KR840006732A - 광전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용없음

Description

광전지 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따라 전기 절연물질 패턴이 배치된 스트립 형태의 반토체 물질의 부분확대 평면도.
제5도는 제4도에 도시된 절연물질 패턴이 연속적인 스트립 형태의 반도체 물질상에 적용된 사시도.
제6도는 절연물질 패턴이 적용된 반도체 물질의 부분확대도.

Claims (20)

  1. 전기적 전도성을 갖는 기판과 상기 기판상의 반도체 보디와 상기 반도체 보디상의 투명한 전기적 전도성 피막을 포함하는 매트릭스 형태의 소규모 전기 절연부를 포함하는 대규모 광전지에 있어서, 상기 대규모 광전지는 상기 반도체 보디(12a) 내지 (12c)상에 배치되어 상기 대규모 광전지(10)를 매트릭스 형태의 소규모부분(26)으로 나누는 전기적 절연물질(23)의 패턴(24)과 상기 절연물질이 인접한 소규모 부분을 분리시켜 이를 전기적으로 절연시키도록 상기 투명한 전기적 전도성 피막(22)보다 더 큰 두께를 갖는 전기 절연물질 패턴의 두께로 인해 더욱 개선되는 것을 특징으로 하는 광전지.
  2. 제1항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴은 대략 1mil의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지.
  3. 제2항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질(23)은 실리콘 페이스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지.
  4. 제1항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질 패턴(24)은 대규모 광전지(10)를 매트릭스 형태의 소규모 전기절연부(26)로 세분화시키는 것을 특징으로 하는 광전지.
  5. 제1항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질 패턴(24)은 대규모 광전지(10)의 주변 보오더부(36)를 덮는 것을 특징으로 하는 광전지.
  6. 제5항에 의한 광전지에 있어서, 상기 주변 보오더부(36)는 대략 ⅛ 내지 ¾인치의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 광전지.
  7. 광전지 물질의 연속적인 스트립으로부터 전기적 전도성을 갖는 기관과 상기 기관상의 반도체 보디를 포함하여 서로 이격되는 대규모 광전지를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제조방법은 투명한 전기전도성 피막을 증착시키기 전에 상기 반도체 보디상에 이격되는 여러 대규모 광전지로 상기 연속 스트립을 분리시키는 선정된 패턴으로 전기적 절연 물질을 제공한 다음, 상기 절연물질보다 더 작은 두께로 투명한 전기전도성 피막을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  8. 제7항에 의한 제조방법에 있어서, 각각의 대규모 광전지는 매트릭 형태의 소규모 전기절연부를 포함하며, 상기 반도체 보디상에 상기 전기 절연물질을 선정된 패턴으로 제공하는 단계는 상기 각각의 대규모 광전지를 매트릭스 형태의 소규모 부분으로 분리시키기 위해 전기 절연물질을 제공하는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  9. 제7항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 각각의 대규모 광전지는 전기적으로 활성화되지 않은 영역을 포함하며, 상기 반도체 보디상에 전기절연 물질을 형성시키는 단계에서 상기의 전기절연 물질은 각각의 대규모 광전지의 주변 보오더부에 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  10. 제9항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은 광전지 물질의 연속스트립을 서로 분리되는 대규모 광전지로 절단시키는 부가적인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  11. 제8항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은 투명한 전기전도성 피막층을 형성시키는 또 다른 단계를 포함하며, 상기 전기절연 물질은 상기 투명한 전기 전도성 피막보다 더욱 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  12. 전기적 전도성을 갖는 기판과 상기 기판상의 반도체 보디와 상기 반도체 보디상에 증착된 투명한 전기전도성 피막을 포함하며 전기절연 물질층에 의해 전기적으로 절연되는 매트릭스 형태의 소규모 전기전도부를 대규모 광전지상에 형성시키는 방법에 있어서, 상기 방법은 대규모 광전지를 매트릭스 형태의 소규모 전기절연부로 나누기 위해 투명한 전기 전도성 피막을 형성시키기 전에 상기 반도체 보디상에 절연물질을 선택된 패턴으로 형성시킨 다음, 상기 절연물질보다 더 작은 두께로 투명한 전기 전도성 피막을 형성시키는 단계로 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  13. 제12항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 대규모 광전지는 전기적으로 활성화되지 않은 영역을 포함하며, 상기 반도체 보디상에 전기절연 물질을 형성시키는 단계는 상기 전기 절연물질을 대규모 광전지의 주변 보오더부에 형성시키는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  14. 제10항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 전기 절연물질은 1 내지 5mil 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
  15. 전기적 전도성을 갖는 기판과 상기 기판상의 반도체 보디와 상기 보디상의 투명한 전기적 전도성 피막을 포함하는 서로 이격되어 전기적으로 절연되는 여러 대규모 광전지를 포함하는 연속적인 광전지 물질 스트립에 있어서, 상기 스트립은 반도체 보디(12a) 내지 (12c)상의 전기절연 물질 패턴(24)과 투명한 전기전도성 피막(22)보다 더 두꺼운 전기절연물질 두께로 인해 더욱 개선되는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
  16. 제15항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연 물질(23)의 패턴(24)은 각각 대규모 광전지(10)를 매트릭스 형태의 소규모 전기 절연부(26)로 분리시키는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
  17. 제16항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴(24)은 각각의 대규모 광전지(10)의 주변 보오더부(36)를 부가적으로 덮는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
  18. 제17항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴은 대략 1mil의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
  19. 제18항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)은 실리콘 페이스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
  20. 제16항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴(24)은 각각의 대규모 광전지를 180개의 소규모 부분(26)으로 나누는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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