KR830008552A - 쵸크랄스키 성장 실리콘에서 산소의 농도 와 분포를 조절하는 방법 - Google Patents
쵸크랄스키 성장 실리콘에서 산소의 농도 와 분포를 조절하는 방법 Download PDFInfo
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면 제1도 내지 제7도는 시드와 도가니 회전속도의 상대적 방향과 크기의 변화에 따른 효과와 쵸크랄스키 방법을 여러가지로 조정해서 얻은 결과를 나타낸 것이다. 여기에서 산소농도는 쵸크랄스키 막대의 퍼센트 결정길이 또는 퍼센트 후로즌에 대해 나타낸 것으로써,
제1도는 일정한 회전속도에서 직경 60mm 결정성장할 때의 산소량의 축방향 분포도.
제2도는 일정한 회전속도에서 직경 100mm 결정성장할 때에 산소량의 축방향 분포도.
제3도는 도가니 회전속도를 계획적으로 증가시킴으로서 실리콘 결정성장할 때 생기는 산소량 분포도.
제4도는 일정한 회전속도에서 직경 80mm 결정성장할 때의 산소량의 방사방향과 축방향 분포도.
제5도는 도가니 회전속도를 계획적으로 증가시키므로서 직경 80mm 결정성장할 때의 산소량의 축방향과 방사방향의 분포도.
제6도는 도가니 회전속도를 계획적으로 증가시키므로서 직경 100mm 결정성장할 때의 산소량 축방향과 방사방향의 분포도.
제7도는 도가니 회전속도를 계획적으로 증가시키므로서 직경 80mm 결정성장할 때의 산소량의 축방향과 방사방향의 분포도.
Claims (10)
- 회전하고 있는 실리카 도가니에 포함된 실리콘 용해물에 대해 시드결정을 회전시킴으로서 얻어진 실리콘 결정막대에서 산소의 분포와 농도를 조절하는 방법으로 다음과 같다.(a) 시드결정을 실리콘 용해물을 포함하고 있는 실리카 도가니와 회전시키면서 접촉시킨다.(b) 결정막대는 더 큰 초기회전속도로 그리고 용해물 도가니는 이와 반대방향으로 회전시키면서 실리콘 결정시드막대를 용해물로부터 인출시킨다.(c) 도가니 용해물 준위가 줄어듬에 따라 용해물 도가니 회전속도를 증가시킨다.
- 제1항에 있어서 결정막대내의 산소량의 분포는 축과 방사방향의 농도차가 약 8ppma보다 적을 때 도가니 회전속도를 증가시킴으로서 조절된다.
- 제1항에 있어서 산소함유량은 결정시드막대 회전속도와 출발당시 도가니속의 용해물량의 함수로써 약 15ppma부터 40ppma사이의 한계내에서 규제된다.
- 제3항에 있어서 실리콘 결정시드막대는 약 5RPM부터 40RPM까지 회전되며 용해물 도가니의 회전속도는 약 1RPM에서 40RPM까지 증가된다.
- 제1항에 있어서 산소함유량의 축방향분포는 약 5ppma부터 6ppma보다 적은 농도차내에서 조절된다.
- 제1항에 있어서 산소함유량의 방사방향분포는 약 4ppma부터 5ppma보다 적은 농도차내에서 조절된다.
- 제1항에 있어서 실리콘 결정시드막대 회전속도는 도달된 용해물 도가니 최대 회전속도보다 더 큰 속도에서 일정하게 유지된다.
- 제1항에 있어서 실리콘 결정시드막대는 단결정 실리콘으로 구성된다.
- 제1항에 있어서 실리콘 결정시드막대 회전속도는 도가니 용해물 준위가 줄어듬에 따라 증가된다.
- 회전하는 실리카 도가니속에 포함된 실리콘 용해물에 대해 단결정 시드를 회전시켜서 얻은 단결정 실리콘 막대에서 산소의 분포를 조절하는 방법은 다음과 같다.(a) 단결정 실리콘 시드를 용해물을 포함하고 있는 실리카 도가니를 회전시키면서 접촉시킨다.(b) 결정막대를 초기보다 더 큰 속도로 회전시키면서 용해물로부터 단결정 실리콘 시드막대를 확장인출한다.(c) 도가니의 용해물 준위가 줄어듬에 따라 도가니 회전속도를 증가시켜서 단결정 실리콘 막대길이의 약 98%까지 축과 방사방향에 따라 산소농도차가 약 10ppma보다 적게 단결정 실리콘 막대를 만들어낸다.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22092480A | 1980-12-29 | 1980-12-29 | |
US220924 | 1980-12-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR830008552A true KR830008552A (ko) | 1983-12-10 |
KR850001941B1 KR850001941B1 (ko) | 1985-12-31 |
Family
ID=22825580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019810005174A KR850001941B1 (ko) | 1980-12-29 | 1981-12-28 | 쵸크랄스키 성장 실리콘에서 산소의 농도 및 분포를 조절하는 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0055619B1 (ko) |
JP (2) | JPS57135796A (ko) |
KR (1) | KR850001941B1 (ko) |
CA (1) | CA1191075A (ko) |
DE (1) | DE3170781D1 (ko) |
MX (1) | MX159794A (ko) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0055619B1 (en) * | 1980-12-29 | 1985-05-29 | Monsanto Company | Method for regulating concentration and distribution of oxygen in czochralski grown silicon |
US4511428A (en) * | 1982-07-09 | 1985-04-16 | International Business Machines Corporation | Method of controlling oxygen content and distribution in grown silicon crystals |
JPS61151088A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | 単結晶の製造方法 |
JPS62105998A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 | Sony Corp | シリコン基板の製法 |
JP2579778B2 (ja) * | 1987-10-01 | 1997-02-12 | 住友シチックス株式会社 | 半導体用単結晶の製造方法 |
JP2520926B2 (ja) * | 1987-12-16 | 1996-07-31 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 |
JPH02263793A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-26 | Nippon Steel Corp | 酸化誘起積層欠陥の発生し難いシリコン単結晶及びその製造方法 |
US5215620A (en) * | 1989-09-19 | 1993-06-01 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Method for pulling a silicon single crystal by imposing a periodic rotation rate on a constant rotation rate |
JP2813592B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-10-22 | 住友シチックス株式会社 | 単結晶製造方法 |
JPH0699225B2 (ja) * | 1989-10-23 | 1994-12-07 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶引上げ方法 |
JPH0532480A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-02-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 結晶成長方法 |
US5178720A (en) * | 1991-08-14 | 1993-01-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates |
JPH05194075A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-03 | Nec Corp | 単結晶育成法 |
US5593498A (en) * | 1995-06-09 | 1997-01-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for rotating a crucible of a crystal pulling machine |
JP3927786B2 (ja) | 2001-10-30 | 2007-06-13 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 単結晶の製造方法 |
KR101022918B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2011-03-16 | 주식회사 엘지실트론 | 무네킹 공정을 이용한 단결정 제조 방법 |
CN113789567B (zh) * | 2021-09-17 | 2022-11-25 | 安徽光智科技有限公司 | 一种大尺寸锗单晶生长方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4040895A (en) * | 1975-10-22 | 1977-08-09 | International Business Machines Corporation | Control of oxygen in silicon crystals |
DE2758888C2 (de) * | 1977-12-30 | 1983-09-22 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung reinster Siliciumeinkristalle |
JPS55140795A (en) * | 1979-04-19 | 1980-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatic crystal growing device |
EP0042901B1 (fr) * | 1980-06-26 | 1984-10-31 | International Business Machines Corporation | Procédé pour contrôler la teneur en oxygène des barreaux de silicium tirés selon la méthode de Czochralski |
EP0055619B1 (en) * | 1980-12-29 | 1985-05-29 | Monsanto Company | Method for regulating concentration and distribution of oxygen in czochralski grown silicon |
-
1981
- 1981-12-24 EP EP81306131A patent/EP0055619B1/en not_active Expired
- 1981-12-24 DE DE8181306131T patent/DE3170781D1/de not_active Expired
- 1981-12-24 CA CA000393195A patent/CA1191075A/en not_active Expired
- 1981-12-28 KR KR1019810005174A patent/KR850001941B1/ko active
- 1981-12-28 JP JP56216184A patent/JPS57135796A/ja active Granted
-
1982
- 1982-01-04 MX MX190795A patent/MX159794A/es unknown
-
1992
- 1992-04-30 JP JP4111762A patent/JP2705867B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0055619A1 (en) | 1982-07-07 |
JPH05194083A (ja) | 1993-08-03 |
JPS57135796A (en) | 1982-08-21 |
JPH0321515B2 (ko) | 1991-03-22 |
EP0055619B1 (en) | 1985-05-29 |
JP2705867B2 (ja) | 1998-01-28 |
MX159794A (es) | 1989-08-28 |
DE3170781D1 (en) | 1985-07-04 |
CA1191075A (en) | 1985-07-30 |
KR850001941B1 (ko) | 1985-12-31 |
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