KR900702558A - 기체환경에서 사용하기 위한 전자 검출기 - Google Patents

기체환경에서 사용하기 위한 전자 검출기

Info

Publication number
KR900702558A
KR900702558A KR1019900701285A KR900701285A KR900702558A KR 900702558 A KR900702558 A KR 900702558A KR 1019900701285 A KR1019900701285 A KR 1019900701285A KR 900701285 A KR900701285 A KR 900701285A KR 900702558 A KR900702558 A KR 900702558A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sample
scanning electron
electron microscope
detector
environmental scanning
Prior art date
Application number
KR1019900701285A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940009764B1 (ko
Inventor
디이 다닐라토스 게라시모스
Original Assignee
원본 미기재
일렉트로스캔 코오포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 원본 미기재, 일렉트로스캔 코오포레이션 filed Critical 원본 미기재
Publication of KR900702558A publication Critical patent/KR900702558A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940009764B1 publication Critical patent/KR940009764B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2446Position sensitive detectors
    • H01J2237/24465Sectored detectors, e.g. quadrants
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24475Scattered electron detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448Secondary particle detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/2602Details
    • H01J2237/2605Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere

Abstract

내용 없음

Description

기체환경에서 사용하기 위한 전자 검출기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (51)

  1. (a) 전자 비임을 발생시켜 시료쪽으로 보내는 수단; (b) 시료의 표면에서 방사되는 신호를 검출하는 수단으로서, 얇은 링으로 형성된 내측 전자 검출기와, 그 내측 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제1동심 호형 부분으로 형성된 중간 전자 검출기와, 그 중간 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제2동심 호형 부분으로 형성된 외측 전자 검출기를 가지는 대략 환형의 전극 조립체를 포함하며, 상기 다수의 제1동심 호형 부분은 방향성 토포그라피(topography)대비를 얻도록 상기 다수의 제2동심호형 부분들에 대해 대략 직각으로 배치되고, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들이 거의 동일한 수평면을 따라 배열되는 신호 검출수단; 및 (c) 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기를 동일한 전위에서 초기에 개별적으로 바이어스하는 수단으로 구성되는, 환경 주사형 전자 현미경.
  2. 제1항에 잇어서, 상기 내측 전자 검출기가 약 50-100미크론의 와이어 두께를 가지는 와이어인, 환경주사형 전자 현미경.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가 금속으로 만들어진, 환경 주사형 전자 현미경.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중간 전자 검출기가 약 0.8㎜의 내경과 약 3㎜의 외경을 가지는, 환경 주사형 전자현미경.
  5. 제1항에 있어서, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들이 약 400볼트로 초기에 바이어스되는 환경주사형 전자 현미경.
  6. (a) 하단부에 압력 제한 구멍을 가지는 진공 칼럼(column); (b) 이 진공 칼럼안에 배치되어 있고 하전입자 비임을 방사할수 있는 하전입자 비임 소오스; (c) 상기 진공 칼럼안에 배치되어 있고, 상기 하전입자 비임소오스에 의해 방사된 하전 입자 비임을 상기 입력 제한 구멍을 통해 보낼 수 있는 촛점조정 수단; (d) 상기 압력 제한 구멍 아래에 배치되어 있고, 하전입자 비임 소오스로 부터 방사되어 상기 압력제한 구멍을 통해 보내진 하전입자 비임에 시료의 표면이 노출될 수 있도록, 기체에 에워싸인 시료를 상기 압력 제한 구멍과 일치시켜 약 1-25Torr의 압력에서 유지시킬 수 있는 시료실; (e) 상기 시료실안에 배치되어 있으며, 촛점 조정된 전자 비임이 상기 시료와 상호작용하도록 상기 시료를 상기 압력제한 구멍의 약 1㎜아래에 지지하도록 배치된 시료 지지대; (f) 상기 시료의 표면으로부터 방사되는 신호들을 검출하는 제1수단으로서, 얇은 링으로 형성된 내측 전자 검출기와, 그 내측 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제1동심 호형 부분으로 형성된 중간 전자 검출기와, 그 중간 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제2동심 호형 부분으로 형성된 외측 전자 검출기를 가지는 대략 환형의 전극 조립체를 포함하며, 상기 다수의 제1동심 호형 부분은 상기 다수의 제2동심 호형 부분들에 대해 대략 직각으로 배치되고, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들이 거의 동일한 수평면을 따라 배열되는 상기 제1검출수단 및 (g) 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들을 동일한 전위에서 초기에 개별적으로 바이어싱하는 수단으로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
  7. 제6항에 있어서, 상기 압력 제한 구멍의 직경이 약 500미크론인 환경 주사형 전자 현미경.
  8. 제6항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가 약 50-100미크론의 와이어 두께를 가지는 와이어인, 호나경 주사형 전자 현미경.
  9. 제6항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가 금속으로 만들어진, 환경 주사형 전자 현미경.
  10. 제6항에 있어서, 상기 시료실이 질소에 에워싸여 있는, 환경 주사형 전자 현미경.
  11. 제6항에 있어서, 상기 중간 전자 검출기가 약 0.8㎜의 내경과 약 3㎜의 외경을 가지는, 환경 주사형 전자 현미경.
  12. 제6항에 있어서, 상기 압력 제한 구멍이 그와 일체로 형성되어 상기 시료로 부터 방사되는 신호들을 검출하는 제2수단을 포함하는, 환경 주사형 전자 현미경.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2검출수단이 소정의 전위에서 초기에 바이어스되는, 환경 주사형 전자 검출기.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2검출수단이 여러 전위에서 바이어스될 수 있는, 환경 주사형 전자 검출기.
  15. 제6항에 있어서, 수멍 캐리어 내에서 상기 압력 제한 구멍위에 배치되어, 상기 시료로 부터 방사되는 신호들을 검출하는 제3검출수단을 더 포함하는, 환경 주사형 전자 검출기.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제3검출수단이 바람직하게 금속으로 형성된 얇은 환형 링인, 환경 주사형 전자 검출기.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제3검출수단이 여러 전위에서 바이어스될 수 있는, 환경 주사형 전자 검출기.
  18. 제6항에 있어서, 상기 내측 전자 검출기가, 증폭된 저에너지 2차 전자 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 검출기.
  19. 제6항에 있어서, 상기 중간 전자 검출기가, 증폭된 고 에너지 후방산란 관련 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
  20. 제6항에 있어서, 상기 외측 전자 검출기가, 증폭된 저각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
  21. 제12항에 있어서, 상기 제2검출 수단이, 증폭된 저에너지 2차 전자 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
  22. 제15항에 있어서, 상기 제3검출 수단이, 증폭된 고각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는, 환경 주사형 전자 현미경.
  23. (a) 전자 비임을 발생시켜 시료쪽으로 보내는 수단과; (b) 상기 시료의 표면으로 부터 방사되는 신호들을 검출하는 수단으로서, 서로다른 전위에서 바이어스될 수 있는 다수의 동심 호형 부분들을 가지는 대략 환형의 전극 조립체를 포함하는 상기 검출 수단으로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
  24. 환경 주사형 전자 현미경안에서 검사되는 시료의 표면으로부터 방사되는 신호들을 검출하는 장치로서, 얇은 링으로 형성된 내측 검차 검출기와, 그 내측 검사 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제1동심 호형 부분으로 형성된 중간 전자 검출기와, 그 중간 전자 검출기의 반경방향 외측에 배치되어 있으며 다수의 제2동심 호형 부분으로 형성된 외측 전자 검출기를 가지는 대략 환형의 전극 조립체로 구성되며, 상기 다수의 제1동심 호형 부분들은 상기 다수의 제2동심 호형 부분들에 대해 대략 직각으로 배치되고, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들은 거의 동일한 수평면을 따라 배열되는 상기 신호 검출 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 내측, 중간, 및 외측 전자 검출기들을 동일한 전위에서 초기에 개별적으로 바이어싱하는 수단을 더 포함하는 신호 검출장치.
  26. (a) 압력 제한 구멍을 갖는 축상으로 배치된 진공 선형 튜브를 포함하고 이 선형 튜브를 통해 시료쪽으로 통과하는 전자 비임을 자기적으로 촛점조정하는 수단을 포함하는 거의 원통형 대물 렌즈 자기 하우징; (b) 상기 대물렌즈 아래에 위치되고, 기체에 에워싸인 시료를 압력 제한 구멍과 일치되게 유지하여 시료의 표면이 촛점조정된 전자비임에 노출될 수 있게 할 수 있는 시료실; (c) 시료의 표면으로부터 방사되는 신호들을 검출하는 수단으로서, (1) 상기 압력 제한 구멍과 일체로 형성되는 제1전자 검출기; (2) 상기 압력 제한 구멍아래에 배치되고 얇은 링으로 형성된 제2전자 검출기; (3) 이 제2전자 검출기의 방사상 외향으로 배치되고 각각 다수의 동심 호형 부분들로 형성되는 제3 및 제4전자 검출기들; 그리고 (4) 상기 압력제한 구멍위에 배치된 제5전자 검출기; 를 포함하는 상기 검출수단; 으로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
  27. 제26항에 있어서, 각 전자 검출기를 초기에 동일한 전위로 개별적으로 바이어싱하는 수단을 더 포함하는 환경 주사형 전자 현미경.
  28. 제27항에 있어서, 각 상기 검출기에 의해 검출된 정보를 기록하는 수단으로서, 각 상기 검출기에 연결되어 각 상기 검출기에 모인 전류를 수신하는 개별 전류 증폭기를 포함하는 상기 기록 수단을 더 포함하는 환경 주사형 전자 현미경.
  29. 제27항에 있어서, 각 상기 검출기에 의해 검출된 정보를 기록하는 수단으로서, 각 상기 바이어싱 수단에 연결되어 각 상기 검출기에 모인 전류를 개별적으로 수신하는 단일 전류 증폭기를 포함하는 상기 기록 수단을 더 포함하는 환경 주사형 전자 현미경.
  30. 제26항에 있어서, 상기 압력제한 구멍의 직경이 약 50미크론이고 상기 제2검출기가 약 50-100미트론의 와이어 두께를 갖는 환경 주사형 전자 현미경.
  31. 제26항에 있어서, 상기 제2검출기가 금속으로 만들어진 환경 주사형 전자 현미경.
  32. 제26항에 있어서, 상기 제3검출기의 내부 직경이 약 0.8㎜이고 외부 직경이 약 3㎜인 환경 주사형 전자 현미경.
  33. 제26항에 있어서, 상기 제3 및 제4전자 검출기들의 동심호형 부분들이 방향성 토포그래피 대비를 얻기위해 보통 서로 반대로 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
  34. 제26항에 있어서, 상기 제2전자 검출기가 증폭된 이차 전자 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
  35. 제26항에 있어서, 상기 제3전자 검출기가 증폭된 고에너지 후방산란 관련 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
  36. 제26항에 있어서, 상기 제4전자 검출기가 증폭된 관련 저각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
  37. 제26항에 있어서, 상기 제5전자 검출기가 증폭된 고각도 반사 신호들을 탁월하게 모으는 환경 주사형 전자 현미경.
  38. (a) 하단부에 압력 제한 구멍을 가지는 진공 칼럼; (b) 이 진공 칼럼안에 배치되어 있고 하전 입자 비임을 상기 압력 제한 구멍을 통해 방사할 수 있는 하전 입자 비임 소오스; (c) 상기 진공 칼럼안에 배치되어 있고 상기 하전 입자 비임 소오스에 의해 방사된 하전입자 비임을 상기 압력 제한 구멍을 통해 보낼 수 있는 촛점조정 수단; (d) 상기 압력 제한 구멍 아래에 배치되어 있고, 상기 하전 입자 비임 소오스로부터 방사되어 상기 압력 제한 구멍을 통해 보내진 하전 입자 비임에 시료의 표면이 노출될 수 있도록, 기체에 에워싸인 시료를 상기 압력 제한 구멍과 일치시켜 약 1-25Torr의 압력에서 유지시킬 수 있는 시료실; (e) 상기 시료실안에 배치되어 있으며, 촛점조정된 전자비임이 상기 시료와 상호작용하도록 상기 시료를 상기 압력 제한 구멍의 약 1-20㎜아래에 지지하도록 배치된 시료 지지대; (f) 상기 압력 제한 구멍과 일체로 형성된 전자 검출기 수단; 및 (g) 상기 시료 지지대에 인가된 바이어스 전위와 상기 전자 검출기 수단에 인가된 바이어스 전위 사이의 전위로 바이어스되어, 이차 전자들을 더 증폭하기 위해 시료로부터 제어격자로 방사된 신호들을 가속하는 상기 제어격자; 로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
  39. 제38항에 있어서, 상기 제어격자가 상기 전자 검출기보다 상기 시료 지지대에 더 근접히 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
  40. 제38항에 있어서, 상기 전자 검출기가 약 300V+로 바이어스되는 환경 주사형 전자 현미경.
  41. 제40항에 있어서, 상기 제어 격자가 90V+로 바이어스 되는 환경 주사형 전자 현미경.
  42. 제41항에 있어서, 상기 시료 지지대가 접지되는 환경 주사형 전자 현미경.
  43. (a) 하단부에 압력 제한 구멍을 가지는 진공 칼럼; (b) 이 진공 칼럼안에 배치되어 있고 하전 입자 비임을 방사할 수 있는 하전 입자 비임 소오스; (c) 상기 진공 칼럼안에 배치되어 있고 상기 하전 입자 비임 소오스에 의해 방사된 하전 입자 비임을 상기 압력 제한 구멍을 통해 보낼 수 있는 촛점조정 수단; (d) 상기 압력제한 구멍 아래에 배치되어 있고, 상기 하전 입자 비임 소오스로 부터 방사되어 상기 압력 제한 구멍을 통해 보내진 하전 입자 비임에 시료의 표면이 노출될 수 있도록, 기체에 에워싸인 시료를 상기 압력 제한 구멍과 일치시켜 약 1-25Torr의 압력에서 유지시킬 수 있는 시료실; (e) 상기 시료실안에 배치되어 있으며, 촛점조정된 전자비임이 상기 시료와 상호작용하도록 상기 시료를 상기 압력 제한 구멍아래에 지지하도록 배치된 시료 지지대; (f) 얇은 링으로 형성된 내측 전자 검출기, 이 내측 검출기의 방사상 외향으로 배치되고 다수의 제1동심 호형 부분들로 형성되는 중간 전자 검출기, 및 이 중간 전자 검출기의 방사상 외향으로 배치되고 다수의 제2동심 호형 부분들로 형성되는 외측 전자 검출기를 갖는 일반 환형 전극 조립체; 및 (g) 상기 시료실내에서 상기 시료 지지대와 상기 일반 환형 전극 조립체 사이에 배치된 제어격자로서, 시료 지지대에 인가된 바이어스 전위보다는 크고 상기 일반 환형 전극 조립체에 인가된 바이어스 전위보다는 작은 전위에서 바이어스되어, 전자들이 더욱 증폭되기위해 시료로부터 상기 제억격자로 가속되는 상기 제어격자로; 로 구성되는 환경 주사형 전자 현미경.
  44. 제43항에 있어서, 상기 다수의 제1동심 호형 부분들이 상기 다수의 제2동심 호형 부분들과 보통 반대로 배치되는 환경 주사형전자 현미경.
  45. 제43항에 있어서, 상기 내측, 중간 및 외측 전자 검출기들이 보통 동일한 수평면을 따라 정렬되는 환경 주사형 전자 현미경.
  46. 제43항에 있어서, 상기 일반 환형 전극 조립체가 상기 시료지지대의 약 10㎜위에 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
  47. 제46항에 있어서, 상기 제어 격자가 상기 시료 지지대의 약 1㎜위에 배치되는 환경 주사형 전자 현미경.
  48. 제47항에 있어서, 상기 일반 환형 전극 조립체가 바람직하게 300V+로 바이어스되는 환경 주사형 전자 현미경.
  49. 제48항에 있어서, 상기 시료 지지대가 바람직하게 접지되는 환경 주사형 전자 현미경.
  50. 제49항에 있어서, 상기 제어격자가 바람직하게 900V+로 바이어스되는 환경 주사형 전자 현미경.
  51. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900701285A 1988-10-14 1989-10-13 기체환경에서 사용되는 전자 검출기를 가진 환경 주사형 전자 현미경 KR940009764B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/257,754 US4897545A (en) 1987-05-21 1988-10-14 Electron detector for use in a gaseous environment
PCT/US1989/004611 WO1990004261A1 (en) 1988-10-14 1989-10-13 Improved electron detector for use in a gaseous environment
US257,754 1994-06-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900702558A true KR900702558A (ko) 1990-12-07
KR940009764B1 KR940009764B1 (ko) 1994-10-17

Family

ID=22977611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900701285A KR940009764B1 (ko) 1988-10-14 1989-10-13 기체환경에서 사용되는 전자 검출기를 가진 환경 주사형 전자 현미경

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4897545A (ko)
EP (1) EP0444085B1 (ko)
JP (1) JPH0650615B2 (ko)
KR (1) KR940009764B1 (ko)
CN (1) CN1018308B (ko)
AT (1) ATE178162T1 (ko)
AU (1) AU4528489A (ko)
CA (1) CA2000571C (ko)
DE (1) DE68928958T2 (ko)
IL (1) IL91971A (ko)
MX (1) MX163919B (ko)
WO (1) WO1990004261A1 (ko)
ZA (1) ZA897751B (ko)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168695A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Nikon Corp 荷電粒子顕微鏡
US5412211A (en) * 1993-07-30 1995-05-02 Electroscan Corporation Environmental scanning electron microscope
US5362964A (en) * 1993-07-30 1994-11-08 Electroscan Corporation Environmental scanning electron microscope
JP3291880B2 (ja) * 1993-12-28 2002-06-17 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
JPH07262959A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Nikon Corp 走査型電子顕微鏡
US5644132A (en) * 1994-06-20 1997-07-01 Opan Technologies Ltd. System for high resolution imaging and measurement of topographic and material features on a specimen
DE69504294T2 (de) * 1994-12-19 1999-04-08 Opal Technologies Ltd System zur Hochauflösungsbildgebung und Messung von topographischen Characteristiken und Materialcharakteristiken einer Probe
US5677531A (en) * 1995-08-08 1997-10-14 Nikon Corporation Scanning electron microscope
US5900667A (en) * 1996-10-04 1999-05-04 Etec Systems, Inc. Operating a solid state particle detector within a magnetic deflection field so as to minimize eddy currents
US6396063B1 (en) 1997-11-24 2002-05-28 Gerasimos Daniel Danilatos Radiofrequency gaseous detection device (RF-GDD)
US5945672A (en) * 1998-01-29 1999-08-31 Fei Company Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope
WO1999046797A1 (de) * 1998-03-10 1999-09-16 Erik Essers Rasterelektronenmikroskop
DE19845329C2 (de) * 1998-03-10 2001-09-27 Erik Essers Rasterelektronenmikroskop
US6501077B1 (en) * 1998-09-25 2002-12-31 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
JP4093662B2 (ja) * 1999-01-04 2008-06-04 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
EP1116932A3 (de) * 2000-01-14 2003-04-16 Leica Microsystems Wetzlar GmbH Messgerät und Verfahren zun Vermessen von Strukturen auf einem Substrat
US6392231B1 (en) * 2000-02-25 2002-05-21 Hermes-Microvision, Inc. Swinging objective retarding immersion lens electron optics focusing, deflection and signal collection system and method
GB0005717D0 (en) * 2000-03-09 2000-05-03 Univ Cambridge Tech Scanning electron microscope
WO2002005309A1 (de) * 2000-07-07 2002-01-17 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Detektor für variierende druckbereiche und elektronenmikroskop mit einem entsprechenden detektor
AUPQ932200A0 (en) * 2000-08-11 2000-08-31 Danilatos, Gerasimos Daniel Environmental scanning electron microscope
DE10256718B4 (de) * 2002-12-04 2004-10-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Probenuntersuchung mittels eines atmosphärischen oder druckvariablen Rasterelektronenmikroskops
DE10331137B4 (de) * 2003-07-09 2008-04-30 Carl Zeiss Nts Gmbh Detektorsystem für ein Rasterelektronenmikroskop und Rasterelektronenmikroskop mit einem entsprechenden Detektorsystem
JP4292068B2 (ja) * 2003-12-11 2009-07-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP4636897B2 (ja) 2005-02-18 2011-02-23 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ 走査電子顕微鏡
JP4732917B2 (ja) * 2006-02-15 2011-07-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡及び欠陥検出装置
JP4597077B2 (ja) * 2006-03-14 2010-12-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
WO2007117397A2 (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Fei Company Improved detector for charged particle beam instrument
US20080017811A1 (en) * 2006-07-18 2008-01-24 Collart Erik J H Beam stop for an ion implanter
DE102006043895B9 (de) 2006-09-19 2012-02-09 Carl Zeiss Nts Gmbh Elektronenmikroskop zum Inspizieren und Bearbeiten eines Objekts mit miniaturisierten Strukturen
JP5054990B2 (ja) 2007-01-30 2012-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査形電子顕微鏡
EP1953791A1 (en) * 2007-02-05 2008-08-06 FEI Company Apparatus for observing a sample with a particle beam and an optical microscope
JP5758577B2 (ja) * 2007-02-06 2015-08-05 エフ・イ−・アイ・カンパニー 高圧荷電粒子ビーム・システム
JP5276860B2 (ja) * 2008-03-13 2013-08-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
EP2105944A1 (en) * 2008-03-28 2009-09-30 FEI Company Environmental cell for a particle-optical apparatus
JP4597207B2 (ja) * 2008-03-31 2010-12-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
US7791020B2 (en) * 2008-03-31 2010-09-07 Fei Company Multistage gas cascade amplifier
US8299432B2 (en) * 2008-11-04 2012-10-30 Fei Company Scanning transmission electron microscope using gas amplification
US8222600B2 (en) * 2009-05-24 2012-07-17 El-Mul Technologies Ltd. Charged particle detection system and method
US8791426B2 (en) * 2009-11-24 2014-07-29 Lawrence Livermore National Security, Llc. Electron beam diagnostic system using computed tomography and an annular sensor
US8629395B2 (en) * 2010-01-20 2014-01-14 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam apparatus
JP5542537B2 (ja) * 2010-06-16 2014-07-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US9679741B2 (en) 2010-11-09 2017-06-13 Fei Company Environmental cell for charged particle beam system
JP5622779B2 (ja) * 2012-03-26 2014-11-12 株式会社東芝 試料分析装置および試料分析方法
US9383460B2 (en) 2012-05-14 2016-07-05 Bwxt Nuclear Operations Group, Inc. Beam imaging sensor
US9535100B2 (en) 2012-05-14 2017-01-03 Bwxt Nuclear Operations Group, Inc. Beam imaging sensor and method for using same
EP2682978B1 (en) * 2012-07-05 2016-10-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Contamination reduction electrode for particle detector
PL224742B1 (pl) * 2012-06-06 2017-01-31 Politechnika Wroclawska Zespolony detektor kierunkowy elektronów
EP2706554B1 (en) * 2012-09-10 2016-05-25 Fei Company Method of using a compound particle-optical lens
JP5909431B2 (ja) * 2012-09-27 2016-04-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US9190241B2 (en) 2013-03-25 2015-11-17 Hermes-Microvision, Inc. Charged particle beam apparatus
US9881769B2 (en) * 2013-10-08 2018-01-30 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device and charged particle beam device control method
DE102014226985B4 (de) 2014-12-23 2024-02-08 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Analysieren eines Objekts, Computerprogrammprodukt sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens
US9842724B2 (en) * 2015-02-03 2017-12-12 Kla-Tencor Corporation Method and system for imaging of a photomask through a pellicle
US10236156B2 (en) 2015-03-25 2019-03-19 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
WO2017027922A1 (en) * 2015-08-18 2017-02-23 Gerasimos Daniel Danilatos Wide field atmospheric scanning electron microscope
US10068744B2 (en) 2015-12-01 2018-09-04 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle optical apparatus for through-the lens detection of particles
US11443915B2 (en) 2017-09-26 2022-09-13 Asml Netherlands B.V. Detection of buried features by backscattered particles
TWI734035B (zh) * 2017-09-29 2021-07-21 荷蘭商Asml荷蘭公司 半導體基板、帶電粒子束設備、及用於判定帶電粒子信號之方法
CN107976458A (zh) * 2017-10-10 2018-05-01 中国科学院自动化研究所 低能量背散射电子探测器
US10777382B2 (en) 2017-11-21 2020-09-15 Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation
CN109030518B (zh) * 2018-06-04 2020-04-28 西安交通大学 一种适用于电子致解吸产额测试装置的可替代电子源
EP4117016A1 (en) * 2021-07-05 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle detector

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US27005A (en) * 1860-01-31 Machine for shaping hair-brush blocks
US3612859A (en) * 1968-01-31 1971-10-12 Westinghouse Electric Corp Method for measuring and controlling the density of a metallic vapor
FR2220871B1 (ko) * 1973-07-27 1978-01-20 Jeol Ltd
DE2921151C2 (de) * 1979-05-25 1982-12-02 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Vorrichtung zum Nachweis von in einem Abtast-Elektronenstrahlmikroskop von einer Probe ausgehenden Rückstreuelektronen
AU534811B2 (en) * 1979-07-03 1984-02-16 Unisearch Limited Atmospheric scanning electron microscope
US4596929A (en) * 1983-11-21 1986-06-24 Nanometrics Incorporated Three-stage secondary emission electron detection in electron microscopes
US4720633A (en) * 1986-01-17 1988-01-19 Electro-Scan Corporation Scanning electron microscope for visualization of wet samples
GB8604004D0 (en) * 1986-02-18 1986-03-26 Cambridge Instr Ltd Specimen chamber
GB8607222D0 (en) * 1986-03-24 1986-04-30 Welding Inst Charged particle collection
US4785182A (en) * 1987-05-21 1988-11-15 Electroscan Corporation Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere

Also Published As

Publication number Publication date
EP0444085B1 (en) 1999-03-24
EP0444085A1 (en) 1991-09-04
MX163919B (es) 1992-06-30
DE68928958T2 (de) 1999-09-23
CA2000571A1 (en) 1990-04-14
EP0444085A4 (en) 1992-06-10
AU4528489A (en) 1990-05-01
CA2000571C (en) 1994-05-31
ZA897751B (en) 1991-06-26
JPH0650615B2 (ja) 1994-06-29
ATE178162T1 (de) 1999-04-15
IL91971A0 (en) 1990-07-12
JPH04504325A (ja) 1992-07-30
IL91971A (en) 1994-06-24
DE68928958D1 (de) 1999-04-29
US4897545A (en) 1990-01-30
KR940009764B1 (ko) 1994-10-17
WO1990004261A1 (en) 1990-04-19
CN1042029A (zh) 1990-05-09
CN1018308B (zh) 1992-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900702558A (ko) 기체환경에서 사용하기 위한 전자 검출기
EP0753200B1 (en) Improved environmental scanning electron microscope
US5945672A (en) Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope
EP0786145B1 (en) Field emission environmental scanning electron microscope
KR970005031B1 (ko) 기체환경에서 2차 전자의 발생,증폭 및 검출장치와 그 방법
US5362964A (en) Environmental scanning electron microscope
CA1310141C (en) Integrated electronic optical/differential pumping/imaging signal detection system for an environmental scanning electron microscope
US6236053B1 (en) Charged particle detector
US4880976A (en) Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere
EP0275306A1 (en) MULTIPURPOSE GAS DETECTOR ARRANGEMENT FOR ELECTRONIC MICROSCOPES.
US5008537A (en) Composite apparatus with secondary ion mass spectrometry instrument and scanning electron microscope
US5900667A (en) Operating a solid state particle detector within a magnetic deflection field so as to minimize eddy currents
JPS6334588B2 (ko)
US6730907B1 (en) Charged particle device
US7470915B2 (en) Detector system of secondary and backscattered electrons for a scanning electron microscope
JP2973136B2 (ja) 粒子線装置
US2950390A (en) Electron lenses
US6630667B1 (en) Compact, high collection efficiency scintillator for secondary electron detection
US5485008A (en) Low magnification gas limiting aperture assembly for electron microscopy devices
US4219730A (en) Charge-particle energy analyzer
JPS6014737A (ja) 反射電子検出装置
JPS60172156A (ja) エネルギ−分析装置
AU7802387A (en) Scanning electron microscope

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19980831

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee