KR890008870A - 개량된 탄탈분 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

개량된 탄탈분 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 13.4kg/in3의 스콧트 밀도(Scott Density)를 갖는 잉고우트에서 유래된 선행 기술의 박편상 탄탈분의 1000X배율 SEM.
제2도는 본 발명에 의해 제조된 59.8kg/in3의 스콧트 밀도를 갖는 잉고우트에서 유래된 박편상 탄탈분의 1000X배율 SEM.

Claims (48)

  1. 탄탈 박편 분말을 제조하는 단계, 및 상기 분말이 약 18g/in3이상의 스콧트 밀도를 가질 때까지 박편 크기를 감소시키는 단계로 되는, 괴상화되었을 때 유동성이고 프레스 가능한 박편상 탄탈분의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 스콧트 밀도가 약18-60g/in3범위로 될 때까지 박편 크기를 감소시키는 것을 특징으로하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 스콧트 밀도가 약30-350g/in3범위로 될 때까지 박편 크기를 감소시키는 것을 특징으로하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 스콧트 밀도가 약21/in3이 될 때까지 박편 크기를 감소시키는 것을 특징으로하는 방법.
  5. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 크기를 감소시킨 박편의 적어도 90%가 약55마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로하는 방법.
  6. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 크기를 감소시킨 박편의 적어도 90%가 약 45마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로하는 방법.
  7. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 크기를 감소시킨 박편의 적어도 90%가 약25마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로하는 방법.
  8. 제5항에 있어서, 크기 감소 단계 전에 추가로 박편상 탄탈분을 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 크기 감소 단계 전에 추가로 박편상 탄탈분을 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제7항에 있어서, 크기 감소 단계 전에 추가로 박편상 탄탈분을 분쇄하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제5항에 있어서, 수소화함으로써 분쇄 단계를 달성하는 것을 특징으로하는 방법.
  12. 제6항에 있어서, 수소화함으로써 분쇄 단계를 달성하는 것을 특징으로하는 방법.
  13. 제7항에 있어서, 수소화함으로써 분쇄 단계를 달성하는 것을 특징으로하는 방법.
  14. 제5항에 있어서, 추가로 크기를 감소시킨 박편을 괴상화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제6항에 있어서, 추가로 크기를 감소시킨 박편을 괴상화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제7항에 있어서, 추가로 크기를 감소시킨 박편을 괴상화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제1,2,3, 또는 4항에 있어서, 탄탈 박편을 화확적 환원방법으로 생산된 탄탈분으로부터 제조하는 것을 특징으로하는 방법.
  18. 제6항에 있어서, 탄탈 박편을 화학적 환원 방법으로 생산된 탄탈분으로부터 제조하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 탄탈 박편을 탄탈 잉고우트로부터 제조하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제6항에 있어서, 탄탈 박편을 탄탈 잉고우트로부터 제조하는 것을 특징으로하는 방법.
  21. 제17항의 크기를 감소시킨 박편으로부터 제조된 펠릿.
  22. 제17항의 크기를 감소시킨 박편으로부터 제조된 커패시터.
  23. 제18항의 크기를 감소시킨 박편으로부터 제조된 펠릿.
  24. 제18항의 크기를 감소시킨 박편으로부터 제조된 커패시터.
  25. 박편들로 이루어지고, 약18g/in3이상의 스콧트 밀도를 가지며, 화학적 환원 방법으로 제조한 탄탈분으로부터 제조된 박편상 탄탈분.
  26. 박편들로 이루어지고, 약18-60g/in3범위의 스콧트 밀도를 가지며, 화학적 환원 방법으로 제조한 탄탈분으로부터 제조된 박편상 탄탈분.
  27. 박편들로 이루어지고, 약20-35g/in3범위의 스콧트 밀도를 가지며, 화학적 환원 방법으로 제조한 탄탈분으로부터 제조된 박편상 탄탈분.
  28. 박편들로 이루어지고, 약21g/in3의 스콧트 밀도를 가지며, 화학적 환원 방법으로 제조한 탄탈분으로부터 제조된 박편상 탄탈분.
  29. 제25,26,27 또는 28항에 있어서, 박편의 적어도 약90%가 55마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 박편상 탄탈분.
  30. 제25,26,27 또는 28항에 있어서, 박편의 적어도 약90%가 45마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 박편상 탄탈분.
  31. 제25,26,27 또는 28항에 있어서, 박편의 적어도 약90%가 25마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 박편상 탄탈분.
  32. 약18g/in3이상의 스콧트 밀도 및 약 0.4-0.6m2/g 범위의 BET표면적 값을 갖는 박편으로 이루어진 박편상 탄탈분.
  33. 제32항에 있어서, 스콧트 밀도가 약18-60g/in3범위인 것을 특징으로하는 박편상 탄탈분.
  34. 제32항에 있어서, 스콧트 밀도가 약20-35g/in3범위인 것을 특징으로하는 박편상 탄탈분.
  35. 제32항에 있어서, 스콧트 밀도가 약21g/in3이고, BET 표면적 값이 약0.5m2/g인 것을 특징으로 하는 박편상 탄탈분.
  36. 제32,33,34 또는 35항에 있어서, 박편의 적어도 약90%가 약 55마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로하는 박편상 탄탈분.
  37. 제32,33,34 또는 35항에 있어서, 박편의 적어도 약90%가 약 45마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로하는 박편상 탄탈분.
  38. 제32,33,34 또는 35항에 있어서, 박편의 적어도 약90%가 약 25마이크로미터 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로하는 박편상 탄탈분.
  39. 제36항에 있어서, 탄탈 박편이 잉고우트에서 유래된 것임을 특징으로하는 박편상 탄탈분.
  40. 제36항에 있어서, 탄탈 박편이 화학적 환원 방법으로 제조된 탄탈분으로부터 유래된 것임을 특징으로하는 박편상 탄탈분.
  41. 제25,26,27,28,32,33,34 또는 35항의 탄탈 박편으로 제조한 괴상물.
  42. 제29항의 탄탈 박편으로 제조한 괴상물.
  43. 제36항의 탄탈 박편분으로 제조한 괴상물.
  44. 제25,26,27,28,32,33,34 또는 35항의 탄탈 박편분으로 제조한 펠릿.
  45. 제41항의 괴상화된 박편상 탄탈분으로 제조한 펠릿.
  46. 제25,26,27,28,32,33,34 또는 35항의 박편상 탄탈분으로 제조한 커패시터.
  47. 제41항의 괴상화된 박편상 탄탈분으로 제조한 커패시터.
  48. 제44항의 펠릿으로 제조한 커패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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