KR890007429A - 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터 - Google Patents

2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 4도는 본 발명에 따른 두가지 예의 장치와 관련된 개략적인 전위 에너지 다이어그램.
제5도는 본 발명에 따른 한 예인 트랜지스터의 개략도.

Claims (12)

  1. a)상대적 전도성의 제1반도체 층과; b) 상대적 비전도성의 제1반도체 장벽 층에 의해 상기 제1반도체 층과 분리되어 있는 제2반도체 층과; c)상대적 비전도성의 제2장벽 층에 의해 상기 제2반도체 층과 분리되어 있는 상대적 전도성의 제3반도체 층을 포함하며, 여기에서 상기 제1,2및 3바도체 등은 제각기 에미터, 콜렉터 및 게이트 층으로서 언급되고, 상기 제1 및 2장벽층은 제각기 에미터 장벽 및 게이트 장벽으로 언급되며; d) 상기 에미터, 콜렉터 및 게이트 층 각각과의 개별적인 전기 접촉부를 포함하며, e)상기 에미터, 콜렉터, 게이트, 에미터 장벽 및 게이트 장벽 층 각각의 화학적 조성 및/또는 두께는 콜렉터 층이 최하위의 서브-밴드 및 적어도 그보다 높은 하나의 서브-밴드와 연관된 양자 웰을 형성하도록 하고, 이동전하반송자의 2-차원"가스"가 제1바이어스 전압의, 상기 전기 접촉부들중의 적어도 하나에 대한 인가에 의해 양자 웰에 형성될수 있도록 하며, 제2바이어스 전압의 인가에 의해 에미터와 콜렉터 층 사이에 콜렉터 전류라 불리우게 되는 전류가 흐르게 될 수 있도록 선택되는 트랜지스터에 있어서, f)상기 에미터, 콜렉터, 게이트 에미터, 장벽 및 케이트 장벽 층 각각의 화학적 조성 및/또는 두께는, 게이트와 콜렉터 사이의 전압 인가에 의해 에미터 층에 전하가 유도되어 콜렉터 전류가 게이트와 콜렉터 사이에 인가된 전압에 응답하도록 또한 선택되는 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 층 및 게이트 장벽 층 각각은 반도체 층인것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  3. 제2항에 있어서, 최소한 상기 콜렉터 층은 실제로 도우핑되어 있지 않으며, 콜렉터가 이동전하 반송자의 2-차원가스를 포함할때 횡 저항률이 약 103오옴/스퀘어 보다 적은 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이동전한 반송자의 2-차원가스는 2-차원전자 가스인 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 양자 웰에서 전자의 밀도가 최하위 서브-벤드는 일부 충만되게 하고, 적어도 그보다 높은 하나의 서브-밴드는 실제로 공핍되게 할 수 있는 정도의 것인 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  6. 제4항에 있어서, 상기 에미터 및 게이트 층은 모두 n-형 GaAs를 포함하고, 상기 에미터 장벽, 콜렉터, 및 게이트 장벽 층은 거의 도우핑 되지않는 물질로 구성되며, 상기 에미터 장벽 층은 알루미늄 갈륨비소를 포함하고, 콜렉터 층은 GaAs를 포함하며, 게이트 장벽 층은 AlAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  7. 제4항에 있어서, 상기 에미터 장벽 층은 실제로 AlxGa1-xAs로 이루어지고, x는 에미터 층과 에미터 장벽 층 사이의 경계에서 대략 제로가 되고, 상기 에미터 장벽 층과 콜렉터 층 사이의 경계쪽을 향하여 계속 증가하며, 에미터 장벽 층의 화학적 조성 및/또는 두께는 상기 콜렉터 전류가 실제로 열전자 전류가 되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  8. 제4항에 있어서, 상기 에미터 장벽 층의 화학적 조성 및/또는 두께는 상기 콜렉터 전류가 실제로 터널링 전류가 되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 게이트 장벽 층은 절연체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  10. 제1항에 있어서, 상기 게이트 층은 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  11. 제9항에 있어서, 상기 게이트 층은 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터.
  12. 제1항에 따른 트랜지스터를 포함하는 전기회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880013685A 1987-10-21 1988-10-20 2-차원 반송자 가스 콜렉터를 구비하는 트랜지스터 KR970005948B1 (ko)

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