KR890015275A - 메모리 소자의 센싱 검출 회로 - Google Patents

메모리 소자의 센싱 검출 회로 Download PDF

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KR890015275A
KR890015275A KR1019880002801A KR880002801A KR890015275A KR 890015275 A KR890015275 A KR 890015275A KR 1019880002801 A KR1019880002801 A KR 1019880002801A KR 880002801 A KR880002801 A KR 880002801A KR 890015275 A KR890015275 A KR 890015275A
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Abstract

내용 없음

Description

메모리 소자의 센싱 검출 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 전체블럭 다이어그램도. 제 3 도는 본 발명의 각부 출력 상태도. 제 4 도는 본 발명에서 클럭에 따른 DRAM의 동작상태도.

Claims (4)

  1. 입력시그널에 의한 인터벌 클럭을 출력시키는 클러갈생기(CG1)와, 상기 클럭 발생기(G1)의 제어되 센싱 시그널(S1)을 메모리 어레이(1)에 공급시키는 센싱 클럭발생기(SCG)와 상기 메모리 어레이(1)의 센싱 완료된 출력을 감지하는 센싱 검출기(SD)와, 센싱 검출기(SD)의 출력에 따라 제어되는 클럭 발생기(DG2)를 구비시켜 된 메모리 소자의 센싱 검출회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 메모리 어레이(1)는 워드라인(WL)선택에 의하여 동작되는 메모리셀(2)과, 메모리 셀(2)의 메모리 입.출력을 나타내는 콘덴서(C1)와 콘덴서(C1)의 충반전에 의하여 변화되는 비트라인(BL)()으로 구성되어 센싱 클럭을 출력시켜 센싱되게한 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 센싱 검출 회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 센싱 검출기(SD)는 전원(VCC)을 공급시키는 PMOS 트랜지스터(M10)(M11)와, 센싱출력(S2)에 구동되는 PMOS 트랜지스터(M12)(M13)와, 출력측 NMOS 트랜지스터(M14)(M15)로 구성시킨 메모리 소자의 센싱 검출 회로.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 메모리 셀(2)에 연결된 워드라인(WL)과 랫치레스 토어(LA) 및 센싱출력(S2)사이에 비트라인(BL)()의 출력에 의하여 제어되는 PMOS 트랜지스터(M2)(M3) 및 NMOS 트랜지스터(M4)(M5)로 구성시켜된 것을 특징으로 하는 메모리 소자의 센싱 검출 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880002801A 1988-03-17 1988-03-17 메모리 소자의 센싱 검출 회로 KR910002203B1 (ko)

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