KR880009377A - 자기 광학 메모리와 그 제조방법 - Google Patents

자기 광학 메모리와 그 제조방법 Download PDF

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하이트만 하인리히
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이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음.

Description

자기 광학 메모리와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 자기 광학 메모리의 구조에 적합한 층 순서를 도시한 도면.

Claims (14)

  1. 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성있는 재질로 된 기판과, 상기 기판에 차례로 제공되는 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성이 있고 기판의 굴절율 이상의 굴절율을 가지며 산소 및/또는 물에 대해 확산 장벽층을 구성하는 유전체층과, 단일축의 비등방성이고 자기 배열 온도 > 주변온도인 기본적으로 비정질 및/또는 기본적으로 미세 결정질인 자기 광학층과, 반사 또는 간섭층으로 작용하고 산소 및/또는 물에 대해 확산장벽층으로 작용하는 상단층을 구비하는 자기 광학 메모리에 있어서, 상기 유전체층은 PCVD (플라즈마 활성 화학증착) 처리에 의해 유기 실리콘으로 된 기판상에 증착된 층인 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전체층 헥사메틸디실라잔 C6H19NSi2로 증착된 층인 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성있고 헥사메틸디실라잔으로 양호하게 증착된 다른 유전체층이 자기 광학층과 상단층 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 기판은 플라스틱, 특히 폴리카보네이트로 만들어지는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  5. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서 기판은 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  6. 제1항, 제2항, 제3항, 제3항, 제4항 또는 제5항에 있어서, 자기 광학층은 적어도 하나의 회귀금석과 적어도 하나의 천이금속과 선택적으로 적어도 하나의 다른 금속성분으로 만들어진 3원소 또는 4원소 시스템으로부터의 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  7. 제6항에 있어서, 자기 광학층은 가돌리늄 및/또는 테르븀과 철 및/또는 코발트의 3원소 또는 4원소 시스템으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  8. 제7항에 있어서, 자기 광학층은 가돌리늄/테르븀/철 또는 테르븀/철 코발트로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  9. 제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항 또는 제8항에 있어서, 상단층은 금속으로 만들어지거나 또는 금속이나 반도체의 산화물, 질화물 또는 산화질화물로 만들어지는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
  10. 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성있는 재질로 된 기판과, 상기 기판에 차례로 제공되는, 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성이 있고 기판이 굴절율 이상의 굴절율을 가지며 산소및/또는 물에 대해 확산 장벽층을 구성하는 유전체층과, 단일축의 비등방성이고 자기 배열 온도 > 주변온도인 기본적으로 비정질 및/또는 기본적으로 미세 결정질인 자기 광학층과, 반사 또는 간섭층으로 작용하고 산소및/또는 물에 대해 확산 장벽층으로 작용하는 상단층을 구비하는 제1항 내지 제9항에 청구된 바와 같은 자기 광학 메모리의 제조방법에 있어서, 유전체층 PCVD(플라즈마 활성 화학 증착) 처리에 의해 유기 실리콘으로 기판상에 증착되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서 헥사메틸 디실라잔 C6H19NSi2는 유전체층의 증착을 위한 처리 기체로서 이용되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 유전체층은 P 10-2의 잔여기압이 HF 전극상의 dc 전압 전위로 250내지 1000V에서 0.5내지 150Pa의 범위의 처리 기압에 이를 때까지 제거되는 용기내에서 증착되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
  13. 제10항, 제11항 또는 제 12항에 있어서, 처리기계 헥사메틸디실라잔이 용기속에 주입되기 전에 질소가 0.5내지 150Pa의 압력에서 용기내로 공급되고, 플라즈마가 100내지 1000V의 범위의 전극상의 dc 전압 전위에서 점화되며, 그 후, 20내지 300초의 주기후에 헥사메틸디실라잔이 최고 0.5내지 150Pa의 압력까지 연속 공급되며, 피복절차는 희망하는 층 두께에 이를 때까지 계속되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 피복절차는 0 내지 50 부피%의 범위의 질소와 헥사메틸디실라잔의 기체 혼합물로 실행되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880000612A 1987-01-28 1988-01-27 자기 광학 메모리와 그 제조 방법 KR950004861B1 (ko)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0388852B1 (en) * 1989-03-20 1995-06-28 Tosoh Corporation Magneto-optical recording medium and process for production of the same
DE69016171T2 (de) * 1989-10-26 1995-05-24 Shinetsu Chemical Co Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium.
US5677051A (en) * 1993-11-30 1997-10-14 Tdk Corporation Magnetic recording medium having a specified plasma polymerized hydrogen containing carbon film and lubricant
JPH08209352A (ja) * 1995-02-06 1996-08-13 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および方法
US7128959B2 (en) * 2002-08-23 2006-10-31 General Electric Company Reflective article and method for the preparation thereof
US7329462B2 (en) * 2002-08-23 2008-02-12 General Electric Company Reflective article and method for the preparation thereof
US7300742B2 (en) * 2002-08-23 2007-11-27 General Electric Company Data storage medium and method for the preparation thereof
US7132149B2 (en) * 2002-08-23 2006-11-07 General Electric Company Data storage medium and method for the preparation thereof
KR100709860B1 (ko) * 2005-07-22 2007-04-23 삼성에스디아이 주식회사 Ｓｉ함유 물질층 및 다공성막을 포함하는 전극 및 이를채용한 리튬 전지
US20130070327A1 (en) * 2010-05-11 2013-03-21 Panorama Synergy Ltd. Multi-layer magneto-optic structure

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649451A (en) * 1982-09-27 1987-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording medium having alternately-layered high and low refractive index layers
JPS59160828A (ja) * 1983-03-01 1984-09-11 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体
JPS59198544A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Daicel Chem Ind Ltd 光学式情報記録デイスク
JPS59227056A (ja) * 1983-06-07 1984-12-20 Canon Inc 光磁気記録媒体
JPS6025036A (ja) * 1983-07-20 1985-02-07 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 光磁気記録媒体
CA1224270A (en) * 1983-09-16 1987-07-14 Junji Hirokane Magneto-optic memory element
JPS6079543A (ja) * 1983-10-05 1985-05-07 Daicel Chem Ind Ltd プラスチツク基盤上に希土類−遷移金属アモルフアスの光磁気記録媒体層を形成した記録担体
US4719137A (en) * 1984-04-13 1988-01-12 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory element
JPS60254434A (ja) * 1984-05-31 1985-12-16 Canon Inc 磁気光学記録媒体
JP2551403B2 (ja) * 1984-07-09 1996-11-06 京セラ株式会社 光磁気記録素子
JPS6129437A (ja) * 1984-07-20 1986-02-10 Canon Inc 光磁気記録媒体
JP2646561B2 (ja) * 1987-07-09 1997-08-27 日本電気株式会社 クロック分配回路

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EP0284112B1 (de) 1991-05-22
US5330852A (en) 1994-07-19
DE3862880D1 (de) 1991-06-27
DE3702480A1 (de) 1988-08-11

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