KR880003266Y1

KR880003266Y1 - 노아게이트

Info

Publication number: KR880003266Y1
Application number: KR2019850015982U
Authority: KR
Inventors: 송영원
Original assignee: 주식회사 금성사; 허신구
Priority date: 1985-12-02
Filing date: 1985-12-02
Publication date: 1988-09-15
Also published as: KR870011476U

Abstract

내용 없음.

Description

노아게이트

제 1도는 종래의 노아게이트의 회로도.

제 2도는 본 고안에 의한 노아게이트의 상세회로도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

TR₁₁-TR₁₄: 트랜지스터 R₁₁-R_{14 :}저항

본 고안은 입력단자에 모두 저전위가 입력될 때 출력단자로 고전위를 출력하는 노아게이트에 관하 것으로, 특히 집적소자의 적은 면적에 제작할 수 있게 한 노아게이트에 관한 것이다.

일반적으로 널리 사용되고 있는 종래의 토템폴(totempole)형 TTL(Transistor Transistor Logic)노아게이트는 제 1도에 도시한 바와같이 베이스에 저항(R₁)(R₂)이 (TR₃)(TR₄) 의 베이스에 접속하여 그의 콜렉터는 저항(R₃) 및 트랜지스터(TR₆)의 베이스에 접속하고, 에미터는 저항(R₄) 및 트랜지스터(TR₆)의 베이스에 접속하며, 그 트랜지스터(R₅)의 에미터를 다이오드(D₁)를 통해 트랜지스터(TR₆)의 콜렉터 및 출력단자(V₀)에 접속하였다.

이와같이 구성된 종래의 노아게이트는 전원단자(Vcc) 에 전원이 인가되고, 입력단자(V₁)(V₂)에 모두 저전위가 인가되면, 그 트랜지스터(TR₁)(TR₂)가 온되어 트랜지스터(TR₃)(TR₄)의 베이스 전위가 저전위로 되므로 트랜지스터(TR₃)(TR₅)가 오프되고, 이에따라 트랜지스터(TR₅)의 베이스에는 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₃)을 통해 인가되어 온되고, 트랜지스터(TR₆)의 베이스에는 저전위가 인가되어 오프되므로 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₅)및 트랜지스터(TR₅) 다이오드(D₁)를 통해 출력단자(V₀)로 출력 측, 출력단자(V₀)에 고전위가 출력된다.

그리고, 입력단자(V₁)에 저전위가 인가되고, 입력단자(V₂)에 고전위가 인가되면, 트랜지스터(TR₂)가 오프되어 트랜지스터(TR₄)의 베이스전위가 고전위로 되므로 트랜지스터(TR₄)가 온되어 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₃)및 트랜지스터(TR₄)를 통해 트랜지스터(TR₆)의 베이스가 인가되고, 이에따라 트랜지스터(TR₆)가 온되어 출력단자(V₀)에 저전위가 출력된다.

또한, 입력단자(V₁)에 고전위가 인가되고, 입력단자(V₂)에 저전위가 인가되면, 트랜지스터(TR₁)가 오프되어트랜지스터(TR₃)의 베이스 전위가 고전위가 되므로 트랜지스터(TR₃)가 온되어 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₃)및 트랜지스터(TR₃)를 통해 트랜지스터(TR₆)의 베이스에 인가되고, 이에따라 트랜지스터(TR₆)가 온되어 출력단자(V₀)에 저전위가 출력된다.

그리고, 입력단자(V₁)(V₂)에 모두 고전위가 인가되면, 트랜지스터(TR₁)(TR₂)가 오프되고 트랜지스터(TR₃)(TR₄)의 베이스 전위가 고전위로 되어 모두 온되므로 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₃)을 통하고, 트랜지스터(TR₃)(TR₄)를 통해 트랜지스터(TR)의 베이스에 인가되어 그를 온시키므로 출력단자(V₀)에 저전위가 출력된다.

그러나, 이와같은 종래의 노아게이트는 6개의 트랜지스터 및 5개의 저항, 다이오드가 필요하므로 이를 집적소자로 제작할 때 집적소자의 많은 면적을 차지하여 하나의 집적소자에 많은 노아게이트를 제작하기 어려운 결함이 있었다.

본 고안은 이와같은 종래의 결함을 감안하여, 4개의 트랜지스터와 4개의 저항으로 된 간단한 구성의 노아게이트를 인출한 것으로, 이를 첨부된 제 2도의 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

제 2도에 도시한 바와같이 입력단자(V₂)를 트랜지스터(TR₁₁)의 베이스에 접속함과 동시에 그 접속점을 저항(R₁₁)을 통해 트랜지스터(TR₁₂)의 베이스에 접속하고, 입력단자(V₁)를 트랜지스터(TR₁₃)의 베이스에 접속함과 동시에 그 접속함점을 저항(R₁₂)을 통해 트랜지스터(TR₁₁)의 콜렉터에 접속하여, 상기 트랜지스터(TR₁₂),(TR₁₃)의 콜렉터를 저항(R₁₂)을 통해 전원단자(Vcc)에 공통 접속하고, 상기 트랜지스터(TR₁₁)(TR₁₃)의 에미터를 트랜지스터(TR₁₃)의 에미터를 트랜지스터(TR₁₄)의 베이스에 공통접속하며, 그 트랜지스터(TR₁₄)의 콜렉터를 출력단자(V₀)에 접속함과 동시에 그 접속점을 저항(R₁₄)을 통해 전원단자(Vcc)에 접속하여 구성한 것이다.

이와같이 구성된 본 고안 노아게이트의 작용효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.

입력단자(V₁)(V₂)에 모두 저전위가 입력되면, 트랜지스터(TR₁₁-TR₁₂)의 베이스에 모두 저전위가 인가되어 오프되므로 트랜지스터(TR₁₄)의 베이스에 저전위가 인가되어 오프되고, 이에따라 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₁₃)을 통해 출력단자(V₀)로 출력 즉, 출력단자(V₀)에 고전위가 출력된다.

그리고 입력단자(V₁)에 저전위가 인가되고, 입력단자(V₂)에 고전위가 인가되면, 트래지스터(TR₁)의 베이스에 고전위가 인가되어 온되므로, 입력단자(V₂)의 고전위가 트랜지스터(TR₁₁)를 통해 트랜지스터(TR₁₄)의 베이스에 인가되어 온되고, 이에따라 출력단자(V₀)에 저전위가 출력된다.

그리고, 입력단자(V₁)에 고전위가 인가되고, 입력단자(V₂)에 저전위가 인가되면, 트랜지스터(TR₁₃)의 베이스에 고전위가 인가되어 온되고, 이에따라 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₁₅) 및 트랜지스터(TR₁₃)를 통해 트랜지스터(TR₁₄)의 베이스에 인가되어 그를 트랜지스터(TR₁₄)을 온시키므로 출력단자(V₀)에는 저전위가 출력된다.

또한, 입력단자(V₁)에 고전위가 인가되고, 입력단자(V₂)에 저전위가 인가되면, 트랜지스터(TR₁₃)의 베이스에 고전위가 인가되어 온되고, 이에따라 전원단자(Vcc)의 전원이 저항(R₁₅)및 트랜지스터(TR₁₃)를 통해 트랜지스터(TR₁₄)의 베이스에 인가되어 그를 트랜지스터(TR₁₄)을 온시키므로 출력단자(V₀)에 저전위가 출력된다.

그리고 입력단자(V₁)(V₂)에 모두 고전위가 인가되면, 트랜지스터(TR₁₁-TR₁₃)의 베이스에 모두 고전위가 인가되어 온되므로 트랜지스터(TR₁₄)의 베이스에 고전위가 인가되어 온되고, 이에따라 출력단자(V₀)에 저전위가 출력된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안의 노아게이트는 4개의 트랜지스터(TR₁₁-TR₁₄)와 4개의 저항(R₁₁-R₁₃)으로 구성되고, 또한 트랜지스터(TR₁₁-TR₁₃)의 콜렉터가 상호 접속되어 있으므로 집적소자로 제작할 경우에 그 소요면적이 좁아 하나의 집적소자에 많은 노아 게이트를 제작할 수 있는 효과가 있다.

Claims

입력단자(V₁)(V₂)를 트랜지스터(TR₁₁)(TR₁₂)의 베이스에 접속함과 동시에 그 접속점을 저항(R₁₁)(R₁₂)을 각기 통해 트랜지스터(TR₁₁)의 콜렉터 및 트랜지스터(TR₁₂)의 베이스에 접속하고, 상기 트랜지스터(TR₁₂)(TR₁₃)의 콜렉터는 전원단자(Vcc)에 접속된 저항(V₁₄)에 공통접속하고, 상기 트랜지스터(TR₁₁)(TR₁₃)의 에미터는 트랜지스터(TR₁₄)의 베이스에 공통접속한 후 그의 콜렉털를 상기 전원단자(Vcc)에 접속된 저항(R₁₃)및 출력단자(V₀) 에 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 노아게이트.