KR880009377A - 자기 광학 메모리와 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 자기 광학 메모리의 구조에 적합한 층 순서를 도시한 도면.
Claims (14)
- 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성있는 재질로 된 기판과, 상기 기판에 차례로 제공되는 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성이 있고 기판의 굴절율 이상의 굴절율을 가지며 산소 및/또는 물에 대해 확산 장벽층을 구성하는 유전체층과, 단일축의 비등방성이고 자기 배열 온도 > 주변온도인 기본적으로 비정질 및/또는 기본적으로 미세 결정질인 자기 광학층과, 반사 또는 간섭층으로 작용하고 산소 및/또는 물에 대해 확산장벽층으로 작용하는 상단층을 구비하는 자기 광학 메모리에 있어서, 상기 유전체층은 PCVD (플라즈마 활성 화학증착) 처리에 의해 유기 실리콘으로 된 기판상에 증착된 층인 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제1항에 있어서, 상기 유전체층 헥사메틸디실라잔 C6H19NSi2로 증착된 층인 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성있고 헥사메틸디실라잔으로 양호하게 증착된 다른 유전체층이 자기 광학층과 상단층 사이에 제공되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 기판은 플라스틱, 특히 폴리카보네이트로 만들어지는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서 기판은 유리로 만들어지는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제1항, 제2항, 제3항, 제3항, 제4항 또는 제5항에 있어서, 자기 광학층은 적어도 하나의 회귀금석과 적어도 하나의 천이금속과 선택적으로 적어도 하나의 다른 금속성분으로 만들어진 3원소 또는 4원소 시스템으로부터의 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제6항에 있어서, 자기 광학층은 가돌리늄 및/또는 테르븀과 철 및/또는 코발트의 3원소 또는 4원소 시스템으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제7항에 있어서, 자기 광학층은 가돌리늄/테르븀/철 또는 테르븀/철 코발트로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제5항, 제6항, 제7항 또는 제8항에 있어서, 상단층은 금속으로 만들어지거나 또는 금속이나 반도체의 산화물, 질화물 또는 산화질화물로 만들어지는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리.
- 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성있는 재질로 된 기판과, 상기 기판에 차례로 제공되는, 적외선에 대해 가시적인 특정범위에 대해 투과성이 있고 기판이 굴절율 이상의 굴절율을 가지며 산소및/또는 물에 대해 확산 장벽층을 구성하는 유전체층과, 단일축의 비등방성이고 자기 배열 온도 > 주변온도인 기본적으로 비정질 및/또는 기본적으로 미세 결정질인 자기 광학층과, 반사 또는 간섭층으로 작용하고 산소및/또는 물에 대해 확산 장벽층으로 작용하는 상단층을 구비하는 제1항 내지 제9항에 청구된 바와 같은 자기 광학 메모리의 제조방법에 있어서, 유전체층 PCVD(플라즈마 활성 화학 증착) 처리에 의해 유기 실리콘으로 기판상에 증착되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
- 제10항에 있어서 헥사메틸 디실라잔 C6H19NSi2는 유전체층의 증착을 위한 처리 기체로서 이용되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 유전체층은 P 10-2의 잔여기압이 HF 전극상의 dc 전압 전위로 250내지 1000V에서 0.5내지 150Pa의 범위의 처리 기압에 이를 때까지 제거되는 용기내에서 증착되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
- 제10항, 제11항 또는 제 12항에 있어서, 처리기계 헥사메틸디실라잔이 용기속에 주입되기 전에 질소가 0.5내지 150Pa의 압력에서 용기내로 공급되고, 플라즈마가 100내지 1000V의 범위의 전극상의 dc 전압 전위에서 점화되며, 그 후, 20내지 300초의 주기후에 헥사메틸디실라잔이 최고 0.5내지 150Pa의 압력까지 연속 공급되며, 피복절차는 희망하는 층 두께에 이를 때까지 계속되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.
- 제13항에 있어서, 피복절차는 0 내지 50 부피%의 범위의 질소와 헥사메틸디실라잔의 기체 혼합물로 실행되는 것을 특징으로 하는 자기 광학 메모리의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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