KR900007109A - 트랜치를 이용한 mos fet 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000009271 trench method Methods 0.000 title 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
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- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66613—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
- H01L29/66621—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation using etching to form a recess at the gate location
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 MOSFET 구조를 보인 단면도.
제2도는 본 발명의 트랜치를 이용한 MOSFET 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : P형기판 12 : 필드산화막
13 : 트랜치 14 : 게이트산화막
15 : 다결정실리콘층 17 : 소오스
18 : 드레인 20 : 게이트전극
21 : 유전체층 22 : 소오스전극
23 : 드레인전극
Claims (2)
- p형기판(11)에 소자간의 격리를 위한 필드산화막(12)이 형성되고, 그 p형기판(11)의 트랜치(13)에 게이트산화막(14), 다결정실리콘층(15), 텅스텐등의 게이트전극(20)이 순차 형성되며, 상기 게이트산화막(14)과 필드산화막(12)사이에 소오스(17), 드레인(18)이 형성되고, 그 위에 유전체층(21)의 개재하에 소오스전극(22) 및 드레인전극(23)이 형성되어 구성된 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 MOS FET.
- p형기판(11)에 소자들 사이의 격리를 위한 필드산화막(12)을 형성하고, 게이트마스크를 이용하여 트렌치(13)을 형성한 후 게이트산화막(14)을 형성하고 붕소이온을 주입하며, 이후 상기 게이트산화막(14) 및 필드산화막(12)위에 N+이온도우핑실리콘을 증착하여 다결정실리콘층(15)을 형성한 후 그라인딩 및 폴리싱에 의해 트렌치(13)의 내부에만 다결정실리콘층(15)을 남기고, 이후 그 위에 산화막(16)을 형성한 후 소오스/드레인 마스크에 의해 N+이온을 주입하여 소오스(17) 및 드레인(18)을 형성하고, 플러그 마스크에 의해 포토레지스트(19)를 형성하며, 이후 상기 다결정실리콘층(15)위의 상기 산화막(16)을 에칭한 후 트렌치(13)에 텅스텐등의 게이트전극(20)을 형성하고, 상기 포토레지스트(19)를 제거하며, 이후 상기 산화막(16)을 제거한 후 유전체층(21)을 형성하고, 상기 소오스(17) 및 드레인(18)의 상부에 소오스전극(22) 및 드레인전극(23)을 형성하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 MOSFET 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880014281A KR970000463B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 트랜치를 이용한 mosfet 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880014281A KR970000463B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 트랜치를 이용한 mosfet 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900007109A true KR900007109A (ko) | 1990-05-09 |
| KR970000463B1 KR970000463B1 (ko) | 1997-01-11 |
Family
ID=19278925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880014281A KR970000463B1 (ko) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 트랜치를 이용한 mosfet 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970000463B1 (ko) |
-
1988
- 1988-10-31 KR KR1019880014281A patent/KR970000463B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970000463B1 (ko) | 1997-01-11 |
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