KR860000750A - 신호 변환기 - Google Patents

신호 변환기 Download PDF

Info

Publication number
KR860000750A
KR860000750A KR1019850003928A KR850003928A KR860000750A KR 860000750 A KR860000750 A KR 860000750A KR 1019850003928 A KR1019850003928 A KR 1019850003928A KR 850003928 A KR850003928 A KR 850003928A KR 860000750 A KR860000750 A KR 860000750A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ferromagnetic
signal
crystals
magnetic field
crystal
Prior art date
Application number
KR1019850003928A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940000431B1 (ko
Inventor
요시가즈 무라까미 (외 2)
Original Assignee
오오가노리오
소니 가부시기 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오오가노리오, 소니 가부시기 가이샤 filed Critical 오오가노리오
Publication of KR860000750A publication Critical patent/KR860000750A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940000431B1 publication Critical patent/KR940000431B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/22Constructional features of resonators consisting of magnetostrictive material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/215Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00Continuous tuning
    • H03J3/02Details
    • H03J3/16Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

신호 변환기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예와 같은 수신기의 블럭도. 제2도는 YIG여파기의 평면도. 제3도는 제2도의 A-A에 따른 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 안테나, 2 : 고주파여파회로, 3 : 고주파증폭기, 4 : 혼합기, 6,7 : 자장인가수단, 21,29,51,56,91,93 : 기판, 22,52,92 : 접지도체, 23,24,30,53 : 마이크로스트립선, 25,26,31,32,54 : 접속도체, 27,28 : 공진소자(YIG박막소자), 58 : 임피던스변환기, 59 : 직류성분차단용, MOS캐패시터, 60 : 접지래드, 62 : YIG공진회로, 63 : 부저항성회로, 64 : 임피던스매칭회로 65 : 부하, 66 : 부하임피던스, 70 : 홈, 71 : 리세스, 81,101 : 요크, 82, 104 : 자기캡 83,84 : 자기기둥, 85 : 코일, 86,102,103,112,113,114 : 좌석, 94 : 노치

Claims (17)

  1. 변화될 입력신호가 공급되며, 제1 주파수를 갖는 여파된 신호를 발생하는 제1강자성 공진기로 형성된 여파기와; 능동소자 및 이에 접속된 제2강자성 공진기로 형성되어 제2주파수를 가진 발진신호를 발생하는 국부발진기와; 상기 여파된 신호와 상기 발질신호를 혼합하여 변환된 신호를 발생하는 혼합기와 상기 강자성 공진기에 자기적으로 결합된 마이크로스트립선과; 상기 제1강자성공진기에 제1직류바이어스자장을 인가하는 제1직류바이어스자장 수단을 구비하되, 상기 제1강자성 공진체가 제2강자성 공진체가 제2강자성 결정체, 상기 제2강자성 결정체에 자기적으로 결합된 마이크로스트립선 및 상기 제2강자성 결정체에 제2직류자장을 인가하는 제2직류바이어스자장수단으로 형성되며, 상기 제1 및 제2강자성 단결정체가 박막형성법에 의해 형성된 강자성 박막들로 조성된 신호변환기.
  2. 제1능동소자 및 이에 접속된 제1강자성 공진기로 형성되어 제1주파수를 가진 제1발진신호를 발생하는 제1국부발진기와; 상기 제1발진신호와 변환될 일력신호를 혼합하여 혼합된 신호를 발생한은 제1혼합기와; 상기 혼합된 신호가 공급되는 제2강자성 공진기로 형성되어 제2주파수를 가진 여파된 신호를 발생하는 여파기와; 제2능동소자 및 이에 접속된 강자성 공진기로 형성되어 제3주파수를 가진 제2발진신호를 발생하는 제2국부발진기와; 상기 여파된 신호와 상기 발진신호를 혼합를 혼합하여 변환된 신호를 발생하는 제2혼합기와; 상기 제1강자성 공진기는 제1강자성 단결정체, 이에 자기적으로 결합된 마이크로스티립선 및 상기 제1강자성 결정체에 제1직류바이어스자장을 인가하는 제1직류바이어스 수단으로 형성되고, 상기 제2강자성 공진기는 제2강자성 결정체, 이에 자기적으로 결합된 마이크로마이크로스트립선 및 상기 제2강자성결정체에 제2류자장을 인가하는 제2직류바이어스 자장수단으로 형성되며, 상기 제3강자성 공진기는 제3강자성 결정체, 이에 자기적으로 결합된 마이크로스트립선 및 상기 제3강자성 결정체에 제3직류바이어스 자장을 인가하는 제3직류바이어스 자장수단으로 구성되고, 상기 제1, 제2 및 제3강자성 결정체는 박막형성법에 의해 형성된 강자성 박막으로 조성되는 신호변환기.
  3. 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체의 각각은 액상에피택셜 성장법에 의해 형성되는 비자기판상에 형성된 YIG박막인 신호변환기.
  4. 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체의 각각은 비자기판상에 액상에피택셜 성장법에 의해 형성된 YIG박막으로서, 균일 모두가 아닌 자기정적모드에 의해 야기된 강자성 공진의 의사응답을 억압하도록 처리되는 신호변환기.
  5. 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체의 각각은 YIG박막원반의 외측부분에 홈을 가진 액상에피택시에 의해 형성된 YIG박막원반인 신호변환기.
  6. 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체는 YIG박막원반의 외측부분에서의 두께보다 작은 중심부분에서의 두께를 가진 액상에피택시에 의해 형성된 YIG박막원반인 신호변환기.
  7. 제1항에 있어서, 상기 여파된 신호 및 상기 발진신호가 그들간의 소정주파수 오프셋을 갖는 신호변환기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 직류바이어스 자장수단이 상기 제1 및 제2 강자성 단결정체에 대해 공통적으로 형성되며, 상기 주파수 오프셋이 상기 제1강자성 결정체와 상기 제2강자성 결정체간의 형상비의 차이에 의하여 초래되는 신호변환기.
  9. 제7항에 있어서, 사기 제1 및 제2 강자성 결정체는 서로 동일한 형상비를 가지며, 상기 주파수 오프셋은 상기 제1 자장과 상기 제2자장간의 차이에 의하여 초래되는 신호변환기.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 직류바이어스자장은 연동적으로 조정되는 신호변환기.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 결정체는 공통의 비자기기판상에 형성되는 신호변환기.
  12. 상기 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 결정체는 공통의 바이어스 자기회로내에 배치되는 신호변환기.
  13. 제2항에 있어서, 상기 발진신호는 제1직류바이어스 자장수단에 의해 발생된 가변직류바이어스 자장에 따른 가변주파수를 가지며 상기 여파된 신호 및 제2발진신호는 상기 여파된 신호와 상기 제2발진신호간의 소정주파수에 따른 예정된 고정주파수를 갖는 신호변환기.
  14. 제2항에 있어서, 상기 제1발진신호는 고정주파수를 가지며, 상기 여파된 신호 및 상기 제2발진신호는 상기 여파된 신호와 상기발진 신호간의 소정 주파수 오프셋을 갖고서 연동적으로 조정되는 신호변환기.
  15. 제13 또는 제14항에 있어서, 상기 제2 및 제3강자성 결정체는 공통의 바이어스 자기회로내에 배치되는 신호변환기.
  16. 제13 또는 14항에 있어서, 상기 제2 및 제3강자성 단결정체는 공통의 비자기기판상에 형성되는 신호변환기.
  17. 제13 또는 14항에 있어서, 상기 주파수 오프셋이 상기 제2강자성 결정체와 제3강자성 결정체간의 형상비 차이에 의해 초래되는 신호변환기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850003928A 1984-06-05 1985-06-05 신호 변환기 KR940000431B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP114794 1984-06-05
JP59114794A JPH0628332B2 (ja) 1984-06-05 1984-06-05 受信機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860000750A true KR860000750A (ko) 1986-01-30
KR940000431B1 KR940000431B1 (ko) 1994-01-20

Family

ID=14646850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850003928A KR940000431B1 (ko) 1984-06-05 1985-06-05 신호 변환기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4704739A (ko)
EP (1) EP0164685B1 (ko)
JP (1) JPH0628332B2 (ko)
KR (1) KR940000431B1 (ko)
CA (1) CA1271812A (ko)
DE (1) DE3586805T2 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0770918B2 (ja) * 1984-06-05 1995-07-31 ソニー株式会社 同調発振器
CA1266100A (en) * 1985-07-09 1990-02-20 Seigo Ito Yig thin film microwave apparatus
JPH07105646B2 (ja) * 1986-03-05 1995-11-13 ソニー株式会社 強磁性薄膜フイルタ
JPS6384301A (ja) * 1986-09-29 1988-04-14 Sony Corp 強磁性共鳴装置
JPS63103501A (ja) * 1986-10-20 1988-05-09 Sony Corp 強磁性共鳴装置
CA1313693C (en) * 1987-11-27 1993-02-16 Hiroyuki Nakano Tuned oscillator utilizing thin film ferromagnetic resonator
JP2780713B2 (ja) * 1987-11-27 1998-07-30 ソニー株式会社 通信機
JPH0253314A (ja) * 1988-08-17 1990-02-22 Murata Mfg Co Ltd 静磁波装置
JP2666910B2 (ja) * 1989-03-24 1997-10-22 日立金属株式会社 静磁波素子
US5465417A (en) * 1993-12-16 1995-11-07 Hewlett-Packard Company Integrated barium-ferrite tuned mixer for spectrum analysis to 60 GHz
US6201449B1 (en) * 1999-07-24 2001-03-13 Stellex Microwave Systems, Inc. Ferromagnetic tuning ring for YIG oscillators
JP2004511278A (ja) * 2000-10-09 2004-04-15 リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミネソタ マイクロストリップ伝送線路コイルを使用する、磁気共鳴画像化および分光法のための方法および装置
JP4131968B2 (ja) 2005-01-24 2008-08-13 株式会社東芝 磁気発振素子を用いた受信装置
JP5404046B2 (ja) * 2005-10-11 2014-01-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 集積化された電子回路を有するrfアンテナ
KR101132718B1 (ko) * 2009-09-02 2012-04-06 캐논 아네르바 가부시키가이샤 주파수 변환기
JP5796431B2 (ja) * 2011-09-16 2015-10-21 Tdk株式会社 周波数変換装置
EP3235121A4 (en) * 2014-12-17 2018-12-05 Vida IP, LLC Ferrite resonators using magnetic-biasing and spin precession

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3839677A (en) * 1972-03-22 1974-10-01 Varian Associates Tunable resonant circuits employing ferrimagnetic bodies controlled by common (main) and noncommon (auxiliary) magnetic fields
JPS4960402A (ko) * 1972-10-10 1974-06-12
DE2334570B1 (de) * 1973-07-07 1975-03-06 Philips Patentverwaltung Abstimmbare Hochfrequenz-Eingangsschaltungsanordnung fuer einen Fernsehempfaenger
US3879677A (en) * 1973-07-20 1975-04-22 Varian Associates Tuned oscillator circuit having a tuned filter output
JPS5078201A (ko) * 1973-11-09 1975-06-26
JPS50137609A (ko) * 1974-04-19 1975-10-31
US3889213A (en) * 1974-04-25 1975-06-10 Us Navy Double-cavity microwave filter
US4152676A (en) * 1977-01-24 1979-05-01 Massachusetts Institute Of Technology Electromagnetic signal processor forming localized regions of magnetic wave energy in gyro-magnetic material
US4188594A (en) * 1978-01-17 1980-02-12 Rockwell International Corporation Fixed frequency filters using epitaxial ferrite films
JPS55161403A (en) * 1979-06-04 1980-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd High frequency oscillating circuit
US4333062A (en) * 1979-12-27 1982-06-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Temperature stabilized MIC solid-state oscillator
US4420731A (en) * 1981-08-10 1983-12-13 Watkins-Johnson Company Controlled voltage yttrium iron garnet (YIG) resonator apparatus
JPS5871735A (ja) * 1981-10-26 1983-04-28 Hitachi Ltd テレビジヨン受信機のチユ−ナ
US4553264A (en) * 1982-09-17 1985-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Double superheterodyne tuner
CA1204181A (en) * 1982-12-06 1986-05-06 Yoshikazu Murakami Ferromagnetic resonator
JPH0770918B2 (ja) * 1984-06-05 1995-07-31 ソニー株式会社 同調発振器

Also Published As

Publication number Publication date
CA1271812A (en) 1990-07-17
US4704739A (en) 1987-11-03
DE3586805D1 (de) 1992-12-17
KR940000431B1 (ko) 1994-01-20
EP0164685A3 (en) 1988-06-15
EP0164685B1 (en) 1992-11-11
DE3586805T2 (de) 1993-05-06
EP0164685A2 (en) 1985-12-18
JPH0628332B2 (ja) 1994-04-13
JPS60257614A (ja) 1985-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860000750A (ko) 신호 변환기
KR940000428B1 (ko) 동조 발진기
Ishak Magnetostatic wave technology: A review
US5446306A (en) Thin film voltage-tuned semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR)
EP0318306A3 (en) Tuned oscillators
US4873496A (en) Tuned oscillator
US4755780A (en) Ferromagnetic resonator having temperature compensation means using pre-coded compensation data
KR940006927B1 (ko) 정자파 소자용 칩과 정자파 소자
US3839677A (en) Tunable resonant circuits employing ferrimagnetic bodies controlled by common (main) and noncommon (auxiliary) magnetic fields
US4341998A (en) Magnetostatic wave magnetometer
JPH077881B2 (ja) 静磁波装置
US4096461A (en) Magnet system for tunable YIG oscillator and tunable YIG filter
JPS5963579A (ja) 静磁界波磁力計
JPS62224101A (ja) 静磁波フイルタバンク
US3484683A (en) Thin film magnetometer circuit
JPH03262301A (ja) マイクロ波装置
JPH03182104A (ja) 同調形発振器
JPH079443Y2 (ja) Mswフィルタ
JPH03178207A (ja) 同調形発振器
JPS6310903A (ja) 強磁性共鳴装置
JPH01191504A (ja) マイクロ波発振器
JPH061886B2 (ja) 受信機
JPS60260202A (ja) 帯域通過フイルタ
JPH06125221A (ja) 静磁波マイクロ波発振装置
JPH01109904A (ja) 静磁波発振回路

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021217

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee