KR840006732A - 광전지 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따라 전기 절연물질 패턴이 배치된 스트립 형태의 반토체 물질의 부분확대 평면도.
제5도는 제4도에 도시된 절연물질 패턴이 연속적인 스트립 형태의 반도체 물질상에 적용된 사시도.
제6도는 절연물질 패턴이 적용된 반도체 물질의 부분확대도.
Claims (20)
- 전기적 전도성을 갖는 기판과 상기 기판상의 반도체 보디와 상기 반도체 보디상의 투명한 전기적 전도성 피막을 포함하는 매트릭스 형태의 소규모 전기 절연부를 포함하는 대규모 광전지에 있어서, 상기 대규모 광전지는 상기 반도체 보디(12a) 내지 (12c)상에 배치되어 상기 대규모 광전지(10)를 매트릭스 형태의 소규모부분(26)으로 나누는 전기적 절연물질(23)의 패턴(24)과 상기 절연물질이 인접한 소규모 부분을 분리시켜 이를 전기적으로 절연시키도록 상기 투명한 전기적 전도성 피막(22)보다 더 큰 두께를 갖는 전기 절연물질 패턴의 두께로 인해 더욱 개선되는 것을 특징으로 하는 광전지.
- 제1항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴은 대략 1mil의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지.
- 제2항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질(23)은 실리콘 페이스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지.
- 제1항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질 패턴(24)은 대규모 광전지(10)를 매트릭스 형태의 소규모 전기절연부(26)로 세분화시키는 것을 특징으로 하는 광전지.
- 제1항에 의한 광전지에 있어서, 상기 절연물질 패턴(24)은 대규모 광전지(10)의 주변 보오더부(36)를 덮는 것을 특징으로 하는 광전지.
- 제5항에 의한 광전지에 있어서, 상기 주변 보오더부(36)는 대략 ⅛ 내지 ¾인치의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 광전지.
- 광전지 물질의 연속적인 스트립으로부터 전기적 전도성을 갖는 기관과 상기 기관상의 반도체 보디를 포함하여 서로 이격되는 대규모 광전지를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제조방법은 투명한 전기전도성 피막을 증착시키기 전에 상기 반도체 보디상에 이격되는 여러 대규모 광전지로 상기 연속 스트립을 분리시키는 선정된 패턴으로 전기적 절연 물질을 제공한 다음, 상기 절연물질보다 더 작은 두께로 투명한 전기전도성 피막을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 제7항에 의한 제조방법에 있어서, 각각의 대규모 광전지는 매트릭 형태의 소규모 전기절연부를 포함하며, 상기 반도체 보디상에 상기 전기 절연물질을 선정된 패턴으로 제공하는 단계는 상기 각각의 대규모 광전지를 매트릭스 형태의 소규모 부분으로 분리시키기 위해 전기 절연물질을 제공하는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 제7항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 각각의 대규모 광전지는 전기적으로 활성화되지 않은 영역을 포함하며, 상기 반도체 보디상에 전기절연 물질을 형성시키는 단계에서 상기의 전기절연 물질은 각각의 대규모 광전지의 주변 보오더부에 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 제9항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은 광전지 물질의 연속스트립을 서로 분리되는 대규모 광전지로 절단시키는 부가적인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 제8항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은 투명한 전기전도성 피막층을 형성시키는 또 다른 단계를 포함하며, 상기 전기절연 물질은 상기 투명한 전기 전도성 피막보다 더욱 두꺼운 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 전기적 전도성을 갖는 기판과 상기 기판상의 반도체 보디와 상기 반도체 보디상에 증착된 투명한 전기전도성 피막을 포함하며 전기절연 물질층에 의해 전기적으로 절연되는 매트릭스 형태의 소규모 전기전도부를 대규모 광전지상에 형성시키는 방법에 있어서, 상기 방법은 대규모 광전지를 매트릭스 형태의 소규모 전기절연부로 나누기 위해 투명한 전기 전도성 피막을 형성시키기 전에 상기 반도체 보디상에 절연물질을 선택된 패턴으로 형성시킨 다음, 상기 절연물질보다 더 작은 두께로 투명한 전기 전도성 피막을 형성시키는 단계로 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 제12항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 대규모 광전지는 전기적으로 활성화되지 않은 영역을 포함하며, 상기 반도체 보디상에 전기절연 물질을 형성시키는 단계는 상기 전기 절연물질을 대규모 광전지의 주변 보오더부에 형성시키는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 제10항에 의한 제조방법에 있어서, 상기 전기 절연물질은 1 내지 5mil 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전지 제조방법.
- 전기적 전도성을 갖는 기판과 상기 기판상의 반도체 보디와 상기 보디상의 투명한 전기적 전도성 피막을 포함하는 서로 이격되어 전기적으로 절연되는 여러 대규모 광전지를 포함하는 연속적인 광전지 물질 스트립에 있어서, 상기 스트립은 반도체 보디(12a) 내지 (12c)상의 전기절연 물질 패턴(24)과 투명한 전기전도성 피막(22)보다 더 두꺼운 전기절연물질 두께로 인해 더욱 개선되는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
- 제15항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연 물질(23)의 패턴(24)은 각각 대규모 광전지(10)를 매트릭스 형태의 소규모 전기 절연부(26)로 분리시키는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
- 제16항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴(24)은 각각의 대규모 광전지(10)의 주변 보오더부(36)를 부가적으로 덮는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
- 제17항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴은 대략 1mil의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
- 제18항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)은 실리콘 페이스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.
- 제16항에 의한 연속 스트립에 있어서, 상기 절연물질(23)의 패턴(24)은 각각의 대규모 광전지를 180개의 소규모 부분(26)으로 나누는 것을 특징으로 하는 광전지 물질의 연속 스트립.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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GB2432418B (en) * | 1982-07-02 | 2008-01-09 | Secr Defence | Optical sensing systems |
US4594471A (en) * | 1983-07-13 | 1986-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
DE3427574A1 (de) * | 1984-07-26 | 1986-02-06 | Stromeyer Ingenieurbau GmbH, 7750 Konstanz | Vorrichtung zur beschattung von flaechen |
US4704369A (en) * | 1985-04-01 | 1987-11-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of severing a semiconductor device |
US4713492A (en) * | 1985-10-21 | 1987-12-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Stowable large area solar power module |
US4860509A (en) * | 1987-05-18 | 1989-08-29 | Laaly Heshmat O | Photovoltaic cells in combination with single ply roofing membranes |
US5112409A (en) * | 1991-01-23 | 1992-05-12 | Solarex Corporation | Solar cells with reduced recombination under grid lines, and method of manufacturing same |
US5637537A (en) * | 1991-06-27 | 1997-06-10 | United Solar Systems Corporation | Method of severing a thin film semiconductor device |
DE4324320B4 (de) * | 1992-07-24 | 2006-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer als dünne Schicht ausgebildeten fotovoltaischen Umwandlungsvorrichtung |
US6316283B1 (en) * | 1998-03-25 | 2001-11-13 | Asulab Sa | Batch manufacturing method for photovoltaic cells |
US6888678B2 (en) * | 2000-02-16 | 2005-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Irregular-shape body, reflection sheet and reflection-type liquid crystal display element, and production method and production device therefor |
US6730841B2 (en) | 2001-03-14 | 2004-05-04 | United Solar Systems Corporation | Method and apparatus for mounting a photovoltaic roofing material |
US6767762B2 (en) | 2002-07-23 | 2004-07-27 | United Solar Systems Corporation | Lightweight semiconductor device and method for its manufacture |
US20050072456A1 (en) * | 2003-01-23 | 2005-04-07 | Stevenson Edward J. | Integrated photovoltaic roofing system |
US7342171B2 (en) * | 2003-01-23 | 2008-03-11 | Solar Intergrated Technologies, Inc. | Integrated photovoltaic roofing component and panel |
US8381464B2 (en) * | 2003-04-02 | 2013-02-26 | P4P Holdings Llc | Solar array support methods and systems |
US8429861B2 (en) | 2003-04-02 | 2013-04-30 | P4P Holdings Llc | Solar array support methods and systems |
US20100314509A1 (en) | 2003-04-02 | 2010-12-16 | Conger Steven J | Solar array support methods and systems |
US7285719B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-10-23 | Solar Suspension Systems, Llc | Solar array support methods and systems |
US8212140B2 (en) | 2003-04-02 | 2012-07-03 | P4P, Llc | Solar array support methods and systems |
US8875450B2 (en) | 2003-04-02 | 2014-11-04 | P4P Holdings, LLC | Solar array system for covering a body of water |
US9564851B2 (en) * | 2003-04-02 | 2017-02-07 | P4P Holdings, LLC | Solar array support methods and systems |
US20050178428A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Solar Roofing Systems Inc. | Photovoltaic system and method of making same |
EP1804300A4 (en) * | 2004-09-09 | 2011-10-19 | Univ Hokkaido Nat Univ Corp | FUNCTIONAL ELEMENT, MEMORY ELEMENT, MAGNETIC RECORDING ELEMENT, SOLAR CELL, PHOTOELECTRIC CONVERTER ELEMENT, LIGHT ELEMENT, CATALYST REACTION EQUIPMENT AND CLEANING UNIT |
US7838868B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-11-23 | Nanosolar, Inc. | Optoelectronic architecture having compound conducting substrate |
US20090032108A1 (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-05 | Craig Leidholm | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
US7732229B2 (en) | 2004-09-18 | 2010-06-08 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates |
US8927315B1 (en) * | 2005-01-20 | 2015-01-06 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | High-throughput assembly of series interconnected solar cells |
US20070243820A1 (en) | 2006-04-18 | 2007-10-18 | O'hagin Carolina | Automatic roof ventilation system |
US8607510B2 (en) * | 2006-10-25 | 2013-12-17 | Gregory S. Daniels | Form-fitting solar panel for roofs and roof vents |
US20080121264A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Industrial Technology Research Institute | Thin film solar module and method of fabricating the same |
US7825328B2 (en) | 2007-04-09 | 2010-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same |
DE212008000084U1 (de) * | 2007-11-02 | 2011-03-17 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Vorrichtung zur Beschichtung von Solarzellensubstraten sowie Solarzelle |
US20090211620A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Noribachi Llc | Conformal solar power material |
US20100101561A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Christopher Frank | Solar panels systems and methods |
US8316593B2 (en) | 2009-03-18 | 2012-11-27 | Garland Industries, Inc. | Solar roofing system |
US8733035B2 (en) * | 2009-03-18 | 2014-05-27 | Garland Industries, Inc. | Solar roofing system |
US8247243B2 (en) | 2009-05-22 | 2012-08-21 | Nanosolar, Inc. | Solar cell interconnection |
US20110155196A1 (en) * | 2009-12-31 | 2011-06-30 | Wu Tsung-Hsien | Tent capable of power generation |
KR101189368B1 (ko) * | 2011-01-24 | 2012-10-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 태양전지 제조방법 |
USD679242S1 (en) * | 2011-12-06 | 2013-04-02 | P4P Holdings, LLC | Solar array |
USD755944S1 (en) | 2014-03-06 | 2016-05-10 | Gregory S. Daniels | Roof vent assembly |
USD748239S1 (en) | 2014-03-06 | 2016-01-26 | Gregory S. Daniels | Roof vent assembly |
CA2940392C (en) | 2014-03-06 | 2022-10-18 | Gregory S. Daniels | Roof vent with an integrated fan |
NL2012563B1 (en) * | 2014-04-03 | 2016-03-08 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Solar cell module and method manufacturing such a module. |
KR102288539B1 (ko) | 2015-01-08 | 2021-08-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
USD891604S1 (en) | 2015-11-19 | 2020-07-28 | Gregory S. Daniels | Roof vent assembly |
US11326793B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-05-10 | Gregory S. Daniels | Roof vent and roof ventilation system |
USD930810S1 (en) | 2015-11-19 | 2021-09-14 | Gregory S. Daniels | Roof vent |
USD964546S1 (en) | 2020-10-27 | 2022-09-20 | Gregory S. Daniels | Roof vent with a circular integrated fan |
USD963834S1 (en) | 2020-10-27 | 2022-09-13 | Gregory S. Daniels | Roof vent with a circular integrated fan |
CN115148827A (zh) * | 2021-03-30 | 2022-10-04 | 金阳(泉州)新能源科技有限公司 | 一种背接触太阳电池芯片焊带焊接方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1419143A (en) * | 1972-04-04 | 1975-12-24 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor photoelectric device |
JPS52101967A (en) * | 1976-02-23 | 1977-08-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor device |
FR2370362A1 (fr) * | 1976-11-03 | 1978-06-02 | Ibm | Cellules photo-electriques integrees |
US4173820A (en) * | 1977-06-24 | 1979-11-13 | Nasa | Method for forming a solar array strip |
US4154998A (en) * | 1977-07-12 | 1979-05-15 | Trw Inc. | Solar array fabrication method and apparatus utilizing induction heating |
US4199377A (en) * | 1979-02-28 | 1980-04-22 | The Boeing Company | Solar cell |
JPS5680176A (en) * | 1979-12-04 | 1981-07-01 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectromotive force device |
JPS5943102B2 (ja) * | 1979-12-14 | 1984-10-19 | 富士電機株式会社 | 太陽電池 |
JPS5694785A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | Solar battery device |
US4410558A (en) * | 1980-05-19 | 1983-10-18 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous amorphous solar cell production system |
US4419530A (en) * | 1982-02-11 | 1983-12-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Solar cell and method for producing same |
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