KR880003418A - 반도체 웨이퍼의 불순물 확산방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법에 사용되는 확산장치의 개략도.
제2도의 (가)-(나)는 본 발명의 방법에 의하여 불순물을 확산하는 과정을 보인 공정도.
Claims (1)
1000℃ 이하의 저온에서 반도체 웨이퍼(2)의 표면에 BSG보호막(6)을 디포지션시키고, 1200℃의 고온에서 BSG보호막(6)에 BSG막(7)을 디포지션시킴과 아울러 BSG보호막(6)의 보론불순물을 반도체 웨이퍼(2)의 표면으로 확산시켜 고농도확산측(8)을 형성하며, 그 BSG보호막(6) 및 BSG막(7)을 에칭시키고, 고종도 확산층(8)을 재확산하여 원하는 불순물 농도의 확산영역(9)을 형성함을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 의 불순물 확산 방법.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860006804A KR880003418A (ko) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 반도체 웨이퍼의 불순물 확산방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860006804A KR880003418A (ko) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 반도체 웨이퍼의 불순물 확산방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880003418A true KR880003418A (ko) | 1988-05-17 |
Family
ID=68838369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860006804A KR880003418A (ko) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 반도체 웨이퍼의 불순물 확산방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR880003418A (ko) |
-
1986
- 1986-08-18 KR KR1019860006804A patent/KR880003418A/ko not_active Application Discontinuation
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