KR830008107A - 유기성 진개(塵芥)로부터 가연가스를 연속적으로 발생시키기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

유기성 진개(塵芥)로부터 가연가스를 연속적으로 발생시키기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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말레크 하인즈
라저 만프레드
에르미슈 도로티
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Abstract

내용 없음

Description

유기성 진개(塵芥)로부터 가연가스를 연속적으로 발생시키기 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1의 방법을 실시하기 위한 유기물로 이루어지는 진개의 가스화를 위한 장치의 구조의 단면도.
제2도는 제1의 방법을 실시하기 위한 유기물로 이루어지는 진개의 가스화를 위한 또하나의 장치의 구조의 단면도.
제3도는 제2의 방법을 실시하기 위한 장치의 실시예.

Claims (30)

  1. 유기성진개로부터 가연가스를 연속적으로 발생시키기 위한 방법으로서, 진개가 연속적인 흐름안에서 운선 공기차단하에서 약550℃까지 상승하는 온도에서 건조되어 탈기되며, 이어서 보다 고온하에서 가스화되는 방법에 있어서, 탈기된 물질에 약 1000℃의 온도하에서 행해지는 그의 가스화를 위하여 늦어도 가스화단계의 시초에 처리물질의 유동중의 물질의 조성의 변화에 상응하는 양의 공기, 증기, CO2, O2또는 이들 물질의 혼합물등의 가스화 매체가 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 유기성진개로부터 가연가스를 연속적으로 발생시키기 위한 방법으로서, 이 경우에 전개가 연속적인 흐름안에서 우선 공기차단하에서 약550℃까지 상승하는 온도에서 건조되어 탈기되고, 이어서 보다 고온하에서 가스화되는 방법에 있어서, 진개의 건조, 탈기 및 가스화가 2개의 상호방법적으로 분리된 단계에서 행해지고, 그때 진개가 제1단계에서 건조되어 탈기되며 또한 탈기할 때에 생성하는 물질이 제2단계에서 가스화되며 이 경우에 제1단계와 제2단계간의 물질의 흐름이 탈기할때에 발생하는 물질의 기계적 처리의 목적을 위하여 차단가능한 형태로 진개가 유도되는 것 및 탈기된 물질에 약 1000℃의 온도하에서 행해지는 그의 가스화를 위하여 늑어도 가스와 단계의 시초에 물질의 유동중의 물질의 조성에 변화에 상응하는 양의 공기, 증기, CO2, O2또는 이들물질의 혼합물등의 가스화 매체가 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서 가스화매체가 물질의 관류(貫流) 방향을 건조 및 탈기시에 형성된 가스와 함께 가스화될 물질에 공급되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서 가스화시에 형성되는 고온배드내에 전류가스의 분해를 위하여 공기 및 또는 산소가 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느하나에 있어서 가스화매체가 가스화시에 형성되는 고온배드내의 온도에 따라서 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 5항중 어느하나에 있어서 처리물질이 약200℃의 온도를 가진 조운(ZONE)으로서 가스화매체가 가스화되어야 할 물질에 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항중 어느 하나에 있어서 가스화시에 발행한 가연가스가 간극상(狀)의 통과구(口)로 부터 취출되고 그 경우에 처리물질이 간극의 상방에서 그 가스화까지 보지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항중 어느 하나에 있어서 형성된 가연가스가 복열식 열교환의 형태로 가스화되어야 할 물질의 예열을 위하여 이용되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서 미립(微粒)의 처리물질에 그의 가스화를 위하여 적어도 10중량%의 조괴물(粗塊物)이 첨가되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서 가스화시에 형성하는 고온베드로부터 유출하는 가연가스가 고온베드로부터 반출되는 재층을 거쳐 재취출구로부터 유도되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제2항에 있어서 유기물로 이루어지는 진개와 결합한 금속체와 같은 불연성의 성분이 탈기후 다시 처리될 물질의 흐름으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 진개가 연속적인 흐름 안에서 우선 공기 차단하에서 약 550℃까지 상승하는 온도에서 건조되어 탈기되고, 이어서 보다 고온하에서 가스화되는 방법에서 탈기된 물질에 약 1000℃의 온도하에서 행해지는 그의 가스화를 위하여 늦어도 가스화단계의 시초에 처리물질의 유동중의 물질의 조성의 변화에 상응하는 양의 공기, 증기, CO2. O2또는 이들 물질의 혼합물등의 가스화매체가 첨가되는 유기성진개로부터 가연성 가스를 연속적으로 발생시키기 위한 방법을 실시하기 위한 특허청구의 범위 제1항에 기재의 방법을 실시하기 위한 샤프트의 두부에 배치된 충전장치를 수반하여 샤프트의 상부에 존재하는 재료의 건조 및 탈기를 위한 열을 제공하기 위한 장치 및 샤프트의 하부에 존재하는 재료의 가스화를 위한 열을 제공하기 위한 장치를 수반하며, 이 경우에 샤프트킬른의 저부에재의 취출구가 설치되어 있는 샤프트킬른에 있어서, 샤프트의 하부에 탈기된 물질에 그의 가스화에 있어서 첨가되어야 할 가스화 매체를 위한 공급관(5,21)이 가스화매체가 가스화 단계의 시초에 탈기가 끝난 물질에 도달하며 또한 가스화실이 그 뒤에 배치된 공간으로부터 가스화후에 잔류하는 불연성의 잔사물의 통과를 위한 단면이 끝이 가느다란 통과구에 의해서 떨어지는 거리를 가지고, 샤프트의 하단에 존재하는 통과구(7,17)의 상부에 배치되어 있는 것 및 통과구의 직접 하부에 가연가스용의 인출구(11)가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  13. 제12항에 있어서 통과구가 윤상(輪狀) 또는 세로긴 간극으로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  14. 제13항에 있어서 공급관의 유통이 고온베드내의 온도에 의존하여 조작되는 조정기(27)에 의해서 조정 가능한 것 및 고온베드(18)가 샤프트의 중앙의 샤프트킬른의 재취출구에 배치된 원추형으로 형성된 배출방치(17)에 지지되어 있으며, 한편 이 배출장치는 냉각되며 또한 회전 가능하게 지지되어 있으며 또한 그의 하방 연부(緣部)에 통과구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  15. 제12항 내지 제14항중 어느 하나에 있어서, 가연가스배관(11,24)이 샤프트내에 존재하는 퇴적물층을 가열하는 복열식 열교환기(3,16)에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서 공급관(21)이 배출장치(17)용의 냉각배관과 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  17. 제16항에 있어서 가스화매체용의 공급관(21)이 배출장치(17)를 통과하며 또한 샤프트킬른(4)내의 토적물층(15)의 중앙으로 개구하고 있는 것을 특징으로하는 샤프트킬른.
  18. 제14항 내지 제17항중 어느하나에 있어서 원추형 배출장치(17)의 하연부에서 원추연부와 샤프트킬른벽(20)과의 사이에 윤상간극(19)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  19. 제14항 내지 제18항중 어느 하나에 있어서 원추형으로 형성된 배출장치(17)가 30도의 경사 각도, 특히 20도의 경사각도(29)를 가진 원추면(26)을 가진 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  20. 제14항 내지 제19항중 어느 하나에 있어서 회전 가능한 배출장치(17)의 고온베드(18)측을 향한 원추면(28)에 고온베드내의 가스화되어야 할 물질을 배출간극(19)에 운반하는 가이드리브(rib)(30)가 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  21. 제14항 내지 제20항중 어느하나에 있어서, 회전가능한 배출장치(17)에 샤프트킬른(4)의 바닥에 형성되는 재베드(32)를 취출하기 위하여 샤프트킬른(4)의 바닥까지 닿는 삽(33)이 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  22. 제14항 내지 제21항중 어느 하나에 있어서 가스화매체용 공급관(21)의 출구 상부의 샤프트내에 존재하는 퇴적물층(15)이 가스화매체용 공급관의 출구상부의 퇴적물층(15)내의 유동저항이 가스화 매체용 공급관(21)안의 유동저항 보다도 큰 높이를 가진 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  23. 제14항 내지 제22항중의 어느 하나에 있어서 가스화 매체용 공급관(21)내에 고온 베드내의 온도와 작용적으로 관련하여 제어되는 관류조정기(27)가 투입되어 있는 것을 특징으로하는 샤프트킬른.
  24. 제14항 내지 제23항중 어느하나에 있어서 배출장치가 샤프트킬른(4)내에 교환가능하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 샤프트킬른.
  25. 샤프트내에 존재하는 재료의 가스화를 위한 열을 공급하는 장치를 수반하는 샤프트킬른이 부착된 장치로서, 샤프트킬른의 저부에 재의 취출구가 설치되어 있는 장치에 있어서, 약 550℃까지의 온도에 의해 공기차단하에서 열작용을 통하여 유기물로 이루어진 진개를 전처리하기 위하여 사용되는 제1실(34)이 설치되고, 보다 고온하에서 처리물의 열작용에 사용되는 제2실(6)로서의 샤프트가 그 뒤에 접속되고, 이 경우에 있어서 샤프트의 상부에 있는 가스화실(6)에 가스화되어야 할 물질에 첨가되어야 할 가스화매체용의 공급관(5)이 개구되고 또한 샤프트가 가스화후에 잔류하는 불연성의 잔류물의 통과를 위한 단면이 끝이 가느다란 통과구에 의해서 샤프트의 뒤에 배치된 공간으로부터 떨어져 있으며 또한 통과구(7)의 직접 하부에 가연가스용의 인출구(11)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제25항에 있어서 통과구가 윤상간극 또는 세로긴간극으로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제25항 또는 제26항중 어느 하나에 있어서, 연장부에 있어서 제1실의 외벽을 포위하는 가스통로(3)가 샤프트에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제25항 내지 제27항중 어느 하나에 있어서 건조 및 탈기에 의한 진개의 전처리용으로서 정해진 제1실이 수평선에 대하여 경사지게 위치하는 회전드럼(34)으로서 형성되고, 공급측 말단에 기밀의 게이트시스템(1)을 가지며, 다른 말단은 가스화실을 형성하는 샤프트의 상부로 개구하고 있으며, 그 결과 열처리에 회부된 물질이 회전드럼(34)으로부터 반출추 샤프트킬른(4)내에 도달하는 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제28항에 있어서 회전드럼(34)의 말단과 샤프트(6)와의 사이에 샤프트의 상부에 덮여지고 및 또는 복수의 기밀의 게이트(36,37)에 의해 외방으로 차단가능한 중간실(35)이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 제28항 또는 제29항에 있어서 샤프트(4)의 상부가 전면적 또는 부분적으로 요동체(Shaking Screen)(38)에 의해서 덮혀지는 것 및 샤프트(4)의 상부에 있는 회전드럼(34)의 입구로 마주보는 측에 그의 하면이 요동체(38)의 높이로 개구되어 불연성물질을 배출시키기 위하여 기밀의 게이트(37)로 차단 가능한 샤프트(39)가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019810005182A 1980-12-27 1981-12-26 유기성 진개(塵芥)로부터 가연가스를 연속적으로 발생시키기 위한 방법 및 장치 KR830008107A (ko)

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