KR890013717A - 채워진 그리드 마스크 및 이의 제조 방법 - Google Patents

채워진 그리드 마스크 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR890013717A
KR890013717A KR1019890002268A KR890002268A KR890013717A KR 890013717 A KR890013717 A KR 890013717A KR 1019890002268 A KR1019890002268 A KR 1019890002268A KR 890002268 A KR890002268 A KR 890002268A KR 890013717 A KR890013717 A KR 890013717A
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엔 .랜돌 존
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엔.라이스 머레트
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract

내용 없음.

Description

채워진 그리드 마스크 및 이의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조에 사용되는 기판 및 에피텍셜층을 개략적으로 도시한 도면.
제2도는 본 발명의 제1도의 구조물에 부가된 부수적인 층을 개략적으로 도시한 도면.
제3도는 제2도에 도시된 본 발명의 구조물상에 형성된 패턴을 개략적으로 도시한 도면.

Claims (18)

  1. 예정된 방향으로부터 마스크상에 충돌하는 방사선을 선택적으로 전송시키기 위하여 평행 인쇄시에 사용되는 마스크에 있어서, 상부 표면 및 하부 표면을 갖고 있고, 이들 상부 표면 및 하부 표면의 사이로 뻗어나가고 상부 표면 및 하부 표면에 실질적으로 수직한 벽을 가지고 있으며 균일한 간격으로 된다수의 개구를 갖고 있는, 장력하의 일반적으로 평평한 막의 형태로 된 제 1물질과, 상기 개구들중 선택된 개구들내에 배치된 제 2물질로 구성되며, 상기 제1 및 제 2물질들이 상기 방사선의 통로를 실질적으로 차단하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방사선이 이온 방사인 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 1물질이 결정성 실리콘으로 구성된 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제3항에 있어서. 상기 제 1물질이, 상기 결정성 실리콘의 격자내에 치환 결합되어서 이 격자내에 장력을 생성시키는 기판을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판이 붕소인 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제 1물질의 평평한 막에 평행한 상기 각각의 개구의 단면이 대략 정방형의 형태인 것을 특징으로 하는 마스크. .
  7. 제1항에 있어서, 상기 제 2물질이, 예정된 에칭제를 사용하여 상기 제 1물질에 관련하여 선택적으로 에친되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제 2물질이, 상기 제 1물질의 상기 막의 기계적 특성에 실질적으로 영향을 미치지 않는 것을 특징으로 하는 마스크.
  9. 제1항에 있어서, 예정된 마스크 패턴에 대응하는 상기 마스크상의 예정된 위치에서 상기 개구들의 일부로부터 상기 제 2물질을 제거함으로써 상기 예정된 마스크 패턴이 형성될 수 있도록, 상기 제 2물질이 거의 모든 개구내에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
  10. 마스크상에 충돌하는 이온 비임 방사선이 선택적으로 투과되도록 집적 회로 소자상에 패턴을 평행 인쇄하는데 사용되는 마스크에 있어서, 결정성 격자의 선들에 의해 균일한 간격을 갖는 다수의 메쉬를 가지며, 이 메쉬의 벽이 일직선으로 되어서 스크린의 평면에 거의 수직으로 뻗어나가고, 스크린의 평면에 평행으로 취해진 메쉬의 단면이 대략 정방향의 형태를 갖도록 되어 있고, 상기 격자의 상기 선들은 방사선의 통로를 실질적으로 차단하기에 충분히 두껍게 되어 있는 평평한 스크린과, 상기 격자보다 덜 딱딱하고, 상기 개구들의 적어도 일부에 위치하고 있으며, 필러 물질에 의해 점유된 메쉬의 상기 부분을 통과하는 상기 방사선의 통로를 실질적으로 차단시키는 필러 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  11. 제10항에 있어서, 상기 격자가 실리콘 및 붕소로 구성되고, 붕소가 이 격자의 장력을 증가시키기 위해 격자내에 결합되는 것을 특징으로하는 마스크.
  12. 노출되는 방사선에 표면의 예정된 부분을 선택적으로 노출시키는 위한 방법에 있어서, 상기 표면과 노출 방사선의 소오스 사이에 제1물질로부터 제조된 메쉬를 갖고 있는 스크린을 배치시키고, 제2물질로 채워지지 않은 메쉬가 상기 표면의 상기 예정된 부분에 대응하도록 상기 메쉬의 적어도 일부를 제2물질로 채우고, 상기 노출 방사선의 소오스를 동작시키는 단계들로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 스크린을 장력내에 배치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 배치 단계에 의하여 장력이 스크린에 걸쳐서 균일하게 분포되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 노출 방사선이 스크린에 관련하여 예정된 방향으로부터 발생하고, 또한 메쉬 벽이 상기 예정된 방향과 거의 평행으로 존재하도록 상기 스크린을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 형성 단계는가, 거의 일직선으로 되어서 스크린의 상부 표면 및 하부 표면의 사이에서 수직하도록 메쉬 벽을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 방사 소오스가 거의 평행한 방사선의 비임을 발생시키고, 또한 채워지지 않은 메쉬 사이에 존재하는 상기 제1물질의 선들의 하부의 표면에 방사선이 충돌하도록 상기 방사선 소오스, 마스크 및 표면 중의 하나를 상기 방사선 소오스, 마스크 및 표면중의 다른 2개에 대하여 상대적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제12항에 있어서, 동작시키는 단계에 의하여 이온 비임 방사선이 발생되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890002268A 1988-02-26 1989-02-25 채워진 그리드 마스크 및 이의 제조 방법 KR0134378B1 (ko)

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