KR890015474A - Cmos 소자용 급증 전류 제거 장치 및 방법 - Google Patents

Cmos 소자용 급증 전류 제거 장치 및 방법 Download PDF

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KR890015474A
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안쏘니 베이록 제랄드
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엘리 와이스
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Abstract

내용 없음

Description

CMOS 소자용 급증 전류 제거 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 실시예를 간략하게 도시한 블록다이어그램, 제 2 도는 제 1 도의 실시예를 설명하는 CMOS소자 장치도, 제 3 도는 제 1 도의 실시예에 사용된 실제 클럭 검출기의 세부점을 간략하게 도시한 블록 다이어그램.

Claims (9)

  1. 전원에 접속되도록 적응되었으며 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 공급되도록 적어도 하나의 CMOS소자를 포함하는 장치에 있어서, 적어도 하나의 실제 클럭 신호의 부재를 검출하기 위한 검출 수단과, 상기 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 부재인 간격동안 상기 적어도 하나의 CMOS소자에 적어도 하나의 교류 클럭 신호를 제어 가능하게 공급하기 위한 제어 가능한 수단을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제어장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 검출 수단은, 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 부재일때 제 1 선정된 상태를 갖으며 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 존재할때 제 2 선정된 상태를 갖는 제어 신호를 발생하며, 상기 제어 가능한 수단은, 상기 적어도 하나의 교류 클럭 신호를 적어도 하나의 CMOS소자에 공급하기 위해 상기 제어 신호의 상기 제 1 상태에 응답하며 적어도 하나의 실제 클럭 신호를 상기 적어도 하나의 CMOS소자에 공급하기 위해 상기 제어 신호의 상기 제 2 상태에 응답하는 제어 가능한 스위칭 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제거 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 검출 수단은, 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 제 1 선정된 상태에 있는 제 1 간격을 검출하며 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 제 2 선정된 상태에 있는 제 2 간격을 검출하기 위한 간격 검출 수단을 포함하며, 제 1 비교 수단은 상기 제 1 간격을 제 1 선정된 임계 간격과 비교하여 제 2 비교 수단은 상기 제 2 간격을 제 2 선정된 임계 간격과 비교하여, 여기서 상기 제어 신호의 상기 제 1 상태는, 상기 제 1 간격이 상기 제 1 임계 간격보다 길때 또는 상기 제 2 간격이 상기 제 2 임계 간격보다 길때 발생되는 것을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제거 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 임계 간격은 같은 것을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제거 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 적어도 하나의 실제 클럭 신호 소스와, 적어도 하나의 실제 클럭 신호는 선정된 진폭 및 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제거 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 교류 클럭 신호 소스와, 상기 적어도 하나의 교류 클럭 신호는 전술된 진폭 및 적어도 하나의 실제 클럭 신호 주파수와 대강 같은 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제거 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 CMOS소자가 적어도 하나의 VLSI칩상에 있는 것을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제거 장치.
  8. 전원에 접속되며 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 공급되도록 적응된 적어도 하나의 CMOS소자용 급증 전류 제거 방법에 있어서, 적어도 하나의 실제 클럭 신호의 부재를 검출하며, 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 존재하지 않는 간격동안 적어도 하나의 교류 클럭 신호를 상기 적어도 하나의 CMOS소자에 제어 가능하게 공급하는 것을 특징으로 CMOS소자용 급증 전류 제거 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 검출 단계가, 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 부재일때는 제 1 선정된 상태를 갖으며 적어도 하나의 실제 클럭 신호가 존재할 때에는 제 2 선정된 상태를 갖는 제어 신호 발생을 포함하며, 상기 제어 가능하게 공급하는 단계에는, 상기 제어 신호의 상기 제 1 선정된 상태에 응답하여 상기 적어도 하나의 CMOS소자에 상기 적어도 하나의 교류 클럭 신호를 공급하며, 상기 제어 신호의 상기 제 2 선정된 상태에 응답하여 상기 적어도 하나의 CMOS소자에 상기 적어도 하나의 실제 클럭 신호를 공급하는 것이 포함되는 것을 특징으로 하는 CMOS소자용 급증 전류 제거 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880002853A 1987-03-19 1988-03-18 Cmos 소자용 급증 전류 제거 장치 및 방법 KR910004652B1 (ko)

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US07/027,768 US4815041A (en) 1987-03-19 1987-03-19 Current surge elimination for CMOS devices

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KR910004652B1 KR910004652B1 (ko) 1991-07-09

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EP0283202A2 (en) 1988-09-21
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