KR890010605A - 광전자 마스크 및 그것을 사용한 광전자 전사노광방법 - Google Patents

광전자 마스크 및 그것을 사용한 광전자 전사노광방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

광전자 마스크 및 그것을 사용한 광전자 전사노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 광전자 전사노광방버에 관한 개념도.
제2A도는 본 발명의 광전자 전자노광방법을 사용할 수 있는 광전자 전사노광장치의 주요부를 도시한 도면.
제2B는 본 발명의 광전자 전가노광방법을 사용할 수 있는 또 다른 광전자 전사노광장치의 주요부를 도시한 도면.
제3A도는 본 발명의 제1실시예에 관한 광전자 마스크의 단면도.
제3B도는 본 발명의 제2실시예에 관한 광전자 마스크의 단면도.

Claims (21)

  1. 투명기판; 상기 투명기판의 주표면에 형성되고, 불투명 물질을 포함하는 패턴; 및 패턴이 형성되는 상기 투명기판의 주표면을 보호하기 위하여 형성되고; 순수한 플라티늄, 플라티늄을 주성분으로 포함하고 있는 플라티늄 다량물질, 및 플라티늄 다량물질, 및 플라티늄 화합물을 구성하는 군에서 선택된 물질을 포함하는 광전필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 전사노광
    용 광전자 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 광전필름이 10 내지 300˚A 의 두께로 구성되는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 플라티늄 다량물질은 실리콘, 텅스텐, 질소, 티탄, 크롬, 알루미늄, 팔라듐, 금, 은, 동, 산소, 로듐, 및 이리듐으로 구성되는 군에서 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 플라티늄 화합물은 염화 플라티늄, 불화플라티늄, 산화플라티늄, 플라티늄셀레늄 및 바륨플라티늄으로 구성된 군에서 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 투명기판의 주표면에 형성된 패턴은 다수의 유니트로 분할되고, 유니트중 하나를 포함하는 주표면의 상의 영역이 한번 노광되는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  6. 제5항에 있어서, 각각의 유니트 부근에 배열되고, 순수한 플라티늄, 플라티늄을 주성분으로 포함하는 플라티늄 다량물질, 및 플라티늄 화합물로 구성되는 군에서 선택된 물질을 포함하는 각각의 정력 마크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  7. 제5항에 있어서, 패턴이 패턴세그먼트를 포함하고, 어떤 세그먼트는 다수의 유니트에 분리되어 구비되는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  8. 제5항에 있어서, 동일 패턴이 각가의 유니트에 구비되는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  9. 제5항에 있어서, 유니트중 하나에 형성된 패턴은 그것의 포지티브 패턴 영상에 따라 형성되고, 유니트중 다른 것에 형성되 상기 패턴은 그것의 네가티브 패턴 영상에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  10. 제1항에 있어서, 불투명물질이 크롬, 탄탈 및 텅스텐중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  11. 제1항에 있어서, 불투명 마스크가 400 내지 2000˚A의 두께인 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  12. 제3항에 있어서, 플라티늄 다량물질이 플라티늄을 85중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  13. 기판; 및 상기 기판의 주표면에 형성되고, 순수한 플라티늄, 플라티늄을 주성분으로 포함하는 플라티늄 다량물질, 및 플라티늄 화합물로 구성되는 군에서 선택된 광전물질을 포함하는 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 전자노광용 광전자 마스크.
  14. 제13항에 있어서, 패턴이 10 내지 300˚A의 두께를 가진 광전물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  15. 제13항에 있어서, 플라티늄 다량물질이 실리콘, 텅스텐, 질소, 티탄, 크롬, 알루미늄, 팔라듐, 금, 은, 동, 산소, 로듐 및 이리듐으로 구성되는 군에서 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  16. 제13항에 있어서, 플라티늄 화합물이 연화 플라티늄, 불화 플라티늄, 산화플라티늄, 플라티늄 세레늄 및 바륨플라티늄으로 구성되는 군에서 선택돈 물질인 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  17. 제15항에 있어서, 플라티늄 다량물질이 플라티늄 85중량% 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 마스크.
  18. 광전자를 여기시키기 위하여 순수한 플라티늄, 플라티늄을 주성분으로 포함하는 플라티늄 다량물질, 및 플라티늄 화합물로 구성되는 군에서 선택된 광전물질을 포함하고 진공챔버에 위치한 광전자 마스크 상에 여기광을 노광시키는 단계; 및 자기장과 전기장의 역할에 의해 광전물질로부터 방출된 광전자를 집중시켜 광전자 마스크로부터 진공챔버내에 위치한 웨이퍼사으로 상기 광전자들을 노광시킴으로써 패턴이 광전자의 노광에 의해 웨이퍼상에 형성되는 단계를 포함하는 광전자 전사노광방법.
  19. 제18항에 있어서, 여기광이 220 내지 300nm의 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 광전자 전사노광방법.
  20. 제18항에 있어서, 광전자 마스크에 노광시키는 단계는 마스크가 소정의 노광량으로 노광되거나 노광개시로부터 소정시간후에 수행되어 마스크가 청소되며, 질소가스, 산소가스, 오존가스 및 그들의 임의의 조합으로 구성된 혼합가스로 구성되는 군에서 선택된 가스가 진공챔버 또는 진공챔버에 근접하여 배열된 로드-도크 챔버에 공급되는 상태로 광전자 마스크에 노광시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 전사노광 방법.
  21. 제18항에 있어서, 웨이퍼에 상기 광전자를 노광시키는 단계는 질소가스, 산소가스 또는 오존가스가 상기 광전자의 노광동안 진공챔버에 공급되는 상태로 수행되는 것을 특징으로 하는 광전자 전사노광 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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