JPH0425223Y2 - - Google Patents

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JPH0425223Y2
JPH0425223Y2 JP11865685U JP11865685U JPH0425223Y2 JP H0425223 Y2 JPH0425223 Y2 JP H0425223Y2 JP 11865685 U JP11865685 U JP 11865685U JP 11865685 U JP11865685 U JP 11865685U JP H0425223 Y2 JPH0425223 Y2 JP H0425223Y2
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electrodes
disk
electrode
substrate
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JP11865685U
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は気相中でプラズマを用いて被加工物表
面を改質したりプラズマ重合によつて薄膜を形成
するためのプラズマ処理装置に関する。
従来の技術 可聴周波数の交流電力を用いてプラズマを発生
させるプラズマ処理装置は、インピーダンス整合
のためのいわゆる、マツチングボツクスが不要で
あり、また電磁波の漏洩を防止するシールド構造
が容易であるという利点がある。併し表面処理の
行なわれる被加工物である基板を可及的に大きく
できる構成は存在しない。
このように従来では、可聴周波数の交流電力を
用いるプラズマ処理装置は、第4図に示す如く交
流電力が供給される対向した一対の電極20,3
0間でその電極からずれた位置に回転軸線50を
有する円板40を、その円板が電極20,30に
平行となるように設け、この円板にプラズマ処理
すべき基板Aがとりつけられていた。
考案が解決しようとする問題点 このような従来技術によればプラズマ処理され
る基板Aを大型化するには、円板40を対向電極
20,30よりも大きくすることが必要であり、
従つて、大きいプラズマ処理面積を得るためには
装置を極めて大きくしなければならない。
基板Aのプラズマ処理すべき表面は、円板40
が回転するので常時は両電極20,30間に存在
することができず、そのため、大きな面積を有す
る基板に均一なプラズマ処理を行なうことができ
ないのみならず処理速度も低いという問題があつ
た。
本考案は上記問題点を解決し、プラズマ処理装
置を小型化し、しかも速やかに均一なプラズマ処
理を行なうことが可能な装置を提供することを目
的とする。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成するため本考案の構成は次の通
りとする。
即ち、間隔をあけ対向配置された一対の平行平
板電極と、該一対の電極が対向する領域内に配置
され、これら電極と平行であり、被加工基板が取
付可能とされた円板と、前記円板に基端部が固定
され、一方電極を挿通し、軸線まわりに回転可能
に支持された回転軸と、前記回転軸に関して、円
板とは反対側に配置され、回転軸をその軸線まわ
りに回転駆動する駆動装置と、前記電極間に可聴
周波数の電力を供給する電力源とを含み、前記一
方電極が周方向に分割されていることである。
作 用 真空槽内で対向して配置される一対の電極間に
おいてその対向する領域に配置された円板に被加
工基板がとりつけられ、円板の中心軸線まわりに
回転されるとともに槽内部に原料ガスを充分に行
きわたらせたのち前記両電極間に可聴周波数の電
力でグロー放電させる。そして、これら両電極間
にプラズマを発生さすことにより前記被加工基板
の表面に一様に薄膜が堆積される。
実施例 以下本考案を図面に示す実施例にもとづいて説
明する。
本考案は第1図および第3図に示すように、真
空槽10内に間隔をあけて対向配置され、一対を
なす一方電極20、他方電極30と、該一対の電
極が対向する領域内に配置され、これら電極と平
行であつて、被加工基板Aが取付可能とされた円
板40と、該円板に基端部を固定され、一方電極
20を挿通し、軸線まわりに回転可能に支持さ
れ、内部に水冷機構51を内蔵する回転軸50
と、該回転軸を回転駆動するために、該回転軸5
0の前記円板取付側と反対側に配置された駆動装
置60と、前記両電極20,30間に可聴周波数
の電力を供給する電力源70とを含み、前記一方
電極20は周方向に2分割されてなるものであ
る。
しかして、前記真空槽10は、槽本体11が蝶
番12aを介して開閉自在な蓋12でパツキング
12bなどを介して密封され、該槽内には下部に
設けられたガス導管15を経て原料ガス(例えば
有機モノマーガス又は希ガス)が導入される。ま
た、前記蓋12には絶縁体(商品名テフロン等)
14a,14bを介して軸受部13が固着され
る。該軸受部13には後記水冷機構のための入口
管継手13aおよび出口管継手13bが設けられ
ている。
一方電極20は第2図に示されるように周方向
に2分割された極板21,21が組付手段により
円板状に組付け可能とされ、中央に回転軸50の
貫通軸孔21aが設けられた非磁性本体25の裏
面(第2図上面側)に内周磁性体23と外周磁性
体24とを固着し、該両磁性体23,24に橋架
して複数の永久磁石22が同極を内向きまたは外
向きにして放射状に配列されてマグネトロン電極
を形成する。これら組付極板の上面側にはステン
レス鋼からなる非磁性体の第1カバー26が装着
され、更に、その上面を非磁性2分割第2カバー
27で覆つている。一方電極20は4個のセラミ
ツク製絶縁碍子28によつて蓋12に下向きに取
りつけられる。
他方極板30は単一体のマグネトロン電極から
なり、図示省略の手段により槽本体11と絶縁さ
れ、槽内下部に上向きに取付けられる。
円板40はステンレス鋼からなり内部をステン
レス鋼の薄板41で水平に仕切られ、前記入口管
継手13aおよび出口管継手13bに接続される
水冷機構51の流路が形成されている。円板40
の下面に被加工基板Aが取付けられる。水冷機構
51は被加工基板Aを熱媒循環加熱する必要があ
るときにはこれら流路に熱物質を流通させること
により加熱機構とすることもできる。
前記軸受部13には軸受16を介して2重管状
の回転軸50が回転可能に支持される。即ち、回
転軸50の内部には中央に導水路51aが、また
その周囲に排水路51bが形成され、これらは
夫々前記入口管継手13a、出口管継手13bに
接続される。導水路51aと排水路51bとは前
記円板40内で接続され水冷(加熱)機構51を
形成する。
駆動装置60は、モータ61より減速機62を
経て主動スプロケツトホイル63を回転させチエ
ン65を経て従動スプロケツトホイル64を回転
させるが、該スプロケツトホイル64は例えばジ
ユラコンなどからなり回転軸50とは電気的に絶
縁されている。
電力源70は1〜数百KHzの可聴周波数の交流
電力源であり、導線71が絶縁状態で槽本体11
および蓋12を貫通し、前記一方電極20および
他方電極30に接続され、これら電極間の原料ガ
ス雰囲気中にグロー放電を発生させる。
なお、第1図に示す17は、槽10内に発生す
るプラズマの影響により、槽外へノイズが放散す
るのを防ぐため、槽本体11の外周に装設された
防護網であり、接地されている。
以上において、作動態様を説明する。
前記一対の電極20,30に印加する可聴周波
電力によりこれら電極間にグロー放電を発生させ
ることにより、槽内の原料ガスが分解して被処理
基板Aの表面に薄膜(例えば有機膜)を堆積させ
る。
本考案によると、被処理基板Aが取りつけられ
た円板40は前記一対の電極20,30が対向す
る領域内全域を満たす大きさに設定されることが
できるので、該円板相当径の被加工基板の処理が
可能である。
円板40は電気的にフローテイングされ、内部
に水冷または熱媒循環加熱(Max80℃)が可能
な構造となり、回転駆動されるので、被加工基板
Aへの成膜分布が均一化されるとともに速かなプ
ラズマ処理が可能である。
一方電極20は2分割可能とされ、回転軸50
に貫挿され、かつ、前記回転軸50が貫挿する回
転軸孔21aを有するので該電極20は装脱が容
易にできるほか、磁界の変更等のためのマグネツ
トの交換や装着修正にも手間がかからない。
一方電極20、他方電極30は真空槽10に対
して碍子28を介して絶縁され、蓋12と軸受部
13との間にはテフロン絶縁物14a,14bに
よる絶縁が、また、回転軸50とモータ61との
間にはブロツク体絶縁物64aによつて絶縁され
たうえ、更に、槽本体11の外周にはアースされ
た網体17が設けられているので、両電極20,
30内に発生するプラズマが槽外からの影響を受
けたり、また、ノイズが槽外機器等に影響を及ぼ
すことは全くない。
考案の効果 本考案は以上の如く、間隔をあけて対向配置さ
れた一対の平行平板電極と、該一対の電極が対向
する領域内に配置され、これら電極と平行であ
り、被加工基板が取付可能とされた円板と、前記
円板に基端部が固定され、一方電極を挿通し、軸
線まわりに回転可能に支持された回転軸と、前記
回転軸に関して、円板とは反対側に配置され、該
回転軸をその軸線まわりに回転駆動する駆動装置
と、前記電極間に可聴周波数の電力を供給する電
力源とを含み、前記一方電極が周方向に分割され
ているので、プラズマ処理を均一に行なうことを
可能にし、しかも処理速度をあげることができる
もので、装置も小型のもので間に合い、保守も容
易であるなど各方面にわたつて大きな効果を発揮
することとなつた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す縦断面図、第
2図は要部分解斜視図、第3図は第1図の要部拡
大断面図、第4図は従来の技術を示す縦断面図で
ある。 A……基板、10……真空槽、11……槽本
体、13……軸受部、15……原料ガス導管、2
0……一方電極、21……極板、22……永久磁
石、23……内周磁性体、24……外周磁性体、
26……第1カバー、27……第2カバー、30
……他方電極、40……円板、50……回転軸、
51……冷水(加熱)機構、60……駆動装置、
61……モータ、70……電力源。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 間隔をあけ対向配置された一対の平行平板電極
    20,30と、 前記一対の電極が対向する領域内に配置され、
    これら電極と平行であり、被加工基板Aが取付可
    能とされた円板40と、 前記円板に基端部が固定され、一方電極20を
    挿通し、軸線まわりに回転可能に支持された回転
    軸50と、 前記回転軸に関して、円板40とは反対側に配
    置され、該回転軸50をその軸線まわりに回転駆
    動軸する駆動装置60と。 前記電極間に可聴周波数の電力を供給する電力
    源70とを含み、 前記一方電極20が周方向に分割されているこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
JP11865685U 1985-07-31 1985-07-31 Expired JPH0425223Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11865685U JPH0425223Y2 (ja) 1985-07-31 1985-07-31

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11865685U JPH0425223Y2 (ja) 1985-07-31 1985-07-31

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Publication Number Publication Date
JPS6228839U JPS6228839U (ja) 1987-02-21
JPH0425223Y2 true JPH0425223Y2 (ja) 1992-06-16

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JP11865685U Expired JPH0425223Y2 (ja) 1985-07-31 1985-07-31

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