KR860000750A - 신호 변환기 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예와 같은 수신기의 블럭도. 제2도는 YIG여파기의 평면도. 제3도는 제2도의 A-A에 따른 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 안테나, 2 : 고주파여파회로, 3 : 고주파증폭기, 4 : 혼합기, 6,7 : 자장인가수단, 21,29,51,56,91,93 : 기판, 22,52,92 : 접지도체, 23,24,30,53 : 마이크로스트립선, 25,26,31,32,54 : 접속도체, 27,28 : 공진소자(YIG박막소자), 58 : 임피던스변환기, 59 : 직류성분차단용, MOS캐패시터, 60 : 접지래드, 62 : YIG공진회로, 63 : 부저항성회로, 64 : 임피던스매칭회로 65 : 부하, 66 : 부하임피던스, 70 : 홈, 71 : 리세스, 81,101 : 요크, 82, 104 : 자기캡 83,84 : 자기기둥, 85 : 코일, 86,102,103,112,113,114 : 좌석, 94 : 노치
Claims (17)
- 변화될 입력신호가 공급되며, 제1 주파수를 갖는 여파된 신호를 발생하는 제1강자성 공진기로 형성된 여파기와; 능동소자 및 이에 접속된 제2강자성 공진기로 형성되어 제2주파수를 가진 발진신호를 발생하는 국부발진기와; 상기 여파된 신호와 상기 발질신호를 혼합하여 변환된 신호를 발생하는 혼합기와 상기 강자성 공진기에 자기적으로 결합된 마이크로스트립선과; 상기 제1강자성공진기에 제1직류바이어스자장을 인가하는 제1직류바이어스자장 수단을 구비하되, 상기 제1강자성 공진체가 제2강자성 공진체가 제2강자성 결정체, 상기 제2강자성 결정체에 자기적으로 결합된 마이크로스트립선 및 상기 제2강자성 결정체에 제2직류자장을 인가하는 제2직류바이어스자장수단으로 형성되며, 상기 제1 및 제2강자성 단결정체가 박막형성법에 의해 형성된 강자성 박막들로 조성된 신호변환기.
- 제1능동소자 및 이에 접속된 제1강자성 공진기로 형성되어 제1주파수를 가진 제1발진신호를 발생하는 제1국부발진기와; 상기 제1발진신호와 변환될 일력신호를 혼합하여 혼합된 신호를 발생한은 제1혼합기와; 상기 혼합된 신호가 공급되는 제2강자성 공진기로 형성되어 제2주파수를 가진 여파된 신호를 발생하는 여파기와; 제2능동소자 및 이에 접속된 강자성 공진기로 형성되어 제3주파수를 가진 제2발진신호를 발생하는 제2국부발진기와; 상기 여파된 신호와 상기 발진신호를 혼합를 혼합하여 변환된 신호를 발생하는 제2혼합기와; 상기 제1강자성 공진기는 제1강자성 단결정체, 이에 자기적으로 결합된 마이크로스티립선 및 상기 제1강자성 결정체에 제1직류바이어스자장을 인가하는 제1직류바이어스 수단으로 형성되고, 상기 제2강자성 공진기는 제2강자성 결정체, 이에 자기적으로 결합된 마이크로마이크로스트립선 및 상기 제2강자성결정체에 제2류자장을 인가하는 제2직류바이어스 자장수단으로 형성되며, 상기 제3강자성 공진기는 제3강자성 결정체, 이에 자기적으로 결합된 마이크로스트립선 및 상기 제3강자성 결정체에 제3직류바이어스 자장을 인가하는 제3직류바이어스 자장수단으로 구성되고, 상기 제1, 제2 및 제3강자성 결정체는 박막형성법에 의해 형성된 강자성 박막으로 조성되는 신호변환기.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체의 각각은 액상에피택셜 성장법에 의해 형성되는 비자기판상에 형성된 YIG박막인 신호변환기.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체의 각각은 비자기판상에 액상에피택셜 성장법에 의해 형성된 YIG박막으로서, 균일 모두가 아닌 자기정적모드에 의해 야기된 강자성 공진의 의사응답을 억압하도록 처리되는 신호변환기.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체의 각각은 YIG박막원반의 외측부분에 홈을 가진 액상에피택시에 의해 형성된 YIG박막원반인 신호변환기.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 강자성 결정체는 YIG박막원반의 외측부분에서의 두께보다 작은 중심부분에서의 두께를 가진 액상에피택시에 의해 형성된 YIG박막원반인 신호변환기.
- 제1항에 있어서, 상기 여파된 신호 및 상기 발진신호가 그들간의 소정주파수 오프셋을 갖는 신호변환기.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 직류바이어스 자장수단이 상기 제1 및 제2 강자성 단결정체에 대해 공통적으로 형성되며, 상기 주파수 오프셋이 상기 제1강자성 결정체와 상기 제2강자성 결정체간의 형상비의 차이에 의하여 초래되는 신호변환기.
- 제7항에 있어서, 사기 제1 및 제2 강자성 결정체는 서로 동일한 형상비를 가지며, 상기 주파수 오프셋은 상기 제1 자장과 상기 제2자장간의 차이에 의하여 초래되는 신호변환기.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 직류바이어스자장은 연동적으로 조정되는 신호변환기.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 결정체는 공통의 비자기기판상에 형성되는 신호변환기.
- 상기 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 결정체는 공통의 바이어스 자기회로내에 배치되는 신호변환기.
- 제2항에 있어서, 상기 발진신호는 제1직류바이어스 자장수단에 의해 발생된 가변직류바이어스 자장에 따른 가변주파수를 가지며 상기 여파된 신호 및 제2발진신호는 상기 여파된 신호와 상기 제2발진신호간의 소정주파수에 따른 예정된 고정주파수를 갖는 신호변환기.
- 제2항에 있어서, 상기 제1발진신호는 고정주파수를 가지며, 상기 여파된 신호 및 상기 제2발진신호는 상기 여파된 신호와 상기발진 신호간의 소정 주파수 오프셋을 갖고서 연동적으로 조정되는 신호변환기.
- 제13 또는 제14항에 있어서, 상기 제2 및 제3강자성 결정체는 공통의 바이어스 자기회로내에 배치되는 신호변환기.
- 제13 또는 14항에 있어서, 상기 제2 및 제3강자성 단결정체는 공통의 비자기기판상에 형성되는 신호변환기.
- 제13 또는 14항에 있어서, 상기 주파수 오프셋이 상기 제2강자성 결정체와 제3강자성 결정체간의 형상비 차이에 의해 초래되는 신호변환기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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