KR890000679A - 광물 처리법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

광물 처리법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (37)

1. (i) 텅스텐 함유 광석, 및 광석중의 산 소모물질을 소모하기에 적합한 제1광산을 함유하는 텅스텐 혼합물을 형성시킨 후, (ii) 유기 음이온을 가하여 용해된 텅스텐 물질을 함유하는 용액을 제조함을 특징으로 하여, 텅스텐 함유 광석으로부터 텅스텐 물질을 추출하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1광산이 아황산인 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 아황산이 이산화황인 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1광산이 황산인 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제1광산이 염산인 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 제1광산이 질산인 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 제1광산이 아황산, 황산, 염산 및 질산중의 적어도 두 종류의 산을 함유하는 혼합물인 방법.
8. 제1항 내지 7항중 어느 한 항에 있어서, 단계(ii)에 경우에 따라 제2의 광산을 첨가하여 단계(i)의 생성물을 산성화함이 추가로 포함되는 방법.
9. 제8항에 있어서, 언급한 제2광산이 하나 이상의 황산, 염산 및 질산중에서 선택되는 방법.
10. 제1항 내지 7항중 어느 한 항에 있어서, 언급한 제1광산이 단계(i)의 생성물을 산성화하기에 충분한 양으로 단계(i)에서 사용되는 방법.
11. 제10항에 있어서, 언급한 제1광산이 단계(i)의 생성물을 pH2또는 그 이하로 산성화하기에 충분한 양으로 단계(i)에서 사용되는 방법.
12. 제8항 또는 9항에 있어서, 언급한 제2광산이 단계(i)의 생성물을 pH2 또는 그 이하로 산성화하기에 충분한 향으로 첨가되는 방법.
13. 제1항 내지 12항중 어느 한 항에 있어서, 단계(ii)를 WO₃로 계산된 텅스텐 1중량부당 염산 1 내지 10 중량부, 질산 1 내지 12중량부 또는 황산 0.25 내지 5중량부 또는 이들의 혼합물 등량이 존재하도록 수행하는 방법.
14. 제1항 내지 13항중 어느 한 항에 있어서, 언급한 유기음이온이 옥살레이트, 포르메이트, 말로네이트,숙시네이트 및 아세테이트인 방법.
15. 제1항 내지 13항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 유기음이온이 옥살레이트 음이온인 방법.
16. 제1항 내지 15항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 유기음이온이 산으로 첨가되는 방법.
17. 제1항 내지 15항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 유기음이온이 염으로서 첨가되는 방법.
18. 제1항 내지 15항중의 어느 한 항에 있어서, 유기음이온의 혼합물을 사용하는 방법.
19. 제1항 내지 18항중의 어느 한 항에 있어서, 단계(i)의 생성물 및 언급한 유기음이온을 80℃ 또는 그 미만로 가열하는 방법.
20. 제1항 내지 19항중의 어느 한 항에 있어서, 단계(i)의 생성물 및 언급한 유기음이온을 50℃ 또는 그 미만으로 가열하는 방법.
21. 제1항 내지 12항중의 어느 한 항에 있어서, 단계(i)의 생성물 및 언급한 유기음이온을 약 비등 온도로 가열하는 방법.
22. 제1항 내지 21항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 유기음이온이 WO₃로서 계산된 광석중의 텅스텐 1중량부당 4.5중량부 이하의 양으로 존재하는 방법.
23. 제1항 내지 22항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 유기음이온이 WO₃로서 계산된 광석중의 텅스텐 1중량부당 1.0중량부 이상의 양으로 존재하는 방법.
24. 제1항 내지 21항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 유기음이온이 WO₃로서 계산된 광석중의 텅스텐 1중량부당 2내지 6중량부의 양으로 존재하는 방법.
25. 제1항 내지 24항중의 어느 한 항에 있어서, 단계 (ii)를 클로라이드 이온의 존재하에 수행하는 방법.
26. 제1항 내지 25항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 클로라이드 이온이 염으로서 가해지는 방법.
27. 제1항 내지 26항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 클로라이드 이온이 염산으로서 가해지는 방법.
28. 제25항 내지 27항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 클로라이드 이온이 단계(i)의 생성물 및 언급한 유기음이온의 1중량％ 이상인 양으로 존재하는 방법.
29. 제25항 내지 28항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 클로라이드 이온이 언급한 혼합물 및 언급한 유기음이온의 20중량％ 이하인 양으로 존재하는 방법.
30. 제25항 내지 27항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 클로라이드 이온이 언급한 환합물 및 언급한 유기음이온의 10중량％ 미만인 양으로 존재하는 방법.
31. 제25항 내지 27항중의 어느 한 항에 있어서, 언급한 클로라이드 이온이 WO₃로서 계산된 텅스텐 1중량부당 2내지 10중량부 이상인 양으로 존재하는 방법.
32. 제1 내지 31항중 어느 한 항에 있어서, 언급한 용액을 가수분해하여 텅스텐 물질을 함유하는 침전물을 생성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
33. 제32항에 있어서, 언급한 용액을 가수분해하기 전에 용해되지 않은 잔사로부터 분리하는 방법.
34. 제32항에 있어서,언급한 침전물을 분리시키고 잔여의 산 함유 용액을 새로운 텅스텐 함유 광석으로 재순환시킴을 포함하는 방법.
35. 상술된 실시예중 어느 하나에서 기술된 바와 거의 같이 텅스텐 물질을 추출하는 방법.
36. 제1 내지 35항중의 어느 한 방법으로 수득되는 텅스텐.
37. 본원의 명세서 및/또는 청구범위에 개별적으로 또는 총괄적으로 기술되었거나 그와 관련된 제품, 물질, 부품, 성분, 단계, 특징, 방법, 공정, 화합물 및 조성물, 및 상기중 두 개 이상의 어떤 조합 및 모든 조합.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.