KR900001095B1 - 괴성광(塊成鑛) 및 그 제조방법 - Google Patents

괴성광(塊成鑛) 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR900001095B1
KR900001095B1 KR1019850700209A KR850700209A KR900001095B1 KR 900001095 B1 KR900001095 B1 KR 900001095B1 KR 1019850700209 A KR1019850700209 A KR 1019850700209A KR 850700209 A KR850700209 A KR 850700209A KR 900001095 B1 KR900001095 B1 KR 900001095B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
compacted
firing
mini
pallet
solid fuel
Prior art date
Application number
KR1019850700209A
Other languages
English (en)
Other versions
KR860700268A (ko
Inventor
히로시 사이또오
노부루 사까모또
히로시 후꾸요
요시히또 이와따
Original Assignee
닛뽄 고오깐 가부시끼가이샤
가네오 미노루
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛뽄 고오깐 가부시끼가이샤, 가네오 미노루 filed Critical 닛뽄 고오깐 가부시끼가이샤
Publication of KR860700268A publication Critical patent/KR860700268A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900001095B1 publication Critical patent/KR900001095B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B1/00—Preliminary treatment of ores or scrap
    • C22B1/14—Agglomerating; Briquetting; Binding; Granulating
    • C22B1/16—Sintering; Agglomerating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B1/00—Preliminary treatment of ores or scrap
    • C22B1/14—Agglomerating; Briquetting; Binding; Granulating
    • C22B1/24—Binding; Briquetting ; Granulating
    • C22B1/2406—Binding; Briquetting ; Granulating pelletizing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B1/00—Preliminary treatment of ores or scrap
    • C22B1/14—Agglomerating; Briquetting; Binding; Granulating
    • C22B1/24—Binding; Briquetting ; Granulating
    • C22B1/242—Binding; Briquetting ; Granulating with binders
    • C22B1/243—Binding; Briquetting ; Granulating with binders inorganic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]
괴성광(塊成鑛) 및 그 제조방법
[도면의 간단한 설명]
제1도는 팰릿 상호간을 결합시켜서 괴상의 것으로 한 본 발명 괴성광의 입자구조를 표시한 정면도.
제2도는 제2발명에 관한 괴성광 제조방법의 1실시예의 개략을 표시한 공정 설명도.
제3도는 본괴성광의 소성시의 열패턴을 표시한 그래프도.
제4도는 고체연료를 전체적으로 균일하게 혼입한 팰릿의 소성시의 열패턴을 표시한 그래프도.
제5a도, 제5b도는 팬시험 소결광, 다른 방법에 의해 소성한 괴성광 및 본괴성광의 RI, RDI, SI를 최고온도 및 1250℃이상의 유지시간과 함께 표시한 그래프도.
제6a도, 제6b도, 제6c도는 각각 앞그림 EXP-1, EXP-4, EXP-10의 소결광 및 괴성광의 미세결정구조를 표시한 현미경 확대사진도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 2, 3, 4, 5, 8, 9 : 원료조 6 : 믹서
7 : 디스크펠리타이저 10 : 그레이트식 소성로
100 : 건조구역 101 : 점화구역
102 : 소성.냉각구역 103 : 팰릿
[발명의 상세한 설명]
[기술분야]
본 발명은 새로운 괴성광 및 그 제조방법에 관한 것으로 그 목적으로 하는 바는 고온성상이 뛰어나고 고RI, 저RDI 이며 또한 제품수율이 높은 괴성광을 제공하는 동시에 소결, 팰릿의 어느것에도 적합하지 않은 폭넓은 입도분포를 가진 미분철광석으로부터 상기한 괴성광을 제조하고, 또한 능력이 작은 송풍기로 소성할 수 있는 제조방법을 제공하려고 하는 것이다.
[배경기술]
일반적으로 소결, 팰릿의 제조에 있어서 원료로 하는 미분철광석에는 각각 적정한 입도범위가 있다는 것이 알려져 있다. 예컨대 DL 형 소결 프로세스에 있어서는 드럼형의 믹서로 혼합입자를 만드는 것이지만 조립시간이 짧기 때문에 완전한 괴성화는 행하여지지 않는다. 이때문에 통기성 유지면에서 원료분출광석의 입도는 125μm이하가 20%이하, 바람직하게 는 10%이하가 아니면 안된다고 하는 조건이 가하여지고 또 이와 같은 조건하에서도 소결시에는 소결베드의 통기성이 나쁘기 때문에 1500 내지 2000mmAq 정도의 송풍기 능력이 필요하다. 또 제품은 파쇄, 정립(整粒 : 입자고르기)되기 때문에 제품수율은 나쁘고 좋다고 하더라도 고작 70%이다. 또 결합력을 높이기 위하여 제품중 SiO2함유량을 약 5 내지 7%로 되도록 SiO2원을 첨가하여 소결광의 강도유지를 도모하고 있으나 반면 고로내에서 슬랙 생성량이 많아지는 동시에 RI(피환원율)도 통상 60 내지 70% 정도로 낮게되어 버린다.
또 트래블링 그레이트형 팰릿 소성 프로세스에 있어서는 전(前)공정에서 분철광석을 10mmØ이상의 팰릿으로 조립할 필요가 있다. 이 때문에 원료분철광석의 입도분포는 원활하게 조립이 행해지는 조건으로서 44㎛이하가 60 내지 90%, 바람직하게는 80%이상일 것이 필요하다. 더욱이 제조된 팰릿은 환원성은 양호하나 상대적으로 입경이 크기 때문에 고로의 샤프트구역에서는 핵의 부분까지 환원이 진행되지 않고 융점이 낮은 미환원의 부분이 남아져서 고로의 고온영역에서의 연화융착대(帶)를 넓혀서 조업에 악영향을 미친다. 또 맥석 함유량이 적기 때문에 팽창현상이 생겨서 샤프트구역내에서 분화하는 현상을 일으킨다. 또 조립된 팰릿은 구형상으로 상호 결합하는 일이 없이 하나하나가 독립하여 존재하고 있기 때문에 고로내에 장입된 경우 주변부분으로부터 중심부분으로 흘러들어가 고로의 가스흐름 분포를 흐트려뜨리고, 그 결과 가스를 환원에 유효하게 이용할 수 없기 때문에 조업에 악영향을 미친다고 하는 결점이 있었다.
본 발명은 이상의 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로서 고온성상이 뛰어나고, 고RI, 저RDI 이며 또한 제품수율이 높은 괴성광을 제공하는 동시에 소결, 팰릿의 어느것에도 적합하지 않은 폭넓은 입도분포를 가진 분철광석으로부터 상기 괴성광을 제조하고 또한 소능력의 송풍기로 소성을 할 수 있는 제조방법을 제공하려고 하는 것이다.
[발명의 개시]
본 발명을 다음에 상세히 설명한다.
소결원료인 분철광석은 통상입도 5mm를 초과하는 것에 대하여 분쇄하고 입도 5mm 이하를 주요입도로 하고 있으나 이와 같은 철광석을 사용하여 미니팰릿을 만들고 이것을 소성하여 괴성광을 제조하였다.
따라서 소성을 할 때에는 원료가 되는 분철광석이 팰릿상으로 조립되어 통기성이 양호하게 되어 있기 때문에 송풍기 능력이 작아도 된다. 또 상술한 바와 같이 분철광석을 단순히 조립하여 소성한 통상의 팰릿에서는 고로 장입시 주변부로부터 중심부에 흘러들어가 버리기 때문에 본 발명자등은 새로운 괴성광으로서 제1도에 표시한 바와 같이 팰릿 상호를 결합시켜서 괴상의 것으로 하고 소결광과 같이 용이하게 노내에서 구르지 않도록 하는 구상을 하였다. 즉 팰릿을 확산 결합시켜서 상기 팰릿의 복수개에 대하여 칼슘 페라이트에 의한 결합으로 표층부를 결합 괴성화 하였다. 그 결과 얻어진 괴성광은 복수의 팰릿이 결합된 괴상체가 제공되고 파쇄, 정립되더라도 분말화 되지 않고 복수의 각 팰릿로서 이용할 수 있기 때문에 제품수율도 높아진다. 더욱이 SiO2첨가량을 적게 하고 있기 때문에(SiO23.5 내지 4.5%, CaO 7 내지 9%, CaO/SiO22), 고로내에서의 슬랙 생성량이 적게되기 때문에 그 조직과 더불어 고RI를 달성할 수가 있다. 또 제1도에 표시한 입자구조와 같이 전체적으로 팰릿과 달라서 소결광과 형상이 닯아있기 때문에 고로내에서도 중심방향으로 흘러들어가는 일이 없이 균일하게 장입(裝入)시킬수가 있기 때문에 고로의 가스이용율은 종래에 비하여 높아진다.
팰릿을 소성과정에서 확살 결합시키면 미세상 적철광과 미세형 칼슘페라이트로 이루어진 미세조직으로 되고 미크로포어(micropore)가 여러곳에 산재하여 조직면에서 보더라도 RI 이 높다는 것이 확인된다. 이에 대하여 만일 소결광과 같이 SiO2함유량이 비교적 높은 조건하에서 용융결합시키면 조직구성은 비대한 2차 적철광과 구형상 칼슘 페라이트로 구성되게 되어 다수 생기는 마크로포어(macorpore)도 슬랙이 용출되기 때문에 통기성이 나빠져서 저RI 로 된다.
또 상기와 같이 팰릿의 조립입도는 통상 10mm이상으로 하고 있었으나 9mm를 초과하는 것은 건조 및 소성시 그의 중심부와 표층부와의 사이에 온도차가 생기고 열충격으로 인한 파열을 일으켜 분화되기 쉽다. 또 3mm 미만의 것은 소성시 통기성을 악화시킨다. 그 때문에 상기 괴성광은 3 내지 9mm의 입경으로 한 미니팰릿을 소성하여 제조하기로 하였다. 또한 바람직하기는 5 내지 8mm가 최적의 것이다.
또 원료가 되는 분철광석의 성상으로서는 제품에 있어 자철광이 증가되지 않도록 하기 위하여 적철광계 80%이상, 자철광계 20%이하로 하면 좋다. 또 그의 입도로는 주요입도가 5mm이하이면 좋고, 통상의 소결원료인 -125㎛가 10%이하의 것, 통상의 팰릿원료인 -44㎛가 60%이상의 것, 혹은 이들의 중간경도의 어느것을 사용하더라도 무방하다. 그러나 주요입도를 1mm이하로하면 소성하여 얻어지는 괴성광에 원광이 남는일이 없게 되어 조직면에서 보아 더욱 품질이 바람직한 것으로 된다.
다음에 이상의 괴성광의 제조방법에 대하여 설명한다.
먼저 상기한 대상원료를 매용제(媒溶劑)로 1차 조립한다. 다음에 이 조립물의 표면에 고체연료를 피복하는 2차조립을 하여 상기와 같이 3 내지 9mm의 입경을 가진 미니팰릿으로 조립한다.
이와 같이 2차조립으로 1차조립물의 표면에 고체연료를 피복하기로 한 것은 후에 행하여지는 소성공정에서 미니팰릿 표층부를 확산 결합시키기 위해서이다. 고체연료로서는 가루 코우크스, 분상 챠아콜, 미분탄, 분상 석유 코우크스, 분산 목탄이라도 좋고 이들의 입도는 -125㎛가 50%이상인 것이 바람직하다. 또 2차조립에 있어서의 이 고체연료의 원료에 대한 첨가율은 2.5 내지 3.5%, 바람직하기는 2.7 내지 3.0%정도가 최적이다. 2.5%미만으로 하면 현상유지되는 프로세스에서는 저체열량이 부족하여 조직형성이 불가능하게 되고 또 3.5%를 초과하면 층내온도가 지나치게 높아지게 됨에따라 환원성이 나쁜 조직으로 되기 때문이다. 또 조립할 때 사용되는 매용제는 석회계의 것을 사용하여 제품염기도 1.8 내지 2.0에 의해서 정하여지는 양을 첨가하면 된다. 또한 칼슘페라이트에 의한 팰릿끼리의 결합을 강화하기 위해서는 첨가 매용제의 일부를 2차조립에서 고체연료와 함께 넣는 것이 필요하게 된다. 그러나 본 발명자가 첨가총량 7.3%로하여 그중 1차조립시에 그의 전부를 첨가하였을 때 및 1차조립에서 4%, 2차조립에서 3.3%를 첨가하였을때는 소성이 완전히 되었으나 1차조립에서 2%, 2차조립에서 5.3%를 첨가하였을시에는 소성시간이 짧고 온도가 상승하지 않았기 때문에 소성이 불환전하게 되어 버렸다. 그 때문에 실험을 반복한 결과 2차 조립에서 첨가총량의 50%를 초과하는 매용제를 첨가하면 고체연료의 연소성을 방해하게 되는 것을 알았다. 그래서 1차조립시에 첨가총량의 50%이상의 용매제를 넣는 것이 바람직하다.
다음에 이 미니팰릿을 건조, 점화, 소성, 냉각구역을 가진 그레이트식 소성로를 사용하여 소성한다.
본 프로세스에서는 통상의 소결프로세스와 달라서 점화구역의 앞에 건조구역을 설치하고 있으나 이것은 소성대상이 미니팰릿으로 이루어진 괴상물이기 때문에 점화시에 열충격으로 인한 파열을 방지하기 위해서이다. 또 소성조건으로서는 1270℃를 최고온도로 하고 1250℃이상의 유지시간을 1분 이내로 하는 것이 바람직하다. 만일 소성온도가 1270℃를 초과하거나 1250℃이상의 유지시간이 1분을 초과하는 경우에는 미니팰릿 표층부를 칼슘 페라이트에 의해 확산 결합시키는 것이 어렵게 되기 때문이다. 즉 미니팰릿 상호간이 용융결합하여 각 미니팰릿은 비대한 2차 적철광과 구형상 칼슘 페라이트의 조직에 의해 구성되고 석출슬랙의 비율이 높아지기 때문이다. 또 건조구역의 열원으로 소성, 냉각구역의 폐열을 이용하는 것은 본 발명의 목적 및 폐열을 유효하게 이용하는데 있어 바람직하다. 또 그레이트식 소성로의 팰릿에 미니팰릿을 장입할때의 바닥깔개를 포함한 층두께를 300 내지 550mm 로 하면 건조구역에 있어서의 건조는 하향건조를 행하는 것만으로 족하다. 즉 종래의 팰릿의 대상으로 한 소성 프로세스에서는 하향건조만으로 건조를 하였을 경우 수분이 하층에 응축하여 그린팰릿이 붕괴하는 결점이 있다. 그 때문에 하향건조전에 상향건조를 하고 있었다. 그 결과 건조구역 프로세스는 상향으로부터 하향으로 연속하는 복잡한 프로세스로 되지 않을 수 없고 또 상향건조시에 분진이 외부로 비산하는 문제가 생기고 있었다. 그러나 본 발명자등은 층두께를 550mm 이하로 하면 하층부의 그린팰릿(미니팰릿)의 붕괴를 방지할 수가 있다고 하는 새로운 식견을 얻어 층두께를 550mm이하로하여 소성하기로 하였다. 그러나 그의 층두께를 300mm 미만으로하면 통기저항이 작아져서 팰릿층을 통하는 열풍의 유속이 빨라지고 소성시 팰릿표면의 고체연료의 연소가 빨리 끝나버려 그 연소하는 동안에 팰릿에 충분한 열이 부여되지 않음으로써 품질이 뛰어난 괴성광을 얻을 수 없다.
소성.냉각구역을 통하여 나온 미니팰릿은 괴상체로 되어 있다. 그후 통상은 파쇄를 하관서 체분류하여 3mm 이상의 것은 제품으로 하고 또 3mm 미만의 것은 재순환시켜 원료로서 재사용된다.
RI(Reduction Index) : 샘플 500g을 CO 30%+N270%, 900℃, 15l/min, 내경 75mm 의 반응관내에서 3h 환원. 환원후의 환원율을 RI 로 한다.
RDI(Reduction Degradation Index) : 위와 같은 조건, 단, 환원온도 550℃, 환원시간 30min 로 환원 후, 시료를 회전 시험기내에서 30rpm, 30min, 900회전한다. 그후 3mm의 체로 체분별하여 분리해서 +3mm의 비율(%)을 RDI 로 한다.
SI(Shutter Index) : 샘플 20Kg을 2m의 높이로부터 4회 연속적으로 낙하시켜 그후 10mm의 체로 체분별하여 +10mm의 비율(%)을 SI 로 한다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하 본 발명의 구체적 실시예에 대하여 설명한다. 제2도는 제2발명에 관한 신괴성광의 제조방법의 1예에 관한 공정의 개략을 표시하고 있다. 1 내지 5는 1차조립할때의 원료조(槽)를 나타내고 있으며 이것들로부터 -1mm 의 소결제조용 원료가 55%, 팰릿제조용 원료가 35%, 3mm 미만의 괴성광의 반송광이 10%, -1mm의 석회석이 4%, -1mm의 생석회가 2%투입되고 이것을 믹서(6)에서 물을 가하면서 혼합한다. 다음에 이들의 혼합물을 2단식 디스크 펠리타이저(7)의 내측 디스크(70)내에 넣고 1차조립한다. 1차조립물은 디스크 펠리타이저(7)의 회전에 의해 외측디스크(71)내로 옮겨진다. 8,9는 생석회, C.D.Q. 가루 코우크스의 원료조이며 이것으로부터 생석회 3.3%, C.D.Q. 가루 코우크스 2.9 내지 3.0%를 외측디스크(71)내에 장입하여 물을 가하면서 1차조립물의 표면에 C.D.Q. 가루 코우크스를 상기 생석회와 함께 피복하고, 2차조립을 하여 5 내지 8mm 입경의 미니팰릿으로 조립하였다.
이상의 미니팰릿 조립공정에 있어서의 원료의 입도구성을 하기 제1표, 원료 화학성분을 제2표, 및 조립조건을 제3표에 표시하였다.
[표 1]
Figure kpo00001
Figure kpo00002
[표 2]
Figure kpo00003
[표 3]
Figure kpo00004
다음에 상기 미니팰릿을 그레이트식 소성로(10)를 사용하여 소성한다. 이 그레이트식 소성로(10)는 건조구역(100), 점화구역(101) 및 소성.냉각구역(102)으로 구성되고, 미니팰릿을 팰릿(103) 위에 장입하고 상기 각 구역을 미니팰릿을 올려놓은 팰릿(103)이 통과할 수 있도록 설치되어 있다. 팰릿(103) 위에 미니팰릿이 적재될 경우 바닥깔개 및 미니팰릿의 전층두께를 450 내지 500mm로 하고 소성을 개시한다. 건조구역(100)은 하향건조로서 그의 열원으로서 소성.냉각구역(102) 고온부분의 폐가스를 바람상자(104a)로부터 순환팬(105)에 의해 회수하여 이용하고 화살표로 표시한 방향으로 보내져서 팰릿(103) 위의 미니팰릿은 건조된다. 또 점화구역(101)의 (101a)은 점화도로서 코우크스로 가스와 공기를 혼합한 것을 도입하여 미니팰릿 상층에서 착화하고 있다. 소성.냉각구역(102)에서 소성되어 냉각된 미니팰릿은 괴상체로 되어 있으며 다음의 크러셔(106)로 파쇄되고 스크리인(107)에 의해 3mm 이상의 괴상체가 제품 괴성광으로 된다. 스크리인(107)을 통과한 것은 반송광석으로서 재사용된다. 또한 팰릿(103) 하방의 바람상자(104)로부터 제진기(108)를 통하여 흡출된 폐가스는 배기기(109)에 의해 계외로 배출된다(소성.냉각구역(102) 고온부분의 폐가스는 제외). 이상의 소성공정에 있어서의 소성조건을 하기 제4표에 표시하였다.
[표 4]
Figure kpo00005
이상과 같이하여 제조한 괴성광의 소성시의 히이트패턴과 종래의 팰릿제조와 같이 고체연료를 전체적으로 균일하게 혼입한 것을 소성하였을시의 히이트패턴을 조사하여 전자에 대해서는 제3도, 후자에 대해서는 제4도와 같은 결과를 얻었다. 도면중 상층, 중층 및 하층은 팰릿(103)위에 장입된 팰릿층을 3층으로 나누어서 경과시간과 함께 각층의 온도를 표시한 것이다. 양도로부터 본 발명의 제조방법의 쪽이 3층 모두 목적으로 하는 소성온도에 확실하게 달하고 있으며 소성후의 잔류 탄소량도 적기 때문에 효율적으로 소성이 행해지고 있는 것을 알 수 있다. 이것은 분철광석을 조립하여 팰릿을 소성하기로 하였기 때문에 통기성이 양호하고 팰릿 표면에만 고체연료가 피복되어 있기 때문에 즉시 착화하고 이 팰릿 입경이 5 내지 8mm로 매우 작기 때문에 팰릿 핵부에 대한 열전달인 용이하다는 것 및 조립이 강화되어 있기 때문에 층내의 통기성이 양호한 것 때문이라고 생각된다. 따라서 통상 소결 프로세스에서는 1500 내지 2000mmAq 정도 필요하였던 송풍능력도 500mmAq 정도로 충분하게 된다. 또 그레이트형의 팰릿 프로세스는 소성구역의 연료로 고가한 중유를 사용하고 있으나 본괴성화 프로세스는 피복된 고체연료의 점화원으로 연료를 사용할 뿐이며 팰릿 프로세스에 비교하여 외부로부터의 공급열량은 현저하게 저하시키는 것이 가능하였다.
또 본괴성광과 종래의 소결광의 제품수율을 조사하였다. 이결과 크러셔(106), 스크리인(107)을 거친후의 소결광의 제품수율은 60 내지 80%였던 것에 대하여 본괴성광에서는 95%이상으로 높아져 있다. 이것은 본괴성광의 구성단위가 미니팰릿이기 때문에 괴상체가 붕괴되어 미니팰릿 단체로 되더라도 제품으로서 사용할 수 있기 때문이다.
또 고체연료로서 가루 코우크스(-125㎛ 82%)를 선택하여 SiO2=3.7%, Al2O3=1.65, CaO=5.6%, Fe2O3=87.45의 조성을 가진 분광석(-44㎛ 63%)을 원료로하여 상기 요령으로 본괴성광을 소성하였다. 그 결과의 평균성상의 소결광과 비교하면 다음과 같이 되었다.
[표 5]
Figure kpo00006
이결과로부터 종래 소결광중의 SiO2를 5%이하로 하면 현저하게 RDI가 높아졌으나 본괴성광은 SiO2가 3.9%인데도 불구하고 RDI 는 현저하게 낮다. 이것은 환원분화를 촉진하는 2차 적철광의 비율이 상대적으로 저하하였기 때문이다. 더욱이 제품중의 SiO2가 낮고 소성조건을 제어하고 있기 때문에 본괴성광의 조직이 미세상 적철광과 미세형 칼슘 페라이트로 이루어진 미세조직으로 되어 미크로포어도 여러곳에 산재되어 있기 때문에 소결광에 비하여 RI 이 높아져 있다. 또 셔터강도가 현저하게 저하하지 않는 이유는 조립함으로써 보다 부피밀도가 향상하여 슬랙에 의한 용융결합의 비율을 낮추더라도 강도를 유지할 수 있기 때문이다.
다음에 본 발명자들은 소성조건을 여러 가지로 변경하여 소성을 하고 그결과 얻어진 본괴성광 및 본괴성광의 소성방법과 다른 방법에 의해 소성한 괴성광 및 팬시험 소결광의 각 성상을 조사하는 실험을 하였다.
제5(a), (b)도는 팬시험 소결광(EXP-1), 본괴성광(EXP-9, 10) 및 다른 방법에 의해 소성한 괴성광(EXP-2 내지 8)의 RI(%), +3mm의 SI(%)를, 소성할때의 최고온도 및 1250℃이상의 유지시간과 함께 표시한 것이다. 그중 EXP-1 소결광의 미세조직 현미경 확대사진을 제6(a)도에, EXP-4 괴성광의 그것을 동도(b)에, 또 EXP-10의 본괴성광의 그것을 동도(c)에 표시하고 있다. 제6(a)도의 EXP-1 소결광은 상방에 있는 흰부분이 2차 적철광이며 회색의 부분이 침상 칼슘페라이트이며 하방에 원광(흰부분)이 남아있다.
이와 같은 소결광은 제5(a)도에서 보아도 RI 는 55 내지 63%, RDI 는 26 내지 35%이며, 제품성상은 그다지 좋지 않다. 제6(b)도의 괴성광은 본괴성광과 달라서 각 조직이 용융결합으로 결합되어 있기 때문에 비대 2차 적철광(흰부분), 구형상 칼슘페라이트(회색부분)로 구성되고, 다수의 마크로포어(검은부분)내에 슬랙이 용출되어 있다. 따라서 제5(a)도에서 보더라도 RI 에 대해서는 본괴성광이 85%이상인데 대하여 74%로 낮다는 것을 알 수 있다. 또 제6(c)도의 본괴성광은 각 조직이 확산결합으로 결합하여 미세형 칼슘페라이트(회색부분)와 미세형 적철광(흰부분)으로 이루어지고, 미크로(검은부분)가 여러곳에 평균적으로 산재되어 있다. 또 소성조건으로서도 최고온도가 1260℃, 1250℃이상의 유지시간이 최고 0.3분과 상기한 본 발명의 최적 소성조건(최고온도 1270℃이하, 1250℃이상의 유지시간 1분이내)을 충족시키고 있기 때문에 RI 는 85%, RDI 는 평균 15%로 되고, 극히 뛰어난 제품성상이 얻어지고 있다는 것을 알 수 있다.
또한 본실시예에서는 미니팰릿의 조립공정에 있어서 2단식 디스크 펠리타이저(7)를 사용하여 1차조립과 2차조립을 동시에 행하였으나 2개의 디스크 펠리타이저를 사용하여 1차 및 2차조립을 따로따로 행하더라도 결과는 동일하였다. 즉 제2도의 믹서(6)에서 나온 혼합물을 1단계의 펠리타이저에서 물을 가하면서 조립하여 이것을 제1로울러 스크리인에 의해서 12mm 이상의 것으로 체질하여 분류하였다. 12mm 이상의 제1조립물은 파쇄기를 경유하여 원료조(3)로 반송되고 그 미만의 것은 제2로울러 스크리인에 의해서 5mm이상의 것과 그미만의 것으로 체분류 되었다.
이 시점에서 5mm 미만의 것은 재차 1단째의 펠리타이저로 뒤돌려져서 조립용으로 사용되고 또 5mm 이상의 제1조립물을 2단째의 펠리타이저로 보내져서 그 표면에 C.D.Q. 가루 코우크스 및 생석회를 피복하는 2차조립이 행하여졌다.
그후 제3 및 제4로울러 스크리인에 의해서 5mm 이상 8mm 이하의 것을 체분류하여 정량 분할장치에 의해 분할하여 그레이트식 소성로(10)로 반송하여 이하 동일한 소성을 하였다. 이 결과 얻어진 괴성광은 상기 실시예와 동일한 것이 얻어졌다.
[산업상의 이용가능성]
이상과 같이 본 발명의 괴성광 및 그 제조방법은 제품수율이 높고 또 고RI, 저RDI 라고 하는 제품품질이 양호한 괴성광을 얻으려고 할 경우에 유용하며, 특히 거기까지 대상으로 하지 않았던 입도의 분철광석을 원료로하고 소성시에 작은 블로워(송풍기)능력으로 소성하려고 할 경우에 적합하다.

Claims (4)

  1. 팰릿 괴성체로 이루어진 것을 특징으로 하는 괴성광으로서, 그의 표면층은 칼슘페라이트를 주체로 확산 결합되어 있고, 80%이상의 적철광과 20% 미만의 자철광을 함유하는 3 내지 9mm 직경의 미니팰릿으로 이루어져 있으며, 석회함유 매용제와 고체연료로 표면이 코우팅된 원료로부터 얻어지는 괴성광.
  2. 80%이상의 적철광과 20%미만의 자철광으로 되어 있고, 5mm 이하의 입도의 철광석에, 생석회, 소석회, 석회석 또는 돌로마이트중에서 선책된 매용제를 첨가하여 혼합물을 형성하고, 매용제와 철광석을 1차조립하여 1차팰릿을 형성하고, 생석회, 소석회, 석회석 또는 돌로마이트중에서 선택된 매용제와, 가루 코우크스, 분상 챠아콜, 미분탄 및 분말목탄으로 이루어진 군으로부터 선택되고 -125μ가 50%이상이고 철광석에 대해 2.5 내지 3.5중량%의 고체연료를 1차조립에서 얻어진 1차팰릿에 첨가하고, 매용제와 함께 상기 고체연료로 1차팰릿을 코우팅하고, 확산결합효과를 얻기 위해 조립물의 표면이 고체연료로 코우팅된 미니팰릿을 형성하기 위해 2차조립하고, 상기와 같이하여 얻어진 미니팰릿을 그레이트식 소성로에서 건조하고, 1분간 최고 1270℃에서 점화하고 소성, 냉각하고, 최종적으로 파쇄하고 체분류하여 직경 3mm 이상의 미니팰릿의 괴성광을 형성하는 것으로 되어 있으며, 매용제의 총량은 괴성광의 염기도가 1.8 내지 2.0가 되게 하는 양으로 하고, 1차, 2차조립 양쪽에서 사용되는 매용제의 50%이상을 1차조립시에 첨가하는 괴성광의 제조방법.
  3. 상기 건조구역의 일원에 소성.냉각구역의 패열을 이용하는 것을 특징으로 하는 청구의 범위 제2항 기재의 괴성광 제조방법.
  4. 상기 그레이트식 소성로의 그레이트부에 장입하는 미니팰릿의 층두께를 300 내지 500mm 로 하고, 건조구역의 건조를 하향건조만으로 행하는 것을 특징으로 하는 청구의 범위 제2항 또는 제3항 기재의 괴성광 제조방법.
KR1019850700209A 1984-10-31 1985-04-12 괴성광(塊成鑛) 및 그 제조방법 KR900001095B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59-227944 1984-10-31
JP59227944A JPS61106728A (ja) 1984-10-31 1984-10-31 塊成鉱及びその製造方法
PCT/JP1985/000192 WO1986002668A1 (en) 1984-10-31 1985-04-12 Agglomerate and a process for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860700268A KR860700268A (ko) 1986-08-01
KR900001095B1 true KR900001095B1 (ko) 1990-02-26

Family

ID=16868724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850700209A KR900001095B1 (ko) 1984-10-31 1985-04-12 괴성광(塊成鑛) 및 그 제조방법

Country Status (10)

Country Link
US (2) US4722750A (ko)
EP (1) EP0199818B1 (ko)
JP (1) JPS61106728A (ko)
KR (1) KR900001095B1 (ko)
AU (1) AU572651B2 (ko)
BR (1) BR8506975A (ko)
CA (1) CA1246343A (ko)
DE (1) DE3576534D1 (ko)
IN (1) IN165235B (ko)
WO (1) WO1986002668A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010048809A (ko) * 1999-11-29 2001-06-15 이구택 미분생석회를 이용한 소결광 제조방법

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6237325A (ja) * 1985-06-27 1987-02-18 Nippon Kokan Kk <Nkk> 焼成塊成鉱およびその製造方法
AU600777B2 (en) * 1986-12-15 1990-08-23 Jfe Steel Corporation Method for manufacturing agglomerates of fired pellets
JPS6421788A (en) * 1987-07-16 1989-01-25 Nec Corp Semiconductor memory device
JPS6456828A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Nippon Kokan Kk Primary crushing method for calcined lump ore
US4986765A (en) * 1989-02-21 1991-01-22 Amp Incorporated Insertable latch means for use in an electrical connector
JPH089739B2 (ja) * 1989-08-23 1996-01-31 日本鋼管株式会社 焼成塊成鉱の製造方法
DE69227094T2 (de) * 1991-12-24 1999-03-11 Tokyo Gas Co Ltd Brenner mit Oberflächenverbrennung
US5814164A (en) * 1994-11-09 1998-09-29 American Scientific Materials Technologies L.P. Thin-walled, monolithic iron oxide structures made from steels, and methods for manufacturing such structures
US6461562B1 (en) 1999-02-17 2002-10-08 American Scientific Materials Technologies, Lp Methods of making sintered metal oxide articles
KR100415926B1 (ko) * 1999-11-20 2004-01-31 주식회사 포스코 함철 더스트류를 고배합한 소결조업에서 황산화물저감효과가 우수한 미니펠릿의 구조 및 그 제조 방법
US6226891B1 (en) * 1999-12-06 2001-05-08 Daniel R. Chapman Method and apparatus for drying iron ore pellets
AT413543B (de) * 2004-03-03 2006-03-15 Voest Alpine Ind Anlagen Verfahren zur herstellung einer sinterrohmischung
KR100723213B1 (ko) 2005-11-15 2007-05-29 주식회사 포스코 이중 디스크형 조립기
JP5817644B2 (ja) * 2012-05-24 2015-11-18 新日鐵住金株式会社 焼結原料へのバインダーの添加方法
CN110804449B (zh) * 2019-11-20 2020-10-27 四川大学 铁酸钙与非焦煤共焦化制备焦炭的方法
CN113483554B (zh) * 2021-05-14 2022-06-07 中冶长天国际工程有限责任公司 一种高炉精料用块矿的烘干装置及烘干方法
CN114737052B (zh) * 2022-03-30 2023-09-26 鞍钢股份有限公司 一种镁质熔剂性球团的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3868246A (en) * 1971-07-22 1975-02-25 Dravo Corp Pellet production process
JPS5319531B2 (ko) * 1972-02-28 1978-06-21
US4082540A (en) * 1974-12-30 1978-04-04 Nippon Steel Corporation Material for sintering emitting a lesser amount of nitrogen oxide and a method for manufacturing the same
IT1061428B (it) * 1975-05-26 1983-02-28 Kobe Steel Ltd Pallottola di minerale di ferroche ha una forma specifica metodo per fabbricare la medesima e metodo per il funzionamento di un altoforno
JPS5319531A (en) * 1976-08-05 1978-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of producing lead battery positive plate lattice
JPS57200529A (en) * 1981-06-02 1982-12-08 Nippon Steel Corp Preparation of sintered ore having iron ore fine powder highly compounded therein
JPS589936A (ja) * 1981-07-10 1983-01-20 Nippon Kokan Kk <Nkk> 塊成鉱製造法
JPS58120751A (ja) * 1982-01-14 1983-07-18 Kawasaki Steel Corp 焼結機による焼結鉱およびペレツトの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010048809A (ko) * 1999-11-29 2001-06-15 이구택 미분생석회를 이용한 소결광 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0199818B1 (en) 1990-03-14
KR860700268A (ko) 1986-08-01
AU572651B2 (en) 1988-05-12
EP0199818A4 (en) 1987-03-16
IN165235B (ko) 1989-09-02
US4722750A (en) 1988-02-02
JPH0465132B2 (ko) 1992-10-19
US4810290A (en) 1989-03-07
BR8506975A (pt) 1986-12-23
EP0199818A1 (en) 1986-11-05
DE3576534D1 (de) 1990-04-19
CA1246343A (en) 1988-12-13
AU4230985A (en) 1986-05-15
WO1986002668A1 (en) 1986-05-09
JPS61106728A (ja) 1986-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900001095B1 (ko) 괴성광(塊成鑛) 및 그 제조방법
US4723995A (en) Method for continuously manufacturing fired pellets
US4504306A (en) Method of producing agglomerates
US5169434A (en) Method for manufacturing agglomerates of sintered pellets
CA2560085C (en) Layered agglomerated iron ore pellets and balls
JP3755452B2 (ja) 焼結用原料の製造方法
JP3840891B2 (ja) 製鉄用高品位焼成塊成鉱及びその製造方法
US4001007A (en) Material for sintering emitting a lesser amount of nitrogen oxide and a method for manufacturing the same
JP2748782B2 (ja) 焼成塊成鉱の製造方法
JPH0430445B2 (ko)
JPS63149333A (ja) 焼成塊成鉱用生ペレツトの粉コ−クス被覆方法
US4082540A (en) Material for sintering emitting a lesser amount of nitrogen oxide and a method for manufacturing the same
JPH0430442B2 (ko)
JP7424339B2 (ja) 塊成物製造用の原料粒子、塊成物製造用の原料粒子の製造方法、塊成物、塊成物の製造方法および還元鉄の製造方法
JPS62174333A (ja) 塊成鉱の製造方法
WO1981003499A1 (en) Agglomerates,a process for producing thereof and use thereof
JP6885386B2 (ja) 炭材内装粒子の製造方法および炭材内装焼結鉱の製造方法
KR101841963B1 (ko) 소결광 제조방법
JPH0422961B2 (ko)
JPH05320778A (ja) 焼成塊成鉱の製造方法
JPS62177128A (ja) 塊成鉱の製造方法
JP2005248271A (ja) 焼結原料の造粒方法
JPS63149335A (ja) 焼成塊成鉱の製造方法
JPS62177131A (ja) 塊成鉱の製造方法
JP2003306723A (ja) 高炉用焼結鉱の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050225

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term