KR890007053A - 패턴 측정방법 - Google Patents

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내용 없음

Description

패턴측정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명인 패턴측정방법의 기본원리를 설명하기 위한 凸형상패턴을 도시해 놓은 단면도.
제2도는 제1도에 도시된 凸형상패턴의 2차원 투영상을 나타낸도면.
제3도는 제1도에 도시된 凸형상패턴의 높이를 측정하는 원리를 나타낸도면.
제4도는 본 발명에 관한 패턴측정방법에서 측정감도를 나타낸 그래프.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판, 11 : 기준면,
12 : 투영면, 12' : 기준선,
20 : 凸형상부, 21 : 제1 측벽,
22 : 제2 측벽, L : 측벽의 길이,
h : 높이, Φ : 경사각,
N : 법선.

Claims (11)

  1. 기준면(11)에 대해凹凸을 이루면서 상기 기준면(11)에 수직으로 세워진 대칭면에 대해 서로 면대칭 되도록 제1 측벽(21) 및 제2 측벽(22)을 갖는 패턴측정방법에 있어서, 상기 기준면(11)에 대해 소정각(Φ)을 이루는 투영면(12)으로서 상기 패턴의 투영상을 얻어내고, 상기 대칭면과 상기 투영면(12)과의 교차선에 직교하면서 상기 투영면(12)내에 포함되는 직선인 기준선(12')을 정의해서 상기 제1 측벽(21)의 투영상의 상기 기준선방향의 폭(X1)과 상기 제2 측벽(22)의 투영상의 상기 기준선방향의 폭(X2)을 구해, cos(Φ+θ)/cos(Φ- θ)=X1/X2로 되는 식을 이용해서 상기 제1 측벽(21) 및 상기 제2 측벽(22)과 상기 기준면(11)이 이루는 각(Φ)을 구하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  2. 제1항에 있어서, 패턴의 투영상을 얻는데 있어 기준면(11)에 세워진 법선(N)에 대해 각도(θ)를 이루는 방향으로부터 전자비임을 조사해서 이 전자비임에 입각해서 상기 패턴으로부터 방출되는 2차전자를 관측하는 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  3. 제2항에 있어서, 2차전자의 관측을 다수 회하고 이들 관측결과를 가산 평균함으로서 패턴의 투영상을 얻어내고, 이 패턴의 투영상을 구성하는 각 화소에 대해 그 농도값을 그 주변화소의 농도값에 입각해서 수정하는 처리를 함과 더불어, 각 화소가 갖는 농도값이 소정의 범위내에 분포되도록 농도값의 선형변환을 실시하여 최종적인 패턴의 투영상을 얻도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 투여상에 관한 2차전자강도를 기준선(12')상의 위치에 대응시켜 추출한 다음 소정의 2차전자강도 값을 슬라이스레벨(S1,S2)로서 설정하고, 제1 측벽(21) 및 제2 측벽(22)에 대응하는 강도값중 피크부분의 상기 슬라이스레벨(S1,S2)에 따른 폭을 각각 폭(X1) 및 폭(X2)으로 하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  5. 제4항에 있어서, 측벽근처에서의 2차전자 강도의 최대값과 최소값의 중간값을 슬라이스레벨(S1,S2)로 하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  6. 기준면(11)에 대한 凹凸을 이루면서 상기 기준면(11)에 수으로 세워진 대칭면에 대해 서로 면대칭 되도록 제1 측벽(21) 및 제2 측벽(22)을 갖는 패턴측정방법에 있어서, 상기 기준면(11)에 대해 소정각(Φ)을 이루는 투영면(12)으로의 상기 패턴의 투영상을 얻어내고, 상기 대칭면과 상기 투영면(12)과의 교차선에 직교하면서 상기 투영면(12)내에 포함되는 직선인 기준선(12')을 정의해서 상기 제1 측벽(21)의 투영상의 상기 기준선방향의 폭(X1)과 상기 제2 측벽(11)의 투영상의 상기 기준선방향의 폭(X2)을 구하며, cos(Φ+θ)/cos(Φ-θ)=X1/X2로 되는 식을 이용해서 상기 제1 측벽(21) 및 상기 제2 측벽(22)과 상기 기준면(11)이 이루는 각(Φ)을 구하고, 측벽상의 소정점(P,Q)에 대해 각각 투영점(P',Q')을 구한 다음 투영점사이(P',Q')의 기준선(12')에 따른 간격(d)을 구하며, H = d.sinΦ/cos(Φ+θ)로 되는 식을 이용해서 소정점(P.Q)사이의 상기 기준점(12')에 세워진 법선방향에 관한 간격(H)을 구하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정 방법.
  7. 제6항에 있어서, 패턴의 투영상을 얻는데 있어 기준면(11)에 세워진 법선(N)에 대해 각도 (θ)를 이루는 방향으로부터 전자비임을 조사해서 이 전자비임에 입각해서 상기 패턴으로부터 방출되는 2차전자를 관측하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  8. 제7항에 있어서, 2차전자의 관측을 다수회하고 이들 관측결과를 가산평균 함으로서 패턴의 투영상을 얻어내고, 이 패턴의 투영상을 구성하는 각 화소에 대해 그 농도값을 그 주변화소의 농도값에 입각해서 수정하는 처리를 함과 더불어, 각 화소가 갖는 농도값이 소정의 범위내에 분포하도록 농도값의 선형변환을 실시하여 최종적인 패턴의 투영상을 얻도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 투영상에 관한 2차전자강도를 기준선(12')상의 위치에 대응시켜 추출한 다음 소정의 2차 전자강도값을 슬라이스레벨(S1.S2)로서 설정하고, 제1 측벽(21) 및 제2 측벽(22)에 대응하는 강도값중 피크부분의 상기 슬라이스레벨(S1,S2)에 따른 폭을 각각 폭(X1) 및 폭(X2)으로 하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  10. 제9항에 있어서, 측벽 근처에서의 2차전자강도의 최대값과 최소값의 중간값을 슬라이스레벨(S1,S2)로 하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
  11. 제6항에 있어서, 소정점(P)으로서 기준면상의 점을 정해서 소정점(Q)과 기준면(11)의 거리(H)를 구하도록 된 것을 특징으로 하는 패턴측정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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