KR850005746A - 바이어스 전류 기준회로 및 그 제공방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명에 따른 바이어스 기준회로에 대한 개략도.
10: 바이어스 전류 기준회로, 11: 기준전압부분, 12:기준전류부분, 13:바이어스 전압부분, 14:바이어스 전류부분, 15: 출력부분.
Claims (10)
- 바이어스 전류에 비례하는 기준 전압을 제공하기 위해 제1쌍극성 트랜지스터를 포함하는 기준전압수단과, 제1 및 제2온도계수가 실제로 제3온도계수와 동일한 상태에서, 제1및 제2예정 온도계수를 갖는 제1 및 제2저항과 직렬로 결합된 제2쌍극성 트랜지스터를 포함하는 기준 전압수단에 결합되고, 예정된 제3온도계수를 가지며 상기 제1 및 제2저항의 저항값에 비례하는 상기 제1 및 제2쌍극성 트랜지스터의 베이스-에미터 전압차에 비례하는 기준전류를 제공하는 기준 전류수단과, 기준 전류에 비례하는 바이어스 전압을 제공하기 위하여 기준전류수단에 결합되는 바이어스 전압수단과, 바이어스 전압에 비례하는 바이어스 전류를 상기 기준전압수단에 제공하기 위해 바이어스 전압수단에 결합된 바이어스 전류수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 실제 0온도 계수를 갖는 바이어스 전류 기준회로.
- 제1항에 있어서, 제1공급전압을 수신하기 위하여 한 단자에 연결된 제1전류전극 및 제어전극과, 제1저항에 연결된 제2전류전극을 구비하는 제2쌍극성 트랜지스터는 다이오드 연결되는 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 기준회로.
- 제2항에 있어서, 제1쌍극성 트랜지스터는 다이오드 연결되고, 제1전도형의 다이오드 연결된 제1MOS트랜지스터와 직렬로 결합되며, 제1MOS트랜지스터는 이 트랜지스터의 제어전극에 기준전압을 발생시키는 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 기준회로.
- 제3항에 있어서, 상기 바이어스 전류수단은 제1 MOS 트랜지스터의 제1전류 전극에 결합된 제1전류 전극과, 제2공급전압에 결합된 제2전류전극과, 바이어스 전류수단에 결합된 제어전극을 구비하는 제2전도형의 제2 MOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 기준회로.
- 제4항에 있어서, 상기 바이어스 전압수단은 기준전류수단과 제2 MOS 트랜지스터의 제어전극에 결합된 제1전류전극 및 제어전극과, 제2공급전압에 결합된 제2전류 전극을 구비하는 제2전도형의 제3 MOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 기준회로.
- 제5항에 있어서, 상기 기준전류수단은 상기 제2저항에 결합된 제1전류전극과, 제1 MOS 트랜지스터의 제어전극에 결합된 제어전극과, 기준전압에 결합된 제2제어전극을 구비하는 제1전도형 제4 MOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 기준회로.
- 제1항에 이어서, 출력단자에 출력 바이어스 전류를 제공하기 위하여 바이어스 전압수단에 결합된 제2바이어스 전류 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 기준회로.
- 제7항에 있어서, 상기 제2바이어스 전류수단은 출력단자에 결합된 제1전류전극과, 바이어스 전압수단에 결합된 제어전극과, 공급 전압단자에 결합된 제2전류전극을 구비하는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로하는 바이어스 전류 기준회로.
- 바이어스 전류에 비례하고 제1쌍극성 트랜지스터를 이용하는 기준전압을 제공하고, 제2쌍극성 트랜지스터와 제1 및 제2온도 계수를 갖는 제1 및 제2 저항을 이용하는 기준전류로서, 제3예정 온도계수를 갖는 제1 및 제2 쌍극성 트랜지스터의 베이스-에미터 전압 VBE의 차에 비례하는 기준전류를 제공하며, 제1및 제2온도계수의 가중합이 실제로 제3온도계수와 동일하게 되도록 제1, 제2 및 제3온도계수의 비를 정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실제 0온도 계수를 갖는 바이어스 전류 기준 제공방법.
- 제어전극과 제1공급전압단자에 결합된 제1 전극을 구비하며 제1 VBE전압을 구비하는 제1쌍극성 트랜지스터와, 제1쌍극성 트랜지스터의 제2 전류전극에 결합된 제1전류전극과, 제2전류전극에 결합된 제어전극을 구비하는 제1전도형 제1MOS트랜지스터와, 제1공급전압 단자에 결합된 제1전류전극 및 제어전극과, 제2전류 전극을 구비하며 제2 VBE전압을 구비하는 제2쌍극성 트랜지스터와, 제2쌍극성 트랜지스터의 제2전류전극에 결합된 제1단자와, 제2단자를 구비하는, 제1예정 온도계수를 갖는 제1저항과, 제1저항의 제1단자에 결합된 제1단자와, 제2단자를 구비하는, 제2예정 온도계수를 갖는 제2저항과, 제1 MOS 트랜지스터와의 비율이 결정된 물리적인 디멘죤을 가지며, 제2저항의 제2단자에 결합된 제1전류 전극과, 제1 MOS트랜지스터의 제어전극에 결합된 제어 전극을 구비하는 제2 MOS트랜지스터로서, 제3예정 온도계수를 갖는 제1 VBE전압과 제2 VBE전압사이의 차에 비례하는 전압이 제1 및 제2저항에 발생되는 상태에서의 제2 MOS트랜지스터와, 바이어스 전압을 제공하기 위하여 제2 MOS트랜지스터의 제2전류전극과 제2공급전압단자 사이에 결합된 바이어스 전압수단과, 바이어스 전압에 비례하는 바이어스 전류를 제1쌍극성 트랜지스터와 제1 MOS 트랜지스터에 제공하기 위하여 제1 MOS 트랜지서터의 제2전류전극과 제2공급전압 단자의 사이와 바이어스 전압수단에 결합된 제1바이어스 전류수단과, 바이어스 전압에 비례하는 출력전류기준을 제공하기 위하여 출력단자와 제2공급전압 단자의 사이와 바이어스 전압수단에 결합되는 제2바이어스 전류 수단을 포함하며, 제1 및 제2온도계수의 가중합이 0온도계수를 갖는 바이어스 전류기준을 제공하기 위한 제3온도계수와 실제 동일한 것을 특징으로 하는 바이어스 전류 기준회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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