KR900011003A - 집적된 반도체 장치 - Google Patents

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KR900011003A
KR900011003A KR1019890020300A KR890020300A KR900011003A KR 900011003 A KR900011003 A KR 900011003A KR 1019890020300 A KR1019890020300 A KR 1019890020300A KR 890020300 A KR890020300 A KR 890020300A KR 900011003 A KR900011003 A KR 900011003A
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KR1019890020300A
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가망 파트리쎄
가비야르 베르트랑
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

집적된 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 개략적인 회로도, 제2도는 마이크로웨이브 입력 신호를 점선인 곡선 A로 그리고 2분할된 마이크로웨이브 출력 신호를 실선인 곡선 B로 나타낸 도시도, 제3도는 상기 회로의 신호의 시퀀싱 도시도.

Claims (14)

  1. 주파수f0에서 입력 신호에 의해 제어되는 인버터단 P1및 스위치 T2를 포함하는 주파수 2분할 회로를 포함한 집적된 반도체 장치에 있어서, 인버터가 동조 임피던스와 발진기를 형성하기 위해 네거티브 레지스터를 형성하는 네거티브 소자 Zc를 갖춘 트랜지스터 T1를 포함하며, 스위치 T2가 상기 네거티브 소자 Zf와 나란히 연결되며, 상기 스위치T2의 폐쇄시간 r0과 충전된 트랜지스터 T1에 의해 수행된 지연 r1및 리액턴스를 가진 소자의 변이시간 r2이 3개의 관계에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
    r2〉rO
    1/2(r0+r)〈fo〈1/(r0+r1)
    1/(r1+r2)〈fo
  2. 제1항에 있어서, 인버터단이 드레인과 어스 M간에 인가된 로드 R1를 갖추며, 마이크로웨이브 출력 S이 상기 인버터단의 트랜지스터 T1의 드레인에 따르는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 반응 소자가 인버터 트랜지스터 T1의 게이트와 드레인간에 연결된 전송 라인인 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 동조 임피던스가 전송 라인인 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서, 동조 임피던스의 구성을 위해, 제1전송 라인이 인버터 트랜지스터 T1의 게이트와 어스간에 놓여지며, 제2전송 라인이 상기 트랜지스터 T1의 소스와 어스간에 놓여지며, 제3전송라인이 상기 트랜지스터 T1의 드레인과 어스간에 놓여지는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 인버터단이 인버터 트랜지스터 T1의 게이트와 어스간의 동조 임피던스와 직렬로 놓여진 캐패시터를 포함한 바이어싱 수단을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 캐패시터가 인버터 트랜지스터의 드레인과 어스간의 동조 임피던스와 직렬로 놓여지는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 캐패시터가 동조 임피던스를 형성하기 위해 인버터 트랜지스터의 소스와 어스간의 전송 라인과 병렬로 놓여지는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 감결합 캐패시터가 인버터 트랜지스터 T1의 게이트와 드레인간의 반응 소자와 직렬로 놓여지는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 스위칭 트랜지스터의 제어 전극을 입력신호 E의 발생기에 매치시키기 위해서, 레지스터 RE가 상기 전극과 어스간에 놓여지는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  11. 제10항에 있어서, 입력 신호의 부재시, 출력에서의 잔여 신호의 존재를 제거하기 위해서, 스위칭 트랜지스터 T2의 제어전극이 캐패시터와 직렬로 레지스터 RE를 통해 어스에 연결되며, 바이어싱 전압이 상기 레지스터 RE와 캐패시터의 공통 지점에 인가되는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서, 전원 매칭 회로가 인버터 트랜지스터 T1의 드레인과 출력 S간에 놓여지며, 로드 레지스터 R1이 상기 출력 S와 어스간에 인가되어, 회로의 전환 이득을 초래하는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  13. 선행항중 어느 한 항에 있어서, 상기 회로가 감소 형태인 MESTFT 또는 HEMT로서 언급한 형태의 전계 효과 트랜지스터를 이용한 기술로 갈륨 아세나이드로 구성된 기판상에 모놀리스 식으로 집적되는 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
  14. 제13항에 있어서, 인버터 트랜지스터 T1의 게이트 폭이 스위칭 트랜지스터 T2의 게이트 폭보다 더크며, 상기 트랜지스터의 핀치-오프 전압 VT이 -0.6v이 크기이며, 회로의 동작조건이 이하 관계에 의해 표현되며, VE(로)〈-0.9v, VE(하이)〉-0.3v 여기서 관계VE(로)가 입력신호 E의 낮은 레벨이고, VE(하이)가 상기 입력 신호의 높은 레벨인 것을 특징으로 하는 집적된 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890020300A 1988-12-30 1989-12-30 집적된 반도체 장치 KR900011003A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8817495A FR2641426B1 (fr) 1988-12-30 1988-12-30 Dispositif semiconducteur integre incluant un diviseur de frequences pour applications hyperfrequences
FR8817495 1988-12-30

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KR900011003A true KR900011003A (ko) 1990-07-11

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KR1019890020300A KR900011003A (ko) 1988-12-30 1989-12-30 집적된 반도체 장치

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EP (1) EP0376388A1 (ko)
JP (1) JPH02226902A (ko)
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FR2641426B1 (fr) 1991-03-15
FR2641426A1 (fr) 1990-07-06
US5089717A (en) 1992-02-18
EP0376388A1 (fr) 1990-07-04
JPH02226902A (ja) 1990-09-10

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