JP2973136B2 - 粒子線装置 - Google Patents
粒子線装置Info
- Publication number
- JP2973136B2 JP2973136B2 JP2311256A JP31125690A JP2973136B2 JP 2973136 B2 JP2973136 B2 JP 2973136B2 JP 2311256 A JP2311256 A JP 2311256A JP 31125690 A JP31125690 A JP 31125690A JP 2973136 B2 JP2973136 B2 JP 2973136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particle beam
- primary particle
- objective lens
- sample
- scintillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 23
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 27
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 21
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2443—Scintillation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特許請求の範囲請求項１の前段に記載した
型式の粒子線装置に関するものである。
型式の粒子線装置に関するものである。
請求項１の前段に記載した型式の装置は、既に公知で
ある（日本特許抜粋Vol.13,No.184参照）。
ある（日本特許抜粋Vol.13,No.184参照）。
今日、粒子線装置は、試料のマイクロ処理、例えば材
料の除去又は被覆、及び解析に使用されている。これら
の装置を画像作成モードで使用する場合、１次粒子線を
試料上に集束させ、その結果生じる２次放射線を検出し
てプロット（曲線を作成）している。
料の除去又は被覆、及び解析に使用されている。これら
の装置を画像作成モードで使用する場合、１次粒子線を
試料上に集束させ、その結果生じる２次放射線を検出し
てプロット（曲線を作成）している。
すなわち、２次放射線によって試料の表面上に画像が
生じるのである。該装置の解像力を増すため、粒子プロ
ーブ（筒）の直径をそれに応じて減少し、次式により１
次粒子プローブの電流ｉを減少している。
生じるのである。該装置の解像力を増すため、粒子プロ
ーブ（筒）の直径をそれに応じて減少し、次式により１
次粒子プローブの電流ｉを減少している。
ｉ＝Ｒ・π2/4・d2・α２ ただし、Ｒ＝粒子源のビーム指向値、 ｄ＝粒子プローブのプローブ直径、 α＝プローブ直径ｄを達成するために許容し
うる対物レンズの開口角度。
うる対物レンズの開口角度。
その結果、２次放射線も減少し、信号・雑音比S/Nが
悪くなる。したがって、S/N比を良好に保ち高画質の画
像を作成するには、画像記録時間を長くする必要があ
る。
悪くなる。したがって、S/N比を良好に保ち高画質の画
像を作成するには、画像記録時間を長くする必要があ
る。
公知の粒子線装置では、対物集束レンズと試料の間に
検出器を配置して２次放射線を検出している。この場
合、適当にバイアスした電極によって２次放射線を偏向
させ、加速してシンチレータに当てている。そこで発生
した光は、光増幅器で電気信号に変換すると共に増幅し
ている。他の検出器では、偏向された２次放射線をシン
チレータを介することなく直接増幅している。
検出器を配置して２次放射線を検出している。この場
合、適当にバイアスした電極によって２次放射線を偏向
させ、加速してシンチレータに当てている。そこで発生
した光は、光増幅器で電気信号に変換すると共に増幅し
ている。他の検出器では、偏向された２次放射線をシン
チレータを介することなく直接増幅している。
しかし、かような配置の吸引電界は、１次粒子線に悪
い影響を与える。それは、一方において１次粒子線を偏
向させ、他方において粒子プローブを拡大させるからで
ある。
い影響を与える。それは、一方において１次粒子線を偏
向させ、他方において粒子プローブを拡大させるからで
ある。
極端に小さい粒子プローブで動作する高解像度の装置
では、対物レンズの収差を十分小さく保つため、対物レ
ンズと試料の間隔を小さくする。すなわち、焦点距離を
極めて短くしなければならない。そうすると、２次放射
線を従来の検出器の配置で偏向させる場合、更に問題が
生じる。すなわち、一方において、上記の動作間隔を小
さくすればする程吸引電界力の浸透を弱め、他方におい
て、対物レンズの静電的集束電界が近いために競合する
吸引電界が生じる。これら２つの事実は、２次放射線の
収集及び検出を害する。
では、対物レンズの収差を十分小さく保つため、対物レ
ンズと試料の間隔を小さくする。すなわち、焦点距離を
極めて短くしなければならない。そうすると、２次放射
線を従来の検出器の配置で偏向させる場合、更に問題が
生じる。すなわち、一方において、上記の動作間隔を小
さくすればする程吸引電界力の浸透を弱め、他方におい
て、対物レンズの静電的集束電界が近いために競合する
吸引電界が生じる。これら２つの事実は、２次放射線の
収集及び検出を害する。
静電的対物レンズの中央電極を収集（コレクタ）電極
として使用すると、殆どすべての２次放射線を中央電極
に収集することができる。そこにシンチレータ材料を配
すると、２次放射線が光パルスに変換される。かような
構成により、最適なS/N比で極めて短時間に試料の画像
を作ることができる。
として使用すると、殆どすべての２次放射線を中央電極
に収集することができる。そこにシンチレータ材料を配
すると、２次放射線が光パルスに変換される。かような
構成により、最適なS/N比で極めて短時間に試料の画像
を作ることができる。
上述の構成にすれば、対物レンズと試料の間に検出器
を配置するためのスペースを設ける必要がない。よっ
て、対物レンズの動作距離、したがってレンズ収差を小
さく保つことができる。
を配置するためのスペースを設ける必要がない。よっ
て、対物レンズの動作距離、したがってレンズ収差を小
さく保つことができる。
このような配置はまた、中央電極の静電界が回転対称
であるため、１次粒子線に悪い影響を与えることがな
く、特に、粒子プローブの望ましくない偏向や拡大を起
こさない。
であるため、１次粒子線に悪い影響を与えることがな
く、特に、粒子プローブの望ましくない偏向や拡大を起
こさない。
上記の日本特許抜粋Vol.13,No.184による一般的な装
置では、対物レンズの３つの電極の開口は直径が同じで
ある。この場合、シンチレータとして構成される中央電
極は光導体によって検出器に接続されている。
置では、対物レンズの３つの電極の開口は直径が同じで
ある。この場合、シンチレータとして構成される中央電
極は光導体によって検出器に接続されている。
本発明の課題は、２次放射によってシンチレータ上に
発生する光エネルギができるだけ少ないロスで検出器に
転送されるように粒子線装置を構成することである。
発生する光エネルギができるだけ少ないロスで検出器に
転送されるように粒子線装置を構成することである。
この課題は、本発明によれば、請求項１ないし３の特
徴事項によって達成される。
徴事項によって達成される。
以下、図面により本発明を具体的に説明する。
第１図は、本発明の実施例を示す一部断面図である。
同図において、（１）は粒子線装置を全体として示し、
該装置は、１次粒子線（２）を発生する装置（図示せ
ず）を含み、静電的対物レンズ（３）により該粒子線
（２）を試料（４）上に集束させる。装置に応じ、１次
粒子線（２）は、イオン・ビーム又は電子ビームによっ
て形成しうる。
同図において、（１）は粒子線装置を全体として示し、
該装置は、１次粒子線（２）を発生する装置（図示せ
ず）を含み、静電的対物レンズ（３）により該粒子線
（２）を試料（４）上に集束させる。装置に応じ、１次
粒子線（２）は、イオン・ビーム又は電子ビームによっ
て形成しうる。
静電的対物レンズ（３）は、平坦な環状円板として構
成した３つの電極（3a），（3b），（3c）を有する。こ
れら３電極（3a），（3b），（3c）は、１次粒子線
（２）の方向に、該粒子線の軸が対物レンズ（３）の軸
（3d）と一致するように並べて配置する。
成した３つの電極（3a），（3b），（3c）を有する。こ
れら３電極（3a），（3b），（3c）は、１次粒子線
（２）の方向に、該粒子線の軸が対物レンズ（３）の軸
（3d）と一致するように並べて配置する。
中央の電極（3b）の開口の周りの狭い環状部分の、少
なくとも試料（４）から遠い側の面に、シンチレータ
（５）を形成するシンチレータ材料を固着する。例えば
光増幅器のような感光検出器（６）を、中央電極（3b）
のシンチレータ（５）に合せて静電的対物レンズ（３）
の上方に配置する。
なくとも試料（４）から遠い側の面に、シンチレータ
（５）を形成するシンチレータ材料を固着する。例えば
光増幅器のような感光検出器（６）を、中央電極（3b）
のシンチレータ（５）に合せて静電的対物レンズ（３）
の上方に配置する。
対物レンズにより集束した第１図に示すような１次粒
子線（例えば正イオン・ビーム）（２）は、試料（４）
上の衝突点Ａにおいて２次放射線を発生する。対物レン
ズ（３）の２つの外側の電極（3a），（3c）は接地する
が、中央電極（3b）には強い正電圧を加える。そうする
と、２次放射線の負の粒子（例えば電子）は、中央電極
（3b）の面上、したがってシンチレータ（５）の面上に
加速して当たる（線（７）で示す）。シンチレータ
（５）に当たった２次放射線は光パルスを発生し、該光
パルスは、光増幅器（６）に送られて電気信号に変換さ
れると共に増幅される。
子線（例えば正イオン・ビーム）（２）は、試料（４）
上の衝突点Ａにおいて２次放射線を発生する。対物レン
ズ（３）の２つの外側の電極（3a），（3c）は接地する
が、中央電極（3b）には強い正電圧を加える。そうする
と、２次放射線の負の粒子（例えば電子）は、中央電極
（3b）の面上、したがってシンチレータ（５）の面上に
加速して当たる（線（７）で示す）。シンチレータ
（５）に当たった２次放射線は光パルスを発生し、該光
パルスは、光増幅器（６）に送られて電気信号に変換さ
れると共に増幅される。
シンチレータ（５）は中央電極（3b）と共に十分に高
い電圧を有するので、２次放射線をシンチレータ（５）
に加速して当てるのに更に電圧を追加する必要がない。
い電圧を有するので、２次放射線をシンチレータ（５）
に加速して当てるのに更に電圧を追加する必要がない。
シンチレータ（５）は対物レンズ（３）の内部にある
ので、対物レンズ（３）と試料（４）の間の動作距離ｂ
を小さくすることができ、したがって、レンズ収差も小
さくすることができる。また、中央電極（3b）の電界は
回転対称であるため、一方において衝突点Ａにおける望
ましくない偏向を、他方において衝突点Ａにおける粒子
プローブの拡大を防止できる。
ので、対物レンズ（３）と試料（４）の間の動作距離ｂ
を小さくすることができ、したがって、レンズ収差も小
さくすることができる。また、中央電極（3b）の電界は
回転対称であるため、一方において衝突点Ａにおける望
ましくない偏向を、他方において衝突点Ａにおける粒子
プローブの拡大を防止できる。
第２図は、本発明要部の第２の例を示す断面図であ
る。本例では、対物レンズ（３）の上方にミラー装置
（10）より成る送光体を設ける。シンチレータ（５）に
生じる光パルスは、破線（11）で示すようにミラー装置
（10）により偏向されて光増幅器（６）に送られる。
る。本例では、対物レンズ（３）の上方にミラー装置
（10）より成る送光体を設ける。シンチレータ（５）に
生じる光パルスは、破線（11）で示すようにミラー装置
（10）により偏向されて光増幅器（６）に送られる。
上述したミラー装置（10）のような送光体のほかに、
レンズ装置を使用することもできる。
レンズ装置を使用することもできる。
第１図の対物レンズ（３）の中央電極（3b）には、２
つの電極（3a），（3c）の開口より小さい直径Dbをもつ
開口がある。該２電極（3a），（3c）は中央電極（3b）
に対し対称に構成し、配置してある。
つの電極（3a），（3c）の開口より小さい直径Dbをもつ
開口がある。該２電極（3a），（3c）は中央電極（3b）
に対し対称に構成し、配置してある。
第３図は、本発明要部の第３の例を示す断面図であ
る。本例の対物レンズ（３′）は、同じく平坦な静電的
対物レンズであるが電極の構成が非対称である。対物レ
ンズ（３′）の試料に近い外側の電極（３′ｃ）は、他
の２つの電極（３′ａ），（３′ｂ）の開口より小さい
直径Ｄ′ｃをもつ開口を有する。中央電極（３′ｂ）の
開口の直径Ｄ′ｂは、試料から遠い外側の電極（３′
ａ）の開口の直径Ｄ′ａより同じく小さい。
る。本例の対物レンズ（３′）は、同じく平坦な静電的
対物レンズであるが電極の構成が非対称である。対物レ
ンズ（３′）の試料に近い外側の電極（３′ｃ）は、他
の２つの電極（３′ａ），（３′ｂ）の開口より小さい
直径Ｄ′ｃをもつ開口を有する。中央電極（３′ｂ）の
開口の直径Ｄ′ｂは、試料から遠い外側の電極（３′
ａ）の開口の直径Ｄ′ａより同じく小さい。
第４図は、本発明要部の第４の例を示す一部断面図で
ある。本例の対物レンズ（３″）は円錐状の静電的対物
レンズで、その３つの電極（３″ａ），（３″ｂ），
（３″ｃ）は、それぞれ１次粒子線（２）の方向に次第
に先端が細くなる円錐素子として構成する。
ある。本例の対物レンズ（３″）は円錐状の静電的対物
レンズで、その３つの電極（３″ａ），（３″ｂ），
（３″ｃ）は、それぞれ１次粒子線（２）の方向に次第
に先端が細くなる円錐素子として構成する。
本発明には、あらゆるタイプの静電的対物レンズを使
用することができる。例えば、単体レンズ、平坦で円錐
構造のものや液浸レンズ等を用いることも可能である。
用することができる。例えば、単体レンズ、平坦で円錐
構造のものや液浸レンズ等を用いることも可能である。
上記の〔課題を解決するための手段及び作用〕に記載
した事項は本発明の効果にほかならないので、重複記載
を省略する。
した事項は本発明の効果にほかならないので、重複記載
を省略する。
第１図は本発明の実施例を示す一部断面図、第２図は本
発明要部の第２の例を示す断面図、第３図は本発明要部
の第３の例を示す断面図、第４図は本発明要部の第４の
例を示す断面図である。 なお、図面の符号については、特許請求の範囲において
図示の実施（具体）例と対応する構成要素に付記して示
したので、重複記載を省略する。
発明要部の第２の例を示す断面図、第３図は本発明要部
の第３の例を示す断面図、第４図は本発明要部の第４の
例を示す断面図である。 なお、図面の符号については、特許請求の範囲において
図示の実施（具体）例と対応する構成要素に付記して示
したので、重複記載を省略する。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/244 H01J 37/12
Claims (7)
- 【請求項１】ａ）１次粒子線（２）を発生する装置と、 ｂ）該１次粒子線（２）を試料（４）上に集束し、該１
次粒子線の方向に並べて配置した３つの回転対称の電極
（3a,3b,3c）を有し、上記１次粒子線（２）の軸と一致
する軸（3d）をもつ静電的対物レンズ（３）と、 ｃ）上記１次粒子線（２）の衝突点（Ａ）において上記
試料（４）上で放射される２次放射線を偏向させる装置
と、 ｄ）上記２次放射線の通路内に配置され、上記対物レン
ズ（３）の中央電極（3b）によって形成され、感光検出
器（６）と結合されたシンチレータ（５）と を含むイオンビーム装置又は電子ビーム装置のような粒
子線装置において、 ｅ）上記シンチレータ（５）は上記検出器（６）とミラ
ー装置又はレンズ装置によって結合され、 ｆ）上記対物レンズ（３）の中央電極（3b）は、該中央
電極と対称的に配置され構成された上記２つの電極（3
a,3c）より小さい直径（Db）の開口を有する ことを特徴とする粒子線装置。 - 【請求項２】ａ）１次粒子線を発生する装置と、 ｂ）該１次粒子線を試料上に集束し、該１次粒子線の方
向に並べて配置した３つの回転対称の電極（３′a,3′
b,3′ｃ）を有し、上記１次粒子線の軸と一致する軸を
もつ静電的対物レンズ（３′）と、 ｃ）上記１次粒子線の衝突点において上記試料上で放射
される２次放射線を偏向させる装置と、 ｄ）上記２次放射線の通路内に配置され、上記対物レン
ズ（３′）の中央電極（３′ｂ）によって形成され、感
光検出器と結合されたシンチレータ（５）と を含むイオンビーム装置又は電子ビーム装置のような粒
子線装置において、 ｅ）上記シンチレータ（５）は上記検出器とミラー装置
又はレンズ装置によって結合され、 ｆ）上記対物レンズ（３′）の上記試料に面する電極
（３′ｃ）は、他の２つの電極（３′a,3′ｂ）より小
さい直径（Ｄ′ｃ）の開口を有し、その中央電極（３′
ｂ）は、上記試料から遠い電極（３′ａ）より小さい直
径（Ｄ′ｂ）の開口を有する ことを特徴とする粒子線装置。 - 【請求項３】ａ）１次粒子線（２）を発生する装置と、 ｂ）該１次粒子線（２）を試料上に集束し、該１次粒子
線の方向に並べて配置した３つの回転対称の電極（３″
a,3″b,3″ｃ）を有し、上記１次粒子線（２）の軸と一
致する軸をもつ静電的対物レンズ（３″）と、 ｃ）上記１次粒子線の衝突点において上記試料上で放射
される２次放射線を偏向させる装置と、 ｄ）上記２次放射線の通路内に配置され、上記対物レン
ズ（３″）の中央電極（３″ｂ）によって形成され、感
光検出器と結合されたシンチレータ（５）と を含むイオンビーム装置又は電子ビーム装置のような粒
子線装置において、 ｅ）上記シンチレータ（５）は上記検出器とミラー装置
又はレンズ装置によって結合され、 ｆ）上記対物レンズ（３″）の電極（３″a,3″b,3″
ｃ）は、それぞれ上記１次粒子線（２）の方向に先端が
次第に細くなった円錐素子として構成される ことを特徴とする粒子線装置。 - 【請求項４】上記１次粒子線（２）がイオンビームによ
って形成されることを特徴とする請求項1,2又は３記載
の装置。 - 【請求項５】上記１次粒子線（２）が電子ビームによっ
て形成されることを特徴とする請求項1,2又は３記載の
装置。 - 【請求項６】上記対物レンズ（3;3′）の電極（3a,3b,3
c;3′a,3′b,3′ｃ）が平坦な環状円板として構成され
ることを特徴とする請求項１又は２記載の装置。 - 【請求項７】上記中央電極（3b,3′b,3″ｂ）の開口の
周囲の狭い環状部分の少なくとも上記試料から遠い面に
シンチレータ材料を固着して上記シンチレータ（５）を
形成することを特徴とする請求項1,2又は３記載の装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3938660A DE3938660A1 (de) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | Korpuskularstrahlgeraet |
| DE3938660.0 | 1989-11-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173054A JPH03173054A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2973136B2 true JP2973136B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=6393947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311256A Expired - Fee Related JP2973136B2 (ja) | 1989-11-21 | 1990-11-16 | 粒子線装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5061856A (ja) |
| EP (1) | EP0428906B1 (ja) |
| JP (1) | JP2973136B2 (ja) |
| DE (2) | DE3938660A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4000579A1 (de) * | 1990-01-10 | 1991-07-11 | Integrated Circuit Testing | Ionenstrahlgeraet sowie verfahren zur durchfuehrung von potentialmessungen mittels eines ionenstrahles |
| JPH071681B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1995-01-11 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
| DE4027062A1 (de) * | 1990-08-27 | 1992-04-23 | Integrated Circuit Testing | Verfahren und anordnung zum testen und reparieren einer integrierten schaltung |
| DE69223088T2 (de) * | 1991-06-10 | 1998-03-05 | Fujitsu Ltd | Apparat zur Musterüberprüfung und Elektronenstrahlgerät |
| US5557105A (en) * | 1991-06-10 | 1996-09-17 | Fujitsu Limited | Pattern inspection apparatus and electron beam apparatus |
| US5122663A (en) * | 1991-07-24 | 1992-06-16 | International Business Machine Corporation | Compact, integrated electron beam imaging system |
| GB2314926B (en) * | 1996-07-01 | 1999-08-25 | K E Developments Ltd | Detector devices |
| EP0917178A1 (de) * | 1997-11-17 | 1999-05-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Detektor für Sekundärkorpuskeln und dessen Anordnung in einem Korpuskularstrahlgerät |
| US20010032938A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-10-25 | Gerlach Robert L. | Through-the-lens-collection of secondary particles for a focused ion beam system |
| DE10317894B9 (de) | 2003-04-17 | 2007-03-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren |
| DE102010026169B4 (de) * | 2010-07-06 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlsystem |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3936645A (en) * | 1974-03-25 | 1976-02-03 | Radiologic Sciences, Inc. | Cellularized Luminescent structures |
| KR850001390B1 (ko) * | 1980-07-31 | 1985-09-24 | 니혼 덴시 가부시끼 가이샤 | 2차 전자 검출장치 |
| JPS60212953A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
| DE3500903A1 (de) * | 1985-01-12 | 1986-07-17 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Detektor fuer rueckstreuelektronen |
| JPS61190839A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Canon Inc | 荷電粒子線装置 |
| DE3703028A1 (de) * | 1987-02-02 | 1988-09-01 | Siemens Ag | Rastermikroskop |
| US4831267A (en) * | 1987-02-16 | 1989-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Detector for charged particles |
| JP2551984B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-11-06 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡 |
| US4987311A (en) * | 1989-08-08 | 1991-01-22 | Etec Systems, Inc. | Electron-detector diode biassing scheme for improved writing by an electron beam lithography machine |
-
1989
- 1989-11-21 DE DE3938660A patent/DE3938660A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-10-25 EP EP90120506A patent/EP0428906B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 DE DE59008348T patent/DE59008348D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-14 US US07/612,507 patent/US5061856A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-16 JP JP2311256A patent/JP2973136B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3938660A1 (de) | 1991-05-23 |
| EP0428906B1 (de) | 1995-01-25 |
| DE59008348D1 (de) | 1995-03-09 |
| US5061856A (en) | 1991-10-29 |
| JPH03173054A (ja) | 1991-07-26 |
| EP0428906A3 (en) | 1991-11-13 |
| EP0428906A2 (de) | 1991-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4236742B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| US7425701B2 (en) | Electron-beam device and detector system | |
| JP4037533B2 (ja) | 粒子線装置 | |
| US4442355A (en) | Device for detecting secondary electrons in a scanning electron microscope | |
| EP1288996B1 (en) | Particle beam apparatus | |
| US5008537A (en) | Composite apparatus with secondary ion mass spectrometry instrument and scanning electron microscope | |
| JP2973136B2 (ja) | 粒子線装置 | |
| JP3170680B2 (ja) | 電界磁気レンズ装置及び荷電粒子線装置 | |
| JPH0736321B2 (ja) | 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置 | |
| US6730907B1 (en) | Charged particle device | |
| JP4205224B2 (ja) | エネルギーフィルタを有する粒子線装置 | |
| US3717761A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP2632808B2 (ja) | 定量的電位測定用スペクトロメーター対物レンズ装置 | |
| JPS5958749A (ja) | 複合対物および放射レンズ | |
| JP4562945B2 (ja) | 粒子ビーム装置 | |
| EP0790634B1 (en) | Electrostatic-magnetic lens arrangement | |
| JPH0935679A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP3432091B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP3244620B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2002025492A (ja) | 静電ミラーを含む荷電粒子ビーム画像化装置用低プロフィル電子検出器を使用して試料を画像化するための方法および装置 | |
| JP4256300B2 (ja) | 基板検査方法および基板検査装置 | |
| US4219730A (en) | Charge-particle energy analyzer | |
| JP4146103B2 (ja) | 電界放射型電子銃を備えた電子ビーム装置 | |
| JPH03295141A (ja) | 検出器 | |
| JP3152455B2 (ja) | 荷電粒子のエネルギー分布測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |