KR900702558A - 기체환경에서 사용하기 위한 전자 검출기 - Google Patents
기체환경에서 사용하기 위한 전자 검출기Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (51)
- (a) 전자 비임을 발생시켜 시료쪽으로 보내는 수단; (b) 시료의 표면에서 방사되는 신호를 검출하는 수단으로서, 얇은 링으로 형성된 내측 전자 검출기와, 그 내측 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제1동심 호형 부분으로 형성된 중간 전자 검출기와, 그 중간 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제2동심 호형 부분으로 형성된 외측 전자 검출기를 가지는 대략 환형의 전극 조립체를 포함하며, 상기 다수의 제1동심 호형 부분은 방향성 토포그라피(topography)대비를 얻도록 상기 다수의 제2동심호형 부분들에 대해 대략 직각으로 배치되고, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들이 거의 동일한 수평면을 따라 배열되는 신호 검출수단; 및 (c) 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기를 동일한 전위에서 초기에 개별적으로 바이어스하는 수단으로 구성되는, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제1항에 잇어서, 상기 내측 전자 검출기가 약 50-100미크론의 와이어 두께를 가지는 와이어인, 환경주사형 전자 현미경.
- 제1항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가 금속으로 만들어진, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제1항에 있어서, 상기 중간 전자 검출기가 약 0.8㎜의 내경과 약 3㎜의 외경을 가지는, 환경 주사형 전자현미경.
- 제1항에 있어서, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들이 약 400볼트로 초기에 바이어스되는 환경주사형 전자 현미경.
- (a) 하단부에 압력 제한 구멍을 가지는 진공 칼럼(column); (b) 이 진공 칼럼안에 배치되어 있고 하전입자 비임을 방사할수 있는 하전입자 비임 소오스; (c) 상기 진공 칼럼안에 배치되어 있고, 상기 하전입자 비임소오스에 의해 방사된 하전 입자 비임을 상기 입력 제한 구멍을 통해 보낼 수 있는 촛점조정 수단; (d) 상기 압력 제한 구멍 아래에 배치되어 있고, 하전입자 비임 소오스로 부터 방사되어 상기 압력제한 구멍을 통해 보내진 하전입자 비임에 시료의 표면이 노출될 수 있도록, 기체에 에워싸인 시료를 상기 압력 제한 구멍과 일치시켜 약 1-25Torr의 압력에서 유지시킬 수 있는 시료실; (e) 상기 시료실안에 배치되어 있으며, 촛점 조정된 전자 비임이 상기 시료와 상호작용하도록 상기 시료를 상기 압력제한 구멍의 약 1㎜아래에 지지하도록 배치된 시료 지지대; (f) 상기 시료의 표면으로부터 방사되는 신호들을 검출하는 제1수단으로서, 얇은 링으로 형성된 내측 전자 검출기와, 그 내측 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제1동심 호형 부분으로 형성된 중간 전자 검출기와, 그 중간 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제2동심 호형 부분으로 형성된 외측 전자 검출기를 가지는 대략 환형의 전극 조립체를 포함하며, 상기 다수의 제1동심 호형 부분은 상기 다수의 제2동심 호형 부분들에 대해 대략 직각으로 배치되고, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들이 거의 동일한 수평면을 따라 배열되는 상기 제1검출수단 및 (g) 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들을 동일한 전위에서 초기에 개별적으로 바이어싱하는 수단으로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제6항에 있어서, 상기 압력 제한 구멍의 직경이 약 500미크론인 환경 주사형 전자 현미경.
- 제6항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가 약 50-100미크론의 와이어 두께를 가지는 와이어인, 호나경 주사형 전자 현미경.
- 제6항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가 금속으로 만들어진, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제6항에 있어서, 상기 시료실이 질소에 에워싸여 있는, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제6항에 있어서, 상기 중간 전자 검출기가 약 0.8㎜의 내경과 약 3㎜의 외경을 가지는, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제6항에 있어서, 상기 압력 제한 구멍이 그와 일체로 형성되어 상기 시료로 부터 방사되는 신호들을 검출하는 제2수단을 포함하는, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제12항에 있어서, 상기 제2검출수단이 소정의 전위에서 초기에 바이어스되는, 환경 주사형 전자 검출기.
- 제12항에 있어서, 상기 제2검출수단이 여러 전위에서 바이어스될 수 있는, 환경 주사형 전자 검출기.
- 제6항에 있어서, 수멍 캐리어 내에서 상기 압력 제한 구멍위에 배치되어, 상기 시료로 부터 방사되는 신호들을 검출하는 제3검출수단을 더 포함하는, 환경 주사형 전자 검출기.
- 제15항에 있어서, 상기 제3검출수단이 바람직하게 금속으로 형성된 얇은 환형 링인, 환경 주사형 전자 검출기.
- 제15항에 있어서, 상기 제3검출수단이 여러 전위에서 바이어스될 수 있는, 환경 주사형 전자 검출기.
- 제6항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가, 증폭된 저에너지 2차 전자 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 검출기.
- 제6항에 있어서, 상기 중간 전자 검출기가, 증폭된 고 에너지 후방산란 관련 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제6항에 있어서, 상기 외측 전자 검출기가, 증폭된 저각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제12항에 있어서, 상기 제2검출 수단이, 증폭된 저에너지 2차 전자 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
- 제15항에 있어서, 상기 제3검출 수단이, 증폭된 고각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
- (a) 전자 비임을 발생시켜 시료쪽으로 보내는 수단과; (b) 상기 시료의 표면으로 부터 방사되는 신호들을 검출하는 수단으로서, 서로다른 전위에서 바이어스될 수 있는 다수의 동심 호형 부분들을 가지는 대략 환형의 전극 조립체를 포함하는 상기 검출 수단으로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 환경 주사형 전자 현미경안에서 검사되는 시료의 표면으로부터 방사되는 신호들을 검출하는 장치로서, 얇은 링으로 형성된 내측 검차 검출기와, 그 내측 검사 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제1동심 호형 부분으로 형성된 중간 전자 검출기와, 그 중간 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제2동심 호형 부분으로 형성된 외측 전자 검출기를 가지는 대략 환형의 전극 조립체로 구성되며, 상기 다수의 제1동심 호형 부분들은 상기 다수의 제2동심 호형 부분들에 대해 대략 직각으로 배치되고, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들은 거의 동일한 수평면을 따라 배열되는 상기 신호 검출 장치.
- 제24항에 있어서, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들을 동일한 전위에서 초기에 개별적으로 바이어싱하는 수단을 더 포함하는 신호 검출장치.
- (a) 압력 제한 구멍을 갖는 축상으로 배치된 진공 선형 튜브를 포함하고 이 선형 튜브를 통해 시료쪽으로 통과하는 전자 비임을 자기적으로 촛점조정하는 수단을 포함하는 거의 원통형 대물 렌즈 자기 하우징; (b) 상기 대물렌즈 아래에 위치되고, 기체에 에워싸인 시료를 압력 제한 구멍과 일치되게 유지하여 시료의 표면이 촛점조정된 전자비임에 노출될 수 있게 할 수 있는 시료실; (c) 시료의 표면으로부터 방사되는 신호들을 검출하는 수단으로서, (1) 상기 압력 제한 구멍과 일체로 형성되는 제1전자 검출기; (2) 상기 압력 제한 구멍아래에 배치되고 얇은 링으로 형성된 제2전자 검출기; (3) 이 제2전자 검출기의 방사상 외향으로 배치되고 각각 다수의 동심 호형 부분들로 형성되는 제3 및 제4전자 검출기들; 그리고 (4) 상기 압력제한 구멍위에 배치된 제5전자 검출기; 를 포함하는 상기 검출수단; 으로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 각 전자 검출기를 초기에 동일한 전위로 개별적으로 바이어싱하는 수단을 더 포함하는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제27항에 있어서, 각 상기 검출기에 의해 검출된 정보를 기록하는 수단으로서, 각 상기 검출기에 연결되어 각 상기 검출기에 모인 전류를 수신하는 개별 전류 증폭기를 포함하는 상기 기록 수단을 더 포함하는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제27항에 있어서, 각 상기 검출기에 의해 검출된 정보를 기록하는 수단으로서, 각 상기 바이어싱 수단에 연결되어 각 상기 검출기에 모인 전류를 개별적으로 수신하는 단일 전류 증폭기를 포함하는 상기 기록 수단을 더 포함하는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 압력제한 구멍의 직경이 약 50미크론이고 상기 제2검출기가 약 50-100미트론의 와이어 두께를 갖는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 제2검출기가 금속으로 만들어진 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 제3검출기의 내부 직경이 약 0.8㎜이고 외부 직경이 약 3㎜인 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 제3 및 제4전자 검출기들의 동심호형 부분들이 방향성 토포그래피 대비를 얻기위해 보통 서로 반대로 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 제2전자 검출기가 증폭된 이차 전자 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 제3전자 검출기가 증폭된 고에너지 후방산란 관련 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 제4전자 검출기가 증폭된 관련 저각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제26항에 있어서, 상기 제5전자 검출기가 증폭된 고각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
- (a) 하단부에 압력 제한 구멍을 가지는 진공 칼럼; (b) 이 진공 칼럼안에 배치되어 있고 하전 입자 비임을 상기 압력 제한 구멍을 통해 방사할 수 있는 하전 입자 비임 소오스; (c) 상기 진공 칼럼안에 배치되어 있고 상기 하전 입자 비임 소오스에 의해 방사된 하전입자 비임을 상기 압력 제한 구멍을 통해 보낼 수 있는 촛점조정 수단; (d) 상기 압력 제한 구멍 아래에 배치되어 있고, 상기 하전 입자 비임 소오스로부터 방사되어 상기 압력 제한 구멍을 통해 보내진 하전 입자 비임에 시료의 표면이 노출될 수 있도록, 기체에 에워싸인 시료를 상기 압력 제한 구멍과 일치시켜 약 1-25Torr의 압력에서 유지시킬 수 있는 시료실; (e) 상기 시료실안에 배치되어 있으며, 촛점조정된 전자비임이 상기 시료와 상호작용하도록 상기 시료를 상기 압력 제한 구멍의 약 1-20㎜아래에 지지하도록 배치된 시료 지지대; (f) 상기 압력 제한 구멍과 일체로 형성된 전자 검출기 수단; 및 (g) 상기 시료 지지대에 인가된 바이어스 전위와 상기 전자 검출기 수단에 인가된 바이어스 전위 사이의 전위로 바이어스되어, 이차 전자들을 더 증폭하기 위해 시료로부터 제어격자로 방사된 신호들을 가속하는 상기 제어격자; 로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제38항에 있어서, 상기 제어격자가 상기 전자 검출기보다 상기 시료 지지대에 더 근접히 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제38항에 있어서, 상기 전자 검출기가 약 300V+로 바이어스되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제40항에 있어서, 상기 제어 격자가 90V+로 바이어스 되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제41항에 있어서, 상기 시료 지지대가 접지되는 환경 주사형 전자 현미경.
- (a) 하단부에 압력 제한 구멍을 가지는 진공 칼럼; (b) 이 진공 칼럼안에 배치되어 있고 하전 입자 비임을 방사할 수 있는 하전 입자 비임 소오스; (c) 상기 진공 칼럼안에 배치되어 있고 상기 하전 입자 비임 소오스에 의해 방사된 하전 입자 비임을 상기 압력 제한 구멍을 통해 보낼 수 있는 촛점조정 수단; (d) 상기 압력제한 구멍 아래에 배치되어 있고, 상기 하전 입자 비임 소오스로 부터 방사되어 상기 압력 제한 구멍을 통해 보내진 하전 입자 비임에 시료의 표면이 노출될 수 있도록, 기체에 에워싸인 시료를 상기 압력 제한 구멍과 일치시켜 약 1-25Torr의 압력에서 유지시킬 수 있는 시료실; (e) 상기 시료실안에 배치되어 있으며, 촛점조정된 전자비임이 상기 시료와 상호작용하도록 상기 시료를 상기 압력 제한 구멍아래에 지지하도록 배치된 시료 지지대; (f) 얇은 링으로 형성된 내측 전자 검출기, 이 내측 검출기의 방사상 외향으로 배치되고 다수의 제1동심 호형 부분들로 형성되는 중간 전자 검출기, 및 이 중간 전자 검출기의 방사상 외향으로 배치되고 다수의 제2동심 호형 부분들로 형성되는 외측 전자 검출기를 갖는 일반 환형 전극 조립체; 및 (g) 상기 시료실내에서 상기 시료 지지대와 상기 일반 환형 전극 조립체 사이에 배치된 제어격자로서, 시료 지지대에 인가된 바이어스 전위보다는 크고 상기 일반 환형 전극 조립체에 인가된 바이어스 전위보다는 작은 전위에서 바이어스되어, 전자들이 더욱 증폭되기위해 시료로부터 상기 제억격자로 가속되는 상기 제어격자로; 로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제43항에 있어서, 상기 다수의 제1동심 호형 부분들이 상기 다수의 제2동심 호형 부분들과 보통 반대로 배치되는 환경 주사형전자 현미경.
- 제43항에 있어서, 상기 내측, 중간 및 외측 전자 검출기들이 보통 동일한 수평면을 따라 정렬되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제43항에 있어서, 상기 일반 환형 전극 조립체가 상기 시료지지대의 약 10㎜위에 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제46항에 있어서, 상기 제어 격자가 상기 시료 지지대의 약 1㎜위에 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제47항에 있어서, 상기 일반 환형 전극 조립체가 바람직하게 300V+로 바이어스되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제48항에 있어서, 상기 시료 지지대가 바람직하게 접지되는 환경 주사형 전자 현미경.
- 제49항에 있어서, 상기 제어격자가 바람직하게 900V+로 바이어스되는 환경 주사형 전자 현미경.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/257,754 US4897545A (en) | 1987-05-21 | 1988-10-14 | Electron detector for use in a gaseous environment |
PCT/US1989/004611 WO1990004261A1 (en) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | Improved electron detector for use in a gaseous environment |
US257,754 | 1994-06-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900702558A true KR900702558A (ko) | 1990-12-07 |
KR940009764B1 KR940009764B1 (ko) | 1994-10-17 |
Family
ID=22977611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900701285A KR940009764B1 (ko) | 1988-10-14 | 1989-10-13 | 기체환경에서 사용되는 전자 검출기를 가진 환경 주사형 전자 현미경 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4897545A (ko) |
EP (1) | EP0444085B1 (ko) |
JP (1) | JPH0650615B2 (ko) |
KR (1) | KR940009764B1 (ko) |
CN (1) | CN1018308B (ko) |
AT (1) | ATE178162T1 (ko) |
AU (1) | AU4528489A (ko) |
CA (1) | CA2000571C (ko) |
DE (1) | DE68928958T2 (ko) |
IL (1) | IL91971A (ko) |
MX (1) | MX163919B (ko) |
WO (1) | WO1990004261A1 (ko) |
ZA (1) | ZA897751B (ko) |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06168695A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nikon Corp | 荷電粒子顕微鏡 |
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-
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- 1989-10-12 ZA ZA897751A patent/ZA897751B/xx unknown
- 1989-10-12 CA CA002000571A patent/CA2000571C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-12 IL IL9197189A patent/IL91971A/en not_active IP Right Cessation
- 1989-10-13 EP EP89912794A patent/EP0444085B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-13 AT AT89912794T patent/ATE178162T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-10-13 KR KR1019900701285A patent/KR940009764B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-10-13 AU AU45284/89A patent/AU4528489A/en not_active Abandoned
- 1989-10-13 JP JP2500613A patent/JPH0650615B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-13 DE DE68928958T patent/DE68928958T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-13 MX MX17959A patent/MX163919B/es unknown
- 1989-10-13 WO PCT/US1989/004611 patent/WO1990004261A1/en active IP Right Grant
- 1989-10-14 CN CN89108595A patent/CN1018308B/zh not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0444085B1 (en) | 1999-03-24 |
EP0444085A1 (en) | 1991-09-04 |
MX163919B (es) | 1992-06-30 |
DE68928958T2 (de) | 1999-09-23 |
CA2000571A1 (en) | 1990-04-14 |
EP0444085A4 (en) | 1992-06-10 |
AU4528489A (en) | 1990-05-01 |
CA2000571C (en) | 1994-05-31 |
ZA897751B (en) | 1991-06-26 |
JPH0650615B2 (ja) | 1994-06-29 |
ATE178162T1 (de) | 1999-04-15 |
IL91971A0 (en) | 1990-07-12 |
JPH04504325A (ja) | 1992-07-30 |
IL91971A (en) | 1994-06-24 |
DE68928958D1 (de) | 1999-04-29 |
US4897545A (en) | 1990-01-30 |
KR940009764B1 (ko) | 1994-10-17 |
WO1990004261A1 (en) | 1990-04-19 |
CN1042029A (zh) | 1990-05-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19980831 Year of fee payment: 5 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |