KR860000405A - 플라즈마 처리 방법 및 장치 - Google Patents

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KR860000405A
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가쓰요시(외 4) 구도오
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마다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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    • B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
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    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 제1실시예를 나타내는 중단면도. 제3도는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 제2실시예를 나타내는 종단면도. 제5도는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치의 제3실시예를 나타내는 요부 종단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10,10′:대향전극 11,21,11′:전극판 12,22:전극축 20:시료전극 30:처리실 40:배기관 31:버플 13:커버 50:가스공급관 23:전열재 60:고주파전원 61:종합 임피이던스유니트 62:고주파 분기 해더(header) 63:분기회로 64:개별 임피이던스 유니트 70:프로브(probe) 24:회전축 25:받침대 65:통전단자 66:브러시 80:게이트 밸트 90:진공 예비실 100:카세트 110:원통체

Claims (12)

  1. 여러개의 시료의 피처리면에 대응하는 플라즈마의 에너지를 감시하는 단계와, 상기 감시값을 기초로 상기 플라즈마의 에너지를 균등하게 조절하는 단계와, 에너지를 균등하게 조절시킨 상기 플라즈마로서 여러개의 상기 시료를 동시에 처리하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 동일 처리실 내에서 에너지를 균등하게 조절시킨 상기 플라즈마로서 여러개의 상기시료를 동시에 처리할는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  3. 제2항에 있어서, 여러개의 상기 시료의 피처리면에 대응하는 플라즈마의 플라즈마 전위를 감시하여 이 감시값을 기초로 상기 플라즈마의 에너지를 균등하게 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  4. 감압된 처리가스가 도입되는 처리실 내에 대향전극과 대향하게 마련되고 단독으로 형성된 여러개의 시료 전극과, 상기 시료 전극에 각각 개별적으로 전력을 인가, 조절 가능한 전원 수단과 상기 대향전극과 상기 시료전극의 사이에서 발생하는 플라즈마의 에너지를 감시하는 감시 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 시료전극을 상기 처리실에 전기적으로 절연시켜서 고정 설치함과 동시에 상기 전원 수단을 고주파 전원과 상기 고주파 전원에 접속시킨 총합 임피이던스 조정유니트와 상기 총합 임피이던스 조정유니트의 고주파 분기헤더에 의해 각각 분기된 고주파 분기회로에 마련된 개별 임피이던스 조정유니트로 구성하고, 상기 시료 전극에 상기 고주파 분기회로를 접속한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 감시 수단으로서 상기 플라즈마의 플라즈마 전원을 감시하는 프로브를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상개 대향 전극을 상기 시료 전극에 대응하게 독립적으로 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 대향전극과 상기 시료전극의 사이의 공간을 원통체로 둘러싸도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 시료 전극을 상기 처리실에 전기적으로 절연시켜 상기 처리실 내의 기밀을 유지하여 회전 가능하게 마련함과 동시에 상기 전원 수단을 고주파 전원과 상기 고주파 전원에 접속시킨 총합 임피이던스 조정 유니트와, 상기 총합 임피이던스 조정 유니트의 고주파 분기헤더로써 각각 분기한 고주파 분기회로에 마련된 개별 임피이던스 조정유니트와, 상기 고주파 분기 회로가 접속된 브러시와, 상기 브러시가 접촉하게 마련된 통전 단자로 구성하고, 상기 시료 전극과 상기 통전단자를 접속한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 감시 수단으로서 상기 플라즈마의 플라즈마 전위를 감시하는 프로브를 사용한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제1 항에 있어서, 상기 대향 전극을 상기 시료전극에 대응하게 독립적으로 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 대향 전극과 상기 시료 전극의 사이의 공간을 원통체로 둘러싸도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850003951A 1984-06-06 1985-06-05 플라즈마 처리방법 및 장치 KR890002801B1 (ko)

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JP59114534A JPS60258924A (ja) 1984-06-06 1984-06-06 プラズマ処理装置
JP59-114534 1984-06-06
JP84-114534 1984-06-06
JP59244426A JPH0622216B2 (ja) 1984-11-21 1984-11-21 プラズマ処理装置
JP84-244426 1984-11-21

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KR860000405A true KR860000405A (ko) 1986-01-28
KR890002801B1 KR890002801B1 (ko) 1989-07-31

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