KR890016680A - 얇은 막의 형성방법 - Google Patents

얇은 막의 형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

얇은 막의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 얇은막 형성방법에 사용할 수 있는 CVD장치의 단면을 나타낸 도면. 제 3 도는 본 발명의 얇은막 형성방법에 사용할 수 있는 다른 CVD장치의 단면을 나타낸 도면. 제 4 도는 본 발명의 얇은막 형성방법에 사용할 수 있는 또 다른 CVD장치의 단면은 나타낸 도면이다.

Claims (14)

  1. 반응 용기내에 클리닝용 가스를 도입하는 공정과, 상기 반응용기내에 전계 및 자계를 형성하여 상기 클리닝용 가스에서 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 사용하여 상기 반응용기내의 클리닝을 행하는 공정과, 상기 반응용기로부터 상기 클리닝 공정에서 사용한 가스를 배출하는 공정과, 상기 반응용기내에 기판(12)를 반입하는 공정과, 상기 반응용기내에 얇은막 형성용의 원료가스를 도입하는 공정과, 상기 기판(12)표면 위에 얇은막을 형성하는 공정과, 를 구비하여, 기판(12)위에 얇은막을 형성하기 위한 얇은막의 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 클리닝 공정에서 형성되는 전계의 전기력선 및 자계의 자력선이 서로 직교하고 있는 것인 얇은 막의 형성방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 클리닝 공정에서, 주로 서셉터(13)의 클리닝을 행하는 것인 얇은 막의 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 클리닝 공정에서, 서셉터(13)를 500℃ 이상으로 가열하는 것인 얇은막의 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기판(12)표면위에로의 얇은막의 형성을 열 CVD로서 행하는 것인 얇은 막의 형성방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 클리닝 공정에서, 2개의 전극을 사용하여 전계를 형성하고, 또한 둥근 형상의 자기코일(15)을 사용하여 자계를 형성하는 것인 얇은막의 형성방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 전극에 공급하는 전력이 50 내지 1KW이고, 또한 자장의 강도가 30 내지 300가우스인 얇은막의 형성방법.
  8. 반응용기내에 클리닝용 가스를 도입하는 제 1 의 클리닝용 가스도입공정과, 상기 반응용기내에 전계 및 자계를 형성하며 상기 클리닝용 가스에서 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 사용하여 상기 반응용기내의 클리닝을 행하는 제 1 의 클리닝 공정과, 상기 반응용기로부터 상기 제 1 의 클리닝 공정에서 사용한 가스를 배출하는 공정과, 상기 반응용기내에 기판(12)을 반입하는 공정과, 상기 반응용기내에 클리닝용 가스를 도입하는 제 2 의 클리닝용 가스도입공정과, 상기 반응용기 내에 전계 및 자계를 형성하여 상기 클리닝용 가스로부터 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마를 사용하여 상기 기판(12)표면의 클리닝을 행하는 제 2 의 클리닝 공정과, 상기 반응용기로부터 상기 제 2 의 클리닝 공정에서 사용한 가스를 배출하는 공정과, 상기 반응용기 내에 얇은막 형성용의 원료가스를 도입하는 공정과, 상기 기판(12)표면위에 얇은 막을 형성하는 얇은 막 형성 공정과, 를 구비하여, 기판(12)위에 얇은 막을 형성하기 위한 얇은 막의 형성방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 의 클리닝 공정에서 형성되는 전계의 전기력선 및 자계의 자력선이 서로 직교하고 있는 것인 얇은 막의 형성방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 의 클리닝 공정에서, 주로 서셉터(13)의 클리닝을 행하는 것인 얇은 막의 형성방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 의 클리닝 공정에서,주로 서셉터(13)를 500℃이상으로 가열하고 상기 제 2 의 클리닝 공공에서 기판(12)을 500℃이상으로 가열하는 것인 얇은 막의 형성방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 기판(12)표면위에로의 얇은 막의 형성을 열 CVD로서 행하는 것인 얇은 막의 형성방법.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 의 클리닝 공정에서, 2개의 전극을 사용하여 전계를 형성하고, 또한 둥근형상의 자기코일(15)을 사용하여 자계를 형성하는 것인 얇은 막의 형성방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전극에 공급되는 전력이 50 내지 1KW이고, 또한 자장의 강도가 30 내지 300가우스인 얇은 막의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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