 설파이드)판을 도금액(통상수용액임)을 함유하는 탱크에 위치시킬 수 있다. 도금액은 침적되는 전도성 금속이온을 제공한다.
전도성금속은 무전해 필름이 피복된 폴리(아릴렌 설파이드)판상에 전기도금시킬 수 있는 전도성 금속이면 어떤 것이든 사용할 수 있다. 이같은 금속의 예로는 구리 및 닉켈을 들 수 있으며, 또 이에 한정되는 것은 아니다. 전도성금속의 용어에는 전도성 합금도 포항하고 있다. 전도성금속은 무전해 필름을 구성하는 금속과 반드시 동일할 필요는 없다.
이와 관련된 기술에 숙련된자라면 전기도금에 관한 충분한 지식을 갖는 관계로, 본 발명 기술에 이 지식을 적용함으로서 본 발명을 성공적으로 진행시킬 수 있다. 전기도금에 관한 더 상세하고 또 완전한 정보는 이를 찾는 자라면 쉽게 구할 수 있다. 이같은 정보원의 하나로, 본 발명에서 참고로 인용한 The Kirk-Othmer Encyclopedia of chemical Technelogy, 3판, 8,826 내지 869페이지를 들수 있다.
전기도금공정은 필요로 하는 양의 전도성 금속이 침적될때까지 계속된다. 폴리(아릴렌 설파이드)판상에 (무전해도금 및 전기도금 공정으로)침적되는 전도성금속의 층두께는 제품(예 : 프린트 회로판)의 사용처에 따라 좌우된다. 전형적인 것은 이 두께가 약 1밀 내지 4밀 범위내에 있게 된다.
전도성금속과 폴리(아릴렌 설파이드)간의 접착강도는 프린트 회로판의 성공적인 제조의 중요한 결정 요소가 된다. 접착강도가 너무 낮은 경우에는(전도성금속으로 구성되는)상세한 회로의 그 구조적 보전의 유지될 수 없으며, 또 프린트 회로판이 실제 사용면에서 무용하게 된다. 이같은 이유에서 전도성 금속과 폴리(아릴렌 설파이드)판 간의 접착이 프린트 회로판이 통상 필요로 하는 충격을 견딜 수 있도록 충분히 강력해야 한다는 것이 절대로 필요한 사항이다.
이 접착강도는 통상 피-일 강도(peel strength)로 불리며, 또 측정된다. 실제 사용상에 있어 아주 유용한 것은 프린트 회로판이 충분한 금속-판 접착강도를 갖는 경우 즉 피-일 강도가 약 4파운드/인치이상인 경우이다. 그러나 우수한 제품은 피일강도 약 5파운드/인치이상, 또 바람직하게는 약 6파운드/인치이상인 것으로 특징지울 수 있다. 어떤 경우는 본 발명에 따라 진행된 실험에서 피-일 강도가 7 또 8파운드/인치 이상을 갖는 아주 우수한 도금 폴리(아릴렌 설파이드)판을 제조하게 된다. 상기 피-일 강도는 금속-전기도금 플라스틱의 피-일 강도에 대한 ASTM 시험법인 ASTM 시험방법 파트 9B 533-79 방법 A에 따라 측정한 값들이다. 본 발명 명세서 및 특허청구 범위의 목적상 이 ASTM 시험방법은 금속피막 두께에 관계없이 진행하는 것으로 변형하였다.
전도성금속과 폴리(아릴렌 설파이드)판의 점착은 숙성시킴으로서 크게 증대됨을 발견할 수 있었다. 전해도금공정(또는 전해도금을 행하지 않는 경우는 무전극도금공정)직후에 점착강도가 최소에 달했다. 이를 숙성시킬 경우 점착강도는 수일내에 최대수준으로 도달할 수 있다. 5일후, 피-일 강도는 이 최대값을 나타내었다. 따라서 피-일 강도를 처음 시험할때 통상적인 도금 폴리(아릴렌 설파이드)판은 최소허용치 보다 훨씬 못 미치는 피일 강도를 얻게 된다. 그러나 이 판을 폐기처분하거나 포기하기 보다는 피-일 강도가 약 4파운드/인치이상 또는 약 5파운드/인치이상의 우수한 결과를 나타낼때까지 판의 숙성을 인내를 갖고 계속함으로서 사용할 수 있는 판을 수득하게 된다.
숙성기간은 실온이상으로 가열하여 폴리(아릴렌 설파이드)판을 경화 또는 건조시킴으로서 촉진시킬 수 있다.
다음의 실시예는 본 발명의 충분하고 완전한 내용을 쉽게 이해할 수 있도록 기술하고 있다. 실시예는 수득한 결과가 우수하고 또 이 결과는 상술한 후 도금의 개선된 접착력을 이용할 수 있음을 명백하게 입증하고 있다.
[실시예]
시료 A와 B로 설계된 2개의 폴리(페닐렌 설파이드)판을 본 실시예에서 사용하였다. 각판은 약 4" 4"이며 또 약 3/16"의 무게를 갖는다. 시료 A와 B에 상응하는 조성물은 다음과 같다.
Figure kpo00001
앞에 주어진 퍼센트는 중량퍼센트로서, 조성물의 총 중량을 기준하고 있다. 시료 A중의 폴리(페닐렌 설파이드)는 유속 100 내지 140g/10분의 특징을 갖고, 또 시료 B중의 폴리(페닐렌 설파이드)는 유속 750 내지 950g/10분의 특징을 갖는다. 상기 유속은 시험방법 D 1238, 방법을 온도 600。F 및 5kg 중량으로 변형시켜 측정한 것이다.
유리섬유는 조성물을 보강하여 이의 강도를 증대시킨다. 탄산칼슘은 폴리(페닐렌 설파이드) 또는 유리섬유보다 저렴한 관계로 주로 재료원가를 감소시키기 위해 사용된다. 탄산리튬은 주형부식방지제이며, 또 폴리에틸렌과 아연 스테아레이트 통상적인 공정조제이다.
실험은 특별히 지적한 것외에는 다음에 기술한 바대로 진행시켰다. 이해를 쉽게 하기 위해서 실제로는 본 실험에서 이행되지 않았으나 본래 본 발명에 포함될 수 있는 본 발명의 가장 우수한 형태 또한 다음에 수록에 포함하였다.
[단계 1]
입자연마 : 양쪽 판 모두는 90psi에서 80메쉬 산화알미늄으로 가볍게 입자연마시킨다. 입자연마는 광택을 없애고 또 판표면을 거칠게 만든다.
[단계 2]
초음파세척 : 판을 비실리콘화 비누 수용액을 함유하는 초음파욕, "미크로크린"(뉴져지지주 트렌톤 소재의 International Products Corp.제품임)중에 5분간 함침시킨다. 이 용액은 물 1갤론당 2.5온스의 미크로크린너를 함유하는 용액이다.
[단계 3]
수세척 : 판은 실온에서 30초동안 수도물로 세척한다.
[단계 4]
건조 : 판을 약 150。F. 오븐에서 1야간 건조시킨다.
[단계 5]
산부식 : 판을 실온의 불화수소산(시약급 HF)의 진한 용액중에 5분간 함침시킨다.
[단계 6]
수세척 : 판을 30초동안 실온의 탈이온수로 세척한다.
[단계 7]
산부식 : 판을 150의 농질산(시약급의 67% HNO3)으로 15초간 세척한다.
[단계 8]
수세척 : 판을 30초동안 실온의 탈이온수로 세척한다.
[단계 9]
초음파세척 : 상기 단계 2와 동일.
[단계 10]
기계적연마 : 판을 먼저 막는 포대로 연마시켜 부식판 표면의 분말상 폴리(페닐렌 설파이드)를 제거한다.
[단계 11]
수세척 : 판을 30초동안 실온의 탈이온수로 세척한다.
[단계 12]
사전준비 : 본 실험에서는 실제로 사용되지 않았으나, 이 방법에 의해 촉매욕의 혼입위험을 감소시킬 수 있기 때문에 바람직하다고 믿어진다. 본 단계에 의거 판은 3N 염산수용액에 함침시키게 된다.
[단계 13]
촉매 및 활성화 : 판을 3분동안 실온 용액에 침적시킨다. 이 용액은 (a) 1/2갤론의 탈이온수(b) 170g 촉매와 (c) 340ml의 37% 염산으로 구성된다. 촉매는 상표명 촉매 DC-3로 McGean chemical Co.에 의해 판매되고 있는 파라듐-주석 촉매이다.
[단계 14]
수세척 : 판은 실온의 탈이온수로 3회 충분히 세척한다. 이 단계중에 수산화 제1주석이 형성된다.
[단계 15]
촉진 : 판을 실온의 (a) 1/4갤론의 탈이온수, (b) 19ml의 37% 염산 및 (c) 113g의 D-24로 구성되는 용액에 4분동안 함침시킨다.
D-25는 McGean Chemical Co.에 의해 시판되고 있는 불화물을 포함한 약산염의 상표명이다. 이 단계에서 과잉량의 수산화 제1주석을 제거하며, 또 이같이 함으로서 파라듐 핵이 이후 무전극침전에 노출하게 된다.
[단계 16]
수세척 : 판을 30초 동안 실온의 탈이온수로 세척한다.
[단계 17]
사전준비 : 본 실험에서는 실제 사용하지 않았으나, 판을 탈이온수와 10부피% FL-1으로 구성되는 실온의 사전준비 용액에 1.5분간 함침시키는 짓을 추천 할만하다.
FL-1은 상표명 베스본 FL-1으로 판매되는 McGean Chemical Co.의 특허품이다.
[단계 18]
무전해 도금 : 판을 (a) 탈이온수, (b) 10부피% FL-1과 (c) 1.5부피% FL-2로 구성되는 용액에 12분간 함침시켜 두께 약 20미크론을 갖는 구리도금을 형성시킨다. FL-1 및 FL-2는 상표명 베스본 FL-1 및 베스본 FL-2로 오하이오주 클리브랜드 소재의 McGean Chemical Co.에 의해 판매되는 특허품이다.
[단계 19]
수세척 : 판을 실온의 탈이온수에 30초간 함침시킨다.
[단계 20]
오븐건조 : 판을 150。F 오븐에서 12시간동안 건조시킨다.
[단계 21]
예비처리 : 본 실험에서는 실제 사용하지 않았으나, 이 단계는 추천할만한 것이다. 판을 실온의 5% 황산수용액에 신속히 잠간 담갔다가 꺼내준다.
[단계 22]
전기도금 : 판을 통상적인 전해도금장치를 갖는 통상적인 전해도금 탱크에 들어 있는 구리산용액을 함침시킨다. 이 구리산 용액은 (a) 물 (b) 물 1겔론당 12온스의 유화구리(c) 물 1겔론당 28온스의 황산 (d) 25ppd의 시약급 HCI과 (e) 물 11당 5cc의 339광택제로 구성된다. 339 광택제는 McGean Chemical Company의 특허품이다. 음극크립이 판에 연결되며, 정류기(통상 전해도금장치의 일부임)를 초기에 1/2 암페아로 맞춘다. 전류설정 3분후에 정류기설정치를 2암페아로 올려서 2시간동안 유지함으로서 층두께 약 4밀을 갖는 구리도금 생상물을 수득한다.
[단계 23]
수세척 : 판을 30초동안 실온의 수도물로 세척한다.
[단계 24]
오븐경화 : 판을 150。F 오븐내에서 12시간동안 경화시킨다.
[단계 25]
숙성 : 판을 실온에서 20일간 보관한다.
각판은 단계 23 이후에 피-일 강도 시험을 1차 행하였다. 첫번째 판(A)는 단계 25이후에 피-일 강도시험을 2번 행하였다. 2번째판(B)는 단계 25이후에 피-일 강도 시험을 3번 행하였다. 이들 실험의 결과는 다음표 I에 수록하였다.
[표 I]
Figure kpo00002
피-일 강도시험은 뉴욕주 뉴욕소재의(John Chatillon and Sons사에 의해 제조된 Chatillon 당김시험기(pull tester)모델 5000을 사용하여 행하였다. 1/4"길이의 띠가 판으로부터 벗겨진다. 점착 테이프가 피-일 시험부위 양면에 부착한후, 이를 당김 시험기에 걸어준다. 이같이 해서 판으로부터 띠를 벗겨냈다. 이 간단한 시험으로, ASTM 시험법으로 수득하게 되는 시험결과에 개략적으로 접근할 수 있다.
상기 표 I의 실험결과는 각 시료에 대한 초기 피일 강도[폴리(페닐렌 설파이드)판에 대한 구리의 초기점착도]는 프린트 회로판용으로 부적합하였으나, 숙성시킨후에 피-일 강도는 양질의 프린트 회로판을 제조할 수 있는 충분한 수준으로 개선되었다.

Claims (11)

  1. (a) 전도성금속을 무전해 도금법에 의해 폴리(아릴렌 설파이드)기재상에 침적시키고, 또 (b), (a)에서 생성된 도금된 기재를 숙성시킴을 특징으로 하여 전도성 금속과 폴리(아릴렌 설파이드)기재의 접착력을 증대시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 폴리(아릴렌 설파이드)가 폴리(페닐렌 설파이드)임을 특징으로 하는 접착력 증대방법.
  3. 제1항 또는 제15항에 있어서, (a)단계와 (b)단계 사이에, (a)단계의 폴리(아릴렌 설파이드)기재상에 침적된 전도성금속상에 전도성 금속을 전기도금시킴을 특징으로 하는 접착력 증대방법.
  4. 제1항 내지 제15항중 어느 하나에 따라 프린트 회로판을 제조하는 방법에 있어서, 폴리(아릴렌 설파이드)판 상엔 무전해 도금법에 의해 전도성 금속을 침적시키는 것을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, (a)단계에 따라 침적된 전도성금속상에 전도성금속을 전기도금시키는 (c)것을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 전도성금속과 폴리(아릴렌 설파이드)판의 접착력이 충분히 강력할때까지 도금판을 숙성시켜서, 이들의 결합 피-일 강도가 ASTM 시험방법 파트 9B 533-79, A방법에 따라 측정할 경우 약 4파운드/인치 이상이 되게 하는 것을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, (c)단계 종료후에 폴리(아릴렌 설파이드)판을 일부 이상건조시킴을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, (c)단계 종료후에, 폴리(아릴렌 설파이드)판을 일부 이상 경화시킴을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
  9. 제5항에 있어서, (c)단계 종료후에 폴리(아릴렌 설파이드)판을 주위온도 이상으로 가열시킴을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
  10. 제5항에 있어서, 프린트판을 5일 이상 숙성시키는 것을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
  11. 제5항에 있어서, 폴리(아릴렌 설파이드)판을 화학부식제로 부식시키고 또 이 폴리(아릴렌 설파이드)판의 미리 선정된 부위에 무전해도금법에 의해 전도성 금속을 침적시켜, 프린트 회로판의 회로를 형성시킴을 특징으로 하는 프린트 회로판의 제조방법.
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