KR870003953A - 소결된 실리콘 카바이드 세라믹 재질 및 그의 제조공정 - Google Patents

소결된 실리콘 카바이드 세라믹 재질 및 그의 제조공정 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

소결된 실리콘 카바이드 세라믹 재질 및 그의 제조공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
단일 도면은 소정의 소결된(sintered) 실리콘 카바이드 몸체에 대한 소결 온도대 전기 저항의 그라프도.

Claims (29)

  1. 본래는 다결정 소결된 실리콘 카바이드로 구성된 소결 몸체로 이루어지고, 적어도 그레인의 일부 사이에서 붕소 및 질소 양자를 포함한 결합되지 않은 탄소 영역을 가지며, 그리고 실리콘 카바이드, 붕소 질화 침전물의 그레인내에서 제공되는 것을 특징으로 하는 세라믹 재질.
  2. 1.0퍼센트 이하의 결합되지 않은 탄소, 0.3 내지 1.0퍼센트의 붕소, 0.03 내지 0.8퍼센트의 질소 및 균형을 이룬 실리콘 카바이드로 구성된 소결 몸체로 이루어지는데, 상기 소결된 몸체는 적어도 2.95g/㎤의 밀도와, 25℃에서 적어도 108ohm ㎝의 D.C.전기 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 절연 세라믹재질.
  3. 제1항에 있어서, 1.0퍼센트 이하의 결합되지 않은 탄소, 0.3 내지 1.0퍼센트의 붕소, 0.03 내지 0.8퍼센트의 질소 및, 균형을 이룬 실리콘 카바이드로 구성되는데, 상기 소결된 몸체는 적어도 2.95g/㎤의 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  4. 제2항에 있어서, 적어도 55w/mk의 열 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  5. 제3항에 있어서, 적어도 55w/mk의 열 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  6. 제2항에 있어서, 부가적으로 0.5퍼센트 이하의 산소로 구성되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  7. 제1항에 있어서, 적어도 3.0g/㎤의 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  8. 제4항에 있어서, 적어도 3.0g/㎤의 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  9. 제2항에 있어서, 0.6퍼센트 이하의 질소와 0.8퍼센트 붕소로 구성되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  10. 제3항에 있어서, 0.6퍼센트 이하의 질소와 0.8퍼센트 붕소로 구성되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  11. 제3항에 있어서, 0.03 내지 0.45퍼센트의 질소와, 0.50 내지 0.85퍼센트의 붕소를 가지며, 상기 소결된 몸체는 25℃에서 적어도 1010ohm ㎝의 D.C. 전기 항을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  12. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드는 원래 알파형 실리콘 카바이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  13. 제2항에 있어서, 상기 실리콘 카바이드는 원래 알파형 실리콘 카바이드로 구성되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  14. 제1항에 있어서, 적어도 3.10g/㎤의 밀도, 적어도 1011ohm ㎝의 전기 저항 및, 적어도 65w/mk의 열 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  15. 제2항에 있어서, 적어도 3.10g/㎤의 밀도, 적어도 1011ohm ㎝의 전기 저항 및, 적어도 65w/mk의 열 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  16. 제1항에 있어서, 10MHZ 및 25℃에서, 약 25 이하의 유전 상수 및, 약 0.2 이하의 손실율 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  17. 제2항에 있어서, 10MHZ 및 25℃에서, 약 25 이하의 유전 상수 및, 약 0.2 이하의 손실율을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  18. 제1항에 있어서, 약 2250℃ 또는 그 이상의 온도로, 질소기압내에서 무압축 소결로 생성되는데, 형상된 몸체는 소결하기 전에 적어도 약 1.45g/㎤의 밀도를 가지며, 상기 형상된 몸체는 또한, 2.5퍼센트의 결합되지 않은 탄소까지 원래의 위치로 분해하기에 충분한 양의 탄소 또는 소스 재질, B4C로서 산정된 약 0.4 내지 2.0퍼센트의 붕소 카바이드; 양호하게도 알파 위상인 균형을 이룬 실리콘 카바이드 및, 25퍼센트 이하의 일시 접합제로 구성되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  19. 제2항에 있어서, 약 2250℃ 또는 그 이상의 온도로, 질소기압내에서 무압축 소결로 생성되는데, 형상된 몸체는 소결하기 전에 적어도 약 1.45g/㎤의 밀도를 가지며, 상기 형상된 몸체는 또한, 2.5퍼센트의 결합되지 않은 탄소까지 원래의 위치로 분해하기에 충분한 양의 탄소 또는 탄소 소스 재질, B4C로서 산정된 약 0.4 내지 2.0퍼센트의 붕소 카바이드; 양호하게도 알파 위상인 균형을 이룬 실리콘 카바이드 및, 25퍼센트 이하의 일시 접합제로 구성되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  20. 제18항에 있어서, 소결부는 약 2275℃ 및 2350℃ 사이에서 전도되는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  21. 제1항에 있어서, 25℃와 108MHZ 또는 그 이상에서, 15 이하의 유전 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  22. 제2항에 있어서, 25℃와, 108MHZ 또는 그 이상에서, 15 이하의 유전 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  23. 제1항에 있어서, 106HZ 및 25℃에서, 0.2 이하의 손실율을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  24. 제2항에 있어서, 106HZ 및 25℃에서, 0.2 이하의 손실율을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  25. 제1항에 있어서, 25℃와, 108HZ 또는 그 이상에서, 0.1 이하의 손실율을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  26. 제2항에 있어서, 25℃와, 108HZ 또는 그 이상에서, 0.1 이하의 손실율을 갖는 것을 특징으로 하는 소결된 몸체.
  27. 25℃에서 적어도 108ohm ㎝의 D.C. 전기 저항을 갖는 실리콘 카바이드 세라믹 몸체의 제조 공정이 제공되는데, 상기 제조 공정은, 소결하기 전에, 적어도 약 1.45g/㎝의 밀도를 가지며, 본래 아래와 같이 구성되는 형태를 갖춘 몸체를 형성하는 단계와, ⅰ) 2.5퍼센트의 결합되지 않은 탄소까지 원래의 위치로 분해하기에 충분한 양의 탄소 또는 탄소 소스 재질, ⅱ) B4C로서 산정된 약 0.4 내지 2.0퍼센트의 붕소 카바이드; ⅲ) 양호하게도 알파 위상인 균형을 이룬 실리콘 카바이드 및, ⅳ) 25퍼센트 이하의 일시 접합제. 적어도 2.95g/㎤의 밀도와, 2500℃에서 적어도 108ohm ㎝의 전기 저항을 갖는 소결된 몸체를 상기 형태를 갖춘 몸체를 생산하기에 충분한 시간동안에, 약2250℃ 또는 그 이상의 온도에서 질소 기압의 거의 무압축 상태하에 소결하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 세라믹 몸체 제조 공정.
  28. 제27항에 있어서, 상기 형상된 몸체는 원래 2퍼센트 이하의 결합되지 않은 탄소, 약 0.5 내지 1.5의 퍼센트의 붕소 카바이드, 약 2275℃ 및 2350℃ 사이에서 상기 먼저 형상된 목적물의 소결로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 세라믹 몸체 제조 공정.
  29. 제28항에 있어서, 유출 질소는 소결 고정시에 볼륨에 의해 적어도 50퍼센트의 양으로 유발되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 세라믹 몸체 제조 공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE450857B (sv) * 1985-02-21 1987-08-03 Asea Ab Forfarande for uppbyggnad av ljusbagslikstromsugnar eller -skenkar
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
JPH01242465A (ja) * 1988-03-23 1989-09-27 Showa Denko Kk 炭化珪素焼結体およびその摺動部材の製造方法
DE3834325A1 (de) * 1988-10-08 1990-04-12 Bayer Ag Sic-pulver, verfahren zu seiner herstellung sowie dessen verwendung sowie entsprechende sic-sinterkoerper
US4962069A (en) * 1988-11-07 1990-10-09 Dow Corning Corporation Highly densified bodies from preceramic polysilazanes filled with silicon carbide powders
GB8918319D0 (en) * 1989-08-10 1989-09-20 British Petroleum Co Plc Improved sintering process and novel ceramic material
US5250244A (en) * 1989-09-26 1993-10-05 Ngk Spark Plug Company, Ltd. Method of producing sintered ceramic body
US5408574A (en) * 1989-12-01 1995-04-18 Philip Morris Incorporated Flat ceramic heater having discrete heating zones
DK170189B1 (da) * 1990-05-30 1995-06-06 Yakov Safir Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
US5468936A (en) * 1993-03-23 1995-11-21 Philip Morris Incorporated Heater having a multiple-layer ceramic substrate and method of fabrication
US5322824A (en) * 1993-05-27 1994-06-21 Chia Kai Y Electrically conductive high strength dense ceramic
JP4080030B2 (ja) 1996-06-14 2008-04-23 住友電気工業株式会社 半導体基板材料、半導体基板、半導体装置、及びその製造方法
US6464843B1 (en) 1998-03-31 2002-10-15 Lam Research Corporation Contamination controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
JP4610039B2 (ja) 2000-03-31 2011-01-12 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置
JP3607939B2 (ja) * 2000-06-16 2005-01-05 独立行政法人産業技術総合研究所 炭化ケイ素−窒化ホウ素複合材料の反応合成
JP2002047066A (ja) * 2000-08-02 2002-02-12 Tokai Carbon Co Ltd ＳｉＣ成形体およびその製造方法
DE10045339A1 (de) * 2000-09-14 2002-04-04 Wacker Chemie Gmbh Mit Grafit beschichteter Formkörper aus gesintertem Siliciumcarbid
KR100498441B1 (ko) 2001-04-17 2005-07-01 삼성전자주식회사 광근접 효과의 보정을 위한 마스크와 그 제조 방법
US6616890B2 (en) 2001-06-15 2003-09-09 Harvest Precision Components, Inc. Fabrication of an electrically conductive silicon carbide article
US6887421B2 (en) * 2002-01-14 2005-05-03 Redunndant Materials, Inc. Method for making a silicon carbide resistor with silicon/silicon carbide contacts by induction heating
JP3764157B2 (ja) * 2003-10-10 2006-04-05 東洋炭素株式会社 高純度炭素系材料及びセラミックス膜被覆高純度炭素系材料
CN101146742B (zh) * 2005-03-30 2013-05-01 揖斐电株式会社 含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器
US7838976B2 (en) * 2006-07-28 2010-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a semiconductor chip enclosed by a body structure and a base
US7727919B2 (en) * 2007-10-29 2010-06-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High resistivity silicon carbide
US7989380B2 (en) * 2008-11-26 2011-08-02 Ceradyne, Inc. High resistivity SiC material with B, N and O as the only additions
KR101155586B1 (ko) * 2009-01-23 2012-06-19 프리시젼다이아몬드 주식회사 다이아몬드 공구 및 그 제조방법
WO2011011601A2 (en) * 2009-07-24 2011-01-27 Saint Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High toughness ceramic composites
US20110151192A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic dissipative articles and method of making
DE102012012227B4 (de) 2011-06-30 2024-07-18 QSIL Ingenieurkeramik GmbH Herstellung dichter Siliziumcarbid-Sinterkörper mit gezielt einstellbarem elektrischem Widerstand und so erhältliche Siliciumcarbid-Sinterkörper
NO335994B1 (no) 2011-10-13 2015-04-13 Saint Gobain Ceramic Mat As Fremgangsmåte for fremstilling av korn som er nyttige for fremstillingen av et silisiumkarbidbasert sintret produkt, komposittkorn fremstilt ved fremgangsmåten, samt anvendelse av kornene.
EP4053893A4 (en) * 2019-10-31 2023-11-15 Kyocera Corporation CONNECTION BOARD, ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC MODULE
CN116023145A (zh) * 2022-12-29 2023-04-28 湖南福德电气有限公司 一种碳化硅系压敏电阻的制备方法
CN116623297B (zh) * 2023-07-25 2023-10-27 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4004934A (en) * 1973-10-24 1977-01-25 General Electric Company Sintered dense silicon carbide
US4312954A (en) * 1975-06-05 1982-01-26 Kennecott Corporation Sintered silicon carbide ceramic body
US4135938A (en) * 1977-03-31 1979-01-23 The Carborundum Company High density thermal shock resistant sintered silicon carbide
US4144207A (en) * 1977-12-27 1979-03-13 The Carborundum Company Composition and process for injection molding ceramic materials
DE2809278A1 (de) * 1978-03-03 1979-09-06 Kempten Elektroschmelz Gmbh Dichte polykristalline formkoerper aus alpha-siliciumcarbid und verfahren zu ihrer herstellung durch drucklose sinterung
EP0028802B1 (en) * 1979-11-05 1983-08-17 Hitachi, Ltd. Electrically insulating substrate and a method of making such a substrate
JPS57180005A (en) * 1981-04-30 1982-11-05 Hitachi Ltd Silicon carbide electric insulator with low dielectric constant
JPS5899172A (ja) * 1981-12-07 1983-06-13 株式会社日立製作所 電気絶縁基板
EP0143122A3 (en) * 1983-08-26 1987-02-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. An ultrafine powder of silcon carbide, a method for the preparation thereof and a sintered body therefrom
JPS60131863A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 信越化学工業株式会社 電気絶縁性炭化けい素焼結体
JPS60151276A (ja) * 1984-01-18 1985-08-09 信越化学工業株式会社 炭化けい素焼結体の製造方法
JPS60176913A (ja) * 1984-02-20 1985-09-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 絶縁性炭化けい素粉末およびその製造方法
US4701427A (en) * 1985-10-17 1987-10-20 Stemcor Corporation Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity
US5769184A (en) * 1996-09-27 1998-06-23 Brooks Automation, Inc. Coaxial drive elevator

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Publication number Publication date
EP0219933B1 (en) 1993-02-24
EP0219933A2 (en) 1987-04-29
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ATE85966T1 (de) 1993-03-15
AU575011B2 (en) 1988-07-14
BR8604726A (pt) 1987-06-23
AU6111686A (en) 1987-04-30
DE3687817D1 (de) 1993-04-01
EP0219933A3 (en) 1988-11-17
US4701427A (en) 1987-10-20
DE3687817T2 (de) 1993-06-17
KR940001657B1 (ko) 1994-02-28

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