KR880004634A - 고주파 증폭 장치 - Google Patents

고주파 증폭 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR880004634A
KR880004634A KR870010263A KR870010263A KR880004634A KR 880004634 A KR880004634 A KR 880004634A KR 870010263 A KR870010263 A KR 870010263A KR 870010263 A KR870010263 A KR 870010263A KR 880004634 A KR880004634 A KR 880004634A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high frequency
transistor
diode
operating current
electrode
Prior art date
Application number
KR870010263A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910000694B1 (ko
Inventor
아끼라 우스이
세이지 사카시타
키요타케 후꾸이
히로유끼 나가이
Original Assignee
다니이 아끼오
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다니이 아끼오, 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 filed Critical 다니이 아끼오
Publication of KR880004634A publication Critical patent/KR880004634A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910000694B1 publication Critical patent/KR910000694B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/04—Modifications of control circuit to reduce distortion caused by control
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/10—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers without distortion of the input signal
    • H03G3/02—Manually-operated control
    • H03G3/04—Manually-operated control in untuned amplifiers
    • H03G3/10—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고주파 증폭 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 고주파 증폭장치의 블록도.
제4도는 본 발명의 제1의 실시예의 고주파증폭장치의 회로도.
제5도는 본 발명의 제2의 실시예의 고주파증폭장치의 회로도.

Claims (5)

  1. 제어전극에 인가되는 이득제어직류전압에 의해 직류동작전류가 제어되고, 그 직류동작전류의 감소에 따라서 이들이 감소하도록 제어되는 트랜지스터와, 상기 트랜지스터의 입력전극에 접속되고, 흐르게 되는 직류동작전류의 감소에 따라서 신호 감쇠량이 증가하는 다이오우드와, 고주파입력신호를 상기 다이오우드를 통해서 상기 트랜지스터의 입력전극으로 공급하는 수단과, 상기 트랜지스터에 흐르는 직류동작전류의 일부 또는 전부를 고주파저지수단을 통해서 상기 다이오우드에 직류동작전류로서 공급하는 수단을 구비한 고주파 증폭장치.
  2. 제1항에 있어서, 트랜지스터가 듀얼게이트 FET 트랜지스터이고, 그 제1의 게이트 전극이 입력전극으로 되고, 제2의 게이트전극이 제어전극으로 되어있는 고주파증폭장치.
  3. 제1항에 있어서, 다이오우드에 FET트랜지스터의 소오스전류의 일부 또는 전부가 공급되어 있는 고주파 증폭장치.
  4. 제1항에 있어서, 다이오우드에 FET트랜지스터의 드레인전류의 일부 또는 전부가 공급되어 있는 고주파 증폭장치.
  5. 제1항에 있어서, 다이오우드의 신호감쇠작용이 트랜지스터의 이득 감소작용보다도 지연되어 개시하도록 되어있는 고주파증폭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870010263A 1986-09-19 1987-09-16 고주파증폭장치 KR910000694B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP223094 1986-09-19
JP61223094A JPH0779216B2 (ja) 1986-09-19 1986-09-19 高周波増幅装置
JP61-223094 1986-09-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880004634A true KR880004634A (ko) 1988-06-07
KR910000694B1 KR910000694B1 (ko) 1991-01-31

Family

ID=16792737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870010263A KR910000694B1 (ko) 1986-09-19 1987-09-16 고주파증폭장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4806876A (ko)
JP (1) JPH0779216B2 (ko)
KR (1) KR910000694B1 (ko)
CA (1) CA1260081A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744304B1 (ko) * 2000-08-18 2007-07-30 삼성전자주식회사 이동 통신시스템의 싱글 톤 제어 장치 및 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216383A (en) * 1991-05-21 1993-06-01 U.S. Philips Corporation Controllable amplifier circuit
US5337019A (en) * 1992-02-20 1994-08-09 Siemens Aktiengesellschaft Integrated circuit arrangement
JPH11122062A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Alps Electric Co Ltd 利得制御回路
JP2001168647A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Hitachi Ltd 高周波電力増幅モジュール及び無線通信装置
US6801088B2 (en) * 2003-02-12 2004-10-05 Northrop Grumman Corporation Dual gate low noise amplifier
JP2007043539A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Alps Electric Co Ltd テレビジョンチューナ

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2533355C3 (de) * 1975-07-25 1985-12-05 Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising Regelbarer Verstärker für HF-Eingangsstufen

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744304B1 (ko) * 2000-08-18 2007-07-30 삼성전자주식회사 이동 통신시스템의 싱글 톤 제어 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CA1260081A (en) 1989-09-26
US4806876A (en) 1989-02-21
KR910000694B1 (ko) 1991-01-31
JPH0779216B2 (ja) 1995-08-23
JPS6376607A (ja) 1988-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940019065A (ko) 모놀리식 마이크로웨이브 반도체집적회로 및 화합물반도체로 이루어지는 전계효과형 트랜지스터의 바이어스안정화회로
KR920009084A (ko) 버퍼회로
DE69124704D1 (de) Gemischter brückenverstärker
KR970068130A (ko) 저전압 연산 증폭기 입력단 및 입력 방법
KR910017814A (ko) 저전력 소모 전송 입/출력 장치
TW325606B (en) Amplifier circuit and multistage amplifier circuit
KR970068129A (ko) 저전압 연산 증폭기 및 그 연산증폭기에서의 차동 입력 증폭 방법
WO2002045254A1 (fr) Amplificateur haute-frequence et melangeur haute frequence
KR940020668A (ko) 조절된 캐스코드 이득 증대를 위한 궤환 증폭기(Feedback Amplifier for Regulated Cascode Gain Enhancement)
JP3731358B2 (ja) 高周波電力増幅回路
ES361235A1 (es) Una disposicion de circuito de amplificador.
KR970018998A (ko) 이득제어회로 및 가변이득 전력증폭기(a gain controlling circuit and a variable gain power amplifier)
KR880004634A (ko) 고주파 증폭 장치
KR910010834A (ko) 증폭회로
KR830005761A (ko) 가변부하 임피던스 이득제어증폭기
KR940023060A (ko) 입력회로
KR880011996A (ko) 차동증폭기
DE3875681D1 (de) Schaltungsanordnung zur unterdrueckung von stoergeraeuschen.
KR900007168A (ko) 선형 이득 증폭기 장치
KR920011052A (ko) 증폭회로
KR900013703A (ko) 증폭단 회로
ES361236A1 (es) Un sistema polarizante para un circuito amplificador.
GB1121444A (en) Circuitry for static bandwidth control over a wide dynamic range
KR920022649A (ko) 제어가능한 증폭기 회로
KR950010336A (ko) 증폭장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20010126

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee