KR900002481A - 초전도체원료 및 초전도체의 제법 및 초전도체원료 - Google Patents

초전도체원료 및 초전도체의 제법 및 초전도체원료 Download PDF

Info

Publication number
KR900002481A
KR900002481A KR1019890005450A KR890005450A KR900002481A KR 900002481 A KR900002481 A KR 900002481A KR 1019890005450 A KR1019890005450 A KR 1019890005450A KR 890005450 A KR890005450 A KR 890005450A KR 900002481 A KR900002481 A KR 900002481A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
superconductor
raw material
casing
grinding
mixing
Prior art date
Application number
KR1019890005450A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920007800B1 (ko
Inventor
마스오 호소가와
마끼오 나이또오
마사히로 요시가와
도오헤이 요꼬야마
Original Assignee
마스오 호소가와
호소가와 미크론 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP63169475A external-priority patent/JPH0218306A/ja
Priority claimed from JP63171500A external-priority patent/JPH0222163A/ja
Priority claimed from JP63208676A external-priority patent/JPH0256813A/ja
Application filed by 마스오 호소가와, 호소가와 미크론 가부시끼가이샤 filed Critical 마스오 호소가와
Publication of KR900002481A publication Critical patent/KR900002481A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920007800B1 publication Critical patent/KR920007800B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/786—Manufacturing system or apparatus for making high temperature, i.e. tc greater than 30 k superconductor product, device, article or stock, i.e. which system or apparatus does not itself contain a superconducting component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49014—Superconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

초전도체원료 및 초전도체의 제법 및 초전도체원료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 마쇄혼합장치의 개념도.
제4도는 실험을 설명하기 위한 박막제조장치의 개념도.

Claims (18)

  1. 초전도체의 분입상 1차원료(m1)를 건식의 분쇄혼합장치에서 1차 분쇄혼합처리(S1)하는 단계, 그의 1차 분쇄혼합처리(S1)로 얻은 1차원료(m1)를 열처리9S2)하는 단계, 그의 열처리(S2)에서 얻은 1차상원료(m1)를 상기 건식의 분쇄혼합장치에서 2차 분쇄혼합처리(S3)하여, 초전도체의 미분상 2차원료(m2)를 얻는 단계로 이루어지며 상기 분쇄혼합장치가 상기 1차원료(m1)를 내부에 간직하는 케이싱(4), 상기 케이싱(4)내의 상기 1차원료(m1)를 마쇄하는 동시에 교반혼합하는 마쇄혼합수단(9a),(9b)을 포함하고 상기 1차 분쇄혼합처리(S1) 및 2차 분쇄혼합처리(S3)가 상기 케이싱(4)을 고속 구동회전시켜서 상기 1차원료(m1)를 그의 케이싱(4)의 내주면(4a)에 원심력으로 누르고, 그 누름으로 형성한 원료층을 마쇄혼합수단(9a),(9b)에 의해서 마쇄하는동시에 교반혼합하는 것을 특징으로 하는 초전도체 원료의 제법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마쇄혼합수단(9a),(9b)이 상기 케이싱(4)에 대하여 상대이동하여 상기 원료층을 마쇄하는 마쇄편(9a), 상기 케이싱(4)에 대하여 상대이동하여 상기 원료층을 교반혼합하는 소취편(9b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도체 원료의 제법.
  3. 제2항에 있어서, 마쇄편(9a) 및 소취편(9b)이 상기 케이싱(4)에 대하여 상대회전하는 것을 특징으로 하는 초전도체 원료의 제법.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 원심력을 생기게 하는 가속도가 100G이상인 것을 특징으로 하는 초전도체 원료의 제법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2차원료(m2)가 초전도체의 박막을 만들기 위해 타아갯재의 미분상원료인 것을 특징으로 하는 초전도체 원료의 제법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 2차원료(m2)가 초전도 선재원료인 것을 특징으로 하는 초전도체 원료의 제법.
  7. 초전도체의 분입상 1차원료(m1)를 건식의 분쇄혼합장치에서 1차 분쇄혼합처리(S1)하는 단계, 그의 1차 분쇄혼합처리(S1)로 얻은 1차원료(m1)를 열처리(S2)하는 단계, 그의 열처리(S2)에서 얻은 1차상원료(m1)를 상기 건식의 분쇄혼합장치에서 2차 분쇄혼합처리(S3)하여, 초전도체의 미분상 2차원료(m2)를 얻는 단계, 그의 2차 분쇄혼합처리(S3)에서 얻은 2차원료(m2)를 성형(S4)하여 소성(S5)하여 초전도체(M1,M2)를 얻는 단계로 이루어지며, 상기 분쇄혼합장치가 상기 1차원료(m1)를 내부에 간직하는 케이싱(4), 상기 케이싱(4)에 대하여 상대이동을 행하는 마쇄편(9a), 상기 케이싱(4)에 대하여 상대이동을 행하는 소취편(9b)을 포함하고, 상기 1차 분쇄혼합처리(S1) 및 2차 분쇄혼합처리(S3)가 상기 캐이싱(4)을 고속 구동회전시켜서, 상기 1차원료(m1)를 그의 케이싱(4)의 내주면(4a)에 원심력으로 누르고, 그 누름으로 형성된 원료를 상기 마쇄편(9a)에 의해서 마쇄하는 동시에 상기 소취편(9b)에 의해 교반혼합하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 초전도체가 초전도선재이고 상기 2차 원료의 성형(S4) 및 소성(S5)이 상기 2차 원료(m2)를 파이프에 충전(S6)하는 단계, 그의 충전한 파이프를 신선처리(S7)하는 단계, 그의 신선처리(S7)에서 얻은 파이프내의 상기 2차 원료(m2)를 소결처리(S8)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제법.
  9. 초전도체의 분입상 1차원료(m1)를 건식의 분쇄혼합장치에서 1차 분쇄혼합처리(S1)하는 단계, 그의 1차 분쇄혼합처리(S1)로 얻은 1차원료(m1)를 열처리(S2)하는 단계, 그의 열처리(S2)에서 얻은 1차상원료(m1)를 상기 건식의 분쇄혼합장치에서 2차 분쇄혼합처리(S3)하는 단계, 초전도체의 미분상 2차원료(m2)를 얻는 단계, 그의 2차 분쇄혼합처리(S3)에서 얻은 2차원료(m2)를 양도전성의 케이싱에 충전(S9)하여 분말 타아겟재(M3)를 얻는 단계로 이루어지고 상기 분쇄혼합장치가 상기 1차원료(m1)를 내부에 간직하는 케이싱(4), 상기 케이싱(4)에 대하여 상대이동을 행하는 마쇄편(9a), 상기 케이싱(4)에 대하여 상대이동을 행하는 소취편(9b)을 포함하고, 상기 1차 분쇄혼합처리(S1) 및 2차 분쇄혼합처리(S3)가 상기 케이싱(4)을 고속구동회전시켜서 상기 1차원료(m1)를 그의 케이싱(4)의 내주면(4a)에 원심력으로 누르고, 그 누름으로 형성된 원료를 상기 마쇄편(9a)에 의해서 마쇄하는 동시에 상기 소취편(9b)에 의해 교반혼합하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 박막을 만들기 위한 분말 타아겟재의 제법.
  10. 초전도체의 분입심체(m2')를 피복재(mc)로 덮은 것을 특징으로 하는 초전도체 원료.
  11. 제10항에 있어서, 상기 피복재(mc)가 상기 분입심체(m2')의 초전도성이 손상되는 온도이하의 융점을 가지는 것을 특징으로 하는 초전도체 원료.
  12. 제11항에 있어서, 상기 분입심체(m2')가 Y를 포함하며 상기 피복재(mc)의 융점이 450℃이하인 것을 특징으로 하는 초전도체 원료.
  13. 제11항에 있어서, 상기 분입심체(m2')가 Bi를 포함하며 상기 피복재(mc)의 융점이 800℃이하인 것을 특징으로 하는 초전도체 원료.
  14. 초전도체의 미분상 2차원료(m2)를 소결처리(S10)하여, 분입심체(m2')를 만드는 단계, 그의 분입심체(m2')를 피복재(mc)로 피복처리(S11)하여 미분상 3차원료(m3)를 만드는 단계, 그의 3차 원료(m3)를 형에 충전(S4)하여 가열(S12)하여 상기 피복재(mc)를 열용융시키는 단계, 상기 형내의 상기 3차원료(m3)를 냉각(S13)하여, 그의 피복재(B)의 냉각 경화에 의해서 성형제품(M5,M6)을 만드는 단계로 이루어지는 초전도체의 제법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 피복재(mc)가 상기 분임심체(m2')의 초전도성이 손상이 되는 온도이하의 융점을 가지는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제법.
  16. 제15하에 있어서, 상기 분임심체(m2')가 Y를 포함하며 상기 피복재(mc)의 융점이 450℃이하이며, 상기 분입심체(m2')를 형으로 충전한후의 가열(S12)온도가 550℃이하인 것을 특징으로 하는 초전도체의 제법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 분임심체(m2')가 Bi를 포함하며 상기 피복재(mc)의 융점이 800℃이하이며, 상기 분임심체(m2')를 형으로 충전한후의 가열(S12)온도가 8000℃이하인 것을 특징으로 하는 초전도체의 제법.
  18. 제14항 내지 제17항중 어느 한항에 있어서, 상기 초전도체가 초전도선재(M6)이고, 상기 피복재(mc)가 미분 또는 박편으로된 Au또는 Ag의 한쪽 또는 양쪽이고 상기 형으로의 충전(S4)이 상기 3차원료(m3)를 파이프에 충전(S6)하여 그의 3차원료를 충전한 파이프를 신선처리(S7)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도체의 제법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890005450A 1988-07-07 1989-04-25 초전도체원료 및 초전도체의 제법 및 초전도체원료 KR920007800B1 (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-169475 1988-07-07
JP63169475A JPH0218306A (ja) 1988-07-07 1988-07-07 超電導体原料
JP63-171500 1988-07-08
JP63171500A JPH0222163A (ja) 1988-07-08 1988-07-08 反磁性体の製法、並びに、反磁性体
JP62-171500 1988-07-08
JP63-208676 1988-08-23
JP63208676A JPH0256813A (ja) 1988-08-23 1988-08-23 超電導線材の製法、並びに、超電導線材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900002481A true KR900002481A (ko) 1990-02-28
KR920007800B1 KR920007800B1 (ko) 1992-09-17

Family

ID=27323179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890005450A KR920007800B1 (ko) 1988-07-07 1989-04-25 초전도체원료 및 초전도체의 제법 및 초전도체원료

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5081072A (ko)
EP (1) EP0349728B1 (ko)
KR (1) KR920007800B1 (ko)
DE (1) DE68925076T2 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5034373A (en) * 1989-12-22 1991-07-23 Inco Alloys International, Inc. Process for forming superconductor precursor
CA2060088A1 (en) * 1991-01-30 1992-07-31 Koichi Tsutsui Method for making a powder coating
US6240619B1 (en) * 1994-10-17 2001-06-05 The University Of Chicago Thermomechanical means to improve the critical current density of BSCCO tapes
US6008163A (en) * 1994-11-14 1999-12-28 Purdue Research Foundation Process for slip casting textured tubular structures
US5674814A (en) * 1994-11-14 1997-10-07 University Of Chicago Synthesis of increased-density bismuth-based superconductors with cold isostatic pressing and heat treating
US5998336A (en) * 1997-02-26 1999-12-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Ceramic/metal and A15/metal superconducting composite materials exploiting the superconducting proximity effect and method of making the same
US20040052984A1 (en) * 1997-05-13 2004-03-18 Toth Richard E. Apparatus and method of treating fine powders
AU2001273638A1 (en) * 2000-06-27 2002-01-08 Nove Technologies, Inc. Layer deposition on superconductor particles by sputtering or evaporation
US20090061314A1 (en) * 2007-08-30 2009-03-05 Ming Dong Method of Processing Active Materials For Use In Secondary Electrochemical Cells

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US513197A (en) * 1894-01-23 Henry james ralph pamphiloisr
US1426118A (en) * 1922-01-24 1922-08-15 Sonsthagen Asbjorn Machine for mixing chocolate or other material
GB264324A (en) * 1926-01-20 1927-01-20 David John Rees Improvements in or relating to grinding, crushing, pulverizing, mixing and separating machines
US2210467A (en) * 1937-11-30 1940-08-06 Smith Sidney Richard Nelson Mill for grinding liquids or powders
US2524884A (en) * 1947-06-03 1950-10-10 Ernest J Clerk Shear grinding mill with centrifugally positioned pestles
US2589917A (en) * 1947-11-27 1952-03-18 L & C Hardtmuth Inc Grinding mill
US2578180A (en) * 1948-09-02 1951-12-11 Allis Chalmers Mfg Co Scrubber with lining and paddles of rubbery materials
FR1060569A (fr) * 1951-07-24 1954-04-02 Broyeur
JPS58153544A (ja) * 1982-03-10 1983-09-12 ホソカワミクロン株式会社 摩砕機
CA1340569C (en) * 1987-05-05 1999-06-01 Sungho Jin Superconductive body having improved properties, and apparatus and systems comprising such a body

Also Published As

Publication number Publication date
DE68925076D1 (de) 1996-01-25
US5081072A (en) 1992-01-14
KR920007800B1 (ko) 1992-09-17
EP0349728A3 (en) 1990-09-12
EP0349728B1 (en) 1995-12-13
EP0349728A2 (en) 1990-01-10
DE68925076T2 (de) 1996-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900002481A (ko) 초전도체원료 및 초전도체의 제법 및 초전도체원료
US2516065A (en) Process of producing pearlescent articles
FR2366678A1 (fr) Procede de preparation d'aimants a base de (lnco) lies par matiere plastique
JPS5550953A (en) Production of ceramic core for precision casting
RU2039022C1 (ru) Способ получения керамических изделий с высокой плотностью из высокотемпературных сверхпроводящих материалов
JPH0222163A (ja) 反磁性体の製法、並びに、反磁性体
JPH0563014A (ja) モールド成形方法及びモールド成形機
JPS62164509A (ja) 遠赤外線放射材の製造法
JPS6445018A (en) Manufacture of superconductive material
SU482246A1 (ru) Способ подготовки порошкообразных материалов к формированию
ES416451A1 (es) Procedimiento y dispositivo para la fabricacion de esferas huecas, particularmente de hormigon.
JPH0313961B2 (ko)
JPS606422A (ja) モ−ルド成形装置
WONG Kinetics and mechanisms of single phase solid state sintering[Ph. D. Thesis]
JPS5793112A (en) Rotational molding method for plastic
RU2017275C1 (ru) Способ получения сверхпроводящего композиционного материала
JPS5670436A (en) Temperature sensor of electronic thermometer and manufacture thereof
JPS5787913A (en) Manufacture of artificial marble
WARE Thermal expansion resin transfer molding(TERTM) TM/An advanced composite mass production process
JPS58135133A (ja) フエライト磁性材料
JPS5522259A (en) Cantilever for pickup cartridge and its manufacture
Murakami et al. Method of Manufacturing Readily Machinable High Strength Glass Ceramics
GB1362991A (en) Processes of making nuclear fuel artefacts
JPS62167249A (ja) セラミツクス射出成形材料の製法
RIES PROCESSING TECHNIQUE FOR PREPARING MAGNESITE PRODUCTS OR MAGNESITE CONTAINING PRODUCTS. PT. 2

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19960810

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee