JPS6173891A - 真空プロセス装置用の多段式電極組立体 - Google Patents
真空プロセス装置用の多段式電極組立体Info
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- JPS6173891A JPS6173891A JP19479884A JP19479884A JPS6173891A JP S6173891 A JPS6173891 A JP S6173891A JP 19479884 A JP19479884 A JP 19479884A JP 19479884 A JP19479884 A JP 19479884A JP S6173891 A JPS6173891 A JP S6173891A
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- electrode
- rotating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イオンエツチングやプラズマエツチング等の
ドライエツチング装置の工つな真空プロセス装置用の多
段式電極組立体に関するものである。
ドライエツチング装置の工つな真空プロセス装置用の多
段式電極組立体に関するものである。
従来の技術
従来ドライエツチング装置において第３図に略示する工
うな平行平板電極型のものが知られており、り１示した
ように真空槽ｌ内に回転電極２と固定電極３とを対向さ
せて設け１回転電極２上に処理すべき基板４！を装着し
、また回転電！ｆＬＪの周囲にはアースシールドｊが取
付けられ、そしてその内部には冷却水を通すようにされ
ており０回転電極コまたは固定電極３にＲＦ電力を投入
して対向電極間でグロー放電音生じさせ所望のエツチン
グ動作を行なう工うに構成さｎている。しかしながらこ
の上うなドライエッチングに使わ１ている平行平板電極
構造のものでは、／パッチ当りの基板の処理枚数を多く
するためには電極の寸法を大きくする必要があり、その
結実装置の床面積が大きくなるという欠点がある。例え
ば、この型式の装置を例えば既存のインライン式の真空
プロセス装置に組込む場合に他の装置部分との関係から
電極装置の床面積を任意に大きくすることができないた
め、単に電極の寸法を大きくして基板処理枚数を増すこ
とは実際上困難である。
うな平行平板電極型のものが知られており、り１示した
ように真空槽ｌ内に回転電極２と固定電極３とを対向さ
せて設け１回転電極２上に処理すべき基板４！を装着し
、また回転電！ｆＬＪの周囲にはアースシールドｊが取
付けられ、そしてその内部には冷却水を通すようにされ
ており０回転電極コまたは固定電極３にＲＦ電力を投入
して対向電極間でグロー放電音生じさせ所望のエツチン
グ動作を行なう工うに構成さｎている。しかしながらこ
の上うなドライエッチングに使わ１ている平行平板電極
構造のものでは、／パッチ当りの基板の処理枚数を多く
するためには電極の寸法を大きくする必要があり、その
結実装置の床面積が大きくなるという欠点がある。例え
ば、この型式の装置を例えば既存のインライン式の真空
プロセス装置に組込む場合に他の装置部分との関係から
電極装置の床面積を任意に大きくすることができないた
め、単に電極の寸法を大きくして基板処理枚数を増すこ
とは実際上困難である。
発明が解決しょうとする問題点
そこで本発明は、電極を多段構造として従来の平行平板
電極構造に伴なう上述のＬうな欠点を解消することにあ
る。
電極構造に伴なう上述のＬうな欠点を解消することにあ
る。
問題点全解決でるだめの手段
上記目的全達成するために１本発明は真空プロセス装置
用の多段式電極組立体を提供し、この装置は、各々複数
個の処理すべき基板の取付けられる回転電極を同一回転
軸に多段に装着し、各回転電項に対向させて固定電極を
配置し、各段の国定電極の面積全等しくして各段におけ
る放電インピーダンスが等しくなるように構成さ几る。
用の多段式電極組立体を提供し、この装置は、各々複数
個の処理すべき基板の取付けられる回転電極を同一回転
軸に多段に装着し、各回転電項に対向させて固定電極を
配置し、各段の国定電極の面積全等しくして各段におけ
る放電インピーダンスが等しくなるように構成さ几る。
作用
この工うに構成することに工っで本発明の電極組立体に
おいて各段の回転電極には多数枚の処理すべき基板を載
せることができ、総処理数を飛躍的に向上させることが
でき心。また各段における固定電極が全て同じ面積とな
るように構成しているので各段における放電インピーダ
ンスは同一となり、各段間において均一な処理を行なう
ことができ−る。各段の回転電極内部ＶＣは中空回転軸
全通って冷却水が供給さ几得る。ざらにＲＦＮ、力は反
応性イオンエツチング用として実施する場曾には中空回
転軸を介して各回転電極に投入され、この親会中空回転
軸の内側に高周波導電性の良好な部材（例えばＯｕｌ全
内張りすることによって回転軸内部における高周波損失
をできろ限りおさえ、各段に均一なＲＦ’電力全供給す
ゐことができ名。
おいて各段の回転電極には多数枚の処理すべき基板を載
せることができ、総処理数を飛躍的に向上させることが
でき心。また各段における固定電極が全て同じ面積とな
るように構成しているので各段における放電インピーダ
ンスは同一となり、各段間において均一な処理を行なう
ことができ−る。各段の回転電極内部ＶＣは中空回転軸
全通って冷却水が供給さ几得る。ざらにＲＦＮ、力は反
応性イオンエツチング用として実施する場曾には中空回
転軸を介して各回転電極に投入され、この親会中空回転
軸の内側に高周波導電性の良好な部材（例えばＯｕｌ全
内張りすることによって回転軸内部における高周波損失
をできろ限りおさえ、各段に均一なＲＦ’電力全供給す
ゐことができ名。
実施例
以下添附図面の第７．２図全参照して本発明の一実施例
について説明する。
について説明する。
第１図には二段式電極組立体を概略的に不し。
真空４４９’４内には中空回転軸７がのびており、この
中空υ１転軸７に二つの回転電極ｒ６りが取付けられて
いる。さらに、こｎらの各回転電極ｒ、りに対向して固
定電極ｉｏ、ｉｉがそ几ぞれ設けらｎている。また図示
の工うに１回転電極ｒの中央部には補助電極１２が設け
られ、固定電極１０の中央部には補助Ｘ極／コを包囲す
るように絶縁部材／３が設けらｎでおり１両回転電極ｔ
、りお工び両Ｉｌ！−１定電極１０．／／の面積が等し
くなるように構成されている。各回転電極！、りの周囲
には図示したようにアースシールド／弘、／！が設けら
れ、各回転電極？、夕とｍ会さったアースシールド／≠
、／！の間にはテフロンの工うな絶縁部材／ｌ、／７が
挿置されて込る。各回転電極♂、り上には処理すべき多
数の基板／♂が載せられる。
中空υ１転軸７に二つの回転電極ｒ６りが取付けられて
いる。さらに、こｎらの各回転電極ｒ、りに対向して固
定電極ｉｏ、ｉｉがそ几ぞれ設けらｎている。また図示
の工うに１回転電極ｒの中央部には補助電極１２が設け
られ、固定電極１０の中央部には補助Ｘ極／コを包囲す
るように絶縁部材／３が設けらｎでおり１両回転電極ｔ
、りお工び両Ｉｌ！−１定電極１０．／／の面積が等し
くなるように構成されている。各回転電極！、りの周囲
には図示したようにアースシールド／弘、／！が設けら
れ、各回転電極？、夕とｍ会さったアースシールド／≠
、／！の間にはテフロンの工うな絶縁部材／ｌ、／７が
挿置されて込る。各回転電極♂、り上には処理すべき多
数の基板／♂が載せられる。
図示実施例では反応性イオンエツチング用に設計さｎて
おり、各回転電極？、７にＲＦ’電力を投入するため中
空回転軸７は几Ｆ電源／りに接続さ几ている。当然陽極
結廿型プラズマエツチング用とするためＢＦ電源ｉｔを
各固定電極１０．／／に接続することもできる。また図
示実施例は二段式であるが、当然必要に応じて二段以上
の多段式とすることができる。
おり、各回転電極？、７にＲＦ’電力を投入するため中
空回転軸７は几Ｆ電源／りに接続さ几ている。当然陽極
結廿型プラズマエツチング用とするためＢＦ電源ｉｔを
各固定電極１０．／／に接続することもできる。また図
示実施例は二段式であるが、当然必要に応じて二段以上
の多段式とすることができる。
次に中空回転軸７内゛の虜造γ例示した第２図を参照す
ると、この中空回転軸７の内側には高周波導電性の良好
な銅の内張ＶコＱが施さ汎ており。
ると、この中空回転軸７の内側には高周波導電性の良好
な銅の内張ＶコＱが施さ汎ており。
また冷却水供給管２／が挿置されている。冷却水は矢印
で示す工うに回転電極！、りの内部へ供給され、そして
点線で示す排出口から冷却水供給管コ／の周囲の空所を
通って排出さｎる。この人うに回転軸７の内側に鋼の内
張！ｌｌλＯｆ設けることにエリ回転軸７の内部におけ
る高周波損失は少なく、各段へ均一なＲＦ’電力を供給
することができる。
で示す工うに回転電極！、りの内部へ供給され、そして
点線で示す排出口から冷却水供給管コ／の周囲の空所を
通って排出さｎる。この人うに回転軸７の内側に鋼の内
張！ｌｌλＯｆ設けることにエリ回転軸７の内部におけ
る高周波損失は少なく、各段へ均一なＲＦ’電力を供給
することができる。
効果
以上説明してきた工うに本発明に工ｆＬば平行平板電極
を多段式に設け、各段で多数の基板を処理できる工うに
構成し７ているので、従来型の電極構造に比べて同一床
面積にした場会には処理量を大幅に増大させることがで
き、一方処理基板の量全同じにした場会には装置の床面
積を大幅に小さくてることができ、また各段における放
電インピーダンス全等しくしかも各段に均一にＲＦ電力
全投入できろ工うにｔＡ成しているので処理量べき全基
板を均一に処理量ゐことができる。従って本発明にＬる
多段式電極組立体は例えばインライン式真空プロセス装
置に有利に用いることができる。
を多段式に設け、各段で多数の基板を処理できる工うに
構成し７ているので、従来型の電極構造に比べて同一床
面積にした場会には処理量を大幅に増大させることがで
き、一方処理基板の量全同じにした場会には装置の床面
積を大幅に小さくてることができ、また各段における放
電インピーダンス全等しくしかも各段に均一にＲＦ電力
全投入できろ工うにｔＡ成しているので処理量べき全基
板を均一に処理量ゐことができる。従って本発明にＬる
多段式電極組立体は例えばインライン式真空プロセス装
置に有利に用いることができる。
第〈−図は本発明の一実施例による二段式電極組立体ケ
示すＣＬ略折断面図第２図は＄７図の装置の一部分の構
造を示す部分拡大断面図、第３図な従来の平行平板型電
極構造全示す概略断面図である。 図中、７：中空口伝軸、？、り：回転電極、ＩＯ１／／
：固定電極、／２：補助電極、 ／４１．／よ：アース
シールドウ２０：内張り。 第１図 第２図
示すＣＬ略折断面図第２図は＄７図の装置の一部分の構
造を示す部分拡大断面図、第３図な従来の平行平板型電
極構造全示す概略断面図である。 図中、７：中空口伝軸、？、り：回転電極、ＩＯ１／／
：固定電極、／２：補助電極、 ／４１．／よ：アース
シールドウ２０：内張り。 第１図 第２図
Claims (1)
- 各々複数個の処理すべき基板の取付けられる回転電極を
同一回転軸に多段に装着し、各回転電極に対向させて固
定電極を配置し、各段の固定電極の面積を等しくして各
段における放電インピーダンスが等しくなるように構成
したことを特徴とする真空プロセス装置用の多段式電極
組立体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19479884A JPS6173891A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 真空プロセス装置用の多段式電極組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19479884A JPS6173891A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 真空プロセス装置用の多段式電極組立体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173891A true JPS6173891A (ja) | 1986-04-16 |
| JPS6340869B2 JPS6340869B2 (ja) | 1988-08-12 |
Family
ID=16330431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19479884A Granted JPS6173891A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 真空プロセス装置用の多段式電極組立体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6173891A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534232A (en) * | 1994-08-11 | 1996-07-09 | Wisconsin Alumini Research Foundation | Apparatus for reactions in dense-medium plasmas |
| US7819384B2 (en) | 2005-08-10 | 2010-10-26 | Waterworks Technology Development Organization | Gate valve device |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP19479884A patent/JPS6173891A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534232A (en) * | 1994-08-11 | 1996-07-09 | Wisconsin Alumini Research Foundation | Apparatus for reactions in dense-medium plasmas |
| US7819384B2 (en) | 2005-08-10 | 2010-10-26 | Waterworks Technology Development Organization | Gate valve device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340869B2 (ja) | 1988-08-12 |
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